具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的製作方法

2023-10-18 02:43:04

專利名稱：具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的製作方法
具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝本發明的背景 技術領域 本發明是有關一種半導體功率組件，特別是指一種具有導線架式整合電感的半導 體功率組件封裝。
背景技術：
眾所皆知在架構一功率轉換電路時，印刷電路板上包含有一分立電感(discrete inductor)。舉例來說，研諾邏輯科技有限公司的IMHz 400mA降壓轉換器(Analogic TECH IMHz 400mA Step-Down Converter,AATl 143)需要使用分立電感。在這個方式下架構的功 率轉換器會有較高組成零件成本的缺點並且需要更大的印刷電路板空間。將分立電感與功率集成電路(ICs)及其它組成零件共封裝的方式也是眾所 皆知的。舉例來說，美國加利福尼亞州城市苗必達(Milpitas，CA)的凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation)的 LTM 4600DC/DC 功率轉換器包含有一位於一 15mmX 15mmX2. 8mm封裝內的內建電感。這大的封裝尺寸說明了尋找到一足夠小尺寸的的 分立電感來與功率IC共同封裝是一件艱巨的事，然而，具有大電感(inductance)、小DC電 阻與大額定電流(rated current)才可符合功率轉換需求。更者，使用一分立電感是不符 合成本效應的，當最後封裝成本包含有相同組成零件花費時(組配分立電感與最後封裝的 成本)並且加上在最後封裝內部分立電感的額外成本。眾所皆知於電感上設置集成電路晶粒，以達到較小的封裝尺寸。如同美國專利號 6930584所揭示一微型微小功率轉換器包含有一基底磁性感應組件，其表面系嵌設有功率 IC0但缺點是感應組件是被顯露於外的，因此易損壞的基板材料容易被損傷。更者，於一集成電路晶粒如功率轉換集成電路晶粒上設置一電感也是大家所知悉 的。舉例來說，美國新澤西州城市布裡奇沃特(Bridgewater，NJ)的Enpirion公司的功率 轉換器包含有一以微機電系統(MEMS)為基礎的電感，其具有一厚的電鍍銅螺旋線圈夾持 於兩平面磁性層間並且位於一整合DC-DC轉換器上。在這個實施例為了達到高電感，需要 一個大晶粒，這導致高成本與大的封裝尺寸。直接針對減小封裝尺寸上所做的努力包含有利用導線架作為電感組件。舉例來 說，美國專利號5428245揭示形成一種電感繞線作為一導線架的整體的部分，以及美國專 利號6927481揭示形成一種電感線段作為導線架的一部分。這些設計缺少磁性核心材料是 適合於無線電頻率(RF)的應用上，僅能提供相對較小的電感，這是無法有效率的適用於功 率轉換應用上。在半導體功率組件封裝的技術領域上持續存在著對具有對製程簡單與改善成本 效應的整合性電感的需求。也存在著對具有高電感、小DC電阻、大電流與低損耗等所有充 分適用於功率轉換應用的半導體功率組件的需求。更者也存在對具有相對較小尺寸的整合 電感的半導體組件封裝的需求。

發明內容
本發明的主要目的在提供一種具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝來 滿足先前技藝中的需求與提供具有超過先前技藝優點的半導體功率組件，其是利用導線架 與金屬連接，例如打線，來與一電感核心組合，以提供一具有高電感與低DC電阻的整合電 感，並且更具有低成本與高空間使用效率。反之，利用兩個導線架來與一電感核心組合，以 用來提供整合電感。該內部結構是利用一模製物來加以保護，避免該整合電感與IC晶片受 到損害。本發明的另一目的在提供一種具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝，其 包含有一具有數個引線的導線架、設置在該導線架上的電感核心，因此數個引線末端是自 一形成 於該電感核心上的窗顯露出、數個金屬連接，其中部分該數個金屬連接將每一該數 個引線末端連接至該電感核心的鄰接引線，以形成該電感，以及一結合至該電感的功率集 成電路。本發明的再一目的在提供一種具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝，其 包含有一具有數個引線的底導線架、設置在該導線架上的電感核心，因此數個引線末端是 自該一形成於該電感核心上的窗顯露出、一利用金屬凸塊連接且位於相反側的連接晶片， 其是設置於該窗內，藉此該底側凸塊覆蓋該底導線架的數個引線末端且電性連接、一具有 數個彎曲引線的頂導線架，該頂導線架的數個引線的第一部分連接至該連接晶片頂面凸塊 並且連接該底部導線架的數個引線末端的每一個至該電感核心的鄰接底導線架的引線，以 形成電感；以及一結合至該電感的功率集成電路。本發明的主要特徵已經被廣泛地概略描述，因此下列的詳細描述是為了讓該項技 術領者更容易了解並且有助於加以實施本發明。當然本發明的附加特徵將於以下描述並且 構成請求範圍的主要對象。於這個觀點下，在詳細說明本發明的至少一具體實施例前，眾所皆知的是本發明 並不局限於說明書的這些詳細說明內範例中的功能性組件與這些組件在下列描述或者圖 標中的說明。本發明可以通過其它具體實施例或者方式來加以實施。此外，此處所使用的 措辭與術語也是被了解的，如同摘要，是為了描述的目的並且不應被視為限制。因此，熟知該項技術領域者依據以這個揭露書為基礎下實施這個概念將是易於實 施並設計其它方法與系統來實現本發明的數個目的。因此，重要的是專利範圍是視為在這 個範圍包含有這些等同的解釋，因此無法脫離本發明的精神與範圍。


圖1是本發明的第一導線架的俯視透視示意圖。圖2A是本發明的電感核心的俯視示意圖。圖2B是本發明的具有小間隙的電感核心的俯視示意圖。圖3是本發明的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的第一具體實施 例的俯視示意圖。圖4是本發明的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的第二具體實施 例的俯視示意圖。
圖5是本發明的連接晶片的俯視示意圖。圖6是圖5的連接晶片的剖視圖。圖7是本發明的具單側連接凸塊具體實施例的連接晶片的俯視示意圖。圖8是圖7的單一側連接凸塊的連接晶片的剖視圖。圖9是本發明的具有導線架式整合電感的半導體封裝的第三具體實施例的底部 視圖。
