一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統的製作方法

2023-10-17 21:46:14 2

專利名稱：一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種物體的加熱乾燥系統，尤其是指一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統。
遠紅外線的波長大約為3.0μm-1000μm，其通過輻射的方式將熱量直接傳遞至被加熱的物體上，不須中間介質作為傳熱媒介，因此遠紅外線加熱是能量傳遞效率最高的加熱方式。遠紅外線是長波長的輻射熱，放射溫度低於600℃，屬於低溫型輻射體發出的能量，能量比較不集中，用於表面加熱。相對的紅外線輻射體是短波長(0.7μm-2.0μm，放射溫度約1200℃)，輻射能量大且較集中，被廣泛應用於塗裝乾燥領域。但對於高分子物質(塗料、纖維、肉類、食品等)而言，其在遠紅外線波段具有強吸收帶，因此，遠紅外線在高分子領域的加熱、乾燥應用方面深受重視。最近日本相繼開發了在各種工業產品的乾燥、食品工業、暖房利用等領域的遠紅外線的應用，並逐漸被廣泛使用。
遠紅外線輻射加熱的基本原理為入射(輻射量)＝受熱物(吸收能量十反射能量十透射能量)，當受熱物的吸收能量達到最大時即產生最佳的加熱效果。影響吸收能量的因素有入射(輻射量)和吸收係數，單位面積入射(輻射量)＝EδT，其中E為放射率，δ為常數，T為絕對溫度。當E＝1時為百分之百的發射率，此為黑體輻射的效果，一般輻射器的發射率在1以下。
所謂的高發射效率遠紅外線輻射體是近似的理想黑體(blockbody)，即其總放射率(emissivity)接近1。目前，日本比較知名的陶瓷工業廠家所開發遠紅外線陶瓷的放射率約為0.92-0.93。目前電容晶片沾銀(銅)後的乾燥作業採用的是傳熱風爐乾燥方式，其缺點是耗費人力，且乾燥時間約30分鐘以上，這種傳熱風爐乾燥作業方式無法銜接在自動沾銀(銅)機的後段，做即時乾燥的自動作業。
本實用新型基於兩個理由採用遠紅外線陶瓷器熱輻射的加熱方式來設計一套連能夠續乾燥作業的加熱爐，其可銜接在自動沾銀(銅)機後段，連接成一套自動化的生產設備。這兩個理由是(1)遠紅外線易於被加熱體吸收的加熱特點，目前精密陶瓷工業致力開發高發射效率的陶瓷加熱器以取代傳統的石英管加熱器，(2)為了能在自動沾銀(銅)作業後馬上進行乾燥作業，以提高生產量和降低人工作業。
本實用新型的目的是提供一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統，來取代傳統的費人力且效率低的加熱乾燥系統。
為達到上述目的，本實用新型採用下述技術方案該系統包括一輸送帶，一載料片和一加熱器，所述輸送帶為自動運輸的裝置；所述載料片接合在上述輸送帶上，該載料片中有複數個圓洞，該圓洞中有沾銀(銅)晶片；所述加熱器處於該沾銀(銅)晶片的上方。
所述輸送帶為一輸送鋼帶。
所述加熱器為遠紅外線陶瓷加熱器。
所述遠紅外線陶瓷加熱器的發射率在0.92-0.94之間。
所述加熱器為遠紅外線陶瓷管狀加熱器。
所述遠紅外線陶瓷管狀加熱器的發射率在0.92-0.94之間。
所述加熱器為遠紅外線陶瓷平面狀加熱器。
所述遠紅外線陶瓷平面狀加熱器的發射率在0.92-0.94之間。
還包括一用來防止所述加熱器放出的熱量傳到該乾燥系統外的爐壁，該爐壁為一絕熱裝置。
採用上述技術方案後，由於採用了高發射效率的遠紅外線陶瓷加熱器，因此節省了晶片沾銀(銅)材質的乾燥時間，另外，自動化的輸送帶能提高生產效率和降低人工作業的人力。
以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明。


