一種異質結太陽能電池的製備方法及異質結太陽能電池與流程

2023-06-13 10:43:56 1

本發明涉及新能源領域，具體涉及一種異質結太陽能電池的製備方法及異質結太陽能電池。

背景技術：

隨著技術的快速發展，晶體矽太陽電池的轉換效率逐年提高。當前，我國正在大力推廣分布式太陽能光伏發電，由於屋頂資源有限，需求高轉換效率的太陽電池組件。正是由於高效單晶異質結電池具有高效率、低能耗、工藝流程簡單、溫度係數小等諸多優點，未來幾年內將得到大力發展，其效率的提升尤為重要。

常規hit異質結電池的pn結構為a-si:h(p)(p型摻雜層)/a-si(本徵i)/c-si(單晶矽)/a-si(本徵i)/a-si:h(n)(n型摻雜層)，為增強pn結的內建電廠可以通過提高摻雜層的摻雜濃度實現，但是對摻雜層提高濃度的同時也會促使雜質擴散進本徵層內，而降低本徵層的鈍化效果，進而電池的轉換效率也隨降低。

如何提供一種即能夠保證高摻雜濃度的同時，又能避免雜質擴散至本徵層內導致電池轉換效率降低的太陽能電池的製備方法及太陽能電池成為本領域技術人員需要解決的技術問題。

技術實現要素：

本發明提供一種異質結太陽能電池的製備方法，以解決現有技術中在摻雜濃度高的情況下導致本徵層鈍化效果差，電池轉換效率受到降低的問題。

本發明提供一種異質結太陽能電池的製備方法，包括：

提供基片；

在所述基片的兩側分別沉積本徵層；

在所述基片兩側的所述本徵層上分別沉積n型摻雜層和p型摻雜層，所述n型摻雜層和/或p型摻雜層至少為兩層，且所述n型摻雜層和/或所述p型摻雜層的各層在遠離所述基片的縱向方向上的摻雜濃度呈遞增狀；

在所述n型摻雜層和所述p型摻雜層上分別依次形成透明導電層和電極層。

優選的，所述n型摻雜層和/或p型摻雜層的各層在遠離所述基片縱向方向上的厚度呈遞減狀。

優選的，在所述基片上的所述本徵層上沉積n型摻雜層包括：

在所述本徵層上沉積第一n型摻雜層，沉積條件為：氣體流量體積比範圍為h2/sih4/ph3＝4～10/2/1～2；氣壓範圍為大於等於0.3mbar，小於等於2.0mbar；射頻功率範圍為大於等於500w，小於等於2000w；厚度範圍為大於5nm，小於等於10nm；

在所述第一n型摻雜層上沉積第二n型摻雜層，沉積條件為：氣體流量體積比的範圍h2/sih4/ph3＝4～10/2/2～3；氣壓範圍為大於等於0.3mbar，小於等於2.0mbar；射頻功率範圍為大於等於500w，小於等於2000w；厚度範圍為大於3nm，小於等於5nm；

在所述第二n型摻雜層上沉積第三n型摻雜層，沉積條件為：氣體流量體積比的範圍是h2/sih4/ph3＝4～10/2/3～4；氣壓範圍為大於等於0.3mbar，小於等於2.0mbar；射頻功率範圍為大於等於500w，小於等於2000w；厚度範圍為大於等於1nm，小於等於3nm。

優選的，在沉積每一所述n型摻雜層是在抽真空後進行。

優選的，在所述基片上的所述本徵層上沉積p型摻雜層的沉積條件為：

氣體流量體積比為h2/sih4/b2h6＝4～10/2/1～4；氣壓範圍為大於等於0.3mbar，小於等於2.0mbar；射頻功率範圍為大於等於500w，小於等於2000w；沉積厚度範圍為大於等於4nm，小於等於10nm。

優選的，所述本徵層採用的沉積方式是：採用甚高頻-等離子體增強化學氣相沉積。

優選的，所述本徵層的沉積條件為：

氣體流量體積比為h2/sih4＝0～10/1；氣壓範圍為大於等於0.3mbar，小於等於2.0mbar；射頻功率範圍為大於等於200w，小於等於2000w；沉積厚度範圍為大於等於5nm，小於等於15nm。

