液晶面板中離子濃度的分析方法和裝置的製作方法
2023-10-27 08:00:17 3
專利名稱：液晶面板中離子濃度的分析方法和裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示面板領域，尤其涉及一種液晶面板中離子濃度的分析方法和裝置。
背景技術：
隨著科技的不斷進步，液晶顯示器基於其輕薄短小，大幅節省擺放空間等優點，已經逐漸代替陰極射線管顯示器成為電視和電腦顯示器等領域的主
要產品，液晶顯示器主要包括三種類型，即薄膜電晶體型(Thin FilmTransistor, TFT)、扭曲向列型(Twisted Nematic, TN)和超級扭曲向列型(S叩er Twisted Nematic， STN)。液晶顯示面4反是液晶顯示器中主要的組成部分，由彩膜基板、TFT陣列基板、液晶、封膠框和取向層等組成。
其中，液晶顯示面板中離子的含量對其導電性能至關重要，離子的含量會對液晶顯示器性能的很多方面產生影響，如電壓保持率、臨界電壓值、閃爍、殘像等，因此在液晶顯示器製造工藝中，液晶面板中的離子含量需要進行控制，例如對TN型液晶顯示器而言，液晶中陰、陽離子含量一般要達到如下指標最大陽離子含量不超過O. 5ppm，最大陰離子含量不超過100ppm。
現有技術中採用化學分析的方法來實現對離子含量的檢測，例如離子色傳等，通過化學分析方法來比較兩個液晶顯示面板中的離子濃度的大小關係，以及通過液晶顯示面板中離子濃度的大小關係來進一步判斷何種取向膜更容易引入離子等。利用化學分析方法測定離子濃度的方法具有一定的優點，如可以確定離子的成分、可以確定不同離子的具體含量等，該方法在離子成分和微觀分析時效果較好，但也存在很多不足，發明人在實現本發明的過程中，發現現有技術中的這種化學分析方法至少存在如下缺陷
4(1 )需要將液晶面板拆開，分析之後的液晶面板無法繼續使用或者進行
其他分析；
(2) 化學分析一般需要較長的時間；
(3) 由於主要分析液晶中的離子含量，但實際液晶面板中有很多離子是吸附於取向層表面的，因此分析的離子僅僅是液晶面板中的一部分；
(4 )體現的並非是液晶面板中總體離子濃度，只能對各部分離子濃度進行分別分析，如液晶方面、取向層方面、封框膠方面以及工藝方面等，將這些個體分析綜合在一起難度較大，難於實現。
發明內容
本發明的目的是針對上述現有技術的缺陷，提供一種液晶面板中離子濃度的分析方法和裝置，減小了對液晶面板的損害，減少了濃度分析所需的時間。
為了實現上述目的，本發明提供了一種液晶面板中離子濃度的分析方法，包括
分別調整測試液晶面板和標準液晶面板的公共電壓，並得到所述測試液
晶面板的第 一公共電壓和所述標準液晶面板的第 一公共電壓；
根據選取的測試電壓，分別調整所述測試液晶面板和所述標準液晶面板
的第一公共電壓；
在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中分別加載第一圖像，並將所述第 一 圖像在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中保持一段時間；將加載的所述第 一 圖像切換為第二圖像；
根據所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中的所述第二圖像中出現的殘像的程度，分析所述測試液晶面板中的離子濃度。
本發明還提供了一種液晶面板中離子濃度的分析裝置，包括調整模塊，用於分別調整測試液晶面板和標準液晶面板的公共電壓，得到所述測試液晶面板的第一公共電壓和所述標準液晶面板的第一公共電壓， 並根據選取的測試電壓，分別調整所述測試液晶面板和所述標準液晶面板的
第一公共電壓；
加載模塊，用於在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中分別加載第 一圖像，將所述第一圖像在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中保持一 段時間，並將加載的所述第一圖像切換為第二圖像。
本發明提供的一種液晶面板中離子濃度的分析方法和裝置，無需損毀液 晶面板便能達到對其中離子濃度的分析，減小了對液晶面板的損害，減少了 濃度分析所需的時間。
