發光元件及其製作方法
2023-10-10 01:55:59 4
發光元件及其製作方法
【專利摘要】本發明公開一種發光元件及其製作方法。發光元件包含一發出第一光線的半導體發光疊層，以及形成於半導體發光疊層之上的波長轉換裝置。波長轉換裝置吸收第一光線後發出第二光線與第三光線，並與第一光線混成白光。
【專利說明】發光元件及其製作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種發光元件，包含有半導體發光疊層與波長轉換裝置以發出白光。
【背景技術】
[0002]從白熾燈以來,發光二極體(Light-emitting d1de ；LED)因為兼具節能、綠色環保、壽命長、體積小等諸多優點而在各種照明應用上逐漸取代傳統照明燈具，而其中又以能發出白光的LED為各企業爭相發展的重點。
[0003]相關的照明技術中，有以藍光晶片與紅光晶片作為光源搭配突光粉激發出黃光或者綠光混合成白光的白光發光二極體(White Light-emitting D1de ;WLED)，或是以藍光晶片作為光源搭配突光粉後激發出黃光或者綠光以混合成白光而形成的白光發光二極體。兩者之間在色溫與價格上有所差異，但同樣要面對螢光粉塗布的問題。在為了追求高演色性、高輸出效率與色彩均勻等特性的前提下，各種不同的塗布方式已被運用來增加白光LED放光的色均勻度或是增進LED的光輸出。
[0004]在各種不同的塗布方式中，若將兩種以上不同波長螢光粉混合塗布，則要面臨長波長螢光粉易吸收短波長螢光粉層所放出之光的再吸收作用，這也成為降低白光發光效率的原因之一。
[0005]而上述具有螢光粉的發光二極體更可以進一步地與其他元件組合連接以形成一發光裝置(light-emitting apparatus);其中，發光裝置包含一具有至少一電路的次載體(sub-mount);至少一焊料(solder)位於上述次載體上,通過此焊料將上述發光元件粘結固定於次載體上並使發光元件的基板與次載體上的電路形成電連接；以及，一電連接結構，以電連接發光元件的電極與次載體上的電路；其中，上述的次載體可以是導線架(leadframe)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate),以方便發光裝置的電路規劃並提高其散熱效果。
【發明內容】
[0006]為達上述目的，本發明提供一發光元件，包含發出第一光線的半導體發光疊層，其中第一光線具有第一色度座標；形成於半導體發光疊層之上的第一波長轉換裝置，吸收第一光線並發出第二光線；形成於第一波長轉換裝置之上的第二波長轉換裝置，吸收第一光線並發出第三光線。其中，第二光線與第一光線混合後形成具有第二色度座標的第四光線，並且第二色度座標位於第一色度座標的右上方，而第四光線與第三光線混合後形成具有第三色度座標的第五光線，並且第三色度座標位於第二色度座標的右上方。
[0007]本發明公開一種發光元件的製造方法，包含提供發出第一光線的半導體發光疊層，其中第一光線具有第一色度座標；形成第一波長轉換裝置於半導體發光疊層之上，其中第一波長轉換裝置吸收第一光線並發出第二光線；以及形成第二波長轉換裝置於第一波長轉換裝置之上，其中第二波長轉換裝置吸收第一光線並發出第三光線；其中，第二光線與第一光線混合後形成一具有第二色度座標的第四光線，而第二色度座標位於第一色度座標的右上方，並且第四光線與第三光線混合後形成具有一第三色度座標的第五光線，並且第三色度座標位於第二色度座標的右上方。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1a-圖1b為根據本發明的一實施例的發光元件示意圖；
