用於製造表面安裝類型半導體器件的方法以及對應的半導體器件與流程

2023-10-04 22:08:39 1

此處描述了一種用於製造表面安裝類型的半導體器件，尤其是四方扁平無引線多行(QFN_mr)類型的半導體器件的方法，包括：提供金屬引線框架，尤其是銅引線框架，該金屬引線框架包括多個焊盤，該多個焊盤中的每一個設計為容納器件的主體，所述焊盤通過接線鍵合接觸區域的一行或者多行與相鄰焊盤分隔開，在所述接線鍵合接觸區域的一行或者多行中的最外行、以及與相鄰焊盤對應的最外行一起，確定分隔區域。

背景技術：

各個實施例可以應用於在消費者、汽車和工業行業中的功率控制、射頻傳輸、物理/電氣輸入的數字轉換的應用的QFN_mr器件。

已知的是，半導體器件，諸如，例如，集成電路和MEMS器件，都包封在對應的封裝體內，該封裝體執行保護不受外界影響並且作為與外界的分界面的功能。例如，所謂的「表面安裝」封裝體是已知的，其使得能夠在印刷電路板(PCB)上進行表面安裝。

更加詳細地，表面安裝封裝體包括，例如，所謂的「無引線四方扁平」(QFN)類型的封裝體，也稱為「微引線框架」(MLF)封裝體或者「小外廓無引線」(SON)封裝體。

一般而言，參照例如QFN類型的封裝體，其包括樹脂區域，其中吞封(englobe)有該樹脂區域中的是引線框架，該引線框架又形成分布在封裝體的底表面上的至少一個端子陣列。在文件第US 2005/0116321號中描述了用於產生包括引線框架的封裝體的方法的示例。

如與標準QFN器件相比，QFN_mr器件從0.4mm的間距開始， 並且，在相同的面積下，具有更大數量的輸入/輸出，這些輸入/輸出有可能布置在QFN_mr器件的底表面上，從由器件的散耗器佔用的中央區域開始，一直到其邊緣，而在標準QFN器件中，輸入/輸出可能僅僅沿著邊緣布置。

在標準QFN器件中，外接觸的表面到達器件的邊緣，因為，就接觸由引線框架的結構支撐而言，在器件的單片化期間不存在接觸自身的分開的問題。在QFN_mr器件中，在執行單片化操作之前，接觸完全絕緣並且僅僅由封裝樹脂和由接線支撐；結果，它們無法承受由切割刀片傳輸的應力而不分層。為此，QFN_mr器件的引線框架設計為，在接觸與封裝體的邊緣之間留出空間，通常為0.1mm。

在一些情況下，例如在汽車行業中，為了保證在PCB上的QFN_mr器件的焊接操作的質量等級，要求外接觸(即，考慮到與所焊器件的與器件自身的中央對應的中性點的距離，從熱機械觀點來看，受到最大應力的外接觸)可目測檢查，以便核實焊珠的尺寸和形狀遵循最低要求。

關於標準QFN器件，該要求通過引入在接觸的暴露側上的錫的沉積或電鍍處理以獲得相對於在PCB上的焊接焊盤成90°設置的表面來滿足，該表面是使得能夠獲得更結實的並且更容易經由自動檢查來檢查的焊接彎月面的表面。