圖10是本發明的具有連接凸塊的IC的俯視圖。圖11是圖10的具有連接凸塊的IC的剖視圖。圖12是本發明的具有雙側連接凸塊的連接晶片的俯視圖。圖13是圖12的具連接凸塊的連接晶片的剖視圖。圖14是本發明的頂面導線架的俯視圖。圖15是圖14的頂面導線架的剖視圖。圖16是本發明的具有頂面導線架的組件封裝的第三具體實施例的俯視圖。圖17是本發明的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的第四具體實施 例的俯視示意圖。圖18是本發明的電感核心的另一具體實施例的俯視圖。圖19是本發明的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的第五具體實施 例的俯視示意圖。圖20是本發明的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的第六具體實施 例的俯視示意圖。圖21是本發明的頂面導線架的另一具體實施例的俯視圖。圖22是本發明的頂面導線架的剖視圖。圖23是本發明的具有頂面導線架的組件封裝的第六具體體實施例的俯視圖。圖24是本發明的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的第七具體實施 例的俯視示意圖。圖25是本發明的功率IC的俯視圖。圖26是本發明的另一種可供選擇的電感核心具體實施例的俯視圖。圖27是本發明的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的第八具體實施 例的俯視示意圖。圖28是本發明的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的第九具體實施 例的俯視示意圖。圖29是本發明的具有連接凸塊的功率IC的俯視圖。圖30是圖29的具有連接凸塊的功率IC的剖視圖。圖31是本發明的頂面導線架的另一種可供選擇的具體實施例的俯視圖。圖32是圖31的頂面導線架的剖視圖。圖33是本發明的具有頂面導線架的組件封裝的第九具體實施例的俯視圖。圖34A是本發明的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的第十具體實 施例的俯視圖。圖34B是本發明的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的另一種可供選擇的第十具體實施例的俯視圖。
具體實施例方式在一併參酌圖示與詳細說明內所描述的本發明是提供一種本發明的說明範例，以供該項技術領域者能夠據以實施。需注意的是，以下這些圖標與範例並不能作為本發明的 範疇的限定。本發明中的一些組件可以被部分或者全部使用既有的零件加以組配，這些屬 於了解本發明所必要的既有零件中的一部分會進行描述並且這些既有零件的部分詳細描 述會被省略，以免混淆本發明。更者，此處描述中所指的零件在現在與未來產生等效替代時 皆屬本發明的範疇。本發明提供一種半導體功率組件封裝，其具有一導線架式整合電感。本發明的具 體實施例包含有一電感核心，其形成有一窗戶，結合導線架引線的丨至導線架引線另一個 的打線穿過該窗戶，以形成一環繞該電感核心的電性線圈，藉此形成一整合電感的封閉磁 性路徑。在另一具體實施例中，第二導線架引線將第一導線架引線的結合至另一個，以形成 整合電感的封閉磁性路徑。最佳是電感核心是超環面(toroidal)的架構並且依據總封裝 厚度的需求，厚度將介於0. 2mm Imm之間。電感核心可以是利用磁鐵或者納米(nm)級結 晶鎳鐵(NiFe)所形成，以供高頻率的應用，而低頻率的應用上則使用鎳鐵(NiFe)或者其它 適合的磁性材料。小於IOOum的小間隙可被形成在電感核心內，以調整其磁性特性，然最終 的結構依然是一封閉的磁性路徑。依據本發明的圖1所示為一導線架100的俯視圖。導線架100包含有數個引線 (lead) IlOa 110m、一大焊墊(pad) 120以及數個相對的小焊墊130。引線IlOd IlOf具 有對應的引線末端140d 140f。引線IlOj-IlOm具有相對應的引線末端140j 140m。引 線IlOa IlOg的陰影區如同此處更進一步的描述是在底側使用被半蝕刻法並且一灌注材 填充入這些區域，以固定導線架100為半導體功率組件封裝的零件。請參閱圖2A，一電感核心200如圖所示更包含有一開放式表面205，其鄰接配置一 穿過晶片本體的偏移窗(offset window) 210。雖然，電感核心200與偏移窗210圖中所示 是矩形結構，但這個描述並非排除其它形狀。如同先前所強調的，電感核心200最佳狀態是 厚度介於0.2mm Imm之間，其厚度是決定於整體封裝厚度的需求。電感核心可以是磁鐵 或者納米(nm)級結晶鎳鐵(NiFe)所形成，以供高頻率的應用，而低頻率的應用上則使用鎳 鐵(NiFe)或者其它適合的磁性材料。請參閱圖2B，一電感核心200B如圖所示包含有一小橫向間隙。如同先前所強調 的，間隙可以被用來調整整合電感的磁性特性，而最終的結構將提供一封閉的磁性環。在本 發明的所有具體實施例中，電感核心可以具有也可以不具有間隙。本發明的第一具體實施例是如圖3所示並且包含有一半導體功率組件封裝300， 其具有一導線架式整合電感350。電感350包含有電感核心200、導線架100的數個引線 與金屬連接，例如打線320d、320e、320i、320j、320k與320m，如圖所示是接合於數個引線之 間。電感核心200是設置在導線架100的頂表面150上並且利用大焊墊120與小焊墊130 支撐著。電感核心200是設置於導線架100的頂表面150上，利用這樣的方式引線末端 140d-140f與140j-140m是可穿過偏移窗210。打線320結合導線架100的相鄰數個引線，以提供一環繞該電感核心200的一封閉磁性迴路。打線320d結合引線IlOd的末端140d至鄰近的引線110e，打線320d、引線 IlOd與鄰接引線IlOe形成一圍繞電感核心200的環。打線320e結合引線IlOe的末端 140e至鄰近的引線IlOf,打線320e、引線IlOe與鄰接引線IlOf形成一環繞電感核心200 的環。打線320m結合引線IlOf的末端140f至鄰近的引線110m，打線320m、引線IlOf以 及鄰近引線110m，以形成一環繞電感核心200的環。打線320k結合引線IlOm的末端140m 至鄰近的引線110k，打線320k、引線IlOm以及鄰接引線IlOk,以形成一環繞電感核心200 的環。打線320j結合引線IlOk的末端140k至鄰接引線110j，打線320j、引線IlOk與鄰接 引線IlOj形成一環繞電感核心200的環。打線320i結合導線IlOj的末端140j至鄰接引 線110i，打線320i、引線IlOj與鄰接引線IlOi形成一環繞電感核心200的環。引線IlOd 與IlOi包含有電感350的引線。
