製造包括襯底和沉積在襯底的一個表面上的層的結構的方法

2023-10-05 12:30:54 4

專利名稱：製造包括襯底和沉積在襯底的一個表面上的層的結構的方法
技術領域：
本發明涉及一種製造用於電子學、光學、光電子學或光伏學的結構的方法，該結構 包括襯底，以及通過將材料沉積在襯底的一面上而形成的層。
背景技術：
技術的發展顯示，可以利用合適的技術，例如PECVD( 「等離子增強化學氣相沉積」 的首字母縮寫)，來選擇襯底的面以將薄層沉積在所選的面上。然而，這一過程很複雜，可能 弓丨入金屬雜質，並且沉積層可能分層。採用非選擇性技術使得在襯底的兩面上都進行沉積。然後可以消除沉積在不希望 的表面上的層。為達此目的，可以將例如想要保存的層鍵合到其他材料上，從而保護該層， 然後進行刻蝕，從而消除位於非保護面上的層。然而，根據該層的性質(特別是，如果該層 為SiN，A1N或鑽石)，撤銷該層有時十分困難，而且相比於襯底的材料是非選擇性的。也可以採用RIE刻蝕(「反應離子刻蝕」的首字母縮寫)，其相關描述記載於 "Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 1 :ProcessTechnology，，(VLSI 時代的娃工 藝，第 1 卷，工藝技術)，作者是 StanleyWolf 和 Richard N. Taube, Lattice Press，第二版 (1999 年 11 月 1 H ), ISBN-10 :0961672161，章節「14，Dry Etching for VLSI」(用於 VLSI 的幹刻蝕)。這種利用等離子輔助的幹刻蝕可將選擇的表面清除而無需保護其他表面，但是 其效果取決與要清除的材料。此外這種相當困難的技術需要採用劇毒氣體和汙染物，例如 NF3或SF6。因此這需要特殊的操作條件，特別是特殊的封閉。該問題的一個具體示例出現在，在SopSiC ( 「矽多晶碳化矽」，Silicon on Polycrystalline SiC的首字母縮寫)或SiCopSiC (「碳化矽多晶碳化矽」，Silicon Carbide On Polycrystalline SiC的首字母縮寫)襯底的背面上形成多晶矽層時。SopSiC襯底主要對紅外線輻射透明，不可能通過該襯底的背面對其充分加熱以在 前表面達到適於實現分子束外延生長(MBE)的溫度。沉積在背面上的多晶矽層吸收紅外線輻射，可將該層加熱到高溫從而能夠通過傳 導加熱SopSiC襯底，以得到實現外延生長所需的溫度。這方面，可以參考出版物，US5，296，385，US2004/0152312，EP 0 449524, W0 2006/082467 和 FR 07 54172。目前，實現的方法在於在不選擇SopSiC襯底的表面的情況下沉積多晶矽，也即 是，在SopSiC襯底的兩個表面上都沉積多晶矽，然後進行刻蝕以消除在不需要的表面上形 成的層。參見圖1A，通過在單晶矽襯底520上注入來形成界定了層500的脆化區510。參見圖1B，利用Si02的鍵合層300，通過將單晶矽襯底520鍵合到多晶SiC支撐 400 (也記作p-SiC)上，以及通過將層500傳遞到支撐400上，而形成了指定為SopSiC的結 構 100。