關於QFN_mr器件，因為接觸不會到達封裝體的邊緣，所以這是不可能的。

技術實現要素：

此處描述的各個實施例具有改進根據已知領域的器件的潛力的目的，如之前所論述的。

各個實施例基於具有在隨附的權利要求書中描述的特性的方法和器件而實現上述目的。

各個實施例可以設想：

—在分隔區域中沉積傳導焊接材料，以便將與相鄰焊盤向對應的 接線鍵合接觸區域接合在一起；

—將器件固定至相應的焊盤；以及

—在引線框架上執行熱處理，該熱處理設計為將傳導焊接材料燒結或者回流。

各個實施例還可以設想：

—執行接線鍵合，該接線鍵合包括：在由傳導焊接材料接合的接線鍵合區域與相應的焊盤之間，關聯接線；

—在引線框架上執行封裝體的模塑；以及

—通過沿著前述分隔區域實現切口以便切割焊傳導焊接材料，來執行器件的單片化，從而使傳導焊接材料的珠的表面暴露在器件的外部。

各個實施例可以設想前述傳導焊接材料是TLPS(瞬時液相焊料)。

各個實施例可以設想提供金屬的引線框架，尤其是銅的引線框架，包括多個之前電鍍的焊盤和接線鍵合接觸區域。

各個實施例可以設想最外行的區域被被部分地電鍍，從而使面朝分隔區域的這部分區域暴露出來。

各個實施例可以設想提供引線框架，該引線框架具有寬度至少為600μm的分隔區域。

各個實施例可以設想，在前述單片化操作之後，經由將焊膏珠鋪設在PCB上的步驟、以及將由切割焊珠的側表面和底表面形成的邊緣放置在焊膏珠上的步驟，將單片化的器件安裝在PCB上，以導致焊膏珠的側向彎月面的形成。

各個實施例可以指表面安裝類型的半導體器件，尤其是四方扁平無引線多行(QFN_mr)類型的半導體器件，包括半導體材料的主體；引線框架元件，該引線框架元件包括電連接至半導體主體的多個接觸端子。前述引線框架元件包括容納半導體主體的焊盤、以及接線鍵合接觸區域的一行或者多行，接觸端子電連接至接線鍵合接觸區域。

各個實施例可以設想接觸端子被燒結。

各個實施例可以設想器件包括封裝體，該封裝體包括塗覆器件區 域的介電層，該封裝體包括前述半導體主體、前述焊盤、和前述接線鍵合接觸區域的一行或者多行，該封裝體通過前述引線框架元件在下面定界，前述接觸端子分布在封裝體的底表面上以及在封裝體的側表面上。

附圖說明

將僅以示例的方式參照所附附圖對各個實施例進行描述，其中：

圖1A、圖1B、圖1C和圖1D是表示此處描述的方法的步驟的截面圖；

圖2A、圖2B、圖2C和圖2D是表示此處描述的方法的變型實施例的截面圖；

圖3A、圖3B和圖3C是表示此處描述的方法的另外一些步驟的截面圖；

圖4示出了此處描述的方法的又一步驟的截面圖；

圖5是此處描述的方法的又一步驟的示意圖；

圖6示出了在圖5的步驟中獲得的器件模塊；

圖7示出了表示此處描述的最後一個步驟的截面圖；

圖8A和圖8B示出了在此處描述的製造方法的第一步驟中的多個器件的透視圖和放大透視圖；

圖9示出了在此處描述的製造方法的第一步驟中的多個器件的又一視圖；

圖10A和圖10B示出了在此處描述的製造方法的第二步驟中的多個器件的透視圖和放大透視圖；

圖12示出了在此處描述的製造方法的第三步驟中的多個器件的透視圖；

圖14示出了在此處描述的製造方法的第四步驟中的多個器件的透視圖；

圖16A和圖16B示出了在此處描述的製造方法的第二步驟中的多個器件的又一透視圖和放大透視圖；

圖18示出了在此處描述的製造方法的第五步驟中的多個器件的又一視圖；

圖20示出了在此處描述的製造方法的第六步驟中的器件的視圖；

圖21示出了在此處描述的製造方法的第七步驟中的器件的視圖；

圖11、圖13、圖15、圖17和圖19示出了在製造方法的不同步驟中的器件的細節。

具體實施方式

在以下說明中，提供了許多具體細節，旨在能夠最大程度地理解以示例的方式提供的各個實施例。實施例可以用或者不用具體細節來實施，或者可以用其他方法、部件、材料等來實施。在其他情況下，公知的結構、材料、或者操作不再詳細圖示或者描述，從而使得不會模糊各個實施例的各個方面。在本說明中，提及「一個實施例」是為了表明結合該實施例描述的具體特徵、結構、或者特性被包括在至少一個實施例中。因此，可以出現在本說明的各處的短語諸如「在一個實施例中」等，並非一定是指一個或者相同的實施例。此外，具體特徵、結構或者性可以按照任何方便的方式組合在一個或者多個實施例中。