當偏移窗210是小尺寸的時候，使用導線末端時將受到限制並且需要使用專門 地接合工具，例如K&S接近中心接合瓶頸接合工具(K&S CloseCenter Bond bottleneck bonding tool)，其可以進入接觸到偏移窗210，以將打線320依附至引線末端顯露處。一功率IC是設置在電感核心200的開放表面250上。打線320h結合功率IC330 至引線IlOi並且藉此至導線架式整合電感350。打線320a、320b與320c結合功率IC至各 引線110a、110b、110c。打線320f與320g結合功率IC330至各引線IlOg與IlOh0最後，進行膠體灌注，以封圍完成半導體功率組件封裝300並且填入引線 IlOa-IlOm的半蝕刻區域(圖1)，以訂出導線架100，因此引線不會由封裝300分離。封圍 的外形是以虛線呈現。本發明的第二實施例系呈現在圖4中，並且包含有一具有一導線架式整合電感 450的半導體功率組件封裝400。電感450包含有電感核心200、導線架100的數個引線以 及金屬連結線，例如打線320d、320e、320i、320j、320k與320m。一連接晶片500透過通孔 510a-510f形成於連接晶片500上提供介於打線320d、320e、320i、320j、320k與320m以及 引線末端間的電性連接(圖5與圖6)。電感核心200設置在導線架100的頂表面150上 並且利用大焊墊120與小焊墊130加以支撐。電感核心200是設置於導線架100的頂表面 150上，藉由這樣的方式引線末端140d-140f與140j-140m能夠穿過偏移窗210進入使用。連接晶片500是尺寸化的並且架構為可適合設置於偏移窗210內。連接晶片500 是用以有助於實際案例中進行打線，在這些案例中電感核心200與偏移窗口 210的尺寸是 非常小並且甚至實際上該瓶頸接合工具無法使用。使用連接晶片500也可用以避免對專門 接合工具的需求，例如瓶頸接合工具。通孔510a-510f是形成於連接晶片500上，因此它們 覆蓋導線架100的引線末端140d-140f與140j-140m，並藉由導電樹脂或者焊錫於此提供電 性連接。通孔510a-510f是各自利用銅金屬印刷所形成。連接晶片500讓打線能被引導在 或接近電感核心200頂表面205的平面上，因此可以使用一般的接合工具。打線320接合導線架100的數個鄰接引線，以提供一環繞電感核心200的封閉磁 性迴路。打線320d接合引線IlOd的末端140d穿過通孔510a至鄰接引線110e，打線320d 與鄰接引線IlOd與IlOe形成一環繞電感核心200的環。打線320e接合引線IlOe的末端 140e穿過通孔510b至鄰接引線IlOf，打線320e與鄰接引線IlOe與IlOf形成一環繞電感 核心200的環。打線320m接合引線IlOf的末端140f穿過通孔510c至鄰接引線110m，打 線320m與鄰接引線IlOf與IlOm形成一環繞電感核心200的環。打線320k接合引線IlOm的末端140m穿過通孔510f至鄰接引線110k，打線320k與鄰接引線IlOm與IlOk形成一 環繞電感核心200的環。打線320j接合引線IlOk的末端140k穿過通孔510e至鄰接引線 110j，打線320j與鄰接引線IlOk與IlOj形成一環繞電感核心200的環。打線320i接合引 線IlOj的末端140j穿過通孔510d至鄰接引線110i，打線320i與鄰接引線IlOj與IlOi 形成一環繞電感核心200的環。引線IlOd與IlOi構成電感450的引線。反之，一單一側凸塊的連接晶片700(圖7與圖8)與連接晶片500在各方面相似， 不同處在於此一凸塊底部表面720被使用在接合通孔510a-510f至引線末端140d-140f。一功率IC330設置在電感核心200的開放表面205。打線320h連接功率IC 330 至引線IlOi並藉此連接至導線架式整合電感450。打線320a、320b、與320c連接功率IC 330至各引線IlOaUlOb與110c。打線320f及320g連接功率IC 330與各導線IlOg與 IlOh0使用一封圍來完成半導體功率組件封裝400並且填充導線IlOa-IlOm的半蝕刻區 域，以固定導線架100，因此引線不會與封裝分離。封圍結構是以虛線顯示。本發明的第三具體實施例是在圖16中顯示，此圖中包含有一具有一導線架式整 合電感1650 (圖16)的半導體功率組件封裝1600。半導體功率組件封裝1600包含有一底 部900 (圖9)與一頂端導線架1400 (圖14與圖15)。底部900包含有一底部導線架100、 電感核心200、一凸塊連接的功率IC1000與一連接晶片1200。電感1650包含有電感核心 200、導線架100的數個相鄰引線與一頂導線架1400的數個相鄰引線。一雙面凸塊連接的 連接晶片1200 (圖12與圖13)利用形成於連接晶片1200上的通孔(通孔1210a-1210c顯 示在圖13中)來提供電性連接。電感核心200設置在導線架100的頂表面150並且利用 大焊墊120與小焊墊130支撐著。電感核心200是設置於導線架100的頂表面150，藉由這 樣的方式引線末端140d-140f與140j-140m能夠進入穿過偏移窗210。頂端導線架1400包含有數個彎曲引線1410a_1410k(圖14與圖15)。引線 1410a-1410k具有對應的末端1440a_1440k，而引線末端1440h具有兩個部分。引線 1410a-1410c與1410f_1410h是設置並且架構為連結一凸塊連接的功率IC1000 (圖10與圖 11)至導線架100的各引線IlOa-IlOc與IlOg-IlOi0功率IC1000是設置在電感核心200 的頂端表面205上。引線1140d-1140e與1440h_1440k是設置並且架構為連接該雙面凸塊 連接的連接晶片1200至導線架100的各引線，而如同更進一步的描述，電感核心200形成 電感1650。連接晶片1200是尺寸化架構為適合設置於偏移窗口 210內。更者，連接晶片1200 的厚度大致上與電感核心200的相同或者些微大於電感核心200的厚度。反之連接晶片 1200的厚度可以相同於該凸塊連接的功率IC1000與該電感核心200的總厚度。連接晶片 的通孔更可印刷有銅金屬。連接晶片的通孔是形成設置於連接晶片1200上，因此底面凸 塊形成於通孔上且覆蓋導線架100的引線末端140d-140f與140j-140m，以於此電性連接。 形成於通孔上的頂面凸塊1220a-1220f是設置為對準於頂端導線架引線1410d_1414e與 1410h-1410k 的各引線末端 1440d_1440e 與 1440h_1440k。請參閱圖16，引線1410d連接引線IlOd至導線架100的鄰接引線110e，引線 1410d、鄰接引線IlOd與IlOe形成一環繞電感核心200的環。