[0009]圖2a-圖2c為對應本發明的一實施例的色度座標圖；
[0010]圖3為根據本發明的一實施例的發光元件示意圖。
[0011]符號說明
[0012]2:基板；
[0013]4:LED 晶片；
[0014]5:波長轉換裝置；
[0015]6:第一光學單兀；
[0016]8:發光兀件；
[0017]15:波長轉換層；
[0018]16:第二光學單元；
[0019]52:第一螢光粉；
[0020]54:第二螢光粉；
[0021]Al?A8:色度座標；
[0022]BI?B8:色度座標；
[0023]Cl?C8:色度座標；
[0024]Dl?D8:色度座標；
[0025]LI ?L8:曲線；
[0026]Rl ?R8:區域；
[0027]YGl ?YG2、REDl ?RED2:斜線
【具體實施方式】
[0028]圖1a為根據本發明一實施例所公開的一發光兀件,發光兀件8由LED晶片4形成於基板2之上，以及一個第一光學單元6覆蓋於LED晶片4與基板2之上所組成。其中，基板2可以包含有電路形成於其上與LED晶片4電性連結。或者，選擇具有良好的導熱性的材料作為基板，例如金屬或是陶瓷等導熱係數大於30(W/m°C )的材料，使基板2可以具有良好的導熱性，用以提供LED晶片4散熱路徑。第一光學單元6則是由相對於LED晶片4與波長轉換裝置5所發出的光為透明的材料所組成，例如是透鏡，而可以具有不同的形狀來改變發光元件8發出的光場。在LED晶片4與第一光學單元6之間更包含有波長轉換裝置5，用以轉換LED晶片4所發出的光波長，使被轉換過的光與LED晶片4所發出的光混合成為白光，其中波長轉換裝置5包含至少一波長轉換材料，例如螢光粉。
[0029]圖1b為根據本發明一實施例所公開的波長轉換裝置5與LED晶片4的示意圖，LED晶片4位於基板2上並由第一螢光粉52與第二螢光粉54所組成的波長轉換裝置覆蓋。第一螢光粉52吸收LED晶片4發出的第一光線發出第二光線，而第二螢光粉54吸收LED晶片4發出的第一光線發出第三光線。第二光線的波長大於第三光線的波長，並且第三光線的波長也大於第一光線的波長。在一實施例中，第一光線的主波長範圍落在藍光波長範圍、第二光線的主波長範圍落在紅光波長範圍而第三光線的主波長範圍落在綠光波長範圍或黃光波長範圍；更具體而言，第一光線具有一主波長介於450-490nm之間，而第二光線與第三光線各自具有一主波長分別介於620-650nm之間與500_570nm之間。
[0030]參考圖1b中依據本發明的發光元件的實施例，製作方法包含下列步驟:
[0031]1.先分別秤取第一螢光粉52與第二螢光粉54，將兩種螢光粉分別與適量膠體混合形成第一混合物與第二混合物；
[0032]2.上述第一混合物與第二混合物經適度攪拌使螢光粉在膠體內均勻分散之後，將混有第一突光粉52的第一混合物覆蓋於LED晶片4上；
[0033]3.烘烤覆蓋有第一混合物的LED晶片4，使得覆蓋在LED晶片4上的第一混合物固著於LED晶片4之後，再將混有第二螢光粉54的第二混合物覆蓋在第一混合物上；
[0034]4.烘烤覆蓋有第二混合物的LED晶片4，使得第二混合物固著於LED晶片4。