此處僅僅出於方便讀者起見提供了附圖標記，並且這些附圖標記不限定各個實施例的範圍或者意義。

圖1A，其表示此處描述的方法的第一步驟110，示出了標準引線框架的側向截面圖。上面的步驟110設想從標準金屬引線框架11開始，尤其是銅引線框架，尤其是PPE(預電鍍框架)類型的。引線框架11基本上是銅板，在該銅板上，尤其是通過蝕刻，獲得相對於頂表面11u的基準面的浮雕圖案。這些浮雕圖案包括焊盤12a，該焊盤12a具有寬的表面，該表面設計為容納半導體器件20的主體，所謂的裸片。存在多個焊盤12a，該多個焊盤12a一般成行和成列地布置在引線框架11上(對此，參見圖8A的透視圖)，並且通過更小的接觸區域12的一行或者多行(在這種情況下為兩行R1、R2)與相鄰焊盤 分隔開，其中要應用鍵合接線13。最外行(在這種情況下是與焊盤12a對應的區域12的行R2)、以及與相鄰焊盤對應的最外行一起，確定分隔區域23。焊盤放置在相對於更小區域12的中央位置中，在其處待應用鍵合接線13，以及用於將器件20粘合在其頂表面11u上。

焊盤12a和區域12通過使用材料，諸如NiPd或者NiPdAu或者Ag，而電鍍有接觸14，以便限定出待應用鍵合接線13的區域。根據已知的PPF技術(採用電化學工藝對引線框架進行預電鍍)，優選地在提供引線框架11之前，對接觸層14電鍍。

如已經提及的，每個焊盤12a通過四個區域12彼此分隔開。如可以從圖8更加清楚地注意到，這與每個焊盤12a由區域12的第一行R1圍繞並且由區域12的第二行R2圍繞的事實相對應，如在圖8中更加清楚可見的，第一行R1和第二行R2根據圍繞焊盤12a的矩形周長布置。在與相鄰焊盤對應的第二行R2之間，確定了分隔區域23，在此處描述的方法中，該分隔區域23具有至少為600±50μm的寬度S。

在引線框架11的底表面11d上，在與區域12對應的位置中，再次通過電鍍而獲得可焊接的底部接觸16，以及在與頂部焊盤12a對應的位置中，提供了底部焊盤16a，底部接觸16和底部焊盤16a直接電鍍在引線框架11的底部銅表面11d上，該底部銅表面11d基本上是平面的並且不具有任何浮雕圖案。

在圖8A中圖示的是在步驟100中的QFN_mr類型的引線框架11的對應透視圖，在該引線框架11的頂表面11u上可見具有基本上矩形形狀的焊盤12a。如可以從示出了焊盤12a的放大視圖的圖8B更加清楚地了解的，這些焊盤12a由區域12的第一行R1沿著圍繞焊盤12a的矩形周長圍繞，這些區域12待進行接線鍵合。布置在該周長外側上的是區域12的第二行R2，並且然後是接觸區域23。如可以從圖8B注意到的，區域12的第二行R2被部分地電鍍，使區域12的面朝分隔區域23的部分暴露出來。

基本上，可以確定出器件區域AD，該器件區域AD的範圍是： 從分隔區域23的長度S的一半、其內部包括行R2和R1、到焊盤12a。如圖8A所示，器件的前述面積AD也基本上是矩形的，並且其周長沿著被分隔區域23確定出的溝槽的縱軸延伸。然後，如隨後的圖所示的，沿著該周長，製作用於器件的單片化操作的切口。

圖9是再次基本在與步驟100對應的處理步驟中的底表面11d的透視圖，在該圖中可見對應接觸16和底部焊盤16a的布置，該布置與在頂表面11d上的區域12和焊盤12a的布置對應，並且因此包括底部焊盤16a，該底部焊盤16a由沿著矩形周長布置的底部接觸16的兩行圍繞。

返回到在圖1中圖示的過程，為了在步驟120中提供接觸端子50(例如，在圖7中可見)，如在圖1B中圖示的，在上述區域23中應用了傳導焊接材料15，尤其是傳導焊接材料珠15。此處術語「珠」理解為如下含義：應用填充材料的焊接材料珠，即，一旦經由熱處理燒結或者回流便會通過形成中間金屬層而在由銅製成的表面23與12之間提供機械和電學接觸的一定量的傳導材料。傳導焊接材料珠15優選地由可在低溫(220℃)下燒結並且不可逆的TLPS(瞬時液相焊料)類型的材料組成，尤其是銅錫複合物，例如由ORMET生產的材料DAP689。TLPS材料基本上是具有可在低溫(低於250℃)下燒結的以銅和錫為基礎的材料，這種材料一旦燒結便是穩定的，並且在燒結之後形成耐受對銅引線框架的蝕刻處理的中間金屬。