引線1410e連接引線IlOe至 導線架100的連接引線100f，引線1410e、鄰接引線IlOe與IlOf形成一環繞電感核心200的環。引線110藉由引線1440k連接至鄰接引線110m，引線1440k、鄰接引線IlOf與IlOm 形成一環繞電感核心200的環。引線IlOm利用引線1410j連接至鄰接引線110k，引線1410j 與鄰接引線IlOmUlOk形成一環繞該電感核心200的環。引線IlOk是藉由1410i連接至 鄰接引線110j，引線1410i與鄰接引線IlOkUlOj形成一環繞該電感核心200的環。引線 IlOj藉由引線1410h的一第二部連接至鄰接引線110i，引線1410h的第二部與鄰接引線 IlOjUlOi形成一環繞該電感核心200的環。引線IlOd與110i/1410h形成電感1650的引 線。引線1410h的第一部是連接至功率IC1000，藉此連接功率IC1000至電感1650。引線 1410a-1410c 連接至功率 IC1000 的凸塊 1010a-1010c(圖 10 與圖 11)。引線 1410f-1410h 連接至功率IC1000的凸塊1010d-1010f。利用一封圍來完成半導體功率組件封裝1600並且填入引線IlOa-IlOm的半蝕刻 區域，以固定導線架100，因此引線不會由封裝上脫離。封圍的結構是利用虛線顯示。本發明的第四種具體實施例是呈現在圖17中，此實施例包含有一具有一導線架 式整合 電感1750的半導體功率組件封裝1700。電感1750包含有一電感核心1800 (圖18)、 導線架100的數個相鄰引線與金屬連接，例如打線1720e、1720f、1720i、1720j、1720k與 1720m。電感核心1800是設置在導線架100的頂面150並且利用大焊墊120與小焊墊130 支撐著。電感核心1800是設置於導線架100的頂表面150上，且利用這樣的方式下，引線 末端140d-140f與140j-140m是可以進入穿設一形成於該電感核心1800的窗1810。一功 率IC1730也是可以進入穿設該窗1810。打線連接導線架100的鄰接引線，以提供一環繞該電感核心1800的封閉磁性回 路。打線1720e連接引線IlOd的末端140d至鄰接引線110e，打線1720e與鄰接引線IlOd, IlOe形成一圍繞該電感核心1800的環。打線1720f連接引線IlOe的末端140e至鄰接引 線IlOf，打線1720f與鄰接引線IlOeUlOf形成一圍繞該電感核心1800的環。打線1720m 連接引線IlOf的末端140f至鄰接引線110m，打線1720m與鄰接引線IlOfUlOm形成一圍 繞該電感核心1800的環。打線1720k連接引線IlOm的末端140m至鄰接引線110k，打線 1720k與鄰接引線110m、IlOk形成一圍繞該電感核心1800的環。打線1720j連接引線IlOk 的末端140k至鄰接引線110j，打線1720J與鄰接引線IlOkUlOj形成一圍繞該電感核心 1800的環。打線1720 連接引線IlOj的末端140j至鄰接引線110i，打線1720 與鄰接引 線IlOjUlOi形成一圍繞該電感核心1800的環。引線IlOd與IlOi構成該電感1750的引 線。功率IC1730是設置在導線架100的大焊墊120上。打線1720d連接功率IC1730 至引線110d，藉此連接至導線架式整合電感1750。打線1720a、1720b與1720c各連接功率 IC1730 至引線 110a、110b、110c。打線 1720g、1720h 各連接功率 IC1730 至引線 IlOgUlOh0當窗1810的尺寸是小的時候，進入其內的接合點將是受到限制的，因此需要使用 瓶頸接合工具，例如K&S接近中心接合瓶頸接合工具(K&S CloseCenter Bond bottleneck bonding tool)。利用一封圍來完成半導體功率組件封裝1700並且填入引線IlOa-IlOm的半蝕刻 區域，以固定導線架100，因此引線不會由封裝上脫離。封圍的結構是利用虛線顯示。本發明的第五種具體實施例是呈現在圖19中，此實施例包含有一半導體功率組 件封裝1900，其具有一導線架式整合電感1950。電感1950包含有一電感核心1800(圖18)、導線架100的數個相鄰引線與金屬連接，例如打線1920e、1920f、1920i、1920j、1920k 與1920m。連接晶片500藉由形成於連接晶片500上的通孔510a_510f (圖5與圖6)提供 電性連接。電感核心1800是設置在導線架100的頂面150並且利用大焊墊120與小焊墊 130支撐著。電感核心1800是設置於導線架100的頂表面150上，且利用這樣的方式下，弓丨 線末端140d-140f與140j-140m是可以進入穿過該窗1810。一功率IC1930也是可以進入 穿過該窗1810。連接晶片500是尺寸化架構為適合設置於偏移窗口 1810內。通孔510a-510f是 形成且設置於連接晶片500上，藉此利用導線樹脂或者錫焊覆蓋導線架100的引線末端 140d-140f與140j-140m，以於此形成電性連接。功率IC1930是設置於位於該窗1810內的 鄰接晶片500。打線連接導線架100的鄰接引線，以提供一環繞該電感核心1800 的封閉磁性回 路。打線1920e連接引線IlOd的末端140d穿過通孔510a至鄰接引線110e，打線1920e與 鄰接引線llOcUllOe形成一圍繞該電感核心1800的環。打線1920f連接引線IlOe的末端 140e穿過通孔510b至鄰接引線IlOf，打線1920f與鄰接引線IlOeUlOf形成一圍繞該電感 核心1800的環。打線1920m連接引線IlOf的末端140f穿過通孔510c至鄰接引線110m， 打線1920m與鄰接引線IlOfUlOm形成一圍繞該電感核心1800的環。打線1920k連接引 線IlOm的末端140m穿過通孔510f至鄰接引線110k，打線1920k與鄰接引線110m、IlOk形 成一圍繞該電感核心1800的環。打線1920j連接引線IlOk的末端140k穿過通孔510e至 鄰接引線110j，打線1920j與鄰接引線IlOkUlOj形成一圍繞該電感核心1800的環。打線 1920 連接引線IlOj的末端140j穿過通孔510d至鄰接引線110j，打線1920 與鄰接引線 IlOjUlOi形成一圍繞該電感核心1800的環。引線IlOd與IlOi構成該電感1950的引線。功率IC1930是設置在導線架100的大焊墊120上。打線1920d連接功率IC1930 至引線110d，藉此連接至導線架式整合電感1950。打線1920a、1920b與1920c各連接功 率IC1930至引線110a、110b、110c。