參見圖1C，通過在水蒸氣氣氛中在大約800到1200°C下進行的退火，來加固結構100的鍵合，這有利於通過矽和SiC的熱氧化，即通過消耗層400和500的表面上的矽，在結 構100的兩個表面上都形成SiO2層110和120。參見圖1D，接下來不區分先前獲得的結構的表面，進行多晶矽(也記作p-Si)層 200的沉積。為達此目的，可在620°C的溫度下採用LPCVD技術(低壓化學氣相沉積)。參見圖1E，通過RIE刻蝕將位於單晶矽層500 —側的p_Si層200從SopSiC結構 去除。參見圖1F，通過HF溶液的作用將位於單晶矽層500—側的SiO2的層110從SopSiC 結構去除，其中HF溶液選擇性地溶解SiO2並保持矽完整。最後，清潔單晶矽的層500的表面，以備將其用於通過MBE的外延生長。可以理解，該方法包括大量步驟，並採用複雜而昂貴的技術來執行以實現選擇性 刻蝕。此外，在多晶矽的後層200和多晶SiC的層400之間形成了具有高度熱絕緣的SiO2 層120，這降低了通過該後層的加熱效率。該SiO2層120的抑制作用使得必須進行額外的 刻蝕步驟，執行成本很高。因此本發明的一個目的是提出一種製造結構的方法，其中採用非選擇性沉積技 術，將材料層僅沉積在襯底的一個表面上，該選擇性沉積技術簡單，執行成本低，執行起來 不會費用昂貴，並且避免了採用RIE型刻蝕。

發明內容
根據本發明，提出了一種製造用於電子學、光學、光電子學或光伏學的結構的方 法，該結構包括襯底，和通過將材料沉積在襯底的一個表面上而形成的層，該方法的特徵在 於包括以下步驟-形成脆化襯底，該襯底包括脆化區，該脆化區一方面限定了所述襯底，另一方面 限定了剩餘物，-在脆化襯底的兩個表面的每一個上沉積所述材料的層，-分裂脆化襯底，從而形成所述結構，其中襯底的一個表面被沉積的材料層覆蓋，其另一表面暴露。 暴露在本文中的意思是襯底的所述表面沒有被層覆蓋。根據一個實施例，分裂的熱預算比沉積提供的熱預算要高。因此沉積步驟在分裂 步驟之前進行。根據第二實施例，分裂的熱預算比沉積提供的熱預算要低。因此分裂步驟可在沉積步驟期間進行。優選地固定脆化襯底使得分裂的部分彼此 不分開，在有益的特定方式中，在沉積步驟中將襯底水平固定。根據優選實施例，分裂步驟在層的材料的沉積腔內進行。根據本發明的實施的變型，該方法包括以下連續的步驟-在脆化襯底的兩面沉積無定形形式的材料，-分裂脆化襯底，-退火到適於材料結晶的溫度。
根據本發明的其他可能特徵-通過在襯底中注入離子物質而形成脆化區；-該襯底為複合襯底，其包括支撐襯底和籽晶層；-該襯底包括以下材料中的一種A1203，ZnO,III/V族材料及其三元和四元合金， Si, SiC，多晶SiC，鑽石，Ge及其合金。-該沉積材料選自以下材料無定形Si，單晶Si，多晶Si，Ge,SiC，多晶SiC，無定 形SiC，III/V族材料及其三元和四元合金，A1203，Si02, Si3N4和鑽石。-該襯底是SopSiC或SiCopSiC類型的複合結構，沉積材料層是多晶矽；-該方法包括進一步在所形成的結構的襯底的暴露表面上執行分子束外延生長。


通過閱讀以下說明書，本發明的其他特徵，目的和優點將更加清楚地呈現，其附圖 如下-圖1A到1F描述了現有技術的非選擇性沉積方法的步驟，-圖2A到2C描述了源襯底中脆化區的形成。-圖3A和3B描述了本發明的第一實施例的步驟，-圖4A和4B描述了本發明的第二實施例的步驟，-圖5A到5C描述了本發明的第三實施例的步驟，-圖6描述了由根據本發明的方法獲得的結構，以及該結構和剩餘結構，-圖7A到7H描述了本發明的第一應用實例，其中根據第一變型，將p-Si後層沉積 到SopSiC襯底上，-圖8A到8D描述了本發明的第二應用變型，其中將p_Si後層沉積到SopSiC襯底 上，-圖9A到9D描述了根據本發明的應用的示例，其中將p_Si後成沉積到SiCopSiC 襯底上。