在變型實施例中，傳導焊接材料15可以是具有高於260℃的回流焊接溫度的傳導合金，並且因此比用於將器件焊接在PBC上的SAC(錫-銀-銅)合金的回流焊接溫度高，該SAC合金也耐受對銅引線框架的蝕刻處理。例如，此處使用銀-鉍合金，例如，由銦產生的材料BiAgX，或者回流焊接溫度高於260℃的焊膏。

在步驟120中，使用從一個接觸移動至另一個以形成珠的分配針、或者通過熱軋加上施加壓力、或者通過絲印印刷技術進行轉送，來執行傳導焊接材料15的應用。可以通過針分配或者通過絲印印刷技術來應用TLPS材料，然而優選地可以僅通過絲印印刷技術來應用具有 傳導合金的膏。

按照也將在接線鍵合區域12上的鄰接表面覆蓋接近50％方式，來應用傳導焊接材料15，即，基本上保留不小於100±50μm的長度的表面不具有鍍層14。由此，產生了橢圓形形狀的傳導材料珠15，該珠在結合與兩個相鄰焊盤對應的兩個區域12的方向上的總長度S大於800±50μm，寬度為250±50μm，並且厚度大於200±50μm。

對區域12的用於容納鍵合接線13的部分電鍍，以產生相對於區域12自身的應用了傳導材料15的相連表面的不連續，相反，該表面暴露出來，並且因此是銅表面。這樣，傳導材料15超過邊界的程度是受控的，由此防止材料將區域12的設置有鍍層14的部分汙染，在該部分處待有效地應用鍵合接線13。

在需要使用未加工的銅作為區域12的被設計用於接線鍵合的部分的表面剖光結構的情況下，相連表面再一次由銅製成，但是具有標準粗糙度。

圖10A和圖10B是在執行步驟120之後的引線框架11的透視圖，與視圖8A和視圖8B相似，其中可以注意到的是由傳導材料15製成的珠，每個珠在第二行R2的兩個區域12之間延伸，由此將這兩個區域接合在一起。在圖10B中還可見角部接觸15c，該角部接觸15c通過將材料15沉積在未經電鍍的區域12上而形成。

相反，圖11是圖1B的關於由傳導材料製成的接觸15的截面圖的放大部分。

然後，步驟130是安裝半導體器件的主體20(所謂的裸片)的步驟。在要安裝具有金屬化底表面的主體20的情況下(如在步驟130中)，可以將傳導材料15沉積成層15g，也沉積在焊盤12a上以便能夠粘合器件20，並且這樣，可以與側向接觸的應用同時地應用。

如果傳導材料15是可燒結材料，那麼然後在步驟140中燒結傳導材料15，或者可替代地，經由通過隧道爐或者在靜態爐中進行回流來燒結傳導材料15。對於燒結，最大溫度是220℃，然而，對於具有高回流燒結溫度的膏的回流，使用在270℃與300℃之間的溫度。

必須監測爐中的氧含量，以便保證完全燒結或者回流。通過使爐在氮氣氣氛下工作來獲得這種條件。在低溫可燒結材料(TLPS)的情況下，可以進一步通過使爐在還原性氣氛下工作來改進燒結。這種條件通過使爐在氮氣N2和氫氣H2的混合氣體(H2的百分比小於5％)下工作來獲得。如圖1D所圖示的，傳導焊接材料珠15進行燒結或者回流(在具有高回流焊接溫度的膏的情況下)，從而成為焊珠15s，通過焊接連接至相應的接線鍵合區域12。

圖12表示承載著焊珠15s和粘合在焊盤12a上的晶片20的引線框架11(在步驟130之後)的透視圖。

圖2A至圖2D圖示了與圖1的處理步驟相同的處理步驟，但是考慮了有必要安裝具有由氧化矽製成的底表面的器件20』的情況。在這種情況下，在提供引線框架11的步驟110之後，執行沉積傳導材料15的步驟120』，其中在焊盤12a上不沉積層15g，而是在步驟125』中，在焊盤12a上應用粘附材料18，粘附材料18是用於具有由氧化矽製成的底表面的器件20』的標準類型的，即，在應用傳導焊接材料15之後，例如使用C-DAF(傳導裸片-附接膜)或者膠。在步驟130』中，將具有由氧化矽製成的底表面的器件20』應用在焊盤16a上。在燒結或者回流傳導焊接材料15的步驟140』期間，執行使一層粘附材料18聚合成聚合層18s。

