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淨水系統及其控制方法與流程

2023-10-31 04:41:47


本發明涉及水質淨化技術領域,特別是涉及一種淨水系統及其控制方法。



背景技術:

傳統的淨水系統存在回收率低,濃水排放量多的缺點。為了實現淨水系統的節水效果,一般高回收率的淨水系統採用減小濃水排放或者將濃水回流的工藝以提高回收率,這兩種水處理工藝雖然在一定程度上提高了回收率,達到了節水的目的,但是直接減小濃水排放或者濃水全部回流,反滲透膜表面會產生嚴重的濃差極化,若不能及時擾亂反滲透膜表面CaCO3小晶核的形成,反滲透膜表面就會很結垢,汙染速度相對加快,使反滲透膜性能衰減加速,使用壽命急劇縮短,造成反滲透膜的不合理使用。



技術實現要素:

基於此,有必要針對傳統淨水系統反滲透膜的不合理使用問題,提供一種淨水系統及其控制方法。

本發明提供了一種淨水系統,包括預處理單元以及反滲透膜處理單元,所述預處理單元以及所述反滲透膜處理單元分別連接進水管道的兩端,所述反滲透膜處理單元的濃水出口連接濃水管道,所述濃水管道上設有濃水排放電磁閥;所述淨水系統還包括濃水排放控制單元,所述濃水排放控制單元包括第一支路第二支路以及廢水比組件;

所述第一支路的出水端連接在所述進水管道,所述第一支路上設有第一電磁閥;

所述第二支路的出水端連接在所述濃水管道的出水段或直接排空,所述第二支路設有第二電磁閥;

所述第一支路的進水端以及所述第二支路的進水端通過廢水比組件連接在所述反滲透膜處理單元濃水出口與濃水排放電磁閥之間的濃水管道上。

在其中的一個實施例中,所述濃水排放控制單元還包括第三支路,所述第三支路的進水端連接在所述反滲透膜處理單元濃水出口與濃水排放電磁閥之間的濃水管道,所述第三支路的出水端連接在所述濃水管道的出水段或直接排空,所述第三支路上設有第三廢水比。

在其中的一個實施例中,所述廢水比組件包括第一廢水比,所述第一支路的進水端以及所述第二支路的進水端連接在所述第一廢水比的出水端,所述第一廢水比的進水端連接在所述反滲透膜處理單元濃水出口與濃水排放電磁閥之間的濃水管道上。

在其中的一個實施例中,所述廢水比組件包括第一廢水比以及第二廢水比;

所述第一支路的進水端連接在所述第一廢水比的進水端,所述第一廢水比的進水端連接在所述反滲透膜處理單元濃水出口與濃水排放電磁閥之間的濃水管道上;

所述第二支路的進水端連接在所述第二廢水比的出水端,所述第二廢水比的進水端連接在所述反滲透膜處理單元濃水出口與濃水排放電磁閥之間的濃水管道上。

在其中的一個實施例中,所述預處理單元與所述反滲透膜處理單元之間的進水管道上還設有穩壓泵,所述第一支路的出水端與所述進水管道的連接點設在所述預處理單元與所述穩壓泵之間。

在其中的一個實施例中,所述淨水系統還包括控制中心,所述控制中心與所述濃水排放電磁閥、所述第一電磁閥、所述第一廢水比、所述第二電磁閥、所述第二廢水比信號連接。

本發明還提供了上述淨水系統的控制方法,其包括以下步驟:

S100:淨水系統上電時,控制濃水排放電磁閥打開a秒後關閉,淨水系統進入制水模式;

S200:淨水系統制水時,控制濃水排放控制單元在第一運行模式與第一運行模式之間循環運行;

所述第一運行模式包括控制第二電磁閥打開b秒後關閉;

所述第二運行模式包括控制第一電磁閥打開c秒後關閉;

其中,a>0,b>0,c>0。

在其中的一個實施例中,所述控制方法還包括以下步驟:

S300:淨水系統連續制水d小時後,控制所述第一電磁閥以及所述第二電磁閥關閉,控制濃水排放電磁閥打開e秒後關閉;

其中,d>0,e>0。

在其中的一個實施例中,所述控制方法還包括以下步驟:

S400:壓力桶的壓力值大於第一預設壓力值時,控制所述第一電磁閥以及所述第二電磁閥關閉,控制濃水排放電磁閥打開f秒後關閉;