優選的，所述提供基片包括：

對所述基片的表面進行制絨和/或清洗的預處理。

本發明還提供一種異質結太陽能電池，包括：基片，本徵層、n型摻雜層、p型摻雜層和電極層，所述本徵層設置於所述基片的兩側，所述n型摻雜層和p型摻雜層分別設置於所述基片兩側的所述本徵層上，所述電極層分別設置於所述基片兩側的所述n型摻雜層和p型摻雜層上；

所述n型摻雜層和/或p型摻雜層至少設置為兩層，且在遠離所述基片的縱向方向上，所述n型摻雜層和/或p型摻雜層中各層的摻雜濃度呈遞增狀。

優選的，所述n型摻雜層和/或p型摻雜層的各層在遠離所述基片的縱向方向上的厚度呈遞減狀。

優選的，在所述n型摻雜層設置於所述基片的所述本徵層包括：

在靠近所述本徵層的一側設置第一n型摻雜層；

在所述第一n型摻雜層上設置第二n型摻雜層；

在所述第二n型摻雜層上設置第三n型摻雜層。

優選的，所述第一n型摻雜層的厚度範圍為大於5nm，小於等於10nm；所述第二n型摻雜層的厚度範圍為大於3nm，小於等於5nm，所述第三n型摻雜層的厚度範圍為大於等於1nm，小於等於3nm。

優選的，在所述p型摻雜層設置於所述基片的所述本徵層包括：

所述p型摻雜層的厚度範圍為大於等於4nm，小於等於10nm。

優選的，所述本徵層的厚度範圍為大於等於5nm，小於等於15nm。

與現有技術相比，本發明具有以下優點：

本發明提供的一種異質結太陽能電池的製備方法，通過在所述基片兩側的本徵層上分別沉積n型摻雜層和p型摻雜層，所述n型摻雜層和/或p型摻雜層至少為兩層，且所述n型摻雜層和/或所述p型摻雜層的各層在遠離所述基片的縱向方向上的摻雜濃度呈遞增狀，一方面能夠實現異質結太陽能的高濃度摻雜，能夠保證所述第一本徵層不受到雜質滲入的影響，形成一個電場方向與pn結一致的n/n+/n++電場，以增加pn結的內建電場，達到提升電池轉換效率的目的；另一方面為避免過高的界面態密度而導致電池片低效，p型和n型摻雜層不能彼此接觸，本發明通過在所述基片的縱向方向上進行沉積摻雜無需額外的掩膜過程或者摻雜後增加去除部分摻雜層的過程，即：在對所述基片的一側進行沉積摻雜時，無需對所述基片的另一側進行掩膜或遮擋，以及在摻雜完成後進行去除摻雜等工序，僅需在一側沉積完畢後再沉積另一側即可，進而提高生產效率。

附圖說明

圖1是本發明提供的一種異質結太陽能電池的製備方法實施例的流程圖；

圖2是本發明提供的一種異質結太陽能電池實施例的結構示意圖。

具體實施方式

在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同於在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣，因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。

請參考圖1所示，圖1是本發明提供的一種異質結太陽能電池的製備方法實施例的流程圖。

本發明提供一種異質結太陽能電池的製備方法，包括：

步驟s101：提供基片；

所述步驟s101的基片可以是一個n型單矽片，為提高異質結太陽能電池的性能，由於所述基片上可能存在金屬雜質和/或油汙會對電池的性能造成影響，因此，可以對所述基片表面進行制絨和/或清洗的預處理。

在本實施例中，對所述基片表面分別進行清洗和制絨處理後再進入下一步驟。其中，清洗工序能夠去除所述基片表面的油汙、金屬雜質等，通常情況下，所述矽片表面可能存在的雜質包括：油脂、松香、蠟、環氧樹脂、聚乙二醇等有機物；或者是金屬、金屬離子及一些無機化合物；或者是塵埃及其他顆粒(矽、碳化矽)等。

所述清洗的方式可以包括：物理清洗和化學清洗。所述物理清洗包括：

1、刷洗或擦洗：可除去顆粒汙染和大多數粘在矽片上的薄膜。

2、高壓清洗：是用液體噴射矽片表面，噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，矽片不易產生劃痕和損傷。但高壓噴射會產生靜電作用，靠調節噴嘴到矽片的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。

