OLED顯示面板、顯示裝置、陣列基板及其製作方法與流程

2023-10-26 14:29:37 3

本申請涉及顯示技術領域，更具體地說，涉及一種OLED顯示面板、顯示裝置、陣列基板及其製作方法。

背景技術：

隨著顯示技術的不斷發展，顯示面板的應用越來越廣泛，有機電致發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示面板以其響應速度快、色彩絢麗、輕薄方便等優點成為顯示面板行業的後起之秀。為了提高OLED顯示面板的出光效率，通常需要在陣列基板上設置一層反射金屬層，使OLED顯示面板的顯示子像素髮出的光朝一面發出。但是所述反射金屬層同時也會反射環境光，導致出現眩光的問題，影響OLED顯示面板的顯示效果。

現有技術中解決OLED顯示面板出現眩光問題的方案通常是在OLED顯示面板的蓋板表面依次設置一層1/4λ波片和一層線性偏振片，以使環境光經過所述線性偏振片和1/4λ波片後成為線偏振光，成為線偏振光的環境光在經過所述反射金屬層反射以及1/4λ波片後，成為偏振角度與所述線性偏振片垂直的線偏振光，與所述線性偏振片垂直的線偏振光在經過所述線性偏振片時被吸收，從而有效地減少了所述反射金屬層反射的環境光的出射量，繼而解決了所述OLED顯示面板出現眩光的問題。

但是所述線性偏振片還會吸收所述OLED顯示面板中顯示子像素50％的出射光，降低了所述OLED顯示面板的出光效率，並且所述線性偏振片是多層膜結構，其抗撓曲性很差，很難應用在柔性顯示裝置中。

技術實現要素：

為解決上述技術問題，本發明提供了一種OLED顯示面板、顯示裝置、陣列基板及其製作方法，以實現不需要設置線性偏振片即可解決OLED顯示面板的眩光問題，從而提高所述OLED顯示面板的出光效率，並提高應用所述陣列基板的OLED顯示面板的抗撓曲性的目的。

為實現上述技術目的，本發明實施例提供了如下技術方案：

一種陣列基板，應用於有機電致發光二極體OLED顯示面板，所述陣列基板包括：

第一基板；

像素驅動膜層，位於所述第一基板表面；

平坦層，位於所述像素驅動膜層背離所述第一基板一側；

第一像素定義層，位於所述平坦層背離所述第一基板一側，所述第一像素定義層具有多個像素凹槽；

反射層，位於所述第一像素定義層背離所述第一基板一側，所述反射層背離所述第一基板一側具有粗糙表面；

陽極層，位於所述反射層背離所述第一基板一側，所述反射層及所述陽極層完全覆蓋所述像素凹槽；

第二像素定義層，位於所述陽極層背離所述第一基板一側，且所述第二像素定義層至少覆蓋所述陽極層在所述像素凹槽側壁部分的表面。

可選的，所述反射層的粗糙表面的粗糙度Rz大於或等於1nm。

可選的，所述第一像素定義層與所述平坦層的材質相同。

可選的，所述反射層為具有粗糙表面的金屬層。

可選的，所述像素凹槽背離所述第一基板一側表面具有粗糙表面。

可選的，所述像素驅動膜層包括：位於所述第一基板表面沿第一方向排列的多條柵極線、沿第二方向排列的多條數據線以及位於所述柵極線與所述數據線限定區域中的薄膜電晶體，所述第一方向與所述第二方向交叉，其中，每個所述薄膜電晶體的漏極與其對應的顯示子像素的陽極電連接。