其中,f>0。

在其中的一個實施例中,所述控制方法還包括以下步驟:

S400』:壓力桶的壓力值小於第二預設壓力值時,控制所述第一電磁閥以及所述第二電磁閥關閉,控制濃水排放電磁閥打開g秒後關閉;

其中,g≥0。

在其中的一個實施例中,所述a、b、c、d、e、f、g的大小根據原水水質參數調整。

在其中的一個實施例中,所述原水水質參數為TDS或濁度值。

在其中的一個實施例中,所述根據原水水質參數調整通過如下方法調整;

當TDS<Xppm時,所述第一運行模式包括控制第二電磁閥打開b1秒後關閉,所述第二運行模式包括控制第一電磁閥打開c1秒後關閉;

當Xppm≤TDS<Yppm時,所述第一運行模式包括控制第二電磁閥打開b2秒後關閉,所述第二運行模式包括控制第一電磁閥打開c2秒後關閉;

當TDS≥Yppm時,所述第一運行模式包括控制第二電磁閥打開b3秒後關閉,所述第二運行模式包括控制第一電磁閥打開c3秒後關閉;

其中,0<X<Y,0<b1<b2<b3,0<c3<c2<c1。

上述淨水系統及其控制方法,淨水系統還包括濃水排放控制單元,濃水排放控制單元包括第一支路以及第二支路;第一支路能夠將濃水管道中的濃水回流至進水管中,第二支路能夠將濃水管道中的濃水排放,通過控制第二支路上的第一電磁閥以及第二支路上的第二電磁閥間斷開關,實現濃水的間歇式回流,減少濃水排放,提高淨水系統的回收率,同時由於是間歇底、可調控地濃水回流,可大大降低反滲透膜的壓力,避免其使用壽命縮短。傳統淨水系統純水與濃水比例一般為1:3,上述淨水系統及其控制方法能夠實現純水與濃水比例達到2:1,同時,反滲透膜的使用壽命由原來的8-12個月,提高到20-24個月。

上述淨水系統及其控制方法,通過間歇式濃水排放電磁閥的打開實現淨水系統的衝洗,擾亂CaCO3小晶核的形成,減緩反滲透膜表面結垢,提高反滲透膜壽命。

上述淨水系統及控制方法,同時採用間歇式濃水回流以及間歇式衝洗結合的方式,即增大了進入反滲透膜的水量,又及時衝刷了反滲透膜,既能減少濃水的排放,又能減緩反滲透膜的濃差極化,延長其使用壽命;同時,間歇式濃水回流以及間歇式衝洗能夠實現使反滲透膜的前壓力相對穩定,可有效保護反滲透膜的使用性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明中記載的一些實施例,對於本領域普通技術人員來講,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明淨水系統實施例一的主視圖;

圖2為本發明淨水系統實施例二的主視圖;

圖3為本發明淨水系統實施例三的主視圖;

其中,

111-進水管道;112-濃水管道;113-純水管道;114-高壓水管道;

121-減壓閥;122-水質檢測元件;123-低壓開關;124-進水電磁閥;125-濃水排放電磁閥;126-穩壓泵;127-逆止閥;128-高壓開關;129-壓力桶;

210-第一級濾芯;220-第二級濾芯;

300-反滲透膜處理單元;

410-第一支路;411-第一廢水比;412-第一電磁閥;

420-第二支路;421-第二廢水比;422-第二電磁閥;

430-第三支路;431-第三廢水比;

500-後處理單元;

600-水龍頭。

具體實施方式

為使本發明技術方案更加清楚,以下結合附圖及具體實施例對本發明作進一步詳細說明。

請參閱圖1所示,本發明實施例一的淨水系統包括預處理單元、反滲透膜處理單元300、濃水排放控制單元、後處理單元500、壓力桶129、水龍頭600以及控制中心(圖中未示出)。

其中,預處理單元、反滲透膜處理單元300以及後處理單元500依次串聯連接;反滲透膜處理單元300的純水出口一方面通過高壓水管道114連接在壓力桶129上,另一方面通過管道連接後處理單元500,後處理單元500通過純水管道113連接在水龍頭600上,純水管道113上設有逆止閥127防止純水回流,反滲透膜處理單元300的濃水出口與濃水管道112連接。