圖3A至圖3C圖示了在熱處理步驟尤其是燒結步驟140或者140』之後的步驟。第一個下一步驟是等離子清潔的步驟150，該步驟的目的是從要執行接線鍵合的區域12去除任何有機汙染物。要考慮到，如果將含有錫的材料用作用於提供接觸的傳導材料15，那麼該材料與可能在等離子清潔中使用的氮氣(即，形成氣體)反應，形成會導致其自身的汙染的不穩定化合物。由此，優選的是，將與氬氣結合的氮氣用作反應氣體70，來執行等離子清潔150的步驟，這保證了適當的機械清潔。

然後，執行接線鍵合的步驟160，該接線鍵合通過在區域12和焊盤12a的電鍍表面14上(或者在未加工的銅表面上)使用金、銅、 或者銀的接線13來進行。將接線13連接在行R1和R2中的每個區域12與這些區域2在它們的周長中圍起的焊盤12a之間。

圖13表示在接線鍵合160之後的焊珠15s的細節，其中接線13設置為與電鍍表面14接觸。

下一個步驟170(如在圖3C中圖示的)是在引線框架11上模塑介電材料(尤其是塑料樹脂)層40的步驟，以獲得由保護了接線13和器件20或者20』的樹脂製成的封裝體41。圖14是塗覆有介電層40的引線框架11的示意圖，而圖15示出了在塗覆有介電層40之後的焊珠15s的細節。更加詳細地，模塑步驟170設想經由注入其中分布有矽微粒子的熱固性環氧樹脂來形成介電層40。將介電層40形成在半導體器件的主體20的裸片上，並且塗覆器件的整個區域AD，並且因此還塗覆了焊珠15s。當然，介電層40，即樹脂層，還覆蓋了在引線框架11上的器件的其他區域。

可以在模塑步驟170之後，例如在175℃的固化溫度下，進行熱處理，該處理稱為模塑後固化(PMC)。

圖4再次在側向截面圖中圖示了在此處描述的方法的又一步驟180中的引線框架11。

在該在化學回蝕刻步驟中，執行對引線框架11的底表面11d的化學蝕刻，以去除不受鍍層14(即，在底表面11d的接觸16上和接觸焊盤16a上的鍍層14)保護的銅層。具體而言，回蝕刻步驟180去除引線框架11的銅，但是不去除通過燒結TPLS而獲得的並且製成燒結焊珠15s的SnCu中間金屬複合物。結果，在步驟180之後，焊珠15s分布成其本身的底表面15d在引線框架11的底表面11d上、並且設置在電鍍接觸16之間的其處已經去除了銅的未掩蔽部分中。因此，化學蝕刻180也使焊珠15s的底表面15d暴露了700μm的長度E和250μm的寬度。圖16A和圖16B是在沉積步驟120之後的引線框架11的透視圖，與圖10A和圖10B的視圖相似，在這些圖中，在回蝕刻步驟180之後從底表面11d的一側可以注意到引線框架11，並且因此可以注意到焊珠15s的底表面15d。再次在相同的上下文中， 圖17示出了在回蝕刻步驟180之後的接觸15的細節。

該過程的下一個步驟，步驟190，在圖5中圖示，並且由各個器件模塊30的單片化組成，該單片化優選地通過使用金剛石刀片切割來執行，這產生接近200±50μm的寬度t的切口19。使基本上被包括在分隔區域23之間的器件區域AD與其他對應的器件區域分隔開，由此能夠使器件20的裸片與其他器件的其他晶片分隔開。由此切割的介電層40，與引線框架11的與器件區域AD對應的部分集成在一起，並且代表器件模塊30的封裝體41。

圖18是引線框架11的透視圖，在單片化步驟190之後，通過切口19將引線框架11分為多個器件模塊30。

圖6僅僅圖示了在封裝體41中的單獨的模塊30，並且可以注意到，在給定封裝體41的底表面與引線框架11的底表面11d基本對應的情況下，切口19如何確定模塊30的焊珠15s的側表面15a，該側表面15a被暴露出，即，未被介電層40或者通過任何鍍層覆蓋。從圖6還可以了解到，在切割之後，底表面15d保持暴露，達200±50μm的距離d。

