聚合物及正性抗蝕劑組合物的製作方法

2023-10-06 19:06:04

本發明涉及聚合物及正性抗蝕劑組合物，特別涉及可適合用作正性抗蝕劑的聚合物及包含該聚合物的正性抗蝕劑組合物。

背景技術：

一直以來，在半導體製造等領域中，將以下聚合物作為主鏈切斷型的正性抗蝕劑而使用，該聚合物是通過電子束等電離輻射、紫外線等短波長的光(以下，有時將電離輻射和短波長的光合稱為「電離輻射等」。)的照射來切斷主鏈而增大對顯影液的溶解性的聚合物。

而且，例如專利文獻1中，作為高靈敏度的主鏈切斷型的正性抗蝕劑，公開了由含有α-甲基苯乙烯單元和α-氯代丙烯酸甲酯單元的α-甲基苯乙烯·α-氯代丙烯酸甲酯共聚物形成的正性抗蝕劑。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特公平8-3636號公報。

技術實現要素：

發明要解決的問題

為了將使用主鏈切斷型的正性抗蝕劑而得到的圖案進一步微細化並且提高解析度，要求一種能夠儘可能鮮明地區分通過電離輻射等的照射來切斷主鏈而溶解於顯影液的部分與未溶解而殘留的部分的抗蝕劑。在此，從形成更微細的圖案的觀點出發，為了減少未溶解而殘留的抗蝕劑部分的頂部的坍塌，優選在照射量比直到能夠將溶解的抗蝕劑部分充分溶解為止的所曝光的照射量少的情況下對顯影液的溶解性低的抗蝕劑。就這樣的抗蝕劑而言，要求使在電離輻射等的照射量少的狀態下的減膜率(低照射量時的減膜率)降低。

但是，專利文獻1中所記載的由α-甲基苯乙烯·α-氯代丙烯酸甲酯共聚物形成的正性抗蝕劑存在有在電離輻射等的照射量少的狀態下過度地減膜這樣的問題。因此，對於專利文獻1中記載的由α-甲基苯乙烯·α-氯代丙烯酸甲酯共聚物形成的正性抗蝕劑，在使在電離輻射等的照射量少的狀態下的減膜率進一步降低這個方面有改善的餘地。

因此，本發明的目的在於提高一種可良好地用作在電離輻射等的照射量少的狀態下的減膜率低的正性抗蝕劑的聚合物。

此外，本發明的目的還在於提供一種可良好地形成高解析度的圖案的正性抗蝕劑組合物。

用於解決問題的方案

本發明人為了實現上述目的而進行了深入研究。而且，本發明人發現，分子量小於6000的成分的比例為規定的值以下的α-甲基苯乙烯·α-氯代丙烯酸甲酯共聚物可良好地用作在電離輻射等的照射量少的狀態下的減膜率低的正性抗蝕劑，從而完成了本發明。

即，該發明的目的在於有利地解決上述課題，本發明的聚合物的特徵在於含有α-甲基苯乙烯單元和α-氯代丙烯酸甲酯單元，分子量小於6000的成分的比例為0.5％以下。分子量小於6000的成分的比例為0.5％以下的α-甲基苯乙烯·α-氯代丙烯酸甲酯共聚物在作為正性抗蝕劑使用之際的低照射量時的減膜率低，能夠良好地用作正性抗蝕劑。

另外，在本發明中，「分子量小於6000的成分的比例」能夠通過以下方式而求得：使用利用凝膠滲透色譜法而得到的色譜圖，算出色譜圖中的分子量小於6000的成分的峰面積的合計(c)相對於色譜圖中的峰的總面積(a)的比例(＝(c/a)×100％)。

在此，本發明的聚合物優選分子量小於10000的成分的比例為0.5％以下。這是因為，如果分子量小於10000的成分的比例為0.5％以下，則能夠使作為正性抗蝕劑使用之際的低照射量時的減膜率進一步降低。

