一種利用電磁場調控大花蕙蘭花期的方法
2023-10-06 17:42:49
專利名稱:一種利用電磁場調控大花蕙蘭花期的方法
技術領域:
本發明涉及一種調控大花蕙蘭花期的方法,特別涉及一種利用電磁場處理調控大花蕙蘭花期的物理方法。
背景技術:
大花蕙蘭(Hybrid Cymbidium)又名虎頭蘭、西姆比蘭或蟬蘭,屬蘭科 (Orchidaceae)蕙蘭屬(O7 辦ii/i腫),是由美花蘭(C insigne)>HΞΕ^ (C1. Iowianum)等十多種野生原種雜交而來的。大花蕙蘭株型高大優美,花大色豔,具有很高的觀賞價值和經濟開發前景。上世紀90年代開始引入我國,近年來發展迅速,現國內每年栽培上市量50萬盆以上。然而,在我國,大花蕙蘭的消費主要集中在重大節日春節、國慶和元旦等。因此,生產上要確保大花蕙蘭按期上市,需要調控其花期。目前,影響大花蕙蘭花期的因子主要有肥料、基質、溫度、光照和激素等,生產上主要通過控制這些因素來調控大花蕙蘭的花期。迄今為止,還沒有相關的報導用低成本、高環保的物理方法一電磁場來調控大花蕙蘭的花期。現已有報導的有關電磁場應用的專利較多。如中國發明專利ZL01130064.7公布了一種高壓脈衝電場滅菌方法及其裝置;中國發明專利ZL02152160. 3公布了脈衝電場滅菌設備的處理器;中國發明專利ZL200410077405. 1公布了一種預極化脈衝電場滅菌方法及其設備;中國專利ZL200410052115. 1公布了一種電磁場加速白蘭地酒橡木陳釀的方法。 但這些專利技術都未涉及到電磁場調控大花蕙蘭花期的方法,尚未見任何利用電磁場調控大花蕙蘭花期方法的報導,而且應用電磁場調控大花蕙蘭花期與現有技術中應用電磁場滅菌以及加速白蘭地酒橡木陳釀等具有很大的不同。
發明內容
本發明的目的在於利用電磁場調控大花蕙蘭的花期,提供一種調控大花蕙蘭花期的物理方法。電磁場通過作用於植物中的束縛電荷使其產生取向極化,使各種流子產生定向運動形成響應電流,從而使細胞膜電容增加。加入電場後,諧振子每一能級躍遷機率增大,有利於植物對能量的吸收,加快植物中物質的合成與運輸。同時,空間電場變化會引起植物體內離子的重新分布,誘導植物細胞器(如線粒體、核糖體等)結構與功能的變化,也影響植物對肥料離子的吸收和運輸及細胞膜的通透性,從而促進植物生長發育,在同氣候條件下致使開花期提早。本發明可以通過以下技術方案予以實現
一種利用電磁場調控大花蕙蘭花期的方法,包括以下步驟
(1)選用株高為70 100cm、營養生長一致的大花蕙蘭成熟植株;
(2)將選好的大花蕙蘭植株放置在電磁場處理器的處理室中進行電磁場處理,每天的白天連續或者間隔0. 5-1. 3小時電磁場處理3 9小時,連續處理30 90天,實現大花蕙蘭開花期提前;電磁場處理處理時,控制電場電壓為0. 8 110 kV,電磁頻率為3k IOOkHz,波形為連續波或者脈衝波。為進一步實現本發明目的,電磁場處理器包括電磁場調控箱與處理室;電磁場處理器包括電磁場調控箱與處理室;電磁場調控箱由自動報警斷電器、穩壓器、頻率調節器和電壓調節放大器依次連接構成;處理室包括聚四氟乙烯絕緣板和鈦合金電極板,絕緣板位於鈦合金電極板的外側,鈦合金電極板靠地端距地面6 10cm,兩塊鈦合金電極板之間的距離為80 IlOcm ;電壓調節放大器通過導線同時與鈦合金電極板相連接;處理室內還設有溼度傳感器和溫度傳感器,溼度傳感器和溫度傳感器分別與自動報警斷電器連接。花蕙蘭植株縱向成排居中置於兩鈦合金電極板之間;或者多排並列置於兩鈦合金電極板之間,植株縱橫向間距為5 10cm。電磁場處理器還包括鐵絲網,鐵絲網將處理室全部罩住,並通過地線接地。鈦合金電極板以絕緣螺釘固定在聚四氟乙烯絕緣板上。在處理室外可設置有屏蔽外框(如金屬外殼),屏蔽外框將處理室包圍起來,屏蔽外框與地線連接起來起到屏蔽作用,以防止操作時感應高壓電發生意外。本裝置的處理量可根據需要進行靈活調整,當處理量大時,可設計成將整個溫室大棚置於一個大的電場中,對整批次的大花蕙蘭植株進行處理。與現有技術相比,本發明具有以下優點
