單段或多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造的製作方法

2023-10-11 00:45:39

專利名稱：單段或多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種單段或多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，即包含利用多個N阱區或P阱區於P型基材中調整各阱區的放電容量並加以並聯，來改善靜電防護容量及達到動態設計符合不同功率規格的半導體電路構造；而且較公知的單段觸髮式靜電保護半導體構造更優良。
背景技術：
靜電放電防護電路(ESD protection circuits)是集成電路上專門用來做靜電放電防護之用，靜電放電防護元件在靜電放電能量持續增高的情況下，於一次擊穿點之後所面臨的二次擊穿點，會由於其過高的二次擊穿電壓，或者二次擊穿電流，導致元件損壞而破壞靜電放電防護功能。
利用BJT(雙極電晶體-Bipolar junction transistor)中的PN結來作為靜電放電防護的元件，其二次擊穿點(secondary breakdown trigger breakdown)往往由電壓先決(dominate)，意即在一次擊穿點之後，如果靜電放電能量持續增加，則元件的電壓及電流上升往往會先觸發二次擊穿電壓，而導致元件損壞。
因此有必要研發出一種可以延緩靜電放電防護元件到達二次擊穿點的半導體結構，符合實際應用的要求；即為本發明所求；導致發明人經努力研發出本發明來達成上述需求。

發明內容
本發明的主要目的在於提供一種利用多段觸發來延緩靜電放電防護元件到達二次擊穿點的半導體結構。
為了達到上述目的，本發明提供一種利用多個N阱區或P阱區在P型基材中調整各阱區的放電容量並加以並聯，來改善靜電防護容量及達到動態設計符合不同功率規格的半導體元件構造，配合傳統半導體製程及製程難度低的外圍設備，將各製程步驟結合在一起而發展出本發明。
本發明可為多個靜電保護元件的形式，構造主要包含一第二型離子摻雜層，其中形成多個靜電放電保護元件，該靜電元件包含一第一型離子摻雜阱區，形成於該第二型離子摻雜層之中；一第一第一型離子重摻雜區域，形成於該第二型離子摻雜層之中，並與該第一型離子摻雜阱區及其它第二型離子摻雜層內的區域分開；一第二型離子重摻雜區域，形成於該第二型離子摻雜層之中，並與該第一型離子摻雜阱區及其它第二型離子摻雜層內的區域分開；一第一電極，連接該第一第一型離子重摻雜區域及第二型離子重摻雜區域；一第二電極；及多個第二第一型離子重摻雜區域，形成於該第一型離子摻雜阱區之中，其中最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域與該第一型離子摻雜阱區邊界保持一可調整距離；而其它第二第一型離子重摻雜區域則接觸該第二電極而互相連結。
根據本發明的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其中該第一型離子可為N型離子或P型離子，而該第二型離子相對於該第一型離子，可為P型離子或N型離子，意即該第一型離子與該第二型離子互為相反極性。
根據本發明的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其中最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域，位於該第一型離子摻雜阱區之內，此時該最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域的邊界與該第一型離子摻雜阱區的邊界的距離表示為正值；且距離越遠則該靜電放電保護元件的觸發電壓越高。
根據本發明的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其中最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域部分位於該第一型離子摻雜阱區之中，而且跨越該第一型離子摻雜阱區的邊界，此時該最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域的邊界與該第一型離子摻雜阱區的邊界的距離表示為負值；且距離越遠則該靜電放電保護元件的觸發電壓越低。
根據本發明的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其中通過調整該最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域的邊界，與該第一型離子摻雜阱區邊界的距離，以達到具有多段觸發電壓的半導體結構。
根據本發明的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其中進一步包含一焊墊，其形成於該半導體構造上方，並通過一導體與該第一電極或者第二電極連結；此時未連結該焊墊的第一電極或第二電極可連結至一電壓或者接地。