另外，在本發明中，「分子量小於10000的成分的比例」能夠通過以下方式而求得：使用利用凝膠滲透色譜法而得到的色譜圖，算出色譜圖中的分子量小於10000的成分的峰面積的合計(b)相對於色譜圖中的峰的總面積(a)的比例(＝(b/a)×100％)。

而且，本發明的聚合物優選分子量超過80000的成分的比例為15％以上。這是因為，如果分子量超過80000的成分的比例為15％以上，則能夠使作為正性抗蝕劑使用之際的低照射量時的減膜率進一步降低。

進而，本發明的聚合物優選重均分子量(mw)為55000以上。這是因為，如果重均分子量(mw)為55000以上，則能夠使作為正性抗蝕劑使用之際的低照射量時的減膜率進一步降低。

另外，在本發明中，「重均分子量(mw)」能夠使用凝膠滲透色譜法來測定。

此外，該發明的目的在於有利地解決上述課題，本發明的正性抗蝕劑組合物的特徵在於包含溶劑和上述的聚合物的任一種。如果含有上述的聚合物作為正性抗蝕劑，則能夠良好地形成頂部的坍塌少的高解析度的圖案。

發明效果

根據本發明的聚合物，能夠提供一種在電離輻射等的照射量少的狀態下的減膜率低的正性抗蝕劑。

此外，根據本發明的正性抗蝕劑組合物，能夠良好地形成高解析度的圖案。

具體實施方式

以下，對本發明的實施方式進行詳細地說明。

在此，本發明的聚合物能夠通過電子束等電離輻射、紫外線等短波長的光的照射來切斷主鏈而低分子量化，能夠良好地用作主鏈切斷型的正性抗蝕劑。而且，本發明的正性抗蝕劑組合物為包含本發明的聚合物作為正性抗蝕劑的正性抗蝕劑組合物。

(聚合物)

本發明的聚合物的特徵在於，其為含有α-甲基苯乙烯單元和α-氯代丙烯酸甲酯單元的α-甲基苯乙烯·α-氯代丙烯酸甲酯共聚物，分子量小於6000的成分的比例為0.5％以下。而且，本發明的聚合物由於包含來自在α位具有氯基(-cl)的α-氯代丙烯酸甲酯的結構單元(α-氯代丙烯酸甲酯單元)，因此當照射電離輻射等(例如，電子束、krf雷射、arf雷射、euv雷射等)時，主鏈容易被切斷而低分子量化。此外，關於本發明的聚合物，由於分子量小於6000的成分的比例為0.5％以下，因此作為正性抗蝕劑使用之際的低照射量時的減膜率低，能夠良好地用作主鏈切斷型的正性抗蝕劑。

在此，α-甲基苯乙烯單元為來自α-甲基苯乙烯的結構單元。而且，本發明的聚合物由於具有α-甲基苯乙烯單元，因此作為正性抗蝕劑使用之際，由於苯環的保護穩定性而發揮優異的耐幹法蝕刻性。

另外，本發明的聚合物優選以30mol％以上且70mol％以下的比例含有α-甲基苯乙烯單元。

此外，α-氯代丙烯酸甲酯單元為來自α-氯代丙烯酸甲酯的結構單元。而且，本發明的聚合物由於具有α-氯代丙烯酸甲酯單元，因此當照射電離輻射等時，滷原子脫去，主鏈容易被β裂解反應切斷。因此，由本發明的聚合物形成的正性抗蝕劑顯示高的靈敏度。

另外，本發明的聚合物優選以30mol％以上且70mol％以下的比例含有α-氯代丙烯酸甲酯單元。

本發明的聚合物的分子量小於6000的成分的比例需要為0.5％以下，更優選為0.15％以下，進一步優選為0.1％以下。在分子量小於6000的成分的比例超過0.5％的情況下，不能使作為正性抗蝕劑使用之際的低照射量時的減膜率充分地降低。此外，如果分子量小於6000的成分的比例為0.15％以下，則不僅能夠使低照射量時的減膜率進一步降低，還能夠提高作為正性抗蝕劑使用之際的γ值。