其中,原水進入預處理單元的原水管道上設有減壓閥121,預處理單元與反滲透膜處理單元300之間的進水管道111上依次設有水質檢測元件122、低壓開關123、進水電磁閥124以及穩壓泵126,高壓水管道114上設有高壓開關128,濃水管道112上設有濃水排放電磁閥125。

其中,濃水排放控制單元包括第一支路410、第二支路420以及淨水比組件。

第一支路410的進水端連接在淨水比組件的出水端,第一支路410的出水端連接在進水管道111上,優選連接在進水電磁閥124與穩壓泵126之間的進水管道111上,第一支路410上還設有第一電磁閥412。

第二支路420的進水端連接在淨水比組件的出水端,第二支路420的出水段連接在濃水管道112上的出水段或直接排空,第二支路420設有第二電磁閥422。

廢水比組件的進水端連接在反滲透膜處理單元300濃水出口與濃水排放電磁閥125之間的濃水管道112上,本實施例中廢水比組件包括第一廢水比411。

其中,控制中心用於根據預先設定模式控制淨水系統工作,控制中心與減壓閥121、水質檢測元件122、低壓開關123、進水電磁閥124、濃水排放電磁閥125、穩壓泵126、高壓開關128、第一電磁閥412以及第二電磁閥422信號連接。信號連接包括但不限於電連接、無線連接、有線連接。

其中,預處理單元包括第一級濾芯210以及第二級濾芯220,其中,第一級濾芯210為活性炭,第二級濾芯220為超濾膜。

作為另一種可實施的方式,預處理單元包括第一級濾芯210以及第二級濾芯220,其中,第一級濾芯210為超濾膜,第二級濾芯220為活性炭。第一級濾芯210能夠截留原水中的大部分雜物質,能夠保護其餘各級濾芯,延長其使用壽命。

作為一種可實施的方式,預處理單元包括第一級濾芯210、第二級濾芯220以及第三級濾芯,第一級濾芯210、第二級濾芯220以及第三級濾芯的濾芯可選自活性炭濾芯、碳棒濾芯以及PP棉濾芯中的任意一種。

作為一種可實施的方式,後處理單元500可以是PP棉濾芯、複合濾芯,其作用是進一步處理儲存在壓力桶129中的純水或反滲透膜單元輸送的純水,以去除細菌、異味。

其中,水質檢測元件122為總溶解固體(Total dissolved solids,TDS)檢測元件。TDS表明水中溶有的溶解性固體的含量,TDS越高,表示水中含有的雜質越多。

作為一種可實施的方式,水質檢測元件122為電導率測試元件。

作為一種可實施的方式,淨水系統還包括第二淨水管道,第二淨水管道的進水端連接在進水電磁閥124與第一支路410之間的進水管道111上。第二淨水管道的出水口連接在水龍頭600上,原水經預處理單元處理後進入水龍頭600供用戶使用。

參照圖1所示,原水經過原水口進入淨水系統,首先經過預處理單元的第一級濾芯210以及第二級濾芯220處理,經進水管道111進入反滲透膜處理單元300,其中,進水管道111的水質檢測元件122檢測流經其中的水質數據並傳輸至控制中心。進入反滲透膜處理單元300的水被處理為純水和濃水。純水,或經後處理單元500處理後,通過純水管道113進入水龍頭600供用戶使用;或經高壓水管道114進入壓力桶129儲存,其中,高壓水管道114上的高壓開關128用於檢測該高壓水管道114的水壓情況,並將檢測的水壓情況傳輸至控制中心。濃水,或經濃水管道112排出淨水系統,或經第一支路410間歇式回流至進水管道111上,或經第二支路420間歇式排出淨水系統。

相應的,本發明提供的上述淨水系統的控制方法,包括以下步驟:

S100:淨水系統上電時,控制濃水排放電磁閥125打開a秒後關閉,淨水系統進入制水模式;

具體的,淨水系統上電時,控制中心控制進水電磁閥124以及濃水排放電磁閥125打開,原水依次經減壓閥121、第一級濾芯210、第二級濾芯220、穩壓泵126進入反滲透膜處理單元300,從反滲透膜處理單元300濃水出口排出的濃水全部經濃水管道112排出系統,a秒後,控制濃水排放電磁閥125關閉,淨水系統進入制水模式。

S200:淨水系統制水時,控制濃水排放控制單元在第一運行模式與第二運行模式之間循環運行;