可選的，還包括：

發光材料層，位於所述陽極層背離所述第一基板一側表面；

陰極層，位於所述發光材料層背離所述第一基板一側；

所述陽極層包括多個陣列排布的陽極，所述發光材料層包括與所述多個陽極一一對應的多個發光結構，所述陰極層、所述多個陽極和所述多個發光結構構成多個顯示子像素。

一種陣列基板的製備方法，包括：

提供第一基板；

在所述第一基板表面依次形成像素驅動膜層和平坦層；

在所述平坦層背離所述第一基板一側表面形成具有多個像素凹槽的第一像素定義層；

在所述第一像素定義層背離所述第一基板一側表面形成具有粗糙表面的反射層；

在所述反射層背離所述第一基板一側形成陽極層，並對所述反射層和陽極層進行刻蝕，刻蝕後的所述反射層和所述陽極層完全覆蓋所述像素凹槽；

在所述陽極層背離所述第一基板一側表面形成第二像素定義層，所述第二像素定義層至少覆蓋所述陽極層在所述像素凹槽側壁部分的表面。

可選的，所述在所述平坦層背離所述第一基板一側表面形成具有多個像素凹槽的第一像素定義層包括：

在所述平坦層背離所述第一基板一側表面形成光敏材料層；

利用掩膜板對所述光敏材料層進行曝光，並對曝光後的光敏材料層進行顯影，形成具有多個像素凹槽的第一像素定義層。

可選的，所述在所述平坦層背離所述第一基板一側表面形成光敏材料層包括：

在所述平坦層背離所述第一基板一側表面形成與所述平坦層材質相同的光敏材料層。

可選的，所述在所述平坦層背離所述第一基板一側表面形成具有多個像素凹槽的第一像素定義層包括：

在所述平坦層背離所述第一基板一側表面設置半色調掩膜板；

利用所述半色調掩膜板對所述平坦層進行曝光，並對曝光後的平坦層進行顯影，形成具有多個像素凹槽的第一像素定義層。

可選的，所述在所述第一像素定義層背離所述第一基板一側表面形成具有粗糙表面的反射層包括：

對所述多個第一像素定義層背離所述第一基板一側表面進行粗糙化處理；

在經過粗糙化處理的第一像素定義層背離所述第一基板一側表面形成反射層。

可選的，所述在所述第一像素定義層背離所述第一基板一側表面形成具有粗糙表面的反射層包括：

在所述第一像素定義層背離所述第一基板一側表面形成反射層；

對所述反射層背離所述第一基板一側表面進行粗糙化處理。

可選的，所述陽極層包括多個陣列排布的陽極；

所述在所述陽極層背離所述第一基板一側表面形成第二像素定義層之後還包括：

在所述陽極層背離所述第一基板一側表面形成發光材料層，所述發光材料層包括與所述多個陽極一一對應的多個發光結構；

在所述發光材料層背離所述第一基板一側表面形成陰極層，所述陰極層、所述多個陽極和所述多個發光結構構成多個顯示子像素。

一種OLED顯示面板，包括：相對設置的對置基板和陣列基板，其中，所述陣列基板為上述任一項所述的陣列基板。

一種顯示裝置，包括至少一個如上述一項所述的OLED顯示面板。

從上述技術方案可以看出，本發明實施例提供了一種OLED顯示面板、顯示裝置、陣列基板及其製作方法，其中，所述陣列基板的第一像素定義層具有多個像素凹槽，所述反射層位於所述第一像素定義層背離所述第一基板一側且完全覆蓋所述像素凹槽，這樣所述OLED顯示面板的顯示子像素的發射光會在所述像素凹槽底面和側壁的反射層表面進行多次反射，直至從所述像素凹槽中出射，而不會被所述第一像素定義層吸收，從而提升了所述顯示子像素的出射光的利用效率；另外，所述反射層背離所述第一基板一側具有粗糙表面，入射的環境光不會經過所述反射層形成鏡面反射，從而不會出現眩光問題，避免了採用線性偏振片來解決眩光問題而出現的線性偏振片吸收所述OLED顯示面板的顯示子像素出射光的問題，提升了應用所述陣列基板的OLED顯示面板的顯示子像素的出光效率，並且提升了所述OLED顯示面板的抗撓曲性，進而使其可以應用於柔性顯示裝置中。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請的一個實施例提供的一種陣列基板的截面結構示意圖；