另外，γ值表示靈敏度曲線的斜率的大小，上述靈敏度曲線是表示電離輻射等的照射量的常用對數與顯影后的抗蝕劑的殘留膜厚的關係的曲線，通過提高γ值，則能夠得到解析度更高的圖案。

而且，本發明的聚合物優選分子量小於10000的成分的比例為0.5％以下，更優選為0.3％以下。如果分子量小於10000的成分的比例為0.5％以下，則能夠使作為正性抗蝕劑使用之際的低照射量時的減膜率進一步降低。

在此，本發明的聚合物的分子量超過80000的成分的比例優選為15％以上，更優選為20％以上，優選為40％以下。如果分子量超過80000的成分的比例為15％以上，則能夠使低照射量時的減膜率進一步降低，如果為40％以下，則可良好地用作靈敏度等特性優異的正性抗蝕劑。

此外，本發明的聚合物的分子量超過100000的成分的比例優選為7％以上，更優選為10％以上，優選為30％以下，更優選為25％以下。如果分子量超過100000的成分的比例為7％以上，則能夠使低照射量時的減膜率進一步降低，如果為30％以下，則可良好地用作靈敏度等特性優異的正性抗蝕劑。

另外，在本發明中，「分子量超過100000的成分的比例」能夠通過以下方式而求得：使用利用凝膠滲透色譜法而得到的色譜圖，算出色譜圖中的分子量超過100000的成分的峰面積的合計(e)相對於色譜圖中的峰的總面積(a)的比例(＝(e/a)×100％)。

本發明的聚合物的重均分子量(mw)優選為36000以上，更優選為55000以上，進一步優選為60000以上，優選為100000以下，更優選為70000以下。如果聚合物的重均分子量(mw)為36000以上，則能夠使低照射量時的減膜率進一步降低，如果為100000以下，則可良好地用作靈敏度等特性優異的正性抗蝕劑。

此外，本發明的聚合物的數均分子量(mn)優選為25000以上，更優選為30000以上，進一步優選為42000以上，優選為100000以下，更優選為50000以下。如果聚合物的數均分子量(mn)為25000以上，則能夠使低照射量時的減膜率進一步降低，如果為100000以下，則可良好地用作靈敏度等特性優異的正性抗蝕劑。

另外，在本發明中，「數均分子量(mn)」能夠使用凝膠滲透色譜法來測定。

而且，本發明的聚合物的分子量分布(mw/mn)優選小於1.48，更優選為1.47以下，優選為1.20以上，更優選為1.24以上，進一步優選為1.27以上。如果聚合物的分子量分布(mw/mn)小於1.48，則可良好地用作γ值等特性優異的正性抗蝕劑，如果為1.20以上，則聚合物的製備變得容易。

另外，在本發明中，「分子量分布(mw/mn)」是指重均分子量(mw)相對於數均分子量(mn)的比。

(聚合物的製備方法)

而且，具有上述的性狀的聚合物能夠通過例如以下方式進行製備：使包含α-甲基苯乙烯和α-氯代丙烯酸甲酯的單體組合物聚合後，對得到的聚合產物進行提純。

另外，聚合物的組成、分子量分布、重均分子量及數均分子量、以及聚合物中的各分子量的成分的比例能夠通過變更聚合條件和提純條件來調節。具體而言，例如如果提高聚合溫度，則能夠減小重均分子量和數均分子量。此外，如果縮短聚合時間，則也能夠減小重均分子量和數均分子量。

在此，作為在本發明的聚合物的製備中使用的單體組合物，能夠使用包含α-甲基苯乙烯和α-氯代丙烯酸甲酯的單體、溶劑、聚合引發劑以及任選地添加的添加劑的混合物。而且，單體組合物的聚合能夠使用已知的方法進行。其中，作為溶劑，優選使用環戊酮等，作為聚合引發劑，優選使用偶氮二異丁腈等自由基聚合引發劑。