具體實施例方式在通常情況下，本發明包括襯底12的製造，該襯底可以是整體的或複合的(即包 括不同材料構成的多個層)，襯底12包括脆化區11，依據此脆化區將襯底12分裂。這裡「分裂」或「斷裂」的意思是根據平行於初始襯底的表面的平面將襯底分為兩 層的操作，因此能夠進行後續的去除或分離由此形成的兩層是獨立的，但毛細管現象或吸 力作用可能在兩層之間造成一定的粘連。因此，需特別指出，去除步驟在分裂步驟之後，且 與分裂步驟分開。在下文的描述中，當提到分裂的襯底時，需明白，兩層仍然彼此接觸。在形成脆化區之後，在脆化襯底的兩個表面上沉積材料，並分裂脆化襯底。根據下文詳細描述的情況，分裂步驟可以在沉積步驟期間或沉積步驟之後進行。最後，在上文所述的沉積和分裂之後，將兩個分裂的部分從襯底12去除，從而獲 得由襯底12的部分10形成的結構1，接受注入的結構1的表面被暴露，其他表面被沉積材 料覆蓋。準備暴露的表面以供後續使用，例如外延生長。現在詳細地描述根據本發明的方法的不同步驟。
本發明可應用於整體襯底(bulk substrate) 10，也可應用於複合襯底，即由至少 兩個不同的材料層或由具有不同的晶體特性的材料形成。在整體襯底的情況下，將選擇接下來不會被沉積層覆蓋的襯底的表面。當襯底材 料是極性的，或者根據後表面將要進行的應用，例如外延生長，可能會引起選擇的問題。根 據例如粗糙度，或密度或缺陷，本領域技術人員會選擇襯底的一面或另一面。在下文中，「前 表面」是指需要保持暴露的襯底的表面，而「後表面」是指覆蓋有沉積材料的表面。在包括支撐襯底和籽晶層的複合襯底上的外延生長的情況中，前表面是沒有籽晶層的表面，其材料通常根據其晶格參數來選擇，以適應外延生長材料的晶格參數。可從以下材料中選擇襯底10 =Al2O3' ZnO, III/V族材料(例如GaAs, InP，InSb, GaSb, InN, GaN, AlN, p-AIN ；P-BN, BN 以及他們的三元和四元合金，例如 InGaN, AIGaN, InAIGaN)，或甚至選自IV族材料，例如Si，SiC，p_SiC，Ge以及他們的合金。在複合襯底中， 可以採用，例如SopSiC或SiCopSiC類型的襯底，因其特別適於III/N族二元、三元、四元材 料的外延生長，例如GaN，AlN, AlGaNjP InGaN。當襯底10為整體(bulk)時，優選地將具有加固物功能的襯底鍵合在表面上，在該 表面上進行注入，並準備去除該表面以促進分離。可從以下材料中選擇沉積的材料Si無定形，單晶或多晶Si，無定形SiC，單晶或 多晶 SiC, Ge, I11/V 族材料(InP，GaAs, AlN, ρ-Α1Ν. · ·)，Al2O3, SiO2, Si3N4,鑽石。由於本發明中涉及的是用於MBE的對紅外線透明的襯底，因此選擇吸收紅外線的 襯底材料，通常需獲得沉積的結晶層而不是無定形層，從而在後面的熱處理過程中保證更 好地鍵合到襯底。優選地，本發明涉及的襯底主要對紅外線透明，從而實現通過MBE的外延生長。這些襯底的材料可以選自，例如SiC，藍寶石(Al2O3)，GaN，AlN(單晶或多晶)，BN， ZnO, InSb或鑽石。這些材料構成了複合襯底10情況下的支撐襯底。事實上，即使籽晶層由吸收材料形成，理論上，複合襯底10的組件保持對紅外線 透明。那麼沉積在襯底10的與將要用於外延生長的表面相對的表面上的材料將選自吸收 紅外光的材料，例如矽(無定形，單晶，多晶)，Ge, InP, GaAs0脆化區的形成參見圖2A，對於整體襯底12，在準備好將要在其一面上沉積材料層的襯底之後， 本發明的第一步驟包括在該襯底12中建立脆化區11，根據該脆化區，可將該襯底分裂。通常地，該脆化區的建立是通過在該襯底中注入離子物質而形成的。