根據本發明的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其中濃度數據包含第一型離子摻雜阱區(N阱或P阱)為1E12-3E13離子/cm2；第一型離子重摻雜擴散區及第二型離子重摻雜擴散區(P+擴散區或N+擴散區)為1E15-2E16離子/cm2。
本發明亦可為單一靜電保護元件的形式，構造主要包含一第二型離子摻雜層；一第一型離子摻雜阱區，形成於該第二型離子摻雜層之中；一第一第一型離子重摻雜區域，形成於該第二型離子摻雜層之中，並與該第一型離子摻雜阱區及其它第二型離子摻雜層內的區域分開；一第二型離子重摻雜區域，形成於該第二型離子摻雜層之中，並與該第一型離子摻雜阱區及其它第二型離子摻雜層內的區域分開；一第一電極，連接該第一第一型離子重摻雜區域及第二型離子重摻雜區域；一第二電極；及至少一個第二第一型離子重摻雜區域，形成於該第一型離子摻雜阱區之中，其中最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域與該第一型離子摻雜阱區邊界保持一可調整距離；而其它第二第一型離子重摻雜區域則接觸該第二電極而互相連結。
根據本發明的單段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其中該第一型離子可為N型離子或P型離子，而該第二型離子相對於該第一型離子，可為P型離子或N型離子，意即該第一型離子與該第二型離子互為相反極性。
根據本發明的單段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其中該第二第一型離子重摻雜區域可位於該第一型離子摻雜阱區之內，此時該最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域的邊界與該第一型離子摻雜阱區的邊界的距離表示為正值，且距離越遠則該靜電放電保護元件的觸發電壓越高；該第二第一型離子重摻雜區域亦可跨越該第一型離子摻雜阱區的邊界，此時該第二第一型離子重摻雜區域的邊界與該第一型離子摻雜阱區的邊界的距離表示為負值，且距離越遠則該靜電放電保護元件的觸發電壓越低。
根據本發明的單段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其中該第二第一型離子重摻雜區域的數目可為多個，其中最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域與該第一型離子摻雜阱區邊界保持一距離；而其它第二第一型離子重摻雜區域則通過該第二電極而互相連結。
根據本發明的單段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其中濃度數據包含第一型離子摻雜阱區(N阱或P阱)為1E12-3E13離子/cm2；第一型離子重摻雜擴散區及第二型離子重摻雜擴散區(P+擴散區或N+擴散區)為1E15-2E16離子/cm2。
本發明的特徵與方便之處在於，將傳統的單段觸髮式靜電保護半導體構造改為多段觸髮式靜電保護半導體構造或是可調整的單段式，其中主要利用多個N阱區或P阱區在P型基材中形成特定阻抗對某一特定的電壓形成擊穿排放電流能量，並且使得各阱區的放電容量為可調整並加以並聯，以形成多段觸髮式靜電保護半導體構造。可設置外接電路界面接點如焊接墊於一小型電子元件或是設置於大型晶片的一特定區域，使得本發明構造得以改善安裝方便性及加強保護能力，並且設置成本低及對傳統晶片生產線影響不大。
為了更進一步了解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。


圖1為本發明多段觸髮式靜電保護半導體構造的特性圖；圖2為本發明一實施例多段觸髮式靜電保護半導體構造的示意圖；及圖3為本發明再一實施例多段觸髮式靜電保護半導體構造的示意圖。
其中，附圖標記說明如下10 第一電極 12 第一N+擴散區121或122 第二N+擴散區 14 第一P+擴散區141或142 第二P+擴散區 20 第二電極30 第一N阱區 40 第二N阱區42 第一P阱區 50 P型基材
52 N型埋入層具體實施方式
請參考圖1到圖3為本發明的實施例及特性圖，其中主要利用多個N阱區或P阱區在P型基材中形成特定阻抗對某一特定的電壓形成擊穿排放電流能量，並且使得各阱區的放電容量為可調整並加以並聯，以形成多段觸髮式靜電保護半導體構造。(基材為較大區域材料，阱區為次大區域材料，擴散區為小區域材料的型態)請參考圖2及圖3為本發明的實施例，其中圖2主要包含P型基材50，其上形成多個靜電保護元件，其包含(一般為基材往上堆積之面)(半導體的應用例，可為用來保護功率電晶體或是MOS及CMOS之類的邏輯元件或是光電元件)第一N阱區30(可為多個，即為第二N阱區40但是電阻抗量不同)，形成於該P型基材50的一側；第一N+擴散區12，形成於該P型基材50的一側，距離該第一N阱區30一段預定橫向N+隔離距離，該預定橫向N+隔離距離至少分布一氧化物區段(氧化物區段可為多個，即為圖中斜線方塊部分)；第一P+擴散區14，形成於該P型基材50的一側，距離該第一N阱區30一段預定橫向P+隔離距離，該預定橫向P+隔離距離至少分布一氧化物區段，並對該N+擴散區12以