打線1920g與1920h各連接功率IC1930至引線IlOg, IlOh0由於利用連接晶片500，將不用在使用如K&S接近中心接合瓶頸接合工具(K&S Close Center Bond bottleneck bonding tool)的專門接合工具，使用一般的接合工具即可。利用一封圍來完成半導體功率組件封裝1900並且填入引線IlOa-IlOm的半蝕刻 區域，以固定導線架100，因此引線不會由封裝上脫離。封圍的結構是利用虛線顯示。本發明的第六具體實施例是在圖23中顯示並且包含有一具有一導線架式整合電 感2350的半導體功率組件封裝2300。半導體功率組件封裝2300包含有一底部2000 (圖 20)與一頂端導線架2100 (圖21與圖22)。底部2000包含有一底部導線架100、電感核心 1800、一功率IC2050與一連接晶片1200。電感2350包含有電感核心1800、導線架100的 數個相鄰引線與一頂導線架2100的數個鄰接引線。一雙面凸塊連接的連接晶片1200 (圖 12與圖13)利用形成於連接晶片1200上的通孔(通孔1210a-1210c顯示在圖13中)來提 供電性連接。電感核心1800設置在導線架100的頂表面150並且利用大焊墊120與小焊 墊130支撐著。電感核心1800是設置於導線架100的頂表面150，藉由這樣的方式，引線末 端140d-140f與140j-140m能夠進入穿過偏移窗1810。
頂端導線架2100包含有數個彎曲引線2110a-2110m。引線2110a_2110m具有對應 的末端2140a-2140m。弓丨線2110a-2110d與2110g_2110i是設置並且架構為連結該凸塊連 接的功率IC2050(圖10與圖11)至導線架100的各引線IlOa-IlOd與110g-110h。功率 IC2050是設置於該窗810內，且鄰接該連接晶片1200。引線2140e_2140f與2140i_2140m 是設置並且架構為連接該雙面凸塊連接的連接晶片1200至電感核心的導線架100的各引 線，以形成電感2350，如同更進一步的描述。連接晶片1200是尺寸化架構為適合設置於偏移窗口 1810內，更者，連接晶片1200的厚度大致上與電感核心1800相同或者些微大於電感核心1800的厚度。連接晶片通孔 是形成設置於連接晶片1200上，因此底面凸塊形成於通孔上且覆蓋導線架100的引線末 端140d-140f與140j-140m，以於此電性連接。形成於通孔上的頂面凸塊1220a_1220f是 設置為各對準於頂端導線架引線2110e-2110f與2110i-2110m的引線末端2140e-2140f與 2140i-2140m。請參閱圖23，引線2110e連接引線IlOd至導線架100的鄰接引線110e，引線 2110e、鄰接引線IlOd與IlOe形成一環繞電感核心1800的環。引線2110f連接引線IlOe 至導線架100的連接引線100f，引線2110f、鄰接引線IlOe與IlOf形成一環繞電感核心 1800的環。引線IlOf藉由引線2140m連接至鄰接引線110m，引線2140m、鄰接引線IlOf與 IlOm形成一環繞電感核心1800的環。引線IlOm利用引線2110k連接至鄰接引線110k，引 線2110k與鄰接引線110m、IlOk形成一環繞該電感核心1800的環。引線IlOk是藉由2110J 連接至鄰接引線IlOj,引線2110J與鄰接引線IlOkUlOj形成一環繞該電感核心1800的 環。引線IlOj藉由引線2110i連接至鄰接引線110i，引線2110i與鄰接引線IlOjUlOi形 成一環繞該電感核心1800的環。引線2110d連接至功率IC2050，藉此連接功率IC2050至 電感2350。引線2110d也是電感2350的一部份，因此它是環繞該電感核心1800的一環的 一部份。引線2110a-2110c與2110g_2110h連接至功率IC2050上的凸塊。利用一封圍來完成半導體功率組件封裝2300並且填入引線IlOa-IlOm的半蝕刻 區域，以固定導線架100，因此引線不易由封裝上脫離。封圍的結構是利用虛線顯示。本發明的第七種具體實施例是呈現在圖24中，此實施例包含有一半導體功率組 件封裝2400，其具有一導線架式整合電感2450。電感2450包含有一電感核心2600 (圖 26)、導線架100的數個相鄰引線與金屬連接，例如打線2420d、2420e、2420i、2420j、2420k 與2420m。電感核心2600是設置在導線架100的頂面150並且利用大焊墊120與小焊墊 130支撐著。電感核心2600是設置於導線架100的頂表面150上，且利用這樣的方式下，弓丨 線末端140d-140f與140j-140m是進入穿設一設置於該電感核心2600中心位置的窗2610。 一功率IC2500(圖25)是設置於該大焊墊120上鄰接該電感核心2600。打線連接導線架100的鄰接引線，以提供一環繞該電感核心2600的封閉磁性回 路。打線2420d連接引線IlOd的末端140d至鄰接引線110e，打線2410d與鄰接引線IlOd, IlOe形成一圍繞該電感核心2600的環。打線2420e連接引線IlOe的末端140e至鄰接引 線110f，打線2420e與鄰接引線110e、IlOf形成一圍繞該電感核心2600的環。打線2420m 連接引線IlOf的末端140f至鄰接引線110m,打線2420m與鄰接引線IlOfUlOm形成一圍 繞該電感核心2600的環。打線2420k連接引線IlOm的末端140m至鄰接引線110k，打線 2420k與鄰接引線110m、IlOk形成一圍繞該電感核心2600的環。打線2420 j連接引線IlOk的末端140k至鄰接引線110j，打線2420J與鄰接引線IlOkUlOj形成一圍繞該電感核心2600的環。打線2420 連接引線IlOj的末端140j至鄰接引線110i，打線2420 與鄰接引 線IlOjUlOi形成一圍繞該電感核心2600的環。引線IlOd與IlOi構成該電感2450的引線。當窗1810的尺寸是小的時候，進入其內的接合點將是受到限制的，因此需要使用 瓶頸接合工具，例如K&S接近中心接合瓶頸接合工具(K&S CloseCenter Bond bottleneck bonding tool)。功率IC2500是設置在導線架100的大焊墊130上。打線2420h連接功率IC2500 至引線lioi，藉此連接至導線架式整合電感2450。打線2420a、2420b與2420c各連接功 率IC2500至引線110a、110b、110c。打線2420f與2420g各連接功率IC2500至引線IlOg, IlOh0利用一封圍來完成半導體功率組件封裝2400並且填入引線IlOa-IlOm的半蝕刻 區域，以固定導線架100，因此引線不易由封裝上脫離。封圍的結構是利用虛線顯示。