總而言之，在切割操作190之後，介電區域40形成覆蓋裸片20的封裝體41，該封裝體41通過器件20的區域的這部分引線框架11，在下面定界。切割操作190使得每個焊珠15s，在每個焊珠15s已經基本上被切割掉一半從而形成切割的焊珠15m之後，確定出燒結材料的端子50，該端子包括底表面15d，該底表面15d分布在封裝體41的底表面11d上；以及側表面15a，而該側表面15a向外暴露並且因此是可焊接的。該側表面15a與封裝體P的側表面共面，封裝體P具有基本上平行立面體的形狀，其頂表面和底表面與器件區域AD的頂表面和底表面相對應。沿著由封裝體41的側表面411和由底表面11d形成的邊緣延伸的，是接觸端子50的至少一部分。因此，切割操作(步驟190)使得形成具有四方扁平無引線(QFN)類型的封裝體的器件。

因此，如剛才已經論述的，基本上，在單片化步驟190之後，焊 珠15s使側表面15a和底表面15d暴露出來。這使得可以在PCB 60上焊接的步驟200期間(如在圖7中圖示的)，通過形成側向焊接彎月面25，來執行焊接。如可以在圖7中注意到的，焊膏珠24鋪設在PCB 60上，在這種情況下，優選地是鋪設在給定端子50待經由焊接而連接至PCB 60的位置處，並且由側表面15a以及底表面15d(其與封裝體P的底部邊緣對準)形成的邊界被放置在前述焊膏珠24上，從而導致形成側向彎月面25。

在圖19中圖示的是切割的焊珠15m的細節，即，焊珠15s由切口19分為兩部分，並且也在這種情況下，可以注意到切口19如何使得表面15a暴露出來。切割的珠15m焊接至區域12並且由此與器件的主體20電接觸，並且因此形成，可以在其上(尤其是在側表面15a上)焊接另外的接觸的接觸端子50。結果，獲得器件，該器件包括半導體材料20、20』的主體和引線框架元件11，該引線框架元件11包括電連接至半導體主體20的多個接觸端子50，該引線框架元件11包括焊盤12a、和接線鍵合接觸區域12的一行或者多行R1、R2，該接觸端子50電連接至接線鍵合接觸區域12。

圖20是模塊30的示意性透視圖，該圖突出了：塗覆有環氧樹脂的介電層40的頂表面；以及在周長上從環氧樹脂的介電層40顯露出來的端子50的側表面15a，由此提供了可以執行焊接200的點，如圖7所示。

圖21是器件模塊30的示意性透視圖，該圖突出了器件模塊30的底表面，並且結果，沿著周長連接至第二行R2的接觸16的側表面15a、和連接至第一行R1的接觸16的側表面15a、以及底部焊盤16a可見。還可見的是切割的珠15m的底表面15d，該底表面15d與底部接觸16和珠15m的側表面電連續。

因此，所公開的解決方案的優點通過前述說明清楚地顯露出來。

有利地，對於QFN_mr封裝體而言，所描述的方法能夠獲得側向彎月面，該側向彎月面在對外行的PCB檢查中可見，這是用於部件的自動定位的系統中所要求的特性。

而且，有利地，該方法可以使用蝕刻引線框架和導體絲網印刷的簡單混合技術。而不一定進行電鍍導線。

所描述的方法有利地提供：將可燒結材料直接應用在銅引線框架上，而不要求可去除的絕緣裝置，或者更加一般地不要求臨時襯底。為此，可以用高溫(高達300℃)焊膏替代燒結材料，只要該方法通過使用金屬引線框架能夠實施回流溫度(超過250℃)。

經由該方法獲得的器件有利地不具有連接至裸片(即，連接至半導體主體)的燒結材料，而是將燒結材料應用在引線框架的接觸上，而引線框架又接線鍵合至裸片。

該方法與ASE、STATS和UTAC技術有利地兼容。

當然，在不背離保護範圍的情況下，在不損害所描述的解決方案的原理的情況下，細節和實施例可以相對於此處僅僅以示例的方式已經描述的細節和實施例有所不同，甚至明顯地不同。保護範圍由所附權利要求書所限定。