至少一氧化物區段隔離；第一電極10(可為Vss接地端)，連接該第一N+擴散區12及第一P+擴散區14，並且以導電材料形成該第一電極10；第二電極20(可為Vdd電壓端)，並對該第一電極10以至少一氧化物區段隔離；及多個第二N+擴散區121或122，形成於該第一N阱區30之中或部分跨越第一N阱區30的邊界，每一第二N+擴散區121或122橫向隔離至少一氧化物區段，並且至少一個N+擴散區121或122與該第二電極20相連接；其中至少一第二N+擴散區121或122(可為多個)位於該第一N阱區30之中的邊緣區域而距離該第一N阱區30的邊界一段可調整橫向距離(可為d1或d2)以調整放電容量；其中該第一N阱區30為多個(可為多個，即為第二N阱區40但是電阻抗量不同)電性並連(可為三段到五段或更多個形成為多個擊穿電壓)且通過該第二N+擴散區121或122連接該第二電極20產生電性並連，而且該多個第一N阱區30位於一半導體靜電保護電路設置區域中(可為與其它半導體元件形成一般晶片)或是靜電保護元件中。
其中圖2主要包含以下變化其中該第二N+擴散區121或122(可為多個)可全部位於該第一N阱區30之中而且形成一高壓觸髮式矽控整流器的構造；其中該第二N+擴散區121或122部分位於該第一N阱區30之中而且跨越該第一N阱區30與P型基材50的邊界而且形成一低壓觸髮式矽控整流器的構造；其中該可調整橫向距離為調整第一N阱區30的邊界對於接近該邊界的第二N+擴散區121或122邊界的距離以形成對於多段電壓觸發的靜電保護構造；進一步包括一導電連接墊設置於該多段觸髮式靜電保護半導體構造的設置區域邊界；其中該導電連接墊連接該第一電極10或第二電極20以形成電壓施加端或接地端。
請參考圖3為本發明另一實施例，其中主要包含P型基材50；N型埋入層52(主要為形成N型阻抗)，設於該P型基材50中距離底部一段預定埋入距離(一般為基材往上形成一固定的基礎距離)；其上形成多個靜電保護元件其包含第一N阱區30，形成於該N型埋入層52的上側；第一P阱區42，形成於該N型埋入層52的上側，相鄰於該第一N阱區30；第一N+擴散區12，形成於該第一N阱區30的一側，距離該第一P阱區42一段預定橫向N+隔離距離，該預定橫向N+隔離距離至少分布一氧化物區段(氧化物區段可為多個，即為圖中斜線方塊部分)；第一P+擴散區14，形成於該第一N阱區30的一側，距離該第一P阱區42一段預定橫向P+隔離距離，該預定橫向P+隔離距離至少分布一氧化物區段，並對該N+擴散區12以至少一氧化物區段隔離；第一電極10，連接該第一N+擴散區12及第一P+擴散區14，並且以導電材料形成該第一電極10；第二電極20，並對該第一電極10以至少一氧化物區段隔離；及多個第二P+擴散區域141或142(可為多個)，形成於該第一P阱區42之中或部分跨越第一P阱區42的邊界，每一第二P+擴散區141或142橫向隔離至少一氧化物區段，並且至少一個第二P+擴散區141或142與該第二電極20相連接；其中至少一第二P+擴散區141或142位於該第一P阱區42之中的邊緣區域而距離該第一P阱區42的邊界一段可調整橫向距離(可為d1或d2)以調整放電容量；其中該第一P阱區42為多個電性並連且通過該第二P+擴散區141或142連接該第二電極20產生電性並連，而且該多個第一P阱區42位於一半導體靜電保護電路設置區域中或是靜電保護元件中。
其中圖3主要包含以下變化其中該第二P+擴散區141或142全部位於該第一P阱區42之中而且形成一高壓觸髮式矽控整流器的構造；其中該第二P+擴散區141或142部分位於該第一P阱區42之中而且跨越該第一P阱區42與第一N阱區30的邊界而且形成一低壓觸髮式矽控整流器的構造；其中該可調整橫向距離為調整第一P阱區42的邊界對於接近該邊界的第二P+擴散區141或142邊界的距離以形成對於多段電壓觸發的靜電保護構造；進一步包括一導電連接墊設置於該多段觸髮式靜電保護半導體構造的設置區域邊界；其中該導電連接墊連接該第一電極10或第二電極20以形成電壓施加端或接地端。
本發明可為多個靜電保護元件的形式，亦可為單一靜電保護元件的形式，構造主要包含(下述為綜合上述圖2及圖3的通式)一第二型離子摻雜層(即可為P型基材50元件的形式或為N型埋入層52元件的形式)，其中形成多個靜電放電保護元件(亦可為單一靜電保護元件的形式)，該靜電元件包含一第一型離子摻雜阱區(即可為第一N阱區30元件的形式或可為第一P阱區42元件的形式，亦即為與基材或埋入層相反極性的阱區形成阻抗)，形成於該第二型離子摻雜層之中(即為基材或埋入層之上)；一第一第一型離子重摻雜區域(即為第一N+擴散區12或第一P+擴散區14之意)，形成於該第二型離子摻雜層之中(即為基材或埋入層之上)，並與該第一型離子摻雜阱區(即為該基材或埋入層之上的相反極性的阱區)及其它第二型離子摻雜層(即為該基材或埋入層的底部區域)內的區域分開；一第二型離子重摻雜區域(即為第一P+擴散區14或第一N+擴散區12之意)，形成於該第二型離子摻雜層之中(即為基材或埋入層之上)，並與該第一型離子摻雜阱區(即為該基材或埋入層之上的相反極性的阱區)及其它第二型離子摻雜層內的區域(即為該基材或埋入層的底部區域)分開；一第一電極10(可為Vss接地端)，連接該第一第一型離子重摻雜區域(即為第一N+擴散區12或第一P+擴散區14之意)及第二型離子重摻雜區域(即為第一P+擴散區14或第一N+擴散區12之意)；一第二電極20(可為Vdd電壓端)；及多個(亦可為至少一個)第二第一型離子重摻雜區域(即為第二N+擴散區121或122或第二P+擴散區141或142之意)，形成於該第一型離子摻雜阱區(即為該基材或埋入層之上的相反極性的阱區)之中，其中最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域與該第一型離子摻雜阱區邊界保持一可調整距離(可為d1或d2)；而其它第二第一型離子重摻雜區域則接觸該第二電極而互相連結。