另外，聚合物的組成能夠通過將用於聚合的單體組合物中的各單體的含有比例進行變更來調節。此外，聚合物中所包含的分子量高的成分的比例能夠通過變更聚合引發劑的量來調節，例如如果減少聚合引發劑的量，則能夠使分子量高的成分的比例增加。

而且，關於將單體組合物聚合而得到的聚合產物，並不特別限定，能夠通過在包含聚合產物的溶液中添加四氫呋喃等良好溶劑之後，將添加了良好溶劑的溶液滴加到甲醇等不良溶劑中，使聚合產物凝固，從而進行回收，能夠按照以下的方式進行提純。

作為將得到的聚合產物進行提純而得到具有上述的性狀的聚合物時所使用的提純方法沒有特別限定，能夠使用再沉澱法、柱色譜法等已知的提純方法。其中，作為提純方法，優選使用再沉澱法。

另外，聚合產物的提純也可以重複多次進行實施。

而且，利用再沉澱法的聚合產物的提純優選通過例如以下方式進行：將得到的聚合產物溶解在四氫呋喃等良好溶劑後，將得到的溶液滴加到四氫呋喃等良好溶劑和甲醇等不良溶劑的混合溶劑中，使聚合產物的一部分析出。如果像這樣將聚合產物的溶液滴加到良好溶劑和不良溶劑的混合溶劑中來進行聚合產物的提純，則能夠通過變更良好溶劑和不良溶劑的種類、混合比率，從而容易地調節得到的聚合物的分子量分布、重均分子量、數均分子量及分子量低的成分的比例。具體而言，例如越提高混合溶劑中的良好溶劑的比例，越能夠增大混合溶劑中析出的聚合物的分子量。

另外，在利用再沉澱法提純聚合產物的情況下，作為本發明的聚合物，只要滿足所期望的性狀，可以使用在良好溶劑和不良溶劑的混合溶劑中析出的聚合物，也可以使用未在混合溶劑中析出的聚合物(即，溶解於混合溶劑中的聚合物)。在此，未在混合溶劑中析出的聚合物能夠使用濃縮乾燥等已知的方法從混合溶劑中回收。

(正性抗蝕劑組合物)

本發明的正性抗蝕劑組合物包含溶劑和上述的聚合物，進一步任選地含有可與抗蝕劑組合物配合的已知的添加劑。而且，本發明的正性抗蝕劑組合物由於含有上述的聚合物作為正性抗蝕劑，因此如果使用使本發明的正性抗蝕劑組合物塗敷及乾燥而得到的抗蝕劑膜，則能夠良好地形成高解析度的圖案。

另外，作為溶劑，只要是可溶解上述的聚合物的溶劑即可，能夠使用已知的溶劑。其中，從得到合適的粘度的正性抗蝕劑組合物而使正性抗蝕劑組合物的塗敷性提高的觀點出發，優選使用苯甲醚作為溶劑。

實施例

以下，基於實施例對本發明進行具體地說明，但本發明並不限定於這些實施例。另外，在以下的說明中，表示量的「％」和「份」只要沒有特別說明為質量基準。

而且，在實施例和比較例中，聚合物的重均分子量、數均分子量及分子量分布、聚合物中的各分子量的成分的比例、以及由聚合物形成的正性抗蝕劑的低照射量時的減膜率及γ值按照下述的方法進行測定和評價。

對得到的聚合物使用凝膠滲透色譜儀來測定重均分子量(mw)及數均分子量(mn)，算出分子量分布(mw/mn)。

具體而言，使用凝膠滲透色譜儀(tosoh製造、hlc-8220)，使用四氫呋喃作為洗脫液，將聚合物的重均分子量(mw)及數均分子量(mn)作為標準聚苯乙烯換算值而求得。然後，算出分子量分布(mw/mn)。