本領域技術 人員可根據要注入的襯底、被注入的物質和需要的脆化區的深度，來確定注入的條件(劑 fi禾口倉旨fi)。脆化區的深度限定了將被去除的襯底的厚度，同時去除沉積在襯底的要保持暴露 的表面上的材料層。接下來，優選地在最後不需要被沉積層覆蓋的襯底表面上進行注入。本 領域技術人員通常關注實現深度很小的脆化區，從而限制原始襯底的材料的損失。脆化區在襯底12中限定了兩層(即屬於最終的結構的襯底10，以及剩餘物)，但 是這兩層在這一階段是不獨立的。在本發明的範圍內，是通過實施適當的熱預算使得這兩層分裂的。通過熱預算，可 以得知在預定溫度範圍和限定時間期間內的實施。
分裂的熱預算取決於之前進行的注入的條件以及所考慮的材料。通常，如果降低 注入的物質的劑量，則需要施加更大的熱預算來進行分裂。熱預算的確定屬於技術人員的 研究範疇。在上文所述以及圖2A所示的情況中，襯底10是整體的，襯底12也同樣是整體的。根據實現的變型，為了獲得整體襯底10，參見圖2B，有益地首先通過將加固物10B 鍵合到整體襯底10A的表面上，來形成複合襯底12，其中所述整體襯底10A的表面最後將覆 蓋沉積層。在這種情況下，通過暴露注入，在襯底10A中形成了脆化區11，即在鍵合加固物之 前，其中該加固物太厚而注入無法穿越來限定整體襯底。通過強化襯底10A的將要隨沉積 層一起去除的薄層，加固物的出現促進了分裂部分從襯底12分離。在襯底10為複合的情況下，形成同樣是複合的襯底12，參見圖2C，其包括支撐襯 底10C和之前脆化過的源襯底10E，從而限定籽晶層10D。在鍵合之前，通過氧化物層10F 來進行注入，其中氧化物層10F用於將源襯底10E鍵合到支撐襯底10C上(這方面，參見詳 細描述的示例1和2)。m割兄編P避白衡頁餅/遍斤■白■賺/丨、。對於沉積，本文是指分子束外延生長(MBE)，或名為CVD的技術LPCVD (低壓化學 氣相沉積)，PECVD (等離子增強化學氣相沉積)或者甚至M0CVD (金屬有機物化學氣相沉 積)。在由材料沉積提供的熱預算小於分裂的熱預算的情況下，本發明的方法依次包 括-在脆化襯底上沉積材料參見圖3A，在襯底12的前表面上沉積層21，在後表面 上沉積層20 ；-分裂脆化襯底(如圖3B中示意的示出，在脆化區11處的深虛線的位置)；-分離分裂的襯底的兩部分。該分裂主要通過實施熱預算來進行，但也可以通過插入刀片或施加機械壓力來完 成。II二種t書況,由沉是供的熱予頁算比分裂所需的熱予頁算大在分裂所需的熱預算小於材料的沉積所提供的熱預算的情況下，可能有兩種不同 的操作方式 第一種選擇是依次執行以下步驟-通過提供必要的熱預算來實現脆化襯底12的分裂(如圖4A示意的示出)；-在適於將層21沉積在前表面，並將層20沉積在後表面的溫度下，不選擇表面地 沉積材料(圖4B)；-分離分裂的襯底的兩部分。在這種情況下，考慮在沉積步驟過程中進行分裂；事實上，根據沉積本身來施加 的，且提供了用於分裂的溫度預算的溫度斜線，被認為是沉積步驟的一部分。在沉積材料之前，進行分裂，這種情況下需要固定脆化襯底，這樣在分裂之後，分 裂的兩部分不分離，從而避免材料停留在縫隙處。在這點上，優選地將襯底12水平放置，從 而在上部分的重量下，兩部分在沉積步驟期間保持彼此接觸。
·第二種選擇包括按以下順序執行下列步驟-將無定形形式的材料沉積在脆化襯底上。