圖2為本申請的一個實施例提供的一種平坦層、第一像素定義層、第二像素定義層、反射層及陽極層的截面結構示意圖；

圖3為本申請的一個實施例提供的一種像素驅動膜層的俯視結構示意圖；

圖4為本申請的一個實施例提供的一種薄膜電晶體的結構示意圖；

圖5為本申請的另一個實施例提供的一種平坦層、第一像素定義層、第二像素定義層、反射層及陽極層的截面結構示意圖；

圖6為本申請的一個實施例提供的一種陣列基板的製備方法的流程示意圖；

圖7為本申請的另一個實施例提供的一種陣列基板的製備方法的流程示意圖；

圖8為本申請的又一個實施例提供的一種陣列基板的製備方法的流程示意圖；

圖9為本申請的再一個實施例提供的一種陣列基板的製備方法的流程示意圖；

圖10為本申請的一個優選實施例提供的一種陣列基板的製備方法的流程示意圖；

圖11為本申請的另一個優選實施例提供的一種陣列基板的製備方法的流程示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。

本申請實施例提供了一種陣列基板，應用於有機電致發光二極體OLED顯示面板，如圖1和圖2所示，圖1為陣列基板的截面結構示意圖，圖2為平坦層30、第一像素定義層40、陽極層、反射層和第二像素定義層50的截面結構示意圖，陣列基板包括：

第一基板10；

像素驅動膜層20，位於第一基板10表面；

平坦層30，位於像素驅動膜層20背離第一基板10一側；

第一像素定義層40，位於平坦層30背離第一基板10一側，第一像素定義層40具有多個像素凹槽；

反射層，位於第一像素定義層40背離第一基板10一側，反射層背離第一基板10一側具有粗糙表面70；

陽極層，位於反射層背離第一基板10一側，反射層及陽極層完全覆蓋像素凹槽；

第二像素定義層50，位於陽極層背離第一基板10一側，且第二像素定義層50至少覆蓋陽極層在像素凹槽側壁部分的表面。

需要說明的是，在實際的製作過程中，陽極層和反射層通過一次刻蝕工藝形成，因此陽極層和反射層的形狀完全一致，在附圖2中，以標號60表示陽極層和反射層。

本發明的一個具體實施例提供了一種像素驅動膜層20的具體構成如圖3所示，圖3為像素驅動膜層20的結構示意圖，該像素驅動膜層20包括：

位於第一基板10表面沿第一方向排列的多條柵極線22、沿第二方向排列的多條數據線21，以及位於柵極線22與數據線21限定區域中的顯示子像素23(Thin Film Transistor，TFT)，第一方向與第二方向交叉，其中，薄膜電晶體的柵極G與柵極線22連接，源極S與數據線21連接，每個薄膜電晶體的漏極D與其對應的顯示子像素23的陽極電連接；在顯示過程中，薄膜電晶體在柵極線22的控制下，將數據線21輸入的數據顯示信號提供給與薄膜電晶體對應的顯示子像素23。

在本實施例中，像素定義層的多個像素凹槽用於設置OLED顯示面板的顯示子像素23，薄膜電晶體的漏極D通過像素凹槽及像素電極與顯示子像素23的陽極實現電連接。

需要說明的是，薄膜電晶體可以是頂柵型薄膜電晶體，也可以是底柵型薄膜電晶體，本發明對此並不做限定，具體視實際情況而定。其中，頂柵和底柵是指薄膜電晶體的柵極G相對於有源層(或稱為溝道區)的位置而定的，即：相對第一基板10，當柵極G靠近第一基板10，有源層遠離第一基板10時，薄膜電晶體為底柵性薄膜電晶體，當柵極G遠離第一基板10，有源層靠近第一基板10時，薄膜電晶體為頂柵型薄膜電晶體。

下面將以底柵型薄膜電晶體為例對薄膜電晶體的結構進行說明，參考圖4，圖4為本發明的一個實施例提供的一種底柵型薄膜電晶體的結構示意圖；在圖4中，有源層CR位於薄膜電晶體的柵極G遠離第一基板10一側，且位於薄膜電晶體的源極S和漏極D之間，有源層CR的製作材料為半導體材料，半導體材料為非晶矽、低溫多晶矽、金屬氧化物或低溫多晶氧化物；有源層CR與柵極G之間設置有柵絕緣層GI，且有源層CR設置於柵極G的正上方，即有源層CR在第一基板10上的投影覆蓋柵極G在第一基板10上的投影，其中，柵絕緣層GI可以為氮化矽層或氧化矽層，薄膜電晶體的柵極G與第一基板10之間具有緩衝層BF。