圖1為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例的流程圖； 圖2為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例的棋盤形黑白格畫 面的一示意圖3為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例的棋盤形黑白格畫 面的另一示意圖4為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例的針對圖3的理想 結果示意圖5為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例的針對圖3的實際 結果示意圖6為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例的坐標關係示意
圖7為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例針對圖2的實際結 果示意圖8為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例中實驗1的摩擦 取向方向示意圖；圖9為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例中實驗1的結果示 意圖10為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例中實驗2的摩 擦取向方向示意圖11為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例中實驗2的結果 示意圖12為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例中實驗3的結果 示意圖13為本發明液晶面板中離子濃度的分析裝置實施例的結構圖。 附圖標記說明
1—標準液晶面4反； 2—測試液晶面;f反； 11 —面殘l象；
12—豎直線殘像； 13—水平線殘像。
具體實施例方式
下面通過附圖和實施例，對本發明的技術方案做進一步的詳細描述。 圖1為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例的流程圖，如圖1
所示，本發明提供了一種液晶面板中離子濃度的分析方法，具體包括如下步
驟
步驟101，分別調整測試液晶面板和標準液晶面板的公共電壓，並得到 所述測試液晶面板的第 一公共電壓和所述標準液晶面板的第 一公共電壓。
在對測試液晶面板中的離子濃度進行檢查時，需要先選擇一個標準液晶 面板，標準液晶面板中的離子含量是符合液晶面板所規定的各項標準要求的， 例如對於TN型液晶顯示器來說，液晶中最大陽離子含量不超過0. 5卯m，最 大陰離子含量不超過100ppm。進一步地，所述標準液晶面板和所述測試液晶 面板具有相同的摩擦取向方向，由於液晶面板中摩擦取向方向有一定的差異， 而如果摩擦取向方向不同，會影響對其中離子濃度的分析。除此之外，標準液晶面板和測試液晶面板的其他規格及參數也需要保持一致，如具有相同的 型號、採用相同的材料等等，只有所選擇的標準液晶面板與測試液晶面板的 各項參數相同或相近，才能保證後續對比分析的結果有效。
本步驟101可以具體為分別對標準液晶面板和測試液晶面板的公共電 壓進行調整，其中，公共電壓可以具體為液晶面板的共用電壓(Vcom)，通 過對二者的共用電壓的調整，得到測試液晶面板的第二公共電壓和標準液晶 面板的第二公共電壓分別為VcomA和VcomB。
具體地，上述步驟101中分別調整測試液晶面板和標準液晶面板的公共 電壓可以具體為分別調整測試液晶面板和標準液晶面板的公共電壓，使得 標準液晶面板和測試液晶面板的直流分量電壓(Vdc)均為0,即實現將標準 液晶面板的中心區域的閃爍和測試液晶面板的中心區域的閃爍均調整至最 小。
步驟102,根據選取的測試電壓分別調整所述測試液晶面板和所述標準 液晶面板的第 一公共電壓。