為達此目的，施加比分裂所需的熱預算少的熱預算。參見圖5A，在前表面形成無定 形層21A，在後表面形成無定形層20A。-通過提供用於分裂的熱預算，實現覆蓋有無定形材料的脆化襯底的分裂(圖5B)-通過提高溫度使沉積的材料結晶參見圖5C，分別位於襯底的前表面和後表面 的結晶層21和20。-分離分裂的襯底的兩個部分。無論沉積和分裂步驟的順序如何，在材料沉積時提供的溫度預算促成了脆化襯底 的分裂的預算。此外，通過簡單地改變溫度斜線以及施加的熱預算，沉積和分裂的操作可在 同一場合內進行。這使得可以限制獲得僅覆蓋一層的襯底10所需的步驟的數量。然而，在 分裂的材料產生了可能汙染沉積腔的碎塊的情況下，優選地在腔外進行分裂。如果在沉積 之前進行分裂，將控制脆化襯底12以使分裂的部分保持接觸直到沉積。iM最後，在所有情況下，將分裂的襯底的兩個部分分離。為達此目的，可採用帶有吸 吮系統的兩個鑷子，使得能夠操縱襯底。參見圖6，獲得了最終結構1，一方面包括襯底10， 在襯底10的需要的表面上(後表面1B)覆蓋有沉積層20，另一方面，剩餘結構2包括襯底 12的剩餘物，被在其另一表面上沉積的層21覆蓋。該剩餘結構2可被消除，但也可通過消 除沉積層21，並在重新利用之前研磨源襯底12的剩餘物從而進行再利用。後續步驟最終結構1的前表面IA沒有沉積層21，接下來可準備該前表面以供後續使用(例 如，分子束外延生長)。在製造複合結構1的情況下，優選地對該結構進行穩定性退火，從而強化不同層 之間的鍵合能量。在未覆蓋的轉換層IOD的材料是形成與空氣接觸的原氧化物的材料(例如矽)的 情況下(對照圖2C)，需要限定源襯底IOE中的注入的深度，從而通過考慮在穩定性退火過 程中形成SiO2時的部分損耗，來獲得需要的層IOD的最終厚度事實上在去除氧化物之後 的轉換層IOD的最終厚度比轉換的初始厚度小。類似地，如果沉積層20的材料是形成原氧 化物的材料，需要提供由於氧化物的形成而將要消耗的厚度，以及因此需沉積厚度更大的 材料。下面描述根據本發明的方法的不同的實施示例示例1，在複合襯底SopSiC上形成ρ-Si的後層變型1 在沉積階段進行分裂參見圖7A，單晶矽的源襯底1200被氧化以形成厚度大約為2入的SiO2層 3000.參見圖7B，通過經由層3000在該源襯底1200中注入來建立脆化區1100，從而限 定籽晶層1000。由本領域技術人員根據需要獲得的厚度來調整注入能量，注入劑量的範圍 是 5. 10e16atoms/cm2o參見圖7C，通過經由SiO2層3000使脆化的源襯底1200與多晶SiC的支撐層4000接觸，來進行親水鍵合，從而形成脆化結構12，其表面已被充分準備。該脆化結構12位於沉積腔，因此在分裂之後兩部分不會彼此分開，然後該結構被 加熱到350°C從而影響單晶Si和p-SiC之間的鍵合的第一穩定性。參見圖7D，施加將溫度從350°C引導到620°C的溫度斜線，從而在該斜線的過程中 在500°C下進行分裂。參見圖7E，接下來在620°C不選擇表面的情況下在6h30期間沉積多晶矽。因此， 在結構12的每個表面上形成了 5微米厚度的兩個層20和21。在打開腔之前，通過適當的斜線降低溫度。參見圖7F，例如，在鑷子的輔助下，將分裂的部分從結構12分離。因此暴露出襯底 SopSiC 10的單晶矽的表面。參見圖7G，然後在水蒸氣氣氛下在90(TC進行第二穩定性退火，從而在兩個表面 的每一個上形成Si02層50。通過消耗SopSiC襯底的兩個表面上的矽來形成氧化物，以及 其中所述矽特別是通過注入而退化到脆化區水平的單晶矽，其中注入用於消除富有缺陷的 該區。參見圖7H，在HF溶液的輔助下去除5102層50，HF對於Si02是有選擇性的，且不 會侵蝕矽。最終，清潔SopSiC的單晶矽的表面以備用於後續的外延生長。通過例如研磨其兩個表面，剩餘的單晶矽襯底可以再利用。變型2 分裂在沉積之後講行該方法以第一變型的參考圖7A到7C的所描述的相同步驟開始。