此外，圖3中示出的陣列基板還包括數據驅動電路24和柵極驅動電路25。數據驅動電路24與數據線21連接，數據驅動電路24用於在顯示階段通過數據線21向顯示像素23輸入數據顯示信號，以控制顯示面板進行顯示；柵極驅動電路25與柵極線22相連，用於在顯示階段通過柵極線22向薄膜電晶體提供掃描信號，以控制薄膜電晶體的開啟或關閉。

在上述實施例的基礎上，在本申請的一個實施例中，反射層的粗糙表面70的粗糙度Rz大於或等於1nm。

需要說明的是，本實施例對反射層的粗糙表面70的粗糙度進行了限定，一般情況下，當反射層的粗糙表面70的粗糙度Rz在1nm以上時，反射層就不會對環境光進行鏡面反射，從而避免出現眩光的現象。本申請實施例以粗糙度Rz對反射層的粗糙表面70進行了定量說明，還可以轉換為粗糙度Ra或粗糙度Ry對反射層的粗糙表面70的粗糙度進行限定。在本申請的一個實施例中，反射層的粗糙表面70的粗糙度Rz為5nm，在本申請的另一個實施例中，反射層的粗糙表面70的粗糙度Rz為10nm。本申請對反射層的粗糙表面70的粗糙度的具體取值並不做限定，具體視實際情況而定。

在本實施例中，當反射層的粗糙表面70的粗糙度Rz大於或等於1nm時就只會對環境光形成漫反射，而不會形成鏡面反射，從而避免了應用該陣列基板的OLED顯示面板的眩光問題的出現。

在上述實施例的基礎上，在本申請的另一個實施例中，第一像素定義層40與平坦層30的材質相同。

需要說明的是，採用與平坦層30相同的材質製備第一像素定義層40可以避免其他種類的光敏材料對平坦層30可能造成的影響，另外，當第一像素定義層40與平坦層30採用相同的材質製備時，第一像素定義層40和平坦層30可以同時製備，然後利用半色調掩膜板進行曝光顯影即可形成第一像素定義層40。但在本申請的其他實施例中，第一像素定義層40還可以採用其他種類的光敏材料製備，本申請對第一像素定義層40具體採用的材質種類並不做限定，具體視實際情況而定。

在上述實施例的基礎上，在本申請的又一個實施例中，反射層為具有粗糙表面的金屬層。

需要說明的是，在本實施例中，反射層通過在第一像素定義層40表面先形成一層金屬層，然後對金屬層進行粗糙化處理，形成反射層的粗糙表面70。但是在本申請的另一個實施例中，如圖5所示，圖5為平坦層30、第一像素定義層40、第二像素定義層50、反射層及陽極層的截面結構示意圖，在本實施例中，像素凹槽背離第一基板10一側表面具有粗糙表面41，這樣直接在像素凹槽表面形成一層金屬層之後，金屬層即可具有粗糙表面70。這是因為形成的金屬層一般較薄，通常在170nm左右，這樣覆蓋具有粗糙表面41的像素凹槽的金屬層就會直接呈現出粗糙表面70。本申請對反射層的粗糙表面70的具體形成方式並不做限定，具體視實際情況而定。

還需要說明的是，像素凹槽的粗糙表面41的粗糙度取值大於或等於反射層的粗糙表面70的粗糙度取值即可；但優選的，像素凹槽的粗糙表面41的粗糙度取值大於反射層的粗糙表面70的粗糙度取值，以確保直接製備在像素凹槽表面的反射層直接呈現的粗糙表面70具有足夠的粗糙度，從而避免反射層對光線產生鏡面反射，進而避免應用該陣列基板的OLED顯示面板的眩光問題的出現。

