蝕刻反應槽的製作方法

2023-10-29 05:49:32 1

專利名稱：蝕刻反應槽的製作方法
技術領域：
本實用新型是關於一種蝕刻(Etching)設備，特別是關於一種蝕刻反應槽。
背景技術：
半導體晶片的製造過程中，在半導體晶片表面會塗布一些具有保護作用的薄膜層，如果塗布不均或者是厚度不符時需要將該薄膜層去除。以目前產業較為廣泛應用在晶片加工的等離子體去除法而言，其等離子體表面處理雖然可有效的將該薄膜層去除，並且不影響晶片的強度，但是該方法的處理面積較小，耗費時間較長，所以造成產能較低，並且在晶片表面會產生由多種物質結合成的化合物，從而影響後續處理及最終的產品特性。所以等離子體去除法僅適合於實驗室、少量或局部去除的處理情況。
目前，去除上述薄膜層較佳的方法為蝕刻去除法。現有的一種蝕刻技術是利用特定的蝕刻液與薄膜間所進行的化學反應來去除薄膜未被光阻覆蓋的部分，達到蝕刻目的，該蝕刻方式即為溼式蝕刻。溼式蝕刻需要在一反應槽中進行，該反應槽即為蝕刻反應槽。
一種現有技術的蝕刻反應槽可參照圖1，該蝕刻反應槽1包括一蝕刻反應腔10、多個滾軸16、一蝕刻液輸送管道12和一蝕刻液出口15。
該現有技術蝕刻反應槽1工作時，一待蝕刻對象5放置在該多個滾軸16上，並且在該多個滾軸16的帶動下左右滾動，蝕刻反應中所需的蝕刻液通過該蝕刻液輸送管道12，從該蝕刻液出口15進入該蝕刻反應腔10中，該蝕刻反應腔10中的蝕刻液與該待蝕刻對象5發生化學反應，從而將該待蝕刻對象5上需要蝕刻去除的薄膜蝕刻掉。
該現有技術的蝕刻反應槽1，其缺陷在於隨著蝕刻反應的不斷進行，該待蝕刻對象5附近的蝕刻液濃度逐漸降低，但是由於該蝕刻反應腔10中的蝕刻液流動效率降低，所以該待蝕刻對象5附近的蝕刻液濃度不能及時恢復到正常蝕刻反應所需的蝕刻液濃度，從而造成蝕刻的不均勻性。

實用新型內容為克服現有技術蝕刻反應槽蝕刻不均勻的問題，本實用新型的目的在於提供一種蝕刻較均勻的蝕刻反應槽。
本實用新型的蝕刻反應槽包括一蝕刻反應腔、一蝕刻液輸送管道和一蝕刻液出口，該蝕刻反應腔由該蝕刻反應槽的側面和底面合圍而成，該蝕刻反應槽的底面上具有多個突起。
與現有技術相比，本實用新型的蝕刻反應槽其底面上具有多個突起，蝕刻反應中，該多個突起可改善蝕刻反應槽中蝕刻液的流動效率，提高蝕刻反應質量，從而使本實用新型的蝕刻反應槽具有較佳的蝕刻效果；同時，由於該多個突起本身佔據一定空間，從而使得該蝕刻反應槽的蝕刻反應腔容積變小，此時為獲得相同蝕刻液濃度而需要添加的化學藥品數量減少，從而可以節省化學藥品的使用。