(1)利用地磁場調控大花蕙蘭的花期,僅需在溫室大棚內添加幾臺電磁場處理裝置,操作簡單,實用性強、易於推廣。(2)電磁場在調控大花蕙蘭花期的過程中,對環境無汙染,而且經濟實惠。(3)通過調節電磁場參數及處理時間,可以調控大花蕙蘭的開花期,實現了花期可控。
圖1為電磁場處理器的結構示意圖。
具體實施例方式下面結合實施例和附圖對本發明作進一步描述,但本發明的實施方式不限於此。如圖1所示,電磁場處理器包括電磁場調控箱1與處理室2。電磁場調控箱1由自動報警斷電器1-1、穩壓器1-2、頻率調節器1-3和電壓調節放大器1-4依次連接構成;所述自動報警斷電器1-1優選為LGR-WSD20b智能報警溫溼度記錄儀(杭州路格科技有限公司生產),穩壓器1-2優選為TND-IKVA型穩壓器(上海穩博電器有限公司生產),頻率調節器1-3 優選為JEK-FCH4型變頻器(北京捷科利達機電技術有限公司生產),電壓調節放大器1-4優選為EE型或EFD型高頻變壓器(東莞市石碣恆通五金電子廠生產))。電磁場調控箱1的工作原理220v/50Hz的交流電經穩壓器1-2調節得到穩定的工作電壓;有了穩壓器1_2提供的工作電壓,頻率調節器1-3就根據所配置的頻率產生相應的頻率(3k 100k Hz);最後電壓調節放大器1-4把頻率調節器1-3產生的信號進行放大產生所需電壓(0. 8 110 kV)。處理室2包括聚四氟乙烯絕緣板2-1和鈦合金電極板2-2,處理室2外周設有鐵絲網2-3,絕緣板2-1位於鈦合金電極板2-2的外側,鈦合金電極板2-2以絕緣螺釘固定在聚四氟乙烯絕緣板2-1上,鈦合金電極板2-2靠地端距地面6 10cm,兩塊鈦合金電極板2_2
4的高度為100 120cm,兩者之間距離為80 1 IOcm,聚四氟乙烯絕緣板高度140cm,鈦合金電極板2-2位於聚四氟乙烯絕緣板中間,聚四氟乙烯絕緣板兩側均比鈦合金電極板寬5cm ; 大花蕙蘭植株2-4縱向成排居中置於兩鈦合金電極板2-2之間;如需同時處理大批大花蕙蘭植株,可多排並列置於兩鈦合金電極板2-2之間,植株縱橫向間距為5 IOcm ;採用鐵絲網2-3將處理室2全部罩住,並通過地線2-5接地,電壓調節放大器1-4通過導線同時與鈦合金電極板2-2相連接。處理室2內還設有溼度傳感器和溫度傳感器,溼度傳感器和溫度傳感器分別與自動報警斷電器1-1連接,當處理室2出現溼度過高或溫度過高等不正常現象時,自動報警斷電器1-1會自動報警並斷電。實 施例1
選用株高為70 80cm、營養生長一致的大花蕙蘭成熟植株(品種為「紅霞」,該品種花枝直立,花色屬於粉紅花系)居中置於兩鈦合金電極板2-2之間橫向並列放置,植株間距為7cm,兩鈦合金電極板之間距離為80cm。溫室內生長環境條件為光照強度500 600 Mmol · πΓ2 · s—1 (光照時間8:00 17:30);溫度26 30°C /19 23°C (晝/夜)。調節電磁場調控箱1,使其產生電壓為0.8kV,頻率為3K Hz的連續正弦波電壓;每天白天每處理間隔半小時處理半小時,處理6次,共計處理3h,連續處理30 day,其開花時間比未經電磁場處理的對照樣,提前8天。
實施例2