在上述實施例的基礎上，在本申請的一個具體實施例中，陣列基板還包括：

發光材料層，位於陽極層背離第一基板10一側表面；

陰極層，位於發光材料層背離第一基板10一側；

陽極層包括多個陣列排布的陽極，發光材料層包括與多個陽極一一對應的多個發光結構，陰極層、多個陽極和多個發光結構構成多個顯示子像素23。

需要說明的是，多個顯示子像素23包括多個第一子像素、多個第二子像素和多個第三子像素，其中，第一子像素、第二子像素和第三子像素可以分別對應於紅色發光子像素、綠色發光子像素和藍色發光子像素中的一種，其具體的對應關係在此不做限定。多個顯示子像素23構成多個顯示像素，其中，每個顯示像素都包括一個第一子像素、一個第二子像素和一個第三子像素。

還需要說明的是，覆蓋陽極層在像素凹槽側壁部分表面的第二像素定義層50用於防止出現顯示子像素23各層與反射層或陽極層電連接，從而短路的情況出現。

相應的，本申請實施例還提供了一種陣列基板的製備方法，如圖6所示，圖6為陣列基板製備方法的流程示意圖，包括以下步驟：

提供第一基板10。

在第一基板10表面依次形成像素驅動膜層20和平坦層30。

在平坦層30背離第一基板10一側表面形成具有多個像素凹槽的第一像素定義層40。

在第一像素定義層40背離第一基板10一側表面形成具有粗糙表面70的反射層。

在反射層背離第一基板10一側形成陽極層，並對反射層和陽極層進行刻蝕，刻蝕後的反射層和陽極層完全覆蓋像素凹槽。

在陽極層背離第一基板10一側表面形成第二像素定義層50，第二像素定義層50至少覆蓋陽極層在像素凹槽側壁部分的表面。

需要說明的是，第一基板10可以為柔性塑料基板、玻璃基板或石英基板，本發明對第一基板10的具體種類並不做限定，具體視實際情況而定。

參考圖3，圖3為像素驅動膜層20的結構示意圖，該像素驅動膜層20包括：

位於第一基板1010表面沿第一方向排列的多條柵極線22、沿第二方向排列的多條數據線21，以及位於柵極線22與數據線21限定區域中的顯示子像素23(Thin Film Transistor，TFT)，第一方向與第二方向交叉，其中，薄膜電晶體的柵極G與柵極線22連接，源極S與數據線21連接，每個薄膜電晶體的漏極D與其對應的顯示子像素23的陽極電連接；在顯示過程中，薄膜電晶體在柵極線22的控制下，將數據線21輸入的數據顯示信號提供給與薄膜電晶體對應的顯示子像素23。

在本實施例中，像素定義層的多個像素凹槽用於設置OLED顯示面板的顯示子像素23，薄膜電晶體的漏極D通過像素凹槽及像素電極與顯示子像素23的陽極實現電連接。

需要說明的是，薄膜電晶體可以是頂柵型薄膜電晶體，也可以是底柵型薄膜電晶體，本發明對此並不做限定，具體視實際情況而定。其中，頂柵和底柵是指薄膜電晶體的柵極G相對於有源層(或稱為溝道區)的位置而定的，即：相對第一基板10，當柵極G靠近第一基板10，有源層遠離第一基板10時，薄膜電晶體為底柵性薄膜電晶體，當柵極G遠離第一基板10，有源層靠近第一基板10時，薄膜電晶體為頂柵型薄膜電晶體。

下面將以底柵型薄膜電晶體為例對薄膜電晶體的結構進行說明，參考圖4，圖4為本發明的一個實施例提供的一種底柵型薄膜電晶體的結構示意圖；在圖4中，有源層CR位於薄膜電晶體的柵極G遠離第一基板10一側，且位於薄膜電晶體的源極S和漏極D之間，有源層CR的製作材料為半導體材料，半導體材料為非晶矽、低溫多晶矽、金屬氧化物或低溫多晶氧化物；有源層CR與柵極G之間設置有柵絕緣層GI，且有源層CR設置於柵極G的正上方，即有源層CR在第一基板10上的投影覆蓋柵極G在第一基板10上的投影，其中，柵絕緣層GI可以為氮化矽層或氧化矽層，薄膜電晶體的柵極G與第一基板10之間具有緩衝層BF。