參見圖8A，脆化襯底被放置在沉積腔中。在沉積之後進行分裂，就不會造成分裂的部分的放置問題，而且襯底可以例如垂 直放置。該襯底被加熱到350°C，從而進行單晶矽和p-SiC之間的膠黏鍵合的第一穩定性， 然後在350°C下以無定形的形式沉積矽，從而在襯底的每一面形成兩層20A和21A。參見圖8B，施加上升到620°C的加熱斜線，這使得襯底12按照脆化區分裂。參見圖8C，接下來執行上升到620°C的溫度斜線，以使層20A和21A的矽在層20 和21中結晶。參見圖8D，結構的分裂部分在腔外被分離，SopSiC 10的單晶矽的前表面沒有沉 積。該方法以前述變型的參見圖7G和7H所述的相同步驟結束。對於在襯底SopSiC的後表面上形成p-Si層的一個具體示例，其兩個變型的實現 已經在上文描述，該方法通過P-Si的後層提高了 SopSiC的紅外線吸收效率，這與參考圖1A 到1F描述的現有方法相反，在襯底SopSiC和p-Si (對照圖1F的層120)之間沒有任何的 Si02絕緣層。通過製造所有複合襯底的一般方法可以驗證該優點，其中支撐襯底與空氣形 成原氧化物。此外，用於製造SopSiC的待分裂的材料是矽，分裂中形成的粒子是矽。他們不會 汙染矽的沉積腔，因此有利地在腔中實現分裂。示例2 在複合襯底SiCopSiC上形成多晶Si後層。參見圖9A，一方面單晶SiC襯底1200在氧氣中1150°C下在2小時內被氧化，以形成厚度為5000埃的SiO2層3000。 然後，通過經由該層注入以在該襯底中形成脆化區1100，其中注入的劑量範圍是 5. 10e16atOmS/Cm2，本領域技術人員根據要注入的深度來規定注入的能量。另一方面，將厚度為5000A的氧化物SiO2層6000沉積在多晶SiC支撐4000的前
表面上。接下來通過鍵合來激活氧化物3000和6000的層的表面。為達此目的，研磨氧化物 3000,從而去除500A並降低粗糙度。相似地，研磨氧化物6000從而去除2500人並使其表面 光滑。研磨技術對於本領域技術人員來說是已知的，具體地可以實施化學機械研磨(CMP)。通過氧化物層3000和6000，將SiC的襯底1200和ρ-SiC的支撐4000鍵合起來， 使兩個準備好的表面接觸。圖9A示出了得到的結構。參見圖9B，該脆化結構12被放置在沉積腔中。可垂直或水平地放置結構12。施 加上升到620°C的溫度斜線，然後在6h30中沉積多晶矽，從而在結構12的每個表面上形成 厚度為5微米的兩層20和21。參見圖9C，繼續加熱到1000°C，使得單晶SiC襯底1200分裂。參見圖9D，在腔外分離兩個分裂的部分。因此獲得襯底10 (指定為SiCopSiC)，其 單晶SiC的前表面暴露。下面的步驟與第一示例的變型1的參考圖7G和7H描述的那些步驟相同。可通過剝落沉積的矽(層21)和研磨表面來再利用單晶SiC的源襯底1200的剩 餘物。示例3 在單晶SiC的整體襯底上形成多晶Si的後層參見圖2，位於SiC襯底12表面附件的脆化區是通過注入建立的，其中注入的劑量 的範圍是5. 10e16atOmS/Cm2，且脆化襯底放置在沉積腔中。參見圖3A，繼續不區分表面地在620°C下沉積多晶Si。從而在脆化襯底12上形成 了兩個層20和21。參見圖3B，施加上升到900°C的溫度斜線，從而沿脆化區11分裂襯底12。參見圖6，在沉積腔外分離兩個分裂的部分，並且恢復襯底10，用沉積的多晶 Si (層20)覆蓋襯底10的表面1B，而另一表面IA暴露以備用於後續的外延生長。
權利要求