使用凝膠滲透色譜儀(tosoh製造、hlc-8220)，使用四氫呋喃作為洗脫液，得到聚合物的色譜圖。然後，根據得到的色譜圖，求得：峰的總面積(a)、分子量小於10000的成分的峰面積的合計(b)、分子量小於6000的成分的峰面積的合計(c)、分子量超過80000的成分的峰面積的合計(d)以及分子量超過100000的成分的峰面積的合計(e)。然後，使用下式算出各分子量的成分的比例。

分子量小於10000的成分的比例(％)＝(b/a)×100

分子量小於6000的成分的比例(％)＝(c/a)×100

分子量超過80000的成分的比例(％)＝(d/a)×100

分子量超過100000的成分的比例(％)＝(e/a)×100

使用旋轉塗布機(mikasa製造、ms-a150)，將正性抗蝕劑組合物以厚度成為500nm的方式塗敷在直徑為4英寸的矽片上。然後，將塗敷的正性抗蝕劑組合物使用溫度180℃的加熱板加熱3分鐘，在矽片上形成抗蝕劑膜，使用光學膜厚計(大日本screen製造、lambdaace)測定得到的抗蝕劑膜的初始厚度t0。然後，使用電子束描繪裝置(elionix公司製造、els-5700)，在抗蝕劑膜上以照射量16μc/cm2描繪圖案，使用醋酸戊酯(日本瑞翁公司製造、zed-n50)作為抗蝕劑用顯影液，在溫度23℃進行顯影處理1分鐘，之後，用異丙醇衝洗10秒。接著，使用上述的光學膜厚計測定描繪的部分的抗蝕劑膜的厚度t1。然後，根據以下的計算式來算出低照射量時的減膜率(0≤減膜率≤1.00)，按照以下的基準進行評價。低照射量時的減膜率的值越小，頂部的坍塌越少，表示可良好地形成高解析度的圖案。

低照射量時的減膜率＝{(t0-t1)/t0}

a：低照射量時的減膜率為0.004以下

b：低照射量時的減膜率超過0.004且為0.007以下

c：低照射量時的減膜率超過0.007且為0.011以下

d：低照射量時的減膜率超過0.011

與「低照射量時的減膜率」的評價同樣地進行，在矽片上形成抗蝕劑膜。然後，使用電子束描繪裝置(elionix公司製造、els-5700)，在抗蝕劑膜上描繪電子束的照射量互相不同的多個圖案(尺寸500μm×500μm)，使用醋酸戊酯(日本瑞翁公司製造、zed-n50)作為抗蝕劑用顯影液，在溫度23℃進行顯影處理1分鐘，之後，用異丙醇衝洗10秒。應予說明的是，在從4μc到152μc的範圍內，每隔4μc改變電子束的照射量。接著，使用光學膜厚計(大日本screen製造、lambdaace)測定描繪的部分的抗蝕劑膜的厚度，製作靈敏度曲線，該靈敏度曲線是表示電子束的總照射量的常用對數與顯影后的抗蝕劑膜的殘膜率(＝顯影后的抗蝕劑膜的膜厚/在矽片上形成的抗蝕劑膜的膜厚)的關係的曲線。然後，對於得到的靈敏度曲線(橫軸：電子束的總照射量的常用對數，縱軸：抗蝕劑膜的殘膜率(0≤殘膜率≤1.00))，使用下述的式求得γ值。另外，在下述的式中，e0為在以下情況時得到的總照射量的對數，即，在殘膜率為0.20～0.80的範圍中將靈敏度曲線擬合成二次函數，對於得到的二次函數(殘膜率與總照射量的常用對數的函數)代入了殘膜率為0時而得到的總照射量的對數。此外，e1為在以下情況時得到的總照射量的對數，即，製作將得到的二次函數上的殘膜率為0的點與殘膜率為0.50的點連接的直線(近似於靈敏度曲線的斜率的線)，對於得到的直線(殘膜率與總照射量的常用對數的函數)代入了殘膜率為1.00時而得到的總照射量的對數。而且，下式表示在殘膜率0與1.00之間的上述直線的斜率。