具體地，本步驟可以為選取測試電壓；將測試液晶面板的第一公共電 壓調整為測試液晶面板的第二公共電壓，測試液晶面板的第二公共電壓為測 試液晶面板的第一公共電壓與測試電壓之和；將標準液晶面板的第一公共電 壓調整為標準液晶面板的第二公共電壓，標準液晶面板的第二公共電壓為標 準液晶面板的第一公共電壓與測試電壓之和。其中，第一公共電壓和第二公 共電壓為標準液晶面^1和測試液晶面板的不同時刻的^^共電壓的值，與步驟 101中的公共電壓所代表的為同一物理量。即本步驟可以具體包括如下步驟 首先選取測試電壓(VI),測試電壓的取值範圍可以為0. 05~lv,測試電壓 的值選取得越大，後續對殘像進行評價的時間越短。該取值範圍是發明人在 實現本發明的過程中經過實驗得出的較為合理的範圍，設置0. 05v作為下限 的原因為對於一般的面板而言，公共電壓並不一定能夠保證直流分量電壓 為0，但是直流分量電壓一般都維持在0. 05v以下，如假設為-0. 03v，將調整的公共電壓設置為0. 05v是為了確保對公共電壓進行+0. 05v的調整之後， 實際的直流分量電壓為0. 02v;設置lv作為上限的原因為測試電壓的值選 取得越大，後續所需的殘像評價時間越短，但經過實驗發現，如果測試電壓 的值選取太大，液晶面板顯示的畫面就會出現明顯的異常。其次，在選定測 試電壓之後，將測試液晶面板的第一公共電壓調整為測試液晶面板的第二公 共電壓，該第二公共電壓為測試液晶面板的第一公共電壓與測試電壓之和， 即此時測試液晶面才反的/^共電壓為VcomA+Vl，其中VcomA為測試液晶面;^反的 第一公共電壓；將標準液晶面板的第一公共電壓調整為標準液晶面板的第二 公共電壓，該第二公共電壓為標準液晶面板的第一公共電壓與測試電壓之和， 即此時標準液晶面板的公共電壓為VcomB+Vl，其中VcomB為標準液晶面板的 第一公共電壓。此時，測試液晶面板和標準液晶面板的直流分量電壓均為 -2*V1，以方波為例，如果高低電壓值分別為Vhigh-10V和Vlow=0V， Vcom=4V, 直流電壓為Vhigh-Vcom-(Vcom-Vlow)=Vhigh+Vlow-2Vcom (10-4) - ( 4-0 ) =2V,所以Vcom變化Vl時，直流分量電壓變化為-2 x VI。
步驟103，在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中分別加載第一圖 像，並將所述第一圖像在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中保持一段 時間。
具體地，選擇一個第一圖像，將其同時加載到測試液晶面板和標準液晶 面板中，即在測試液晶面板和標準液晶面板中加載相同的第一圖像。優選地， 第一圖像可以為棋盤形黑白格畫面，即由灰度為0和灰度為255的黑方格和 白方格構成的畫面，如圖2所示為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實 施例的棋盤形黑白格畫面的一示意圖，如圖3所示為本發明液晶面板中離子 濃度的分析方法實施例的棋盤形黑白格畫面的另 一 示意圖。在測試液晶面板 和標準液晶面板中加載第 一 圖像後，需要將第 一 圖像在測試液晶面板和標 準液晶面板中保持一段時間，進一步地，將所述第一圖像在所述測試液晶面 板和所述標準液晶面板中進行10分鐘~24小時的保持，具體時間與所選取
9的測試電壓有關，測試電壓的值越大，所需的時間越短。
步驟104，將加載的第一圖像切換為第二圖像。
將測試液晶面板和標準液晶面板中加載的第一圖像切換為第二圖像，其 中，第二圖像可以為使測試液晶面板和標準液晶面板具有相同灰度的畫面， 優選地，第二圖像可以為灰度為127的畫面。液晶面板長時間在電場作用下 會出現殘像， 一般包括線殘像和面殘像兩種，參見圖3和圖4,圖4為本發 明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例的針對圖3的理想結果示意圖。當 由圖3切換到圖4時，在液晶面板中顯示的理想圖像應為圖4，但實際上卻 不是，實際顯示的圖像為如圖5所示的本發明液晶面板中離子濃度的分析方 法實施例的針對圖3的實際結果示意圖。圖5中分別顯示了面殘像11和線殘 像，其中線殘像又分為豎直線殘像12和水平線殘像13。