請參考圖2及圖3為本發明的實施例綜合通式，主要包含以下變化其中該第一型離子可為N型離子或P型離子，而該第二型離子相對於該第一型離子，可為P型離子或N型離子，意即該第一型離子與該第二型離子互為相反極性；其中最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域，位於該第一型離子摻雜阱區之內，此時該最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域的邊界與該第一型離子摻雜阱區的邊界的距離表示為正值；且距離越遠則該靜電放電保護元件的觸發電壓越高；其中最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域部分位於該第一型離子摻雜阱區之中，而且跨越該第一型離子摻雜阱區的邊界，此時該最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域的邊界與該第一型離子摻雜阱區的邊界的距離表示為負值；且距離越遠則該靜電放電保護元件的觸發電壓越低；其通過調整該最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域的邊界，與該第一型離子摻雜阱區邊界的距離，以達成具有多段觸發電壓的半導體結構；進一步可包含一焊墊(PAD)，其形成於該半導體構造上方，並通過一導體與該第一電極或者第二電極連結；此時未連結該焊墊的第一電極或第二電極可連結至一電壓或者接地。
參考本發明的各區域的濃度範圍第一型離子摻雜阱區(N阱或P阱)為1E12-3E13(離子(ions)/cm2)，第一型離子重摻雜擴散區及第二型離子重摻雜擴散區(P+擴散區或N+擴散區)為1E15-2E16(離子/cm2)，另外氧化物區段厚度2000-10000埃(1000埃等於0.1μm)。
本發明的特徵與方便之處在於，將傳統的單段觸髮式靜電保護半導體構造改為多段觸髮式靜電保護半導體構造或是可調整的單段式，其中主要利用多個N阱區或P阱區在P型基材中形成特定阻抗對某一特定的電壓形成擊穿排放電流能量，並且使得各阱區的放電容量為可調整並加以並聯，以形成多段觸髮式靜電保護半導體構造。可設置外接電路界面接點如焊接墊於一小型電子元件或是設置於大型晶片的一特定區域，使得本發明構造得以改善安裝方便性及加強保護能力，並且設置成本低及對傳統晶片生產線影響不大。
權利要求
1.一種多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其包含一第二型離子摻雜層，其中形成多個靜電放電保護元件，該靜電放電保護元件包含一第一型離子摻雜阱區，形成於該第二型離子摻雜層之中；一第一第一型離子重摻雜區域，形成於該第二型離子摻雜層之中，並與該第一型離子摻雜阱區及其它第二型離子摻雜層內的區域分開；一第二型離子重摻雜區域，形成於該第二型離子摻雜層之中，並與該第一型離子摻雜阱區及其它第二型離子摻雜層內的區域分開；一第一電極，連接該第一第一型離子重摻雜區域及第二型離子重摻雜區域；一第二電極；及多個第二第一型離子重摻雜區域，形成於該第一型離子摻雜阱區之中，其中最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域與該第一型離子摻雜阱區邊界保持一可調整距離；而其它第二第一型離子重摻雜區域則接觸該第二電極而互相連結。
2.如權利要求1所述的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其特徵在於該第一型離子可為N型離子或P型離子，而該第二型離子相對於該第一型離子，可為P型離子或N型離子，意即該第一型離子與該第二型離子互為相反極性。
3.如權利要求1所述的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其特徵在於最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域，位於該第一型離子摻雜阱區之內，此時該最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域的邊界與該第一型離子摻雜阱區的邊界的距離表示為正值；且距離越遠則該靜電放電保護元件的觸發電壓越高。