其中,第一運行模式為控制第二電磁閥422打開b秒後關閉,第二運行模式為控制第一電磁閥412打開c秒後關閉;

具體的,控制中心控制第二電磁閥422打開,進入第一運行模式,從反滲透膜處理單元300濃水出口排出的濃水依次流經第一支路410的第一廢水比411以及第二支路420排出系統。此時,由於濃水需要通過第一廢水比411,因此,在反滲透膜內外具有一定的壓力差,反滲透膜處理單元300能製備一定量的純水。製備的純水量與第一廢水比411相關,優選的,第一廢水比411為150-600cc。

b秒後,控制第二電磁閥422關閉,控制第一電磁閥412打開,進入第二運行模式,從反滲透膜處理單元300濃水出口排出的濃水流經第一支路410進入進水管道111,再次進入反滲透膜處理單元300進行處理。

c秒後,控制第一電磁閥412關閉,控制第二電磁閥422打開,進入第一運行模式。

如上,淨水系統在第一運行模式與第二運行模式之間循環運行。

淨水系統處於第一運行模式時,原水經處理後分為純水和濃水,純水供用戶使用,濃水被排放掉,純水與濃水的比例由第一廢水比411確定。

淨水系統處於第二運行模式時,原水經處理後分為純水和濃水,純水供用戶使用,濃水回流至進水管道111,再次被處理利用,提高了回收率。

淨水系統制水時在第一運行模式與第二運行模式之間循環,間歇地進行濃水回流,減少濃水的排放,又避免了持續回流易引起反滲透膜表面的濃差極化,延長了反滲透膜的使用壽命。

需要說明的是,a>0,b>0,c>0。

作為一種可實施的方式,淨水系統制水時,同時控制濃水排放電磁閥125打開,使濃水管道112能夠排放一定流量的濃水,以增大濃水的排放流量,減小反滲透膜的濃茶極化,減緩反滲透膜的衰減。

此時,淨水系統處於第一運行模式時,原水經處理後分為純水和濃水,純水供用戶使用,濃水被排放掉,純水與濃水的比例由第一廢水比411確定。

淨水系統處於第二運行模式時,原水經處理後分為純水和濃水,純水供用戶使用,一部分濃水回流至進水管道111,再次被處理利用,提高了回收率;另一部分濃水被排放掉,純水與濃水的比例由第一廢水比411以及濃水排放電磁閥125的流量確定。

作為一種可實施的方式,上述控制方法還包括以下步驟:

S300:淨水系統連續制水d小時後,控制第一電磁閥412以及第二電磁閥422關閉,控制濃水排放電磁閥125打開e秒後關閉;

具體的,淨水系統連續制水d小時後,控制中心控制第一電磁閥412以及第二電磁閥422關閉,使淨水系統退出制水模式;控制濃水排放電磁閥125打開,淨水系統進入衝洗模式,濃水全部經濃水管道112排出系統,e秒後,控制濃水排放電磁閥125關閉,淨水系統重新進入制水模式或關閉。

連續制水一段時間後,反滲透膜表面會產生一定的濃差極化,此外還會存在一定CaCO3晶核,通過間歇地-連續制水一定時間後將濃水全部經濃水管道112排出系統,能夠及時消除濃差極化,衝洗掉反滲透膜表面的CaCO3晶核,避免其在反滲透膜表面結垢,延緩反滲透膜的衰減。

需要說明的是,d>0,e>0。

作為一種可實施的方式,上述控制方法還包括以下步驟:

S400:壓力桶129的壓力值大於第一預設壓力值時,控制第一電磁閥412以及第二電磁閥422關閉,控制濃水排放電磁閥125打開f秒後關閉;

具體的,高壓開關128設置於高壓水管道114上,能夠檢測高壓水管道114的壓力值,由於高壓水管道114與壓力桶129連通,高壓水管道114的壓力值即反應壓力桶129的壓力值。

高壓開關128將檢測到的壓力值傳輸至控制中心,當控制中心判斷檢測到壓力值大於第一預設壓力值時,控制第一電磁閥412以及第二電磁閥422關閉,控制濃水排放電磁閥125打開,淨水系統進入衝洗模式,濃水全部經濃水管道112排出系統,f秒後,控制濃水排放電磁閥125關閉,淨水系統重新進入制水模式或關閉。

需要說明的是,f>0。

優選的,第一預設壓力值小於等於壓力桶129水滿時的壓力值。

作為一種可實施的方式,上述控制方法還包括以下步驟:

S400』:壓力桶129的壓力值小於第二預設壓力值時,控制所述第一電磁閥412以及所述第二電磁閥422關閉,控制濃水排放電磁閥125打開g秒後關閉;

具體的,高壓開關128將檢測到的壓力值傳輸至控制主板控制中心,當控制中心判斷檢測到壓力值小於第二預設壓力值時,例如壓力桶129中的水經單元和水龍頭600被用戶使用後,壓力桶129的水量減少,壓力降低,控制第一電磁閥412以及第二電磁閥422關閉,控制濃水排放電磁閥125打開,淨水系統進入衝洗模式,濃水全部經濃水管道112排出系統,g秒後,控制濃水排放電磁閥125關閉,淨水系統重新進入制水模式。

需要說明的是,g≥0;即g可以為零,也就是說當檢測到壓力桶129的壓力值小於第二預設壓力值時,也可以不進行衝洗。

優選的,第二預設壓力值小於等於壓力桶129小於第一預設壓力值。

作為一種可選實施方式,上述a、b、c、d、e、f、g的大小根據原水水質參數調整。例如:當TDS<200ppm時,設置a=30,b=10,c=110,d=8,e=30,f=30,g=10;200ppm<TDS<500ppm時,設置a=30,b=15,c=105,d=8,e=30,f=30,g=10;TDS>500ppm時,設置a=30,b3=20,c=100,d=8,e=30,f=30,g=10。

優選的,原水水質參數為TDS或濁度值。需要說明的是,該原水水質參數由水質檢測元件測定並傳輸至控制中心。

作為一種可選實施方式,當原水水質參數為TDS時,根據原水水質參數的調整方法如下:

當TDS<Xppm時,第一運行模式包括控制第二電磁閥422打開b1秒後關閉,第二運行模式包括控制第一電磁閥412打開c1秒後關閉;

當Xppm≤TDS<Y ppm時,第一運行模式包括控制第二電磁閥422打開b2秒後關閉,第二運行模式包括控制第一電磁閥412打開c2秒後關閉;

當TDS≥Y ppm時,第一運行模式包括控制第二電磁閥422打開b3秒後關閉,第二運行模式包括控制第一電磁閥412打開c3秒後關閉;

其中,0<X<Y,0<b1<b2<b3,0<c3<c2<c1。

例如,淨水系統預設X=200ppm,Y=500ppm,b1=10,b2=15,b3=20,c1=110,c2=105,c3=100s即

當TDS<200ppm時,第一運行模式包括控制第二電磁閥422打開10秒後關閉,第二運行模式包括控制第一電磁閥412打開110秒後關閉;

當200ppm≤TDS<500ppm時,第一運行模式包括控制第二電磁閥422打開15秒後關閉,第二運行模式包括控制第一電磁閥412打開105秒後關閉;

當TDS≥500ppm時,第一運行模式包括控制第二電磁閥422打開20秒後關閉,第二運行模式包括控制第一電磁閥412打開100秒後關閉。

也就是說,隨著TDS的升高,通過第二支路420排放濃水的時間增長,通過第一支路410回收濃水的時間縮短。

實施例二

請參閱圖2所示,本發明實施例二與實施例一的不同之處在於濃水排放控制單元還包括第三支路430,第三支路430的進水端連接在反滲透膜處理單元300濃水出口與濃水排放電磁閥125之間的濃水管道112上,第三支路430的出水端連接在濃水管道112的出水段或直接排空,所述第三支路430上設有第三廢水比431。

相應的,本發明提供的上述淨水系統的控制方法與實施例一的不同在於:

S200:淨水系統制水時,控制濃水排放控制單元在第一運行模式與第二運行模式之間循環運行;

其中,第一運行模式為控制第二電磁閥422打開b秒後關閉,第二運行模式為控制第一電磁閥412打開c秒後關閉;