一種製造用於電子學、光學、光電子學或光伏學的結構(1)的方法，所述結構(1)包括襯底(10)和通過將材料沉積在所述襯底(10)的一個表面上而形成的層(20)，其特徵在於該方法包括以下步驟-形成包括脆化區(11)的脆化襯底(12)，該脆化區(11)一方面限定了所述襯底(10)，另一方面限定了剩餘物，-在所述脆化襯底(12)的兩個表面的每一個上沉積所述材料的層(20，21)，-分裂所述脆化襯底(12)，從而形成所述結構(1)，其中襯底(10)的一表面(1B)被沉積的材料層(20)覆蓋，而其另一表面(1A)暴露。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於分裂的熱預算比沉積提供的熱預算大。
3.根據權利要求2所述的方法，其特徵在於沉積步驟在分裂步驟之前進行。
4.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於分裂的熱預算比沉積提供的熱預算小。
5.根據權利要求4所述的方法，其特徵在於分裂步驟在沉積步驟期間進行。
6.根據權利要求5所述的方法，其特徵在於脆化襯底(12)被固定從而使分裂的部分在 沉積步驟期間彼此不分開。
7.根據權利要求6所述的方法，其特徵在於脆化襯底(12)在沉積步驟期間被水平地固定。
8.根據權利要求1到7中的任意一項所述的方法，其特徵在於分裂步驟在所述層(20， 21)的材料的沉積腔中進行。
9.根據權利要求所述的方法，其特徵在於該方法包括以下連續的步驟-在脆化襯底(12)的兩個表面上沉積無定形形式的材料(20)，_分裂脆化襯底(12)，-在適於使所述材料(20)結晶的溫度下退火。
10.根據權利要求1到8中的任意一項所述的方法，其特徵在於通過在襯底(12)中注 入離子物質來形成所述脆化區(11)。
11.根據權利要求1到10中的任意一項所述的方法，其特徵在於襯底(10)是複合襯 底，其包括支撐襯底(IOC)和籽晶層(IOD)。
12.根據權利要求1到11中的任意一項所述的方法，其特徵在於所述襯底(10)包括 以下材料中的一種=Al2O3，ZnO，III/V族材料及其三元和四元合金，Si，SiC，多晶SiC，鑽石， Ge或其合金。
13.根據權利要求1到12中的任意一項所述的方法，其特徵在於，沉積的材料選自以下 材料無定形Si，單晶Si，多晶Si，Ge，SiC，多晶SiC，無定形SiC，III/V族材料及其三元和 四元合金，Al2O3, SiO2, Si3N4或鑽石。
14.根據權利要求1到13中任意一項所述的方法，其特徵在於襯底(10)是SopSiC或 SiCopSiC類型的複合結構，以及沉積材料的層(20)是由多晶矽構成的。
15.根據權利要求1都14中的任意一項所述的方法，其特徵在於在所述結構(1)的所 述襯底(10)的所述暴露的表面(IA)上實現分子束外延生長。
全文摘要
本發明涉及一種製造用於電子學、光學、光電子學或光伏學的結構(1)的方法，所述結構(1)包括襯底(10)和通過將材料沉積在所述襯底(10)的一個表面上而形成的層(20)，其特徵在於該方法包括以下步驟形成包括脆化區的脆化襯底，該脆化區一方面限定了所述襯底(10)，另一方面限定了剩餘物；在所述脆化襯底的兩個表面的每一個上沉積所述材料的層(20，21)；分裂所述脆化襯底從而形成所述結構(1)，其中襯底(10)的一表面(IB)被沉積的材料層(20)覆蓋，而其另一表面(IA)暴露。
文檔編號H01L21/26GK101809710SQ200880108693
公開日2010年8月18日 申請日期2008年9月23日 優先權日2007年9月27日
發明者H·阿比爾, R·朗熱 申請人:S.O.I.Tec絕緣體上矽技術公司