3、超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液，靠氣蝕作用洗掉矽片上的汙染。但是，從有圖形的矽片上除去小於1微米顆粒則比較困難，將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。

所述化學清洗是為除去原子、離子不可見的汙染，方法較多，有溶劑萃取、酸洗(硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等)和等離子體法等。

常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強鹼以及高純中性洗滌劑等，其中雙氧水體清洗方法效果較好，環境汙染小。一般方法是將矽片先用成分比為h2so4:h2o2＝5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性會將有機物分解而除去；用超純水衝洗後，再用成分比為h2o:h2o2:nh4oh＝5:2:1或5:1:1或7:2:1的鹼性清洗液清洗，由於h2o2的氧化作用和nh4oh的絡合作用，許多金屬離子形成穩定的可溶性絡合物而溶於水；然後使用成分比為h2o:h2o2:hcl＝7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由於h2o2的氧化作用和鹽酸的溶解，以及氯離子的絡合性，許多金屬生成溶於水的絡離子，從而達到清洗的目的。

可以理解的是，所述清洗處理的具體實現過程可以根據所述基片表面的情況來確定，例如：採用清洗的方式、清洗劑的使用類型、清洗時間、制絨使用的混合液、制絨時間等等都可以根據實際基片的自身條件來確定。

對清洗後的矽片需要進行烘乾，防止矽片再次汙染以及在矽片表面產生清洗所留下的印記。通常可以通過旋轉烘乾或通過熱空氣或熱氮氣是矽片烘乾，或者在矽片表面塗抹易揮發的液體，例如：異丙醇等，通過液體的快速發揮對矽片表面進行乾燥處理；或者直接進行風乾。

所述制絨可以使基片表面粗糙形成金字塔形的絨面，增加基片對太陽光的吸收。

所述制絨處理可以利用矽在低濃度鹼液中的各向異性腐蝕，進而在矽片表面形成金字塔結構。通常情況下，制絨工藝常用naoh、na2sio3等混合溶液在75～90℃反應25～35min。

可以理解的是，所述制絨處理具體實現過程可以根據所述基片表面的情況來確定，例如：制絨使用的混合液，制絨時間等等。

步驟s102：在所述基片的兩側分別沉積本徵層；

所述步驟s102的具體實現過程可以是，在所述基片上通過採用高頻-等離子體增強化學氣相沉積(vhf-pecvd)方法沉積本徵層，可以採用40mhz高頻-等離子體增強化學氣相沉積。

沉積具體條件可以是：

採用氣體流量體積比的範圍為h2/sih4＝0～10/1，在本實施例中，優選流量體積比為h2/sih4＝4/1；氣壓範圍為大於等於0.3mbar，小於等於2.0mbar，在本實施例中，優選的氣壓值是0.5mbar；射頻功率範圍為大於等於200w，小於等於2000w，在本實施例中，優選的射頻功率值是400w，沉積厚度範圍為大於等於5nm，小於等於15nm，在本實施例中，優選的厚度值是10nm。

需要說明的是，所述氣體流量體積比的範圍為h2/sih4＝0～10/1，是指向反應腔室內通入氫氣和矽烷的流量體積比範圍，所述氫氣(h2)的流量體積範圍是大於等於0，小於等於10，矽烷(sih4)的流量體積是1。

為更清楚的說明所述本徵層的沉積，在本實施例中，在所述基片的兩側分別沉積第一本徵層和第二本徵層，也就是說，所述第一本徵層和所述第二本徵層在縱向方向上位於所述基片的兩側。

步驟s103：在所述基片兩側的所述本徵層上分別沉積n型摻雜層和p型摻雜層，所述n型摻雜層和/或p型摻雜層至少為兩層，且所述n型摻雜層和/或所述p型摻雜層的各層在遠離所述基片的縱向方向上的摻雜濃度呈遞增狀；

所述步驟s103的具體實現過程是，在所述基片兩側的所述本徵層上分別沉積至少兩層n型摻雜層和/或至少兩層p型摻雜層，也就是說，縱向方向上在所述第一本徵層上沉積所述n型摻雜層，在所述第二本徵層上沉積所述p型摻雜層。