具體的,控制中心控制第二電磁閥422打開,進入第一運行模式,從反滲透膜處理單元300濃水出口排出的一部分濃水依次流經第一支路410的第一廢水比411以及第二支路420排出系統,另一部分濃水流經第三支路430的第三廢水比431排出系統。此時,由於濃水需要通過第一廢水比411以及第三廢水比431,因此,在反滲透膜內外具有一定的壓力差,反滲透膜處理單元300能製備一定量的純水。製備的純水量與第一廢水比411、第三廢水比431相關,優選的,第一廢水比411為150-600cc,第三廢水比431為100-200cc。

b秒後,控制第二電磁閥422關閉,控制第一電磁閥412打開,進入第二運行模式,從反滲透膜處理單元300濃水出口排出的一部分濃水流經第一支路410進入進水管道111,再次進入反滲透膜處理單元300進行處理,另一部分濃水流經第三支路430的第三廢水比431排出系統。

c秒後,控制第一電磁閥412關閉,控制第二電磁閥422打開,進入第一運行模式。

如上,淨水系統在第一運行模式與第二運行模式之間循環運行。

淨水系統處於第一運行模式時,原水經處理後分為純水和濃水,純水供用戶使用,濃水被排放掉,純水與濃水的比例由第一廢水比411以及第三廢水比431確定。

淨水系統處於第二運行模式時,原水經處理後分為純水和濃水,純水供用戶使用,一部分濃水回流至進水管道111,再次被處理利用,提高了回收率,另一部分濃水經第三支路430排出系統,純水與濃水的比例由第一廢水比411以及第三廢水比431確定。

該實施例中,第三支路430的第三廢水比431是常開廢水比,以增大廢水排出系統的量,減小反滲透膜的濃差極化,減緩反滲透膜的衰減。

實施例三

請參閱圖3所示,本發明實施例三與實施例二的不同之處在於濃水排放控制單元的廢水比組件還包括第二廢水比421。

第一支路410的進水端連接在第一廢水比411的出水端,第一廢水比411的進水端連接在反滲透膜處理單元300濃水出口與濃水排放電磁閥125之間的濃水管道112上;第二支路420的進水端連接在第二廢水比421的出水端,第二廢水比421的進水端連接在反滲透膜處理單元300濃水出口與濃水排放電磁閥125之間的濃水管道112上。第二廢水比421與第二廢水比411的廢水比可以相同,也可以不同。

相應的,本發明提供的上述淨水系統的控制方法與實施例一的不同在於:

S200:淨水系統制水時,控制濃水排放控制單元在第一運行模式與第二運行模式之間循環運行;

其中,第一運行模式為控制第二電磁閥422打開b秒後關閉,第二運行模式為控制第一電磁閥412打開c秒後關閉;

具體的,控制中心控制第二電磁閥422打開,進入第一運行模式,從反滲透膜處理單元300濃水出口排出的一部分濃水依次流經第二支路420的第二廢水比421排出系統,另一部分濃水流經第三支路430的第三廢水比431排出系統。此時,由於濃水需要通過第二廢水比421以及第三廢水比431,因此,在反滲透膜內外具有一定的壓力差,反滲透膜處理單元300能製備一定量的純水。製備的純水量與第一廢水比411、第二廢水比421以及第三廢水比431相關。

b秒後,控制第二電磁閥422關閉,控制第一電磁閥412打開,進入第二運行模式,從反滲透膜處理單元300濃水出口排出的一部分濃水流經第一支路410進入進水管道111,再次進入反滲透膜處理單元300進行處理,另一部分濃水流經第三支路430的第三廢水比431排出系統。

c秒後,控制第一電磁閥412關閉,控制第二電磁閥422打開,進入第一運行模式。

如上,淨水系統在第一運行模式與第二運行模式之間循環運行。

淨水系統處於第一運行模式時,原水經處理後分為純水和濃水,純水供用戶使用,濃水被排放掉,純水與濃水的比例由第二廢水比421以及第三廢水比431確定。

淨水系統處於第二運行模式時,原水經處理後分為純水和濃水,純水供用戶使用,一部分濃水回流至進水管道111,再次被處理利用,提高了回收率,另一部分濃水經第三支路430排出系統,純水與濃水的比例由第一廢水比411以及第三廢水比431確定。

該實施例中,第一支路410與第二支路420分別設有第一廢水比411、第二廢水比421,由於第一支路410與第二支路420的廢水比採用不同的廢水比器件,因此可以靈活調整第一廢水比411與第二廢水比421的大小,更加靈活的調整間歇回收濃水的流量。

在本發明的上述描述中,術語「第一」、「第二」僅用於描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性。

以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細,但並不能因此而理解為對本發明專利範圍的限制。應當指出的是,對於本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬於本發明的保護範圍。因此,本發明專利的保護範圍應以所附權利要求為準。

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