圖1是本實用新型的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統的示意圖；圖2是本實用新型的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統的遠紅外線陶瓷管狀加熱器的示意圖；圖3是本實用新型的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統的另一實施例的示意圖；圖4是本實用新型的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統的遠紅外線陶瓷平面狀加熱器的示意圖；圖5是本實用新型的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統的爐體結構中加熱系統部件的相關配置位置的示意圖。
參閱
圖1，輸送鋼帶100為一可自動運輸的裝置，其輸送速度可視情況調整；在該輸送鋼帶100上貼上黏膠110。然後，將載料片120貼合在黏膠110上，載料片120的物理尺寸包含但不限定於是240×140mm，載料片120中有複數個圓洞130，圓洞130的大小與密度的設計以能符合晶片的物理尺寸、最佳放置數目和放置便利為原則，晶片的物理尺寸包含但不限定於是12×6mm、8×5mm、6×3mm或4×2mm。
然後，使已沾銀(銅)膏的晶片沾銀(銅)材質180穿過上述載料片120的圓洞130貼合於黏膠110上；接著，遠紅外線陶瓷管狀加熱器160發出熱輻射，進行載料片120中的晶片沾銀(銅)材質180的烘乾作業。由於反射板150所反射的熱輻射也沿著輻射方向170的方向，因此這將提高烘乾速度。整個晶片沾銀(銅)材質180接受熱輻射的時間可以由輸送鋼帶100沿著輸送方向140的輸送速度決定。
遠紅外線陶瓷管狀加熱器160的結構圖如圖2所示。其中陶瓷管200為一熱放射體，鎳鉻線210裝在陶瓷管200的內部，鎳鉻線210為一電阻絲髮熱體。鎳鉻線210通過傳熱來加熱陶瓷管200，然後，陶瓷管200放射出遠紅外線。本實用新型的陶瓷材料的發射率，例如，在0.92-0.93之間。
遠紅外線陶瓷管狀加熱器160有三個特徵(1)一般須配合反射板使用，(2)可依處理的對象選用不同的長度，(3)最適於進行平面狀或管狀製品的加熱。
此外，提升受熱物體的吸收率有助於提高受熱物體的熱吸收量，而吸收率與受熱物體的材質輻射波長有密切關係。本實用新型的裝置應用在銀膏或銅膏的乾燥方面，而銀膏或銅膏材質對遠紅外線波長有高的吸收係數。因此，把遠紅外線陶瓷加熱器應用在晶片沾銀(銅)的乾燥中，會有很高的加熱乾燥性能。
另外，本實用新型的另一個實施例可參閱圖3與圖4。首先參閱圖3，輸送鋼帶300為一可自動運輸的裝置，其輸送速度可視情況調整；在該輸送鋼帶300上貼上黏膠310。然後，將載料片320貼合在黏膠310上，載料片320的物理尺寸包含但不限定於是240×140mm，載料片320中有複數個圓洞330，圓洞330的大小與密度的設計以能符合晶片的物理尺寸、最佳放置數目和放置便利為原則，晶片的物理尺寸包含但不限定於是12×6mm、8×5mm、6×3mm或4×2mm。
然後，使已沾銀(銅)膏的晶片沾銀(銅)材質370穿過上述載料片320的圓洞330貼合於黏膠310上；接著，遠紅外線陶瓷平面狀加熱器350發出熱輻射，進行載料片320中的晶片沾銀(銅)材質370的烘乾作業。整個晶片沾銀(銅)材質370接受熱輻射的時間可以由輸送鋼帶300沿著輸送方向340的輸送速度決定。
遠紅外線陶瓷平面狀加熱器350的結構圖如圖4所示。其中遠紅外線放射材420為一熱放射體，發熱體400的內部裝有鎳鉻線440，鎳鉻線440為一電阻絲髮熱體。鎳鉻線440通過傳熱經過一導熱材410來加熱遠紅外線放射材420，由於斷熱材430的阻熱作用，鎳鉻線440將只嚮導熱材410一方傳熱；然後，遠紅外線放射材420放射出遠紅外線。本實用新型的陶瓷材料的發射率，例如，在0.92-0.93之間。