[0035]上述步驟中，膠體為相對於LED晶片4發出的光為透明的材料，使得光線儘量不要被膠體所吸收，而被第一突光粉52與第二突光粉54所吸收以產生第二光線與第三光線。上述步驟中，覆蓋第一混合物與第二混合物的步驟可以是一次或者多次的步驟，亦即在LED晶片4上覆蓋多層第一混合物或是多層第二混合物。在一實施例中，膠體的材料可以是矽膠與正庚烷的混合物。而上述的第一混合物與第二混合物通過覆蓋的方式形成於LED晶片4上，使得混合物內所包含的第一螢光粉52與第二螢光粉54可以是均勻分布在LED晶片4的周圍，也可以較密集的覆蓋在LED晶片4上的一部分表面而造成相對於LED晶片4表面上的其他部分具有較高密度的螢光粉，其中第一混合物與第二混合物的塗布方式包括了噴塗與點膠。在本實施例中，第一螢光粉52為紅光螢光粉而第二螢光粉54為黃綠光螢光粉，亦即第一突光粉52吸收入射光之後會發出為紅光的第二光線,而第二突光粉54吸收入射光之後則是發出為黃綠光的第三光線。具體而言，在本實施例中第一突光粉52為(SrCa)AlSiN3 = Eu,第二螢光粉54為YAG:Ce。經由上述步驟之後，LED晶片4發出的光與第一螢光粉52受激發出的紅光與第二螢光粉54受激發出的黃綠光混合後形成一具有特定色溫或色度座標範圍的白光。
[0036]在本發明的實施例中，為了要得到具有特定色溫或色度座標範圍的白光，首先在上述覆蓋紅光螢光粉於LED晶片4上的步驟時調整紅光螢光粉的量，使紅光螢光粉發出的第二光線與LED晶片4的第一光線混合形成一具有一第二色度座標的第四光線，其中第二色度座標位於第一色度座標的右上方，並使得第二色度座標落在一特定的範圍內。其中，為了調整覆蓋在LED晶片4上的紅光螢光粉的量使第二色度座標落在一特定的範圍內，因而覆蓋具有紅光螢光粉的混合物的步驟可以為一次性步驟或者多次性的步驟以調整覆蓋在LED晶片4上的紅光螢光粉的量。接著被覆蓋到LED晶片4的黃綠光螢光粉，吸收LED晶片4的第一光線之後發出的第三光線將與第四光線混合形成一具有一第三色度座標的第五光線，其中第三色度座標位於第二色度座標的右上方，並且第三色度座標落在一特定的範圍內，而在本實施例中，第五光線即為白光。相同地，為了使第三色度座標落在一特定的範圍內，因此覆蓋具有黃綠光螢光粉的混合物的步驟可以為一次性步驟或者多次性的步驟，並且要根據第二色度座標與第三色度座標之間的關係，選擇受到激發後能發出適當的黃綠光波長的黃綠光螢光粉，並接著調整覆蓋到LED晶片4上的黃綠光螢光粉的量使第三色度座標能落在預定的範圍內。
[0037]綜上所述，在本發明中先調整兩種不同波長螢光粉中的長波長者覆蓋在LED晶片上的螢光粉量，使得螢光粉受激後發出的光線與LED晶片發出的光混合成的光線落在一特定範圍的色度座標內之後，再覆蓋兩種螢光粉中的短波長者，使得兩種螢光粉受激發後發出的短波長的光線、長波長的光線與LED晶片發出的光混合成的光落在一特定範圍的色度座標內，亦即落在預先設定的色度座標內。通過先覆蓋長波長的螢光粉再覆蓋短波長的螢光粉的方式，可以避免短波長的螢光粉受激發出的光線又被長波長的螢光粉所吸收，因此可以提升發光元件的發光效率。而且因為減少了短波長光再次被長波長的光所吸收的情況，螢光粉的使用量也可以減少。本發明中的覆蓋方式包含利用分層覆蓋的方式，通過多次的覆蓋步驟可達到降低螢光粉用量的效果，因此除了提升發光二極體亮度外更可以節省成本。上述的步驟中，在得到第二色度座標後，第二次塗布螢光粉之前先估算出第三色度座標與第二色度座標之間的斜率差異，接著以適合的黃綠光螢光粉利用一次或多次的塗布步驟覆蓋到LED晶片之上，因此可以較為精確地達到第五光線的第三色度座標。