本發明的第八具體實施例是在圖27中顯示並且包含有一半導體功率組件封裝 2700，其具有一導線架式整合電感2750。電感2750包含有電感核心2600、導線架100的數 個相鄰引線與金屬連接，例如打線2720d、2720e、2720i、2720j、2720k與2720m。一連接晶片 500利用形成於連接晶片500上的通孔510a-510f來提供電性連接。電感核心2600設置在 導線架100的頂表面150並且利用大焊墊120與小焊墊130支撐著。電感核心2600是設 置於導線架100的頂表面150，藉由這樣的方式引線末端140d-140f與140j-140m能夠進入 穿過設置於電感核心2600中央的窗2610。功率IC是設置於大焊墊120上。連接晶片500是尺寸化架構為適合設置於窗2610內。更者通孔510a_510g是採 銅金屬印刷，以有助於在此範例中進行打線，此範例中電感核心2600與偏移窗2610的尺 寸是非常小並且該瓶頸接合工具實際上是無法使用的。通孔510a-510f是形成且設置於 連接晶片500上，藉此利用導線樹脂或者錫焊覆蓋導線架100的引線末端140d-140f與 140j-140m,以於此形成電性連接。打線連接導線架100的鄰接引線，以提供一環繞該電感核心2600的封閉磁性回 路。打線2720d連接引線IlOd的末端140d穿過通孔510a至鄰接引線110e，打線2720d與 鄰接引線llOcUllOe形成一圍繞該電感核心1600的環。打線2720e連接引線IlOe的末端 140e穿過通孔510b至鄰接引線110f，打線2720e與鄰接引線IlOeUlOf形成一圍繞該電感 核心2600的環。打線2720m連接引線IlOf的末端140f穿過通孔510c至鄰接引線110m， 打線2720m與鄰接引線IlOfUlOm形成一圍繞該電感核心2600的環。打線2720k連接引 線1 IOm的末端140m穿過通孔510f至鄰接引線110k,打線2720k與鄰接引線110m、1 IOk形 成一圍繞該電感核心1600的環。打線2720j連接引線IlOk的末端140k穿過通孔510e至 鄰接引線110j，打線2720j與鄰接引線IlOkUlOj形成一圍繞該電感核心2600的環。打線 2720 連接引線IlOj的末端140j穿過通孔510d至鄰接引線110j，打線2720 與鄰接引線 IlOjUlOi形成一圍繞該電感核心2600的環。引線IlOd與IlOi構成該電感1950的引線。功率IC2500是設置在導線架100的大焊墊120上。打線2720h連接功率IC2500 至引線lioi，藉此連接至導線架式整合電感2750。打線2720a、2720b與2720c各連接功 率IC2500至引線110a、110b、110c。打線2420f與2420g各連接功率IC2500至引線IlOg,IlOho利用一封圍來完成半導體功率組件封裝2700並且填入引線IlOa-IlOm的半蝕刻 區域，以固定導線架100，因此引線不易由封裝上脫離。封圍的結構是利用虛線顯示。本發明的第九具體實施例是在圖33中顯示，並且包含有一半導體功率組件封 裝3300，其具有一導線架式整合式電感3350。半導體功率組件封裝3300包含有一底部 2800 (圖28)與一頂端導線架3100 (圖31)。底部2800包含有一底部導線架100、一電感核 心2600、一連接晶片1200與一功率IC2900。電感3350包含有電感核心2600、導線架100 的數個相鄰引線與一頂導線架3100的數個鄰接引線。一雙面凸塊連接的連接晶片1200利 用形成於連接晶片1200上的通孔(通孔1210a-1210c顯示在第13圖中)來提供電性連接。 電感核心2600設置在導線架100的頂表面150並且利用大焊墊120與小焊墊130支撐著。 電感核心2600是設置於導線架100的頂表面150，藉由這樣的方式，引線末端140d-140f與 140j-140m能夠進入穿過偏移窗2610。
頂端導線架3100包含有數個彎曲引線3110a_3110k。引線3110a_3110k具有對應 的末端3140a-3140k，引線末端3140h具有兩個部分。引線3110a_3110c與3110f-3110h是 設置並且架構為連結一凸塊連接的功率IC2900(圖29)至導線架100的各引線IlOa-IlOc 與IlOg-IIOi。功率IC2900是設置在導線架100的大焊墊120上並鄰接該電感核心2600。 引線3140d-3140e與3140h-3140k是設置並且架構為連接該雙面凸塊連接的連接晶片1200 至導線架100的各引線，而如同更進一步的描述，電感核心2600形成電感3350。連接晶片1200是尺寸化架構為適合設置於偏移窗口 2610內，更者，連接晶片 1200的厚度大致上與電感核心2600相同或者些微大於電感核心2600的厚度。更者，連接 晶片通孔是採銅金屬印刷，以形成具有小電阻的電性連接。連接晶片通孔是形成設置於連 接晶片1200上，因此底面凸塊形成於通孔上且覆蓋導線架100的引線末端140d-140f與 140j-140m,以於此電性連接。形成於通孔上的頂面凸塊1220a-1220f是設置為各對準於頂 端導線架引線 3110d-3114e 與 3110h_3110k 的引線末端 3140d_3140e 與 3140h_3140k。請參閱圖33，引線3110e連接引線IlOd至導線架100的鄰接引線110e，引線 3110e、鄰接引線IlOd與IlOe形成一環繞電感核心2600的環。引線3110e連接引線IlOe 至導線架100的連接引線100f，引線3110e、鄰接引線IlOe與IlOf形成一環繞電感核心 2600的環。引線IlOf藉由引線3140k連接至鄰接引線110m，引線3140k、鄰接引線IlOf與 IlOm形成一環繞電感核心2600的環。弓丨線IlOm利用引線3110j連接至鄰接引線110k， 引線3110j與鄰接引線IlOmUlOk形成一環繞該電感核心2600的環。引線IlOk是藉由 3110 連接至鄰接引線IlOj,引線3110 與鄰接引線IlOkUlOj形成一環繞該電感核心 2600的環。弓丨線IlOj藉由引線3110h的第二部分連接至鄰接引線110i，引線3110h的第 二部分與鄰接引線IlOjUlOi形成一環繞該電感核心2600的環。引線IlOd與IlOi構成 電感3350的引線。引線3110h的第一部份連接至該功率IC2900，以藉此連接功率IC2900 至電感3350。引線3110a-3110c連接至功率IC2900上的凸塊2910f、2910e與2910d。引 線3110f-3110h(第一部分)連接至功率IC2900上的凸塊2910a、2910b與2910c。利用一封圍(圖中未示)來完成半導體功率組件封裝3300並且填入引線 IlOa-IlOm的半蝕刻區域，以固定導線架100，因此引線不易由封裝上脫離。封圍的結構是 利用虛線顯示。