遠紅外線陶瓷平面狀加熱器350有四個特徵(1)爐內的能量密度較高，(2)不須反射板，(3)因為溫度分布較均勻，因此適用於薄且面積大的物件的處理，(4)可分區段控制。
此外，提高受熱物體的吸收率有助於提高受熱物體的熱吸收量，而吸收率與受熱物體的材質輻射波長有密切關係。本實用新型的裝置應用在銀膏或銅膏的乾燥方面，而銀膏或銅膏材質對遠紅外線波長有高的吸收係數。因此，把遠紅外線陶瓷加熱器應用在晶片沾銀(銅)的乾燥中，會有很高的加熱乾燥性能。
圖5所示是本實用新型的爐體結構中加熱系統部件的相關配置位置的示意圖。其中遠紅外線陶瓷加熱器510置於爐壁500內部的上方，晶片沾銀(銅)材質520置於輸送鋼帶530的上面，輸送鋼帶530置於爐壁500內部的下方。
由上述說明可知，本實用新型的優點為採用高發射效率的遠紅外線陶瓷加熱器節省了晶片沾銀(銅)材質的乾燥時問，自動化的輸送鋼帶能提高生產效率和降低人工作業的人力。
以上所述，僅為本實用新型的最佳具體實施例，實際並不局限於此，凡有相同或等效原理之變化者，皆為本專利的保護範圍。
權利要求1.一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統，包括一輸送帶，一載料片和一加熱器，其特徵在於所述輸送帶為自動運輸的裝置；所述載料片接合在上述輸送帶上，該載料片中有複數個圓洞，該圓洞中有沾銀(銅)晶片；所述加熱器處於上述沾銀(銅)晶片的上方。
2.根據權利要求1所述的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統，其特徵在於所述輸送帶為一輸送鋼帶。
3.根據權利要求1所述的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統，其特徵在於所述加熱器為遠紅外線陶瓷加熱器。
4.根據權利要求3所述的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統，其特徵在於所述遠紅外線陶瓷加熱器的發射率在0.92-0.94之間。
5.根據權利要求1所述的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統，其特徵在於所述加熱器為遠紅外線陶瓷管狀加熱器。
6.根據權利要求5所述的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統，其特徵在於所述遠紅外線陶瓷管狀加熱器的發射率在0.92-0.94之間。
7.根據權利要求1所述的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統，其特徵在於所述加熱器為遠紅外線陶瓷平面狀加熱器。
8.根據權利要求7所述的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統，其特徵在於所述遠紅外線陶瓷平面狀加熱器的發射率在0.92-0.94之間。
9.根據權利要求1所述的一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統，其特徵在於該乾燥系統還包括一用來防止所述加熱器放出的熱量傳到該乾燥系統外的爐壁，該爐壁為一絕熱裝置。
專利摘要本實用新型公開了一種應用遠紅外線陶瓷加熱技術的晶片沾銀(銅)乾燥系統。其包括一輸送帶,一載料片和一遠紅外線陶瓷加熱器。輸送帶為自動運輸的裝置;載料片接合在輸送帶上,載料片中有複數個圓洞,圓洞中有沾銀(銅)晶片;遠紅外線陶瓷加熱器處於該沾銀(銅)晶片的上方。這種乾燥系統具有節省乾燥時間、提高生產效率和降低人工作業的人力的優點。
文檔編號F26B3/30GK2485610SQ0122462
公開日2002年4月10日 申請日期2001年5月24日 優先權日2001年5月24日
發明者林宜弘 申請人:實密科技股份有限公司, 友厚新科技有限公司