選用株高為80 90cm、營養生長一致的大花蕙蘭成熟植株(品種為「碧玉」,該品種花枝下垂,花色為綠色)居中置於兩鈦合金電極板2-2之間橫向並列放置,植株間距為 5cm,兩鈦合金電極板之間距離為100 cm。溫室內生長環境條件為光照強度500 600 Mmol · πΓ2 · s—1 (光照時間8:00 17:30);溫度26 30°C /19 23°C (晝/夜)。調節電磁場調控箱1,使其產生電壓為10kV,頻率為30K Hz的連續正弦波電壓;每天白天聯繫處理 9h,連續處理60天,其開花時間比未經電磁場處理的對照樣,提前21天。實施例3
選用株高為90 100cm、營養生長一致的大花蕙蘭成熟植株(品種為「黃金歲月」,該品種花枝直立,花為黃花紅唇)居中置於兩鈦合金電極板2-2之間橫向並列放置,植株間距為 10cm,兩鈦合金電極板之間距離為110 cm。溫室內生長環境條件為光照強度500 600 Mmol · πΓ2 · s—1 (光照時間8:00 17:30);溫度26 30°C /19 23°C (晝/夜)。調節電磁場調控箱1,使其產生電壓為IlOkV,頻率為100KH的連續正弦波電壓;每天白天處理5h, 連續處理90 day,其開花時間比未經電磁場處理的對照樣,提前15天。
權利要求
1.一種利用電磁場調控大花蕙蘭花期的方法,其特徵在於包括以下步驟(1)選用株高為70 100cm、營養生長一致的大花蕙蘭成熟植株;(2)將選好的大花蕙蘭植株放置在電磁場處理器的處理室中進行電磁場處理,每天的白天連續或者間隔0. 5-1. 3小時電磁場處理3 9小時,連續處理30 90天,實現大花蕙蘭開花期提前;電磁場處理處理時,控制電場電壓為0. 8 110 kV,電磁頻率為3k IOOk Hz,波形為連續波或者脈衝波。
2.根據權利要求1所述所述的利用電磁場調控大花蕙蘭花期的方法,其特徵在於電磁場處理器包括電磁場調控箱與處理室;電磁場處理器包括電磁場調控箱與處理室;電磁場調控箱由自動報警斷電器、穩壓器、頻率調節器和電壓調節放大器依次連接構成;處理室包括聚四氟乙烯絕緣板和鈦合金電極板,絕緣板位於鈦合金電極板的外側,鈦合金電極板靠地端距地面6 10cm,兩塊鈦合金電極板之間的距離為80 IlOcm ;電壓調節放大器通過導線同時與鈦合金電極板相連接;處理室內還設有溼度傳感器和溫度傳感器,溼度傳感器和溫度傳感器分別與自動報警斷電器連接。
3.根據權利要求1所述所述的利用電磁場調控大花蕙蘭花期的方法,其特徵在於花蕙蘭植株縱向成排居中置於兩鈦合金電極板之間;或者多排並列置於兩鈦合金電極板之間,植株縱橫向間距為5 10cm。
4.根據權利要求1所述所述的利用電磁場調控大花蕙蘭花期的方法,其特徵在於電磁場處理器還包括鐵絲網,鐵絲網將處理室全部罩住,並通過地線接地。
5.根據權利要求1所述所述的利用電磁場調控大花蕙蘭花期的方法,其特徵在於鈦合金電極板以絕緣螺釘固定在聚四氟乙烯絕緣板上。
全文摘要
本發明公開了一種利用電磁場調控大花蕙蘭花期的方法,該方法選用株高為70~100cm、營養生長一致的大花蕙蘭成熟植株;將選好的大花蕙蘭植株放置在電磁場處理器的處理室中進行電磁場處理,每天的白天連續或者間隔0.5-1.3小時電磁場處理3~9小時,連續處理30~90天,實現大花蕙蘭開花期提前;電磁場處理處理時,控制電場電壓為0.8~110kV,電磁頻率為3k~100kHz,波形為連續波或者脈衝波。本發明通過物理方法---電磁場,影響大花蕙蘭細胞膜的通透性,加快其新陳代謝和光合作用,進而調控其花期,操作簡單,實用性強、易於推廣。
文檔編號A01G7/04GK102217500SQ20111011666
公開日2011年10月19日 申請日期2011年5月6日 優先權日2011年5月6日
發明者於淑娟, 曾新安, 韓忠 申請人:華南理工大學