圖1是一種現有技術蝕刻反應槽的平面示意圖。
圖2是本實用新型蝕刻反應槽的平面示意圖。
圖3是本實用新型蝕刻反應槽的立體示意圖。
具體實施方式請同時參照圖2和圖3，圖2是本實用新型蝕刻反應槽的平面示意圖，圖3是本實用新型蝕刻反應槽的立體圖。本實用新型的蝕刻反應槽3包括一蝕刻反應腔30、一蝕刻液輸送管道32和一蝕刻液出口35。
本實用新型蝕刻反應槽3的蝕刻反應腔30由該蝕刻反應槽3的側面33與底面39合圍而成，該蝕刻液輸送管道32與該蝕刻反應槽3的底面39相連接，該蝕刻液出口35設置在該蝕刻反應腔30底部的正中位置，並且該蝕刻液出口35的四周具有多個阻隔物37；該蝕刻反應腔30內具有多個滾軸36，一待蝕刻對象7放置在該多個滾軸36上。該蝕刻反應槽3的製造材料為聚二氟乙烯；其中，該蝕刻反應槽3的底面39上具有多個突起301，該多個突起301的製造材料為聚二氟乙烯，其形狀為梯形、圓柱形、圓錐形或三角形，該多個突起301均勻設置在該蝕刻反應槽3的底面39上。
本實用新型蝕刻反應槽3的工作原理為，蝕刻液由一泵(圖未示)通過一蝕刻液輸送管道32送入該蝕刻反應槽3的蝕刻反應腔30中，一待蝕刻對象7放置在該多個滾軸36上，並且在該多個滾軸36的帶動下左右滾動，該蝕刻反應腔30中的蝕刻液與該待蝕刻對象7發生化學反應，從而將該待蝕刻對象7上需要蝕刻去除的薄膜蝕刻掉。
蝕刻反應過程中，隨著蝕刻反應的不斷進行，該蝕刻反應腔30中的蝕刻液濃度會發生變化。其中，靠近該待蝕刻對象7附近的蝕刻液由於消耗較多，因此該待蝕刻對象7附近的蝕刻液濃度較該蝕刻反應腔30中其餘位置的蝕刻液濃度低，如果該待蝕刻對象7附近的蝕刻液濃度不能及時恢復到正常蝕刻反應所需的蝕刻液，將導致蝕刻不均勻的現象發生。
本實用新型蝕刻反應槽3的底面39上具有多個突起301，該多個突起301的設置將改善該蝕刻反應腔30中蝕刻液的流動效率。首先，蝕刻液通過該蝕刻液輸送管道32而從該蝕刻液出口35進入該蝕刻反應腔30中，由於該蝕刻液出口35的四周具有多個阻隔物37，該蝕刻液在該多個阻隔物37作用下，向該蝕刻反應腔30的四周擴散。所以該多個阻隔物37的設置有利於蝕刻液在該蝕刻反應腔30中均勻擴散。其次，在蝕刻過程中，為使整個蝕刻反應腔30中的蝕刻液濃度均勻分布，往往可通過適當的攪拌來達到目的，在該蝕刻反應槽3的底面39上設置多個突起301後，同樣能達到使蝕刻液均勻分布於該蝕刻反應腔30中的目的。當該蝕刻液碰撞該多個突起301後，將改變流動方向而往該蝕刻反應腔30的上方流動，加速整個蝕刻反應腔30中蝕刻液的對流，此時蝕刻液中的反應物質往該待蝕刻物件7的表面所進行的質量傳遞將不再完全依賴蝕刻液的擴散作用，而可以通過蝕刻液的對流來提高蝕刻液中反應物質往該待蝕刻物件7的傳輸能力，因此可以改善該蝕刻反應腔30內各處的蝕刻液濃度，使得該蝕刻反應腔30內的蝕刻液濃度具有較高的均勻性，從而獲得較佳的蝕刻效果。同時，由於該多個突起301本身具有一定體積，使得該蝕刻反應腔30的內部容積變小，此時為獲得相同蝕刻液濃度所需要添加的化學藥品投入量將減小，從而節省化學藥品的使用。
權利要求1.一種蝕刻反應槽，其包括一蝕刻液輸送管道、一蝕刻液出口和一蝕刻反應腔，該蝕刻反應腔由該蝕刻反應槽的側面與底面合圍而成，其特徵在於該蝕刻反應槽的底面上具有多個突起。
2.如權利要求1所述的蝕刻反應槽，其特徵在於該多個突起的製造材料為聚二氟乙烯。
3.如權利要求1所述的蝕刻反應槽，其特徵在於該多個突起均勻排布在該蝕刻反應槽的底面。
4.如權利要求1所述的蝕刻反應槽，其特徵在於該多個突起的形狀為梯形。
5.如權利要求1所述的蝕刻反應槽，其特徵在於該多個突起的形狀為圓柱形。
6.如權利要求1所述的蝕刻反應槽，其特徵在於該多個突起的形狀為圓錐形。
7.如權利要求1所述的蝕刻反應槽，其特徵在於該多個突起的形狀為三角形。
8.如權利要求1所述的蝕刻反應槽，其特徵在於；該蝕刻反應槽的製造材料為聚二氟乙烯。
9.如權利要求1所述的蝕刻反應槽，其特徵在於該蝕刻液出口的四周具有多個阻隔物。
專利摘要本實用新型公開一種蝕刻反應槽，該蝕刻反應槽包括一蝕刻反應腔、一蝕刻液輸送管道和一蝕刻液出口。其中，該蝕刻反應槽的底面上具有多個突起。本實用新型能夠解決現有技術蝕刻反應槽蝕刻不均勻的問題，可應用於各種蝕刻設備中。
文檔編號C23F1/08GK2727190SQ20042007210
公開日2005年9月21日 申請日期2004年7月24日 優先權日2004年7月24日
發明者陳青楓, 黃榮龍, 黃昌桂, 歐振憲, 黃志鴻, 高勝洲 申請人:鴻富錦精密工業(深圳)有限公司, 群創光電股份有限公司