線殘像產生的機理認為是離子的橫向移動，如圖6所示為本發明液晶面 板中離子濃度的分析方法實施例的坐標關係示意圖，以圖6中STN型的液晶 面板為例，x、 y分別表示面板內的方向，z表示垂直於面板的方向，cx表示 下基板的摩擦方向(rub. bot.)和x軸的角度，-a表示上基板的摩擦方向 (rub. top)和x軸的角度。由於離子在液晶分子的軸向的遷移率 和垂直
於軸向的遷移率/^不同，所以會產生橫向移動。公式(1)表示了離子在x, y, z三個方向上的移動速度
v(^)=
(1)
少
、v"
△// sin 0 cos 6 cos伊 △A sin P cos P sin p sin2 6 +cos2 ^
其中 = -a, e表示傾角，^表示扭曲角，e表示電場強度，n表示 離子濃度，t表示溫度。由於^和、的存在，而^與離子濃度平方成正比，、
與nxVdc成正比，因此、會導致豎直線殘像，、會導致水平線殘像。
步驟105,根據所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中的所述第二圖 像中出現的殘像的程度分析所述測試液晶面板中的離子濃度。經過上述的設置準備工作之後，可以開始進行測試液晶面板中的離子濃 度的比較分析。具體地，當測試液晶面板和標準液晶面板的輸入圖像切換為
灰度為127的畫面後，可以從顯示的畫面中看出二者出現不同程度的線殘像。 比較測試液晶面板與標準液晶面板中灰度為127的畫面中出現的線殘像的程 度，根據二者的線殘像的程度便可以對測試液晶面板中的離子濃度進行分析。 進一步地，上述步驟105中的分析測試液晶面板中的離子濃度的過程具 體為若測試液晶面板的殘像程度高於標準液晶面板的殘像程度，則測試液 晶面板的離子濃度大於標準液晶面板的離子濃度；若測試液晶面板的殘像程 度低於標準液晶面板的殘像程度，則測試液晶面板的離子濃度小於標準液晶 面板的離子濃度。即通過比較分析，如果測試液晶面板的線殘像的程度比標 準液晶面板的線殘像程度嚴重，則說明測試液晶面板中的離子濃度大於標準 液晶面板中的離子濃度；如果測試液晶面板的線殘像的程度比標準液晶面板 的線殘像程度輕微，則說明測試液晶面板中的離子濃度小於標準液晶面板中 的離子濃度。如圖7所示為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例針 對圖2的實際結果示意圖，從圖中可以看出，測試液晶面板2中出現的水平 線殘像13的殘像程度明顯比標準液晶面板1中出現的水平線殘像13的殘像 程度嚴重，則表明測試液晶面板2中的離子濃度大於標準液晶面板1中的離 子濃度。
具體地，發明人在實現本發明的過程中，還利用上述分析方法進行了有 關離子濃度的 一 系列實驗，具體的實驗條件及結果如下
實驗l:標準液晶面板和測試液晶面板均為TN型液晶面板，摩擦取向方 向相同，如圖8為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例中實驗1的 摩擦取向方向示意圖，圖8中的箭頭分別代表彩膜基板(CF)和陣列基板(TFT) 的摩擦取向方向。在實驗1中標準液晶面板和測試液晶面板的區別之處在於 選用的取向材料不同，假設標準液晶面板的取向材料為PIA,測試液晶面板 的取向材料為PIB，其餘條件均完全相同。本實驗中的測試電壓的值選取為
ii0. 5v,殘像評價時間為2小時。圖9為本發明液晶面板中離子濃度的分析方 法實施例中實驗1的結果示意圖，從圖9可以看出，標準液晶面板l的水平 線殘像13的殘像程度非常輕微，測試液晶面板2則出現較為明顯的水平線殘 像13。上述實驗結果表明，取向材料PIB比PIA更可能引入離子。
實驗2:本實驗改變摩擦取向的方向，其餘條件與實驗l均相同，如圖 10為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例中實驗2的摩擦取向方向 示意圖。圖11為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例中實驗2的結 果示意圖，從圖11可以看出，標準液晶面板1的豎直線殘像12的殘像程度 非常輕微，測試液晶面板2則出現較為明顯的豎直線殘像12。上述實驗結果 進一步表明取向材料PIB比PIA更有可能引入離子，同時，實驗結果說明， 由於摩擦方向改變，沒有出現水平線殘像，僅出現豎直線殘像12。