此外，圖3中示出的陣列基板還包括數據驅動電路24和柵極驅動電路25。數據驅動電路24與數據線21連接，數據驅動電路24用於在顯示階段通過數據線21向顯示像素23輸入數據顯示信號，以控制顯示面板進行顯示；柵極驅動電路25與柵極線22相連，用於在顯示階段通過柵極線22向薄膜電晶體提供掃描信號，以控制薄膜電晶體的開啟或關閉。

還需要說明的是，第一像素定義層40的多個像素凹槽用於設置OLED顯示面板的顯示子像素，薄膜電晶體的漏極通過像素凹槽及像素電極與顯示子像素的陽極實現電連接。

完全覆蓋像素凹槽的反射層可以使OLED顯示面板的顯示子像素的發射光在像素凹槽底面和側壁的反射層表面進行多次反射，直至從像素凹槽中出射，而不會被第一像素定義層40吸收，從而提升了顯示子像素的出射光的利用效率。

覆蓋陽極層在像素凹槽側壁部分表面的第二像素定義層50用於防止出現顯示子像素各層與反射層或陽極層電連接，從而短路的情況出現。

在上述實施例的基礎上，在本申請的一個實施例中，反射層的粗糙表面70的粗糙度Rz大於或等於1nm。

需要說明的是，本實施例對反射層的粗糙表面70的粗糙度進行了限定，一般情況下，當反射層的粗糙表面70的粗糙度Rz在1nm以上時，反射層就不會對環境光進行鏡面反射，從而避免出現眩光的現象。本申請實施例以粗糙度Rz對反射層的粗糙表面70進行了定量說明，還可以轉換為粗糙度Ra或粗糙度Ry對反射層的粗糙表面70的粗糙度進行限定。在本申請的一個實施例中，反射層的粗糙表面70的粗糙度Rz為5nm，在本申請的另一個實施例中，反射層的粗糙表面70的粗糙度Rz為10nm。本申請對反射層的粗糙表面70的粗糙度的具體取值並不做限定，具體視實際情況而定。

在本實施例中，當反射層的粗糙表面70的粗糙度Rz大於或等於1nm時就會大大降低對環境光形成的漫反射，而減少形成鏡面反射，從而有效改善了應用該陣列基板的OLED顯示面板的眩光問題的出現。

在上述實施例的基礎上，在本申請的一個實施例中，參考圖7，圖7為陣列基板製備方法的流程示意圖，在平坦層30背離第一基板10一側表面形成具有多個像素凹槽的第一像素定義層40包括：

在平坦層30背離第一基板10一側表面形成光敏材料層；

利用掩膜板對光敏材料層進行曝光，並對曝光後的光敏材料層進行顯影，形成具有多個像素凹槽的第一像素定義層40。

優選的，在平坦層30背離第一基板10一側表面形成光敏材料層包括：

在平坦層30背離第一基板10一側表面形成與平坦層30材質相同的光敏材料層。

需要說明的是，採用與平坦層30相同的材質製備第一像素定義層40可以避免其他種類的光敏材料對平坦層30可能造成的影響，另外，當第一像素定義層40與平坦層30採用相同的材質製備時，第一像素定義層40和平坦層30可以同時製備，然後利用半色調掩膜板進行曝光顯影即可形成第一像素定義層40。但在本申請的其他實施例中，第一像素定義層40還可以採用其他種類的光敏材料製備，本申請對第一像素定義層40具體採用的材質種類並不做限定，具體視實際情況而定。

具體地，參考圖8，圖8為陣列基板的製備方法的流程示意圖，在本申請的其他實施例中，在平坦層30背離第一基板10一側表面形成具有多個像素凹槽的第一像素定義層40通過以下方法實現：

在平坦層30背離第一基板10一側表面設置半色調掩膜板；

利用半色調掩膜板對平坦層30進行曝光，並對曝光後的平坦層30進行顯影，形成具有多個像素凹槽的第一像素定義層40。

本申請對形成第一像素定義層40採用的具體方式並不做限定，具體視實際情況而定。

在上述實施例的基礎上，參考圖9，圖9為陣列基板的製備方法的流程示意圖，本申請的一個具體實施例提供了一種在第一像素定義層40背離第一基板10一側表面形成具有粗糙表面70的反射層的方法，包括：