本發明的第十種具體實施例是呈現在圖34A中，此實施例包含有一半導體功率組 件封裝3400A，其具有一導線架式整合電感3450。電感3450包含有一電感核心3460、一導 線架3470的數個相鄰引線與金屬連接，例如打線3440a-3440g。電感核心3460是設置在 導線架3470的頂面3475上。電感核心3460是設置於導線架3470的頂表面3475上，且利 用這樣的方式下，引線末端3440d-3440e與3440i_3440o是進入穿設一設置於該電感核心 3460內的窗3465。打線連接導線架3470的鄰接引線，以提供一環繞該電感核心3460的封閉磁性回 路。打線3440a連接引線3410d至鄰接引線3410e，打線3440a與鄰接引線3410d、3410e形 成一圍繞該電感核心3460的環。打線3440b連接引線3410e至鄰接引線3410o，打線3440b 與鄰接引線3410e、3410o形成一圍繞該電感核心3460的環。打線3440c連接引線3410o 至鄰接引線3410n，打線3440c與鄰接引線3410o、3410n形成一圍繞該電感核心3460的環。 打線3440d連接引線3410n至引線3410m。打線3440e連接引線3410m至鄰接引線3410k， 打線3440e與鄰接引線3410m、3410k形成一圍繞該電感核心3460的環。打線3440f連接 引線3410k至鄰接引線3410j，打線3440f與鄰接引線3410k、3410j形成一圍繞該電感核心 3460的環。打線3440g連接引線3410J至鄰接引線3410i，打線3440g與鄰接引線3410 j\ 3410i形成一圍繞該電感核心3460的環。打線3440h連接引線3410i至一設置於該導線架 3470的焊墊3477上的功率IC3480。引線3410d與3410i構成該電感3450的引線。半導 體功率組件封裝3400A包含有12L 4X3DFN-0. 65mm節距(pitch)組件。外部邊界與電感 核心3460的內部窗是利用細點長點虛線(dash-dot-dash)線條表示出。利用一封圍來完成半導體功率組件封裝3400A並且固定導線架3470，因此引線不 易由封裝上脫離。封圍的結構是利用虛線顯示。本發明的半導體功率組件封裝3400A的另一種具體實施例是顯示在圖34B並且設 定為3400B。組件封裝3400B大致上與封裝3400A相同，除了組件封裝3400B包含有引線 3410d，其分成兩個引線3410d-l與3410d-2。在這個具體實施例中，引線3410d_l可以作為 外部引線。依照本發明，電感核心可以由磁性材料基底來架構形成。基底是具有一設定厚度。 接著，窗是利用鐳射或者其它蝕刻方式切割形成。基底隨後嵌設至一切成小塊狀的膠帶上 並且切割成小塊的個別電感核心。具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝一般架構為藉由提供一導線架來 提供該電感核心依附。功率IC隨後依附至電感核心、一鄰接該電感核心的位置或者該電感 核心的窗內。假如使用一連接晶片，連接晶片是設置在於自該窗內顯露出的引線末端。由 導線架引線間的連接關系所形成的電感是由包含有打線的金屬連接(wire bonding)或者 一頂端導線架所提供。在最後步驟，使用模製來封圍組件封裝。依據本發明的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝藉由刪除相同組件 的成本與分設電感的成本來達到降低成本。本發明的半導體功率組件更提供功率轉換器或 者升壓器組件封裝一種簡單的解決方式，來減少基板空間的總使用量。唯以上所述者，僅為本發明的較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施的範圍。 故即凡依本發明申請範圍所述的特徵及精神所為的均等變化或修飾，均應包括於本發明的 所附的權利要求申請專利範圍內。
1權利要求
一種具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝，其包含有一導線架，其具有數個引線；一電感核心，其設置在該導線架上，因此數個引線末端是透過一位於該電感核心內的窗顯露出來；數個金屬連接，該數個金屬連接的一部分結合該由該窗顯露出的數個引線末端的一部分至該電感核心的鄰接引線，以形成該電感；以及一功率集成電路，其連接至該電感。
2.如權利要求1所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該功率集成電路是設 置在該電感核心上且鄰接該窗。
3.如權利要求1所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該電感核心的厚度是 介於0. 2mm到1mm間。
4.如權利要求1所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該電感核心包含有一 間隙。
5.如權利要求1所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該電感核心包含有鐵。
6.如權利要求1所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該電感核心包含有納 米級結晶鎳鐵。
7.如權利要求1所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該電感核心包含有鎳鐵。
8.如權利要求1所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，還包含有一連接晶片，其是 設置於該窗內，該連接晶片提供介於該數個金屬連接的一部分與該由該窗顯露出的數個引 線末端的一部分間電性連接。
9.如權利要求8所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該連接晶片包含有數 個通孔，該數個通孔的一部分是作為介於該數個金屬連接的一部分與該由該窗顯露出的數 個弓I線末端一部分間的電性連接。
10.如權利要求8所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該連接晶片是利用凸 塊連接設置於底面。
11.如權利要求1所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，還包含有一連接晶片，其 是設置於該窗內，在覆蓋關係下至該數個透過該窗顯露出的引線末端，該連接晶片提供介 於該數個金屬連接的一部分與該由該窗顯露出的數個引線末端的一部分間電性連接。