實驗3:本實驗改變測試電壓的取值，由0. 5v變為-0. 5v,其餘條件與 實驗 1均相同。圖12為本發明液晶面板中離子濃度的分析方法實施例中實 驗3的結果示意圖，從圖12可以看出，標準液晶面板1的水平線殘像13非 常輕微，測試液晶面板2則出現較為明顯的水平線殘像13。上述實驗結果進 一步表明取向材料PIB比PIA更有可能引入離子，同時，實驗結果說明，由 於測試電壓的變化引起外加直流電壓的方向發生改變，和實驗1相比，水平 線殘像13出現的位置發生變化。
上述實驗l、實驗2以及實驗3表明，與現有技術中的化學分析方法相 比，本發明所提供的液晶面板中離子濃度的分析方法可以更加直觀地反映離 子濃度的大小關係，可以應用在材料性能的評價上，如液晶材料、取向膜材 料和封框膠材料等等；同時，本方法可以體現液晶面板中總體離子濃度，而 現有技術中的化學分析方法則只能對液晶方面、取向層方面、封框膠方面以 及工藝方面的離子濃度進行分別分析，將其綜合在一起顯得非常困難。
本發明提供了一種液晶面板中離子濃度的分析方法，通過對測試液晶面 板和標準液晶面板中出現的殘像程度進行比較，實現了對液晶面板中離子濃
12度的分析，本方法無需損毀液晶面板便能達到對其中離子濃度的分析，減小 了對液晶面板的損害，減少了濃度分析所需的時間。
圖13為本發明液晶面板中離子濃度的分析裝置的結構圖，如圖13所 示，本發明提供的一種液晶面板中離子濃度的分析裝置具體包括調整模 塊1301和加載模塊1302，其中，調整模塊1301用於分別調整測試液晶面板 和標準液晶面板的公共電壓，得到測試液晶面板的第一公共電壓和標準液晶 面板的第一公共電壓，並根據選取的測試電壓分別調整測試液晶面板和標準 液晶面板的第一公共電壓；加載模塊1302用於在測試液晶面板和標準液晶面 板中分別加栽第一圖像，將所述第一圖像在所述測試液晶面板和所述標準液 晶面板中保持一段時間，並將加載的第 一圖像切換為第二圖像。
調整模塊1301將測試液晶面板和標準液晶面板的公共電壓均進行調整， 得到第二公共電壓之後，加載模塊1302將第一圖像分別加載到測試液晶面板 和標準液晶面^1中，優選地，第一圖像可以為棋盤形黑白格畫面。在測試液 晶面板和標準液晶面板中加載第一圖像後，需要將第一圖像在測試液晶面板 和標準液晶面板中進行10分鐘~24小時的保持，具體時間與所選取的測試 電壓有關。然後，加載模塊1302將測試液晶面板和標準液晶面板中的第一圖 像切換為第二圖像，優選地，第二圖像可以為灰度為127的畫面。測試液晶 面板和標準液晶面板的輸入圖像切換為灰度為127的畫面後，可以從顯示的 畫面中看出二者出現不同程度的線殘像。比較測試液晶面板與標準液晶面板 中灰度為127的畫面中出現的線殘像的程度，根據二者的線殘像的程度便可 以對測試液晶面板中的離子濃度進行分析。若測試液晶面板的殘像程度高於 標準液晶面板的殘像程度，則測試液晶面板的離子濃度大於標準液晶面板的 離子濃度；若測試液晶面板的殘像程度低於標準液晶面板的殘像程度，則測 試液晶面板的離子濃度小於標準液晶面板的離子濃度。
本發明提供了 一種液晶面板中離子濃度的分析裝置，通過對測試液晶面 板和標準液晶面板中出現的殘像程度進行比較，實現了對液晶面板中離子濃度的分析，無需損毀液晶面板便能達到對其中離子濃度的分析，減小了對液 晶面板的損害，減少了濃度分析所需的時間。
最後應說明的是以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其 限制；儘管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術 人員應當理解其依然可以對前述實施例所記載的技術方案進行修改，或者 對其中部分技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術 方案的本質脫離本發明實施例技術方案的精神和範圍。
權利要求