[0038]圖2a顯不應用本發明的一實施例,突光粉受LED晶片激發出的光的色座標圖。在本實施例中，選擇(SrCa)AlSiN3 = Eu作為紅光螢光粉以及YAG = Ce做為黃綠光螢光粉。根據上述的步驟將螢光粉噴塗到發出波長為452nm的LED晶片上。如同圖2a中所示，第一光線與第二光線的混合，即紅光與藍光混合的第四光線具有色度座標Al?A4，而四個色度座標的差異來自於紅光螢光粉所覆蓋在LED晶片上的量以及LED晶片所發出的第一光線的波長差異。在本實施例中，紅光突光粉可以受激發出主波長為625nm的紅光,而LED晶片可以發出主波長為452nm的藍光。如同前述的步驟，在產生第四光線之後調整噴塗到LED晶片上的黃綠光螢光粉的量，使色度座標Al?A4沿著曲線LI?L4移動到區域Rl?R3內，其中黃綠光螢光粉可以受激發出主波長為539nm的黃綠光。而如圖2a所示，色度座標Al?A4沿著曲線LI?L4上移動到區域Rl?R3之間經過色度座標BI?B4、C1?C4與Dl?D4，這也代表在這個實施例中，是以三次噴塗黃綠光螢光粉方式使發光元件發出色座標位於區域Rl?R3內的白光。在本實施例中，位於區域Rl?R3內的白光是通過先決定紅光與藍光混合的第四光線所在的色度座標Al?A4，接著依據不同的色度座標Al?A4分次噴塗黃綠光螢光粉而達到目標的色度座標區域，因此可以減少在調整色度座標過程中使用的螢光粉量；而在別的實施例中，也可以通過圖2a以及本實施例中螢光粉的用量，再根據本發明的步驟藉分別以一次性的步驟覆蓋上述紅光螢光粉以及黃綠光螢光粉而得到本實施例中色座標落在區域Rl?R3的白光。並且，在本實施例中具有第五色度座標的白光，具有介於2700K?6500K的色溫。
[0039]圖2b顯不應用本發明的一實施例,突光粉受LED晶片激發出的光的色座標圖。在本實施例中，選擇(SrCa)AlSiN3 = Eu作為紅光螢光粉以及YAG = Ce做為黃綠光螢光粉，將螢光粉覆蓋到發出波長為452nm的LED晶片上。如同圖2b中所示，第一光線與第二光線的混合，即紅光與藍光混合的第四光線具有色度座標Al?AS，而八個色度座標的差異來自於紅螢光粉覆蓋在LED晶片上的量以及LED晶片所發出的第一光線的波長差異。在本實施例中，紅光螢光粉可以受激發出主波長為640nm的紅光，而LED晶片可以發出主波長為452nm的藍光。如同前述的步驟，得到色度座標Al?A8之後，調整覆蓋到LED晶片上的黃綠色螢光粉的量，使色度座標Al?A8沿著曲線LI?L8移動到區域Rl?R8內，其中黃綠光螢光粉可以受激發出主波長為539nm的黃綠光。而如圖2b所示，由於在本實施例中，是通過一次性的點膠方式分層塗布螢光粉，因此對色度座標上所記錄的色度座標變化而言，當色度座標Al?AS沿著曲線LI?L8上移動到區域Rl?R8的過程中並不會出現如圖2a的實施例中因為多次噴塗螢光粉以造成色度座標的移動而記錄到的其他色度座標BI?B8、Cl?C8與Dl?D8，而僅有初始的色度座標Al?A8以及最後各自所落入的區域Rl?R8。在本實施例中，位於區域Rl?R8內的白光是通過先決定紅光與藍光混合的第四光線所在的色度座標Al?AS，接著依據不同的色度座標Al?AS覆蓋黃綠光螢光粉而達到目標的色度座標區域。並且，本實施例中的白光，具有介於2700K?6500K的色溫。
[0040]在本發明上述的實施例中，所覆蓋的螢光粉大致上為均勻覆蓋在LED晶片上，而在其他實施例中也可以根據LED晶片的相對位置，使得LED晶片上部分區域相對於其他區域覆蓋有較多的螢光粉。