在第一像素定義層40背離第一基板10一側表面形成反射層；

對反射層背離第一基板10一側表面進行粗糙化處理。

但在本申請的其他實施例中，參考圖10，圖10為陣列基板的製備方法的流程示意圖，在第一像素定義層40背離第一基板10一側表面形成具有粗糙表面70的反射層還可以通過如下方式實現，具體包括：

對多個第一像素定義層40背離第一基板10一側表面進行粗糙化處理；

在經過粗糙化處理的第一像素定義層40背離第一基板10一側表面形成反射層。

如圖5所示，圖5為平坦層30、第一像素定義層40、第二像素定義層50、反射層及陽極層的截面結構示意圖，在本實施例中，像素凹槽背離第一基板10一側表面具有粗糙表面41，這樣直接在像素凹槽表面形成一層金屬層之後，金屬層即可具有粗糙表面70。這是因為形成的金屬層一般較薄，通常在170nm左右，這樣覆蓋具有粗糙表面41的像素凹槽的金屬層就會直接呈現出粗糙表面70。本申請對反射層的粗糙表面70的具體形成方式並不做限定，具體視實際情況而定。

還需要說明的是，像素凹槽的粗糙表面41的粗糙度取值大於或等於反射層的粗糙表面70的粗糙度取值即可；但優選的，像素凹槽的粗糙表面41的粗糙度取值大於反射層的粗糙表面70的粗糙度取值，以確保直接製備在像素凹槽表面的反射層直接呈現的粗糙表面70具有足夠的粗糙度，從而避免反射層對光線產生鏡面反射，進而避免應用該陣列基板的OLED顯示面板的眩光問題的出現。

在上述實施例的基礎上，在本申請的另一個具體實施例中，陽極層包括多個陣列排布的陽極；參考圖11，圖11為陣列基板的製備方法的流程示意圖，在陽極層背離第一基板10一側表面形成第二像素定義層50之後還包括：

在陽極層背離第一基板10一側表面形成發光材料層，發光材料層包括與多個陽極一一對應的多個發光結構；

在發光材料層背離第一基板10一側表面形成陰極層，陰極層、多個陽極和多個發光結構構成多個顯示子像素。

需要說明的是，多個顯示子像素包括多個第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中，第一子像素、第二子像素和第三子像素可以分別對應於紅色發光子像素、綠色發光子像素和藍色發光子像素中的一種，其具體的對應關係在此不做限定。多個顯示子像素構成多個顯示像素，其中，每個顯示像素都包括一個第一子像素、一個第二子像素和一個第三子像素。

相應的，本申請實施例還提供了一種OLED顯示面板，包括：相對設置的對置基板和陣列基板，其中，陣列基板為上述任一實施例的陣列基板。

相應的，本申請實施例還提供了一種顯示裝置，包括至少一個如上述實施例的OLED顯示面板。

綜上所述，本申請實施例提供了一種OLED顯示面板、顯示裝置、陣列基板及其製作方法，其中，陣列基板的第一像素定義層40具有多個像素凹槽，反射層位於第一像素定義層40背離第一基板10一側且完全覆蓋像素凹槽，這樣OLED顯示面板的顯示子像素的發射光會在像素凹槽底面和側壁的反射層表面進行多次反射，直至從像素凹槽中出射，而不會被第一像素定義層40吸收，從而提升了顯示子像素的出射光的利用效率；另外，反射層背離第一基板10一側具有粗糙表面70，入射的環境光不會經過反射層形成鏡面反射，從而不會出現眩光問題，避免了採用線性偏振片來解決眩光問題而出現的吸收顯示子像素出射光的問題，提升了應用陣列基板的OLED顯示面板的顯示子像素的出光效率，並且提升了OLED顯示面板的抗撓曲性，進而使其可以應用於柔性顯示裝置中。

本說明書中各個實施例採用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。

對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制於本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的範圍。