具抗靜電效應的光罩的製作方法

2023-10-18 00:17:34

專利名稱：具抗靜電效應的光罩的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種具抗靜電效應的光罩，特別是涉及一種通過由塗布一層具微導電性與透光性的高分子聚合物於光罩上以避免電路圖案被靜電放電效應破壞的光罩。


圖1是熟知光罩的剖面圖，其基座是由一平坦且透明的二氧化矽玻璃10所構成。半導體電路圖案是在該玻璃10的表面覆上一層厚度約數百埃()的鉻膜11而成。有時，加工工程師亦會在該鉻膜11的表面再加上一層氧化鉻膜12，以防止該鉻膜11在曝光時的反射現象。
在光罩使用的過程中，靜電荷會隨著使用時間的增加而累積在光罩的圖案表面上。當累積的靜電荷達到一定程度時，就必須找尋一個釋放的管道。在此情況之下，靜電荷通常會由光罩上相鄰兩圖案的尖角之間，尤其是較大型的圖案尖角間，以點對點尖端放電的方式來達到釋放靜電的效果，例如圖1的相鄰兩圖案的鉻膜11會產生一靜電放電效應(ESD)。且不幸的是，在電放電瞬間將產生一足夠大的熱能而破壞電路圖案，而使加工合格率下降。嚴重的話，甚至將造成光罩的損毀。
上述的尖端放電現象在光罩加工演進至更窄的線寬(line width)時，其情形將更加嚴重。
熟知的解決方式，是在光罩20上任兩圖案最接近的尖端處以一細小的導線21相連通，如圖2所示，並再連接至一接地端(圖未示出)，以避免靜電的累積而導致一尖端放電現象。但該作法的缺點為該導線21在曝光時可能會連同鉻膜11的圖案一起在光阻上形成一潛影，而在顯影時出現。其結果將造成半導體圖案的改變，而導致加工的失敗。
本發明的目的是提供一具抗靜電效應的光罩，以避免因靜電累積而導致一尖端放電現象且因此而損毀光罩。
為克服熟知技藝的缺點並達成上述目的，本發明提供一種具抗靜電效應的光罩，包含一基座、一鉻膜及一高分子聚合物層。該鉻膜位於該基座表面，用於表示電路圖案。該高分子聚合物層塗布於該基座及鉻膜的表面，具有透光性及微導電性。
通過塗布該高分子聚合物於該光罩的表面，可使該光罩不致因靜電放電效應而損毀。
本發明將參照後附圖形來說明，其中圖1是熟知光罩的剖面圖；圖2是熟知光罩的正視圖；圖3是本發明的具抗靜電效應的光罩的剖面圖；及圖4是本發明的具抗靜電效應的光罩的正視圖。
元件符號說明10二氧化矽玻璃 11鉻膜12氧化鉻膜 20光罩21導線 30基座31鉻膜 32氧化鉻膜
33導電高分子聚合物 40光罩圖3是本發明的具抗靜電效應的光罩的剖面圖，由下至上依序包含一個基座(例如為二氧化矽玻璃)30、一鉻膜31、一個氧化鉻層32與一導電高分子聚合物層33。
該鉻膜31是於該基座30的表面覆上一層厚度約數百個埃()的鉻金屬而成，且是作為半導體電路的圖案。該氧化鉻膜32可選擇性地加入，以防止該鉻膜31在曝光時的反射現象。該高分子聚合物層32是本發明的技術特徵之一，其目的是作以防止光罩上的相鄰圖案間產生一靜電放電效應而損毀電路圖案。該高分子聚合物層32是本發明的技術特徵之一，其目的是用以防止光罩上的相鄰圖案間產生一靜電放電效應而損毀電路圖案。該高分子聚合物層32的材料必須是透光性的，以使光源能夠順利通過該光罩40而完成曝光。且該高分子聚合物必須具有輕微的導電性，使靜電荷在該光罩40表面累積之前就被分散開來，而不致聚積在某些特定區域而造成以後的放電現象。只要使用的高分子聚合物的導電度過高，則整個光罩40會變成一導體，仍然不適用於微影加工中。故本發明所使用的高分子聚合物的導電度約介於每釐米50至2000S(西門子每釐米)即可，故例如聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯硫醚以及聚呋喃等材料都可被利用。另一些可以使用的材料可於CEN.1990年12月3日第36-54頁，作者為Mercourl G.Kanatzidls，標題為「導電聚合物」的著作內找到，本發明對此並未有任何限制。
圖4為本發明的具抗靜電效應的光罩正視圖。如圖所示，光罩40上具有所需的電路和圖案，且電路圖案的上塗布一透光的導電高分子聚合物層33以達到分散靜電荷的效果，且該導電高分子聚合層33的存在並不會對曝光或後續的顯影加工造成任何的影響。
本發明的技術內容及技術特點已公開如上，然而熟悉本項技術的人士仍可能基於本發明的教示及公開而作種種不背離本發明精神的替換及改進。因此，本發明的保護範圍應不限於實施例所公開者，而應包括各種不背離本發明的替換及改進，並為以下的所涵蓋。
權利要求
1.一種具抗靜電效應的光罩，包含一基座；一鉻膜，位於該基座表面，用於表示電路圖案；及一高分子聚合物層，塗布於該基座及鉻膜的表面，具有透光性及微導電性；通過塗布該高分子聚合物，可使該光罩不致因靜電累積而損毀。
2.如權利要求1所述的光罩，其中該高分子聚合物層的導電度是於每釐米50至2000S之間。
3.如權利要求1所述的光罩，其中高分子聚合物層的材料是選自聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯硫醚或聚呋喃。
4.如權利要求1所述的光罩，其中該鉻膜及高分子聚合物層之間還包含一氧化鉻層，用以防止該鉻膜在曝光時的反射現象。
5.如權利要求1所述的光罩，其中該基座為一二氧化矽玻璃。
全文摘要
本發明公開一種具抗靜電效應的光罩,其是在光罩上塗布一層具微導電性與透光性的高分子聚合物。本發明可以於加工中防止光罩上相鄰圖案間產生一尖端放電現象,進而保證光罩圖案的完整性。
文檔編號H01L23/58GK1372321SQ0110434
公開日2002年10月2日 申請日期2001年2月27日 優先權日2001年2月27日
發明者徐震球, 鍾振輝, 林義雄 申請人:矽統科技股份有限公司