[0041]圖2c顯示對應圖2a?圖2b的實施例中，所使用的紅光螢光粉、黃綠光螢光粉與LED晶片所發出的光，在色座標圖上的相對關係。其中，斜線REDl與斜線RED2分別代表圖2a?圖2b的實施例中所使用發出625nm與640nm的紅光螢光粉所激發出的光與藍光晶片發出的光形成的的第四光線所具有的第二色度座標所在範圍的界線，並且兩個界線各自具有0.64與0.71的斜率。亦即，實施例中的第四光線所具有的第二色度座標與LED晶片的第一光線所具有的第一色度座標形成的直線，因為紅光螢光粉的用量不同，所形成的斜線其斜率落在斜線REDl與斜線RED2形成的範圍內。因此，第二色度座標具有一 x座標介於0.2108?0.4024之間以及一 y座標介於0.0605?0.2003之間，例如x座標可以是0.25、0.3,0.34或0.37，而y座標可以是0.07,0.1,0.16或0.18 ;亦即，第二色度座標大致落在一 X座標為0.31 ±32%以及y座標為0.14±57%所形成的範圍內。而在其他實施例中，第二色度座標具有一 X座標介於0.20?0.42之間以及一 J座標介於0.055?0.25之間，例如 X 座標可以是 0.205,0.3,0.34,0.37 或 0.41，而 y 座標可以是 0.058,0.16,0.18,0.21 或0.24 ;亦即，第二色度座標大致落在一 X座標為0.31 + 36%以及y座標為0.15 ±68%所形成的範圍內。
[0042]圖2c中斜線YGl與斜線YG2代表圖2a?圖2b的實施例中，第四光線的第二座標與第五光線的第三色度座標所形成的斜線的斜率範圍。亦即，第二座標與第三色度座標所形成的斜線具有一個斜率，並且這個斜率的範圍介於斜線YGl與斜線YG2的斜率之間，而在本實施例中，斜線YGl與斜線YG2各自具有1.6與0.3的斜率。實施例中的第四光線所具有的第二色度座標根據黃綠光螢光粉的用量不同，使得最後形成的第五光線具有的第三色度座標與第二色度座標之間的直線斜率落在斜線YGl與斜線YG2的範圍內。因此，第三色度座標具有一 X座標介於0.3028?0.4813之間以及一 y座標介於0.3113?0.4319之間，例如X座標可以是0.32,0.41或0.47，而y座標可以是0.32,0.35、0.4或0.42 ;亦即，第三色度座標大致落在一 X座標為0.39±24%以及y座標為0.37± 19%所形成的範圍內。而在本發明的實施例中，第二色度座標所在範圍的面積與第三色度座標所在範圍的面積的比值不小於1.5倍。
[0043]綜上所述，可以利用圖2c所示的螢光粉與相關色度座標之間的關係，進行在LED晶片上形成螢光粉的步驟以產生需要的白光。首先定出LED晶片所發出的第一光線所在的座標,而在本實施例中,第一光線的主波長介於450-490nm之間。接著利用圖2c中的斜線REDl與斜線RED2形成的範圍推估第四光線所在的第二色度座標，並根據所需要的第二色度座標位置覆蓋適量的紅光螢光粉。覆蓋適量的螢光粉之後以得到一個第二色度座標之後，再根據圖2c中斜線YGl與斜線YG2界定的範圍，根據所需要的白光所具有的第三色度座標覆蓋適量的黃綠光螢光粉。其中，調整第二色度座標與第三色度座標是通過覆蓋紅光螢光粉與黃綠光螢光粉，而所覆蓋的量以及使用的螢光粉組成則視色度座標的需求而調難
iF.0
[0044]在其他實施例中，所覆蓋的螢光粉也可以是與前述實施例不同，而是其他化學組成的突光粉；亦即前述所使用的分別是發出625nm與640nm的紅光突光粉,而在其他實施例中也可以使用發出的紅光主波長介於620_650nm之間的紅光突光粉,可以是跟前述紅光螢光粉具有相同化學成分但不同組成比例的紅光螢光粉，或是包含有其他化學成分的紅光螢光粉。相同地，前述所使用的是發出主波長為539nm的黃綠光螢光粉，而在別的實施例中可以使用所發出的黃綠光主波長介於500-570nm之間的黃綠光螢光粉，也就是使用的黃綠光螢光粉可以是跟前述黃綠螢光粉具有相同化學成分但不同組成比例的黃綠螢光粉，或是包含有其他化學成分的黃綠螢光粉。