[數學式1]

然後，按照以下的基準進行評價。γ值的值越大，靈敏度曲線的斜率越大，表示可良好地形成高解析度的圖案。

a：γ值為9.5以上

b：γ值為8.5以上且小於9.5

c：γ值為7.5以上且小於8.5

d：γ值小於7.5

(實施例1)

[單體組合物的聚合]

將包含3.0g的作為單體的α-氯代丙烯酸甲酯和6.88g的作為單體的α-甲基苯乙烯、2.47g的作為溶劑的環戊酮、以及0.02182g的作為聚合引發劑的偶氮二異丁腈的單體組合物加入到玻璃容器中，將玻璃容器進行密封及氮置換，在氮環境下，在78℃的恆溫槽內攪拌6.5小時。然後，恢復室溫，將玻璃容器內部敞開放於大氣中，之後，在得到的溶液中加入30g的四氫呋喃(thf)。然後，將加入了thf的溶液滴加到300g的甲醇中，使聚合產物析出。然後，將包含析出的聚合產物的溶液使用桐山漏鬥進行過濾，得到白色的凝固物(聚合產物)。得到的聚合產物的重均分子量(mw)為35000、分子量分布(mw/mn)為1.60。此外，得到的聚合產物分別包含50mol％的α-甲基苯乙烯單元和50mol％的α-氯代丙烯酸甲酯單元。

[聚合產物的提純]

接著，使得到的聚合產物溶解於100g的thf，將得到的溶液滴加到600g的thf和400g的甲醇(meoh)的混合溶劑中，使白色的凝固物(含有α-甲基苯乙烯單元和α-氯代丙烯酸甲酯單元的聚合物)析出。然後，將包含析出的聚合物的溶液使用桐山漏鬥進行過濾，得到白色的聚合物。然後，對於得到的聚合物，測定重均分子量、數均分子量及分子量分布、聚合物中的各分子量的成分的比例。將結果示於表1。

使得到的聚合物溶解於作為溶劑的苯甲醚中，製備聚合物的濃度為11質量％的抗蝕劑溶液(正性抗蝕劑組合物)。然後，對由聚合物形成的正性抗蝕劑的低照射量時的減膜率及γ值進行評價。將結果示於表1。

(實施例2)

在聚合產物的提純時使用550g的thf和450g的meoh的混合溶劑作為混合溶劑，除此以外，與實施例1同樣地進行，製備聚合產物、聚合物及正性抗蝕劑組合物。然後，與實施例1同樣地進行測定和評價。將結果示於表1。

(實施例3)

將在單體組合物的聚合時使用的作為聚合引發劑的偶氮二異丁腈的量變更為0.03273g，在聚合產物的提純時使用550g的thf和450g的meoh的混合溶劑作為混合溶劑，除此以外，與實施例1同樣地進行，製備聚合產物、聚合物及正性抗蝕劑組合物。然後，與實施例1同樣地進行測定和評價。將結果示於表1。

另外，提純前的聚合產物的重均分子量(mw)為29000、分子量分布(mw/mn)為1.56。

(實施例4)

將在單體組合物的聚合時使用的作為聚合引發劑的偶氮二異丁腈的量變更為0.04364g，在聚合產物的提純時使用550g的thf和450g的meoh的混合溶劑作為混合溶劑，除此以外，與實施例1同樣地進行，製備聚合產物、聚合物及正性抗蝕劑組合物。然後，與實施例1同樣地進行測定和評價。將結果示於表1。

另外，提純前的聚合產物的重均分子量(mw)為24000、分子量分布(mw/mn)為1.53。

(實施例5)

將在單體組合物的聚合時使用的作為聚合引發劑的偶氮二異丁腈的量變更為0.01091g，除此以外，與實施例1同樣地進行，製備聚合產物、聚合物及正性抗蝕劑組合物。然後，與實施例1同樣地進行測定和評價。將結果示於表1。