12.如權利要求1所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該功率集成電路是設 置於該窗內，且鄰接該數個自該窗顯露出的引線末端。
13.如權利要求12所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，還包含有一連接晶片，其 是設置於該窗內，在覆蓋關係下至該數個引線末端，該連接晶片提供介於該數個金屬連接 的一部分與該由該窗顯露出的數個引線末端的一部分間的電性連接。
14.如權利要求1所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，還包含有一連接晶片，其 是設置於該窗內，在覆蓋關係下至該數個引線末端，該連接晶片提供介於該數個金屬連接 的一部分與該由該窗顯露出的數個引線末端的一部分間的電性連接，其中該功率集成電路 是設置於該窗內。
15.如權利要求1所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該功率集成電路是設置於鄰接該電感核心。
16.如權利要求15所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，還包含有一連接晶片，其 是設置於該窗內，該連接晶片提供介於該數個金屬連接的一部分與該由該窗顯露出的數個 弓I線末端一部分間的電性連接。
17.一種具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝，其包含有 一底部導線架，其具有數個引線；一電感核心，其設置在該底部導線架上，因此數個底部導線架引線末端是透過一位於 該電感核心內的窗顯露出來；一連接晶片，其是利用凸塊連接於相對側，因此在一頂面側的每一凸塊是電性連接至 一位於一底面側的對應凸塊，該連接晶片設置於該窗內，因此該底側凸塊覆蓋該底部導線 架的數個引線末端，其是透過該窗顯露出並且電性連接；一頂面導線架，其具有數個彎曲引線，該數個頂面導線架引線的第一部分連接至該連 接晶片頂面側的該凸塊並且連接自該窗顯露出的數個底面導線架引線末端的每一個至該 電感核心的鄰接底面導線架引線末端，以形成該電感；以及 一功率集成電路，其連接至該電感。
18.如權利要求17所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該功率集成電路是 設置在該電感核心上且鄰接該窗。
19.如權利要求17所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該功率集成電路是 設置於該窗內且鄰接該數個底面導線架引線末端，其是自該窗顯露出。
20.如權利要求17所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該功率集成電路是 設置於鄰接該電感核心。
21.如權利要求17所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該集成電路是凸塊 連接於一上表面並且頂導線架的數個引線的第二部分結合該集成電路至該電感與底面導 線架的數個對應引線。
22.如權利要求17所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該電感核心的厚度 是介於0. 2mm到1mm間。
23.如權利要求17所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該電感核心包含有 一間隙。
24.如權利要求17所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該電感核心包含有 納米級結晶鎳鐵。
25.如權利要求17所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該電感核心包含有鐵。
26.如權利要求17所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該電感核心包含有 鎳鐵。
27.如權利要求17所述的半導體功率組件封裝，其特徵在於，其中該連接晶片包含有 數個通孔。
28.一種形成具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的方法，其包含有下列步驟提供一底導線架，其具有數個引線；將一電感核心設置在該底導線架上，因此底導線架的數個引線末端是透過一形成於該 電感核心上的窗顯露出來；連接每一自該窗顯露出的該數個引線末端至鄰接引線，此時該電感核心藉由數個金屬 連接的方式形成該電感；以及連接一功率集成電路至該電感。
29.如權利要求28所述的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的方法，其特 徵在於，其中該連接每一自該窗顯露出的該數個引線末端至鄰接引線，此時該電感核心藉 由數個金屬連接的方式形成該電感的步驟還包含有一步驟，其是透過凸塊連接的方式設置 一連接晶片於其相反側在該窗內，因此底側凸塊覆蓋自該窗顯露出的數個底導線架引線末 端並且電性連接，其中該連接晶片的每一該頂面凸塊是電性連接至該連接晶片的一對應的 底側凸塊。
30.如權利要求29所述的具有導線架式整合電感的半導體功率組件封裝的方法，其特 徵在於，其中該連接該數個引線末端至鄰接引線，此時該電感核心藉由數個金屬連接的方 式形成該電感的步驟還包含有一步驟，其是提供一具有數個引線的頂導線架，該頂導線架 的數個引線的第一部分連接至連接晶片的頂側凸塊與連接自該窗顯露出的底導線架的數 個引線末端的每一個至該電感核心的鄰接底導線架引線末端。
全文摘要
本發明是提供一種具有導線架式整合電感(350)的半導體功率組件封裝(300)。半導體功率組件封裝(300)包含有一具有數個引線的導線架(100)、依附於該導線架(100)上的電感核心(200)，因此數個引線末端是自形成於該電感核心(200)上的窗(210)顯露出、數個打線(320)，其中該數個打線(320)的一部分連接該數個引線末端至該電感核心(200)的鄰接引線，藉此形成該電感(350)，以及一結合至該電感(350)的功率集成電路(330)。在另一具體實施例中，利用一連接晶片組件(500)，一頂導線架(1400)結合每一該數個引線末端至與電感核心(200)的鄰接引線。
文檔編號H01L23/495GK101861648SQ200880116511
公開日2010年10月13日 申請日期2008年11月21日 優先權日2007年11月23日
發明者馮濤, 弗蘭茨娃·赫爾伯特, 張曉天 申請人:萬國半導體有限公司;馮濤;張曉天;弗蘭茨娃·赫爾伯特