如上所述，所覆蓋的螢光粉成分並不限定於實施例中所公開的範圍，但所覆蓋的螢光粉受激發後所發出的紅光所具有主波長介於上述紅光主波長^20-650nm)的範圍內，並且發出的黃綠光所具有主波長介於上述黃綠光主波長(500-570nm)的範圍內；因此，所使用的黃綠光螢光粉可以為一種或多種成分相同或不同放光波長的黃綠光突光粉的混合物，而所使用的紅光突光粉可為一種或多種成分相同或不同放光波長的紅光螢光粉。並且所用來混合的黃綠光螢光粉或紅光螢光粉，其各自的波長都分別介於上述紅光主波長(620_650nm)的範圍內或是上述黃綠光主波長(500_570nm)的範圍內。而在別的實施例中，由於紅光螢光粉的不同，使得圖2c中的斜線REDl與RED2的斜率介於0.60?0.76之間。相同地，由於黃綠光螢光粉的不同，使得圖2c中的斜線YGl與YG2的斜率介於1.3?3.2之間。
[0045]圖3為根據本發明發光元件的一實施例的剖視圖，發光元件10包含基板2，形成於基板2之上的LED晶片4, 一覆蓋在LED晶片4上的第一光學單兀6, —形成於第一光學單元6之上的第二光學單元16，以及介於第一光學單元6與第二光學單元16之間的波長轉換層15。其中，基板2可以包含有電路與LED晶片4電性連結，使LED晶片4能經由電路電性連結到外部電源。此外，更可以選擇具有良好導熱性的材料作為基板2的材料，例如金屬或是陶瓷等導熱係數大於30(W/m°C)的材料，用以提供LED晶片4散熱路徑。第一光學單元6是由相對於LED晶片4所發出的光為透明的材料所組成，而第二光學單元16則是由相對於LED晶片4發出的光以及經過波長轉換層15轉換後的光皆為透明的材料所組成。在本實施例中，波長轉換層15位於第一光學單元6之上且與第一光學單元6具有相同輪廓，用以轉換LED晶片4所發出的光成為第一光線。其中,第一光學單兀6的形狀可以是拱形、球形或半球形等形狀，使得經由第一光學單元6的光維持一大致上為全周光的光線，接著再利用第二光學單元16加以調整為所需要的光場，而第二光學單元16的形狀可以依照光場需求選擇與第一光學單元6相同、相似或者相異的形狀，亦即相同的光經過第一光學單元6以及第二光學單元16之後形成的光場可以根據需求成為相同、相似或者相異的光場。被轉換過的光將與LED晶片4所發出的光混合成為白光，而波長轉換層15更包含至少一波長轉換材料，例如螢光粉。在其他實施例中，波長轉換層15更包含透明的膠體使得波長轉換材料能夠均勻的散布在第一光學單元6的表面。更在別的實施例中，波長轉換層15可以加入散射用的材料，例如二氧化鈦(T12),使得光經過波長轉換層15的時候能夠被散射由此增加各方向上的亮度。此外，經過波長轉換層15的第一光線具有一第一色溫及一第一光型，而經過第二光學單元16的第二光線具有一第二色溫及一第二光型，第一色溫與第二色溫實質上相同，而第一光型與第二光型可相同或不同。也就是從不同角度量測到的第二光型的光角度依實際需求所設計可以是大於、小於或等於第一光型的光角度。
[0046]由於在本實施例中，波長轉換層15與LED晶片4以第一光學單兀6相隔離，因此LED晶片4操作時所產生的熱相較於其他將波長轉換層15與LED晶片4直接接觸，在本實施例中較為不易傳導到波長轉換層15，相對的也比較不易影響波長轉換層15的波長轉換特性，因而改善使用時因為波長轉換層15的波長轉換特性變動造成所產生的白光色溫或色座標偏移的情況。而第二光學單元16可以根據不同需求改變不同的形狀以改變光場，因此在製造上可以先組成基板2、LED晶片4、波長轉換層15以及第一第一光學單元6的組件(例如:C0B封裝，chip on board封裝)，接著根據不同的需求設置不同形狀的第二光學單元16於組件上，即可完成不同的產品，因此具有大量生產上便於組裝及應用於多種需求的設計優勢。
