多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置的製作方法

2023-10-17 09:03:44 2

專利名稱：多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及太陽能級矽原料清洗設備，尤其是一種多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置。
背景技術：
多晶矽和單晶矽生產過程中會產生很多廢料，如生產中報廢的多晶矽原料、單晶矽頭尾邊皮、多晶矽頭尾邊皮、單晶碎片、多晶碎片、單晶堝底料等，這些廢料都是昂貴的矽原料，對其進行處理後在重新利用是一項節約成本的大工程。光伏電池製作行業為得到純淨的矽原料，達到99. 9999%以上的純度要求，須將上述廢料清洗，去除雜質和油汙。針對上述不同的廢料進行破碎、鹼洗清洗、打磨等工藝後再統一進行酸洗、溢流漂洗、甩幹、烘乾， 最後檢驗包裝後入庫備用。在矽料酸洗後，雖然經過了漂洗和衝洗，但在矽料的表面或縫隙等仍有可能殘留酸，如果直接乾燥，殘留酸會對矽料進行氧化，為提高清洗效果，還需在酸洗、溢流漂洗後進行超聲漂洗，採用超聲波清洗，去除殘留酸。現有的超聲波清洗機一般只有一對超聲波發生裝置，超聲波發生裝置安裝在清洗水池內相對的側壁上。這種超聲波清洗機，只有一對超聲波發生器，清洗效果較差。

實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是為了解決現有技術中的不足，本實用新型提供一種多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置，在清洗水池的側面和底面均設有超聲波發生器，效果更好，且具有加熱裝置，進一步提高清洗效果。本實用新型解決其技術問題所採用的技術方案是一種多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置，包括清洗水池和設置在清洗水池內的超聲波發生器，清洗水池內裝有清洗液並具有循環補水裝置，所述的超聲波發生器分別設置在清洗水池的側壁和底部， 還具有對清洗液加熱的加熱裝置。為提高效果，所述的超聲波發生器設置在清洗水池的其中兩個側壁上。作為優選，所述的超聲波發生器設置在清洗水池的其中兩個相互平行的側壁上。所述的加熱裝置為由溫控開關控制啟閉的加熱管，所述的加熱管的數量為兩根， 分別設置在清洗水池的兩個相互平行的側壁上。本實用新型的有益效果是，本實用新型的多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置在清洗水池的側面和底面均設有超聲波發生器，效果更好，且具有加熱裝置，進一步提高清洗效果。
以下結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。


圖1是本實用新型的多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置最佳實施例的俯視示意圖；[0011]圖2是本實用新型的多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置最佳實施例的立體示意圖。圖中1.清洗水池，11.側壁，12.底部，2.超聲波發生器，3.加熱裝置。
具體實施方式
現在結合附圖對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖， 僅以示意方式說明本實用新型的基本結構，因此其僅顯示與本實用新型有關的構成。
圖1圖2是本實用新型結構示意圖一種多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置，包括清洗水池1和設置在清洗水池1內的超聲波發生器2，清洗水池1內裝有清洗液並具有循環補水裝置，超聲波發生器2分別設置在清洗水池1的兩相平行的側壁11和底部 12，還具有對清洗液加熱的加熱裝置3，加熱裝置3為由溫控開關控制啟閉的加熱管，加熱管的數量為兩根，分別設置在清洗水池1的兩個相互平行的側壁11上。以下介紹本實用新型的具體使用，工作時同時開啟側壁11和底部12的超聲波發生器2，開啟加熱裝置3，控制清洗液溫度為60°C 士5°C，在這個溫度環境下，維持2小時左右清洗效果最好。以上述依據本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項實用新型技術思想的範圍內，進行多樣的變更以及修改。本項實用新型的技術性範圍並不局限於說明書上的內容，必須要根據權利要求範圍來確定其技術性範圍。
權利要求1.一種多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置，包括清洗水池(1)和設置在清洗水池(1)內的超聲波發生器O)，清洗水池(1)內裝有清洗液並具有循環補水裝置，其特徵在於所述的超聲波發生器( 分別設置在清洗水池(1)的側壁(11)和底部(12)，還具有對清洗液加熱的加熱裝置(3)。
2.如權利要求1所述的多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置，其特徵是所述的超聲波發生器( 設置在清洗水池(1)的其中兩個側壁(11)上。
3.如權利要求2所述的多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置，其特徵是所述的超聲波發生器( 設置在清洗水池(1)的其中兩個相平行的側壁(11)上。
4.如權利要求1所述的多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置，其特徵是所述的加熱裝置(3)為由溫控開關控制啟閉的加熱管，所述的加熱管的數量為兩根，分別設置在清洗水池(1)的兩個相互平行的側壁(11)上。
專利摘要本實用新型涉及一種多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置，包括清洗水池和設置在清洗水池內的超聲波發生器，清洗水池內裝有清洗液並具有循環補水裝置，所述的超聲波發生器分別設置在清洗水池的側壁和底部，還具有對清洗液加熱的加熱裝置。本實用新型的多晶或單晶矽原料清洗用超聲波溢流清洗裝置在清洗水池的側面和底面均設有超聲波發生器，效果更好，且具有加熱裝置，進一步提高清洗效果。
文檔編號B08B3/12GK202162176SQ20112026956
公開日2012年3月14日 申請日期2011年7月28日 優先權日2011年7月28日
發明者周羅洪, 王如軍, 高俊 申請人:江蘇兆晶光電科技發展有限公司