1、一種液晶面板中離子濃度的分析方法，其特徵在於，包括分別調整測試液晶面板和標準液晶面板的公共電壓，並得到所述測試液晶面板的第一公共電壓和所述標準液晶面板的第一公共電壓；根據選取的測試電壓，分別調整所述測試液晶面板和所述標準液晶面板的第一公共電壓；在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中分別加載第一圖像，並將所述第一圖像在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中保持一段時間；將加載的所述第一圖像切換為第二圖像；根據所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中的所述第二圖像中出現的殘像的程度，分析所述測試液晶面板中的離子濃度。
2、 根據權利要求1所述的液晶面板中離子濃度的分析方法，其特徵在於， 所述分別調整測試液晶面板和標準液晶面板的公共電壓具體為分別調整測 試液晶面板和標準液晶面板的公共電壓，使得所述測試液晶面板和所述標準 液晶面板的直流分量電壓均為0。
3、 根據權利要求1或2所述的液晶面板中離子濃度的分析方法，其特徵 在於，所述標準液晶面板和所述測試液晶面板具有相同的摩擦取向方向。
4、 根據權利要求3所述的液晶面板中離子濃度的分析方法，其特徵在於， 所述根據選取的測試電壓，分別調整所述測試液晶面板和所述標準液晶面板 的第一公共電壓具體為選取測試電壓；將所述測試液晶面板的第 一公共電壓調整為測試液晶面板的第二公共電 壓，所述測試液晶面板的第二公共電壓為所述測試液晶面板的第一公共電壓 與所述測試電壓之和；將所述標準液晶面板的第一公共電壓調整為標準液晶面板的第二公共電 壓，所述標準液晶面板的第二公共電壓為所述標準液晶面板的第一公共電壓與所述測試電壓之和。
5、 根據權利要求4所述的液晶面板中離子濃度的分析方法，其特徵在於， 所述第 一圖像為棋盤形黑白格畫面，所述第二圖像為使所述測試液晶面板和 所述標準液晶面板具有相同灰度的畫面。
6、 根據權利要求4所述的液晶面板中離子濃度的分析方法，其特徵在於， 所述測試電壓的取值範圍為0. 05 ~ lv。
7、 根據權利要求1所述的液晶面板中離子濃度的分析方法，其特徵在於， 所述將所述第一圖像在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中保持一段時 間具體為將所述第一圖像在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中進行 10分鐘~24小時的保持。
8、 根據權利要求1所述的液晶面板中離子濃度的分析方法，其特徵在於， 所述分析所述測試液晶面板中的離子濃度的過程具體為若測試液晶面板的 殘像程度高於標準液晶面板的殘像程度，則測試液晶面板的離子濃度大於標 準液晶面板的離子濃度；若測試液晶面板的殘像程度低於標準液晶面板的殘 像程度，則測試液晶面板的離子濃度小於標準液晶面板的離子濃度。
9、 一種液晶面板中離子濃度的分析裝置，其特徵在於，包括 調整模塊，用於分別調整測試液晶面板和標準液晶面板的公共電壓，得到所述測試液晶面板的第一公共電壓和所述標準液晶面板的第一公共電壓， 並根據選取的測試電壓，分別調整所述測試液晶面板和所述標準液晶面板的 第一公共電壓；加載模塊，用於在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中分別加載第一 圖像，將所述第一圖像在所述測試液晶面板和所述標準液晶面板中保持一段 時間，並將所述加載才莫塊加載的所述第一圖像切換為第二圖像。
全文摘要
本發明公開了一種液晶面板中離子濃度的分析方法和裝置，其中方法包括分別調整測試液晶面板和標準液晶面板的公共電壓，並得到測試液晶面板的第一公共電壓和標準液晶面板的第一公共電壓；根據選取的測試電壓，分別調整測試液晶面板和標準液晶面板的第一公共電壓；在測試液晶面板和標準液晶面板中分別加載第一圖像，並將第一圖像在測試液晶面板和標準液晶面板中保持一段時間；將加載的第一圖像切換為第二圖像；根據測試液晶面板和標準液晶面板中的所述第二圖像中出現的殘像的程度分析測試液晶面板中的離子濃度。液晶面板中離子濃度的分析裝置包括調整模塊和加載模塊。本發明減小了對液晶面板的損害，減少了濃度分析所需的時間。
文檔編號G02F1/13GK101650480SQ20081011824
公開日2010年2月17日 申請日期2008年8月11日 優先權日2008年8月11日
發明者趙海玉 申請人:北京京東方光電科技有限公司