另外，提純前的聚合產物的重均分子量(mw)為55000、分子量分布(mw/mn)為1.85。

(實施例6)

[單體組合物的聚合]

將作為聚合引發劑的偶氮二異丁腈的量變更為0.01091g，除此以外，與實施例1同樣地進行，聚合單體組合物，得到聚合產物。另外，聚合產物的重均分子量(mw)為55000、分子量分布(mw/mn)為1.85。

[聚合產物的提純]

使得到的聚合產物溶解於100g的thf，將得到的溶液滴加到600g的thf和400g的meoh的混合溶劑中，使白色的凝固物析出。然後，將包含凝固物的溶液使用桐山漏鬥進行過濾，得到析出的白色的凝固物。得到的凝固物的重均分子量(mw)為65000、分子量分布(mw/mn)為1.47。

接著，使得到的凝固物再次溶解於100g的thf，將得到的溶液再次滴加到650g的thf和350g的meoh的混合溶劑中，使白色的凝固物再次析出。然後，將包含再次析出的凝固物的溶液使用桐山漏鬥進行過濾，回收濾液。然後，濃縮乾燥濾液，得到白色的凝固物(含有α-甲基苯乙烯單元和α-氯代丙烯酸甲酯單元的聚合物)。對於得到的聚合物，與實施例1同樣地進行，測定重均分子量、數均分子量及分子量分布、聚合物中的各分子量的成分的比例，將結果示於表1。

使用如上述那樣地進行而製備的聚合物，除此以外，與實施例1同樣地進行，製備正性抗蝕劑組合物。然後，與實施例1同樣地進行評價。將結果示於表1。

(比較例1)

將在單體組合物的聚合時使用的作為聚合引發劑的偶氮二異丁腈的量變更為0.01091g，不實施聚合產物的提純，將在聚合單體組合物時通過過濾而回收的聚合產物直接用作聚合物來製備正性抗蝕劑組合物，除此以外，與實施例1同樣地進行，製備聚合產物(含有α-甲基苯乙烯單元和α-氯代丙烯酸甲酯單元的聚合物)及正性抗蝕劑組合物。然後，與實施例1同樣地進行測定和評價。將結果示於表1。

(比較例2)

[單體組合物的聚合]

將作為聚合引發劑的偶氮二異丁腈的量變更為0.01091g，除此以外，與實施例1同樣地進行，聚合單體組合物，得到聚合產物。另外，聚合產物的重均分子量(mw)為55000、分子量分布(mw/mn)為1.85。

[聚合產物的提純]

使得到的聚合產物溶解於100g的thf，將得到的溶液滴加到600g的thf和400g的meoh的混合溶劑中，使白色的凝固物析出。然後，將包含凝固物的溶液使用桐山漏鬥進行過濾，回收濾液。然後，濃縮乾燥濾液，得到白色的凝固物(含有α-甲基苯乙烯單元和α-氯代丙烯酸甲酯單元的聚合物)。對於得到的聚合物，與實施例1同樣地進行，測定重均分子量、數均分子量及分子量分布、聚合物中的各分子量的成分的比例，將結果示於表1。

使用如上述那樣地進行而製備的聚合物，除此以外，與實施例1同樣地進行，製備正性抗蝕劑組合物。然後，與實施例1同樣地進行評價。將結果示於表1。

[表1]

根據表1可知，相比於由分子量小於6000的成分的比例超過0.5％的比較例1～2的聚合物形成的正性抗蝕劑，由分子量小於6000的成分的比例為0.5％以下的實施例1～6的聚合物形成的正性抗蝕劑的低照射量時的減膜率低。

產業上的可利用性

根據本發明的聚合物，能夠提供在電離輻射等的照射量少的狀態下的減膜率低的正性抗蝕劑。

此外，根據本發明的正性抗蝕劑組合物，能夠良好地形成高解析度的圖案。