4.如權利要求1所述的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其特徵在於最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域部分位於該第一型離子摻雜阱區之中，而且跨越該第一型離子摻雜阱區的邊界，此時該最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域的邊界與該第一型離子摻雜阱區的邊界的距離表示為負值；且距離越遠則該靜電放電保護元件的觸發電壓越低。
5.如權利要求1所述的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其特徵在於通過調整該最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域的邊界，與該第一型離子摻雜阱區邊界的距離，以達到具有多段觸發電壓的半導體結構。
6.如權利要求1所述的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其特徵在於進一步包含一焊墊，其形成於該半導體構造上方，並通過一導體與該第一電極或者第二電極連結；此時未連結該焊墊的第一電極或第二電極可連結至一電壓或者接地。
7.如權利要求1所述的多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其特徵在於濃度數據包含第一型離子摻雜阱區即N阱或P阱為1E12-3E13離子/cm2；第一型離子重摻雜擴散區及第二型離子重摻雜擴散區即P+擴散區或N+擴散區為1E15-2E16離子/cm2。
8.一種單段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其包含一第二型離子摻雜層；一第一型離子摻雜阱區，形成於該第二型離子摻雜層之中；一第一第一型離子重摻雜區域，形成於該第二型離子摻雜層之中，並與該第一型離子摻雜阱區及其它第二型離子摻雜層內的區域分開；一第二型離子重摻雜區域，形成於該第二型離子摻雜層之中，並與該第一型離子摻雜阱區及其它第二型離子摻雜層內的區域分開；一第一電極，連接該第一第一型離子重摻雜區域及第二型離子重摻雜區域；一第二電極；及至少一個第二第一型離子重摻雜區域，形成於該第一型離子摻雜阱區之中，其中最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域與該第一型離子摻雜阱區邊界保持一可調整距離；而其它第二第一型離子重摻雜區域則接觸該第二電極而互相連結。
9.如權利要求8所述的單段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其特徵在於該第一型離子可為N型離子或P型離子，而該第二型離子相對於該第一型離子，可為P型離子或N型離子，意即該第一型離子與該第二型離子互為相反極性。
10.如權利要求8所述的單段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其特徵在於該第二第一型離子重摻雜區域可位於該第一型離子摻雜阱區之內，此時該最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域的邊界與該第一型離子摻雜阱區的邊界的距離表示為正值，且距離越遠則該靜電放電保護元件的觸發電壓越高；該第二第一型離子重摻雜區域亦可跨越該第一型離子摻雜阱區的邊界，此時該第二第一型離子重摻雜區域的邊界與該第一型離子摻雜阱區的邊界的距離表示為負值，且距離越遠則該靜電放電保護元件的觸發電壓越低。
11.如權利要求8所述的單段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其特徵在於該第二第一型離子重摻雜區域的數目可為多個，其中最靠近該第一型離子摻雜阱區邊界的第二第一型離子重摻雜區域與該第一型離子摻雜阱區邊界保持一距離；而其它第二第一型離子重摻雜區域則通過該第二電極而互相連結。
12.如權利要求8所述的單段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，其特徵在於濃度數據包含第一型離子摻雜阱區即N阱或P阱為1E12-3E13離子/cm2；第一型離子重摻雜擴散區及第二型離子重摻雜擴散區即P+擴散區或N+擴散區為1E15-2E16離子/cm2。
全文摘要
本發明涉及一種單段或多段觸髮式電壓可調整的靜電放電保護半導體構造，具有多段式保護半導體電路功能及可調整放電容量，不僅可以輕易符合半導體現有製程的優點，還可以用於集成電路半導體設計及製造領域，且改善重要半導體元件的保護功能及使得半導體元件不易損壞，尤其能夠達到高功率半導體元件的多重保護需求，而且較公知的靜電保護電路能夠有更強的保護功能，主要利用多個N阱區或P阱區於P型基材中調整各阱區的放電容量並加以並聯，以改善靜電防護容量及達到動態設計符合不同功率規格的半導體電路。
文檔編號H01L27/04GK1893060SQ200510082018
公開日2007年1月10日 申請日期2005年7月4日 優先權日2005年7月4日
發明者黃志豐, 簡鐸欣, 林振宇, 楊大勇 申請人:崇貿科技股份有限公司