[0047]以上所述的實施例僅為說明本發明的技術思想及特點，其目的在於使熟悉此項技術的人士能夠了解本發明的內容並據以實施，當不能以之限定本發明的專利範圍，即大凡依本發明所揭示的精神所作的均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明的權利要求範圍內。
【權利要求】
1.一發光元件，包含: 半導體發光疊層，發出一第一光線，具有第一色度座標； 第一波長轉換材料，位於該半導體發光疊層之上，吸收該第一光線並發出一第二光線；以及 第二波長轉換材料，位於該第一波長轉換材料之上，吸收該第一光線並發出一第三光線.其中，該第二光線與該第一光線混合後形成一具有一第二色度座標的第四光線，其中該第二色度座標位於該第一色度座標的右上方，並且該第四光線與該第三光線混合後形成一具有一第三色度座標的第五光線，並且該第三色度座標位於該第二色度座標的右上方。
2.如權利要求1所述的發光兀件，其中該第二色度座標落在一第一範圍為(汕土唚。/。，￠0 + (10%)，並且(￡10, 60，。0，(10) = (0.31，32，0.14，57)。
3.如權利要求1所述的發光元件，其中該第三色度座標落在一第二範圍為^±6%，。土孤)，並且(￡1,13, 0, (1) = (0.39，24,0.37，19)。
4.如權利要求1所述的發光兀件，其中該第五光線的色溫介於27001(?6500尺。
5.如權利要求1所述的發光兀件，其中該第一色度座標與該第二色度座標形成一第一直線，其中該第一直線的斜率介於0.6?0.76之間。
6.如權利要求1所述的發光元件，其中該第二色度座標與該第三色度座標形成一第二直線，並且該第二直線的斜率介於1.3?3.2之間。
7.如權利要求1所述的發光元件的製造方法，其中該第一光線的主波長範圍落在藍光波長範圍、該第二光線的主波長範圍落在紅光波長範圍，以及該第三光線的主波長範圍落在綠光波長範圍或黃光波長範圍。
8.一種發光元件的製造方法，包含: 提供發出一第一光線的一半導體發光疊層，其中該第一光線具有第一色度座標； 形成一第一波長轉換材料於該半導體發光疊層之上，其中該第一波長轉換材料吸收該第一光線並發出一第二光線；以及形成一第二波長轉換材料於該第一波長轉換材料之上，其中該第二波長轉換材料吸收該第一光線並發出一第三光線； 其中，該第二光線與該第一光線混合後形成一具有一第二色度座標的第四光線，其中該第二色度座標位於該第一色度座標的右上方，並且該第四光線與該第三光線混合後形成一具有一第三色度座標的第五光線，並且該第三色度座標位於該第二色度座標的右上方。
9.如權利要求8所述的發光元件的製造方法，還包含形成多個第一波長轉換層於該半導體發光疊層之上。
10.如權利要求8所述的發光兀件的製造方法，其中該第二色度座標分布在一第一範圍內，以及該第三色度座標分布在一第二範圍內，其中該第一範圍的面積與該第二範圍的面積比不小於1.5倍。
【文檔編號】H01L33/50GK104347783SQ201310328634
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年7月31日 優先權日:2013年7月31日
【發明者】葉巧雯, 陳星兆, 簡培倫 申請人:晶元光電股份有限公司