在本實施例中，在所述第一本徵層上沉積三層所述n型摻雜層，在所述第二本徵層上沉積一層所述p型摻雜層，具體如下：

在所述第一本徵層上沉積第一n型摻雜層，具體沉積方式如下：

採用氣體流量體積比範圍為h2/sih4/ph3＝4～10/2/1～2，在本實施例中，優選的氣體流量體積比為h2/sih4/ph3＝6/2/1；氣壓範圍為大於等於0.3mbar，小於等於2.0mbar，在本實施例中，優選的氣壓值為0.8mbar；射頻功率範圍為大於等於500w，小於等於2000w，在本實施例中，優選的射頻功率值為1000w；沉積厚度範圍為大於5nm，小於等於10nm，在本實施例中，優選的沉積厚度值為6nm。

需要說明的是，所述氣體流量體積比範圍為h2/sih4/ph3＝4～10/2/1～2是指，所述氫氣(h2)的流量體積範圍為大於等於4，小於等於10；所述矽烷(sih4)的流量體積為2；所述磷烷(ph3)的流量體積範圍為大於等於1，小於等於2；

在所述第一n型摻雜層上沉積所述第二n型摻雜層，具體沉積方式如下：

採用氣體流量體積比範圍為h2/sih4/ph3＝4～10/2/2～3，在本實施例中，優選的氣體流量體積比為h2/sih4/ph3＝5/2/2；氣壓範圍為大於等於0.3mbar，小於等於2.0mbar，在本實施例中，優選的氣壓值為0.8mbar；射頻功率範圍為大於等於800w，小於等於1200w，在本實施例中，優選的射頻功率值為1000w；沉積厚度範圍為大於3nm，小於等於5nm，在本實施例中，優選的沉積厚度值為4nm。

需要說明的是，所述氣體流量體積比範圍為h2/sih4/ph3＝4～10/2/2～3是指，所述氫氣(h2)的流量體積範圍為大於等於4，小於等於10；所述矽烷(sih4)的流量體積為2；所述磷烷(ph3)的流量體積範圍為大於等於2，小於等於3；

在所述第二n型摻雜層上沉積所述第三n型摻雜層，具體沉積方式如下：

採用氣體流量體積比的範圍是h2/sih4/ph3＝4～10/2/3～4，在本實施例中優選的氣體流量體積比為h2/sih4/ph3＝4/2/3；氣壓範圍為大於等於0.6mbar，小於等於1.0mbar，在本實施例中，優選的氣壓值為0.8mbar；射頻功率範圍為大於等於800w，小於等於1200w，在本實施例中，優選的射頻功率值為1000w；沉積厚度範圍為大於等於1nm，小於等於3nm，在本實施例中，優選的沉積厚度值為2nm。

需要說明的是，所述氣體流量體積比範圍為h2/sih4/ph3＝4～10/2/3～4是指，所述氫氣(h2)的流量體積範圍為大於等於4，小於等於10；所述矽烷(sih4)的流量體積為2；所述磷烷(ph3)的流量體積範圍為大於等於3，小於等於4；

可以理解的是，在沉積所述第一n型摻雜層、第二n型摻雜層和第三n型摻雜層可以通過控制向反應腔室內通入的氣體流量體積的大小，實現每一n型摻雜層不同的濃度，例如：在沉積所述第一n型摻雜層時，通入所述反應腔室內的氣體流量體積比是h2/sih4/ph3＝6/2/1；在沉積所述第二n型摻雜層時，通入所述反應腔室內的氣體流量體積比是h2/sih4/ph3＝5/2/2；在沉積所述第三n型摻雜層時，通入所述反應腔室內的氣體流量體積比是h2/sih4/ph3＝4/2/3；也就是，主要在所述矽烷通入量一定的情況下，通過調節通入所述反應腔室內的氫(h2)和磷烷(ph3)流量體積控制n型摻雜層的摻雜濃度。

在本實施例中，沉積所述第一n型摻雜層、第二n型摻雜層和第三n型摻雜層的過程中，所述通入氣體流量體積的比值是逐漸遞增的，即：所述第一n型摻雜層的摻雜濃度小於所述第二n型摻雜層的摻雜濃度，所述第二n型摻雜層的摻雜濃度小於所述第三n型摻雜層的摻雜濃度。

在本實施例中是通過調節通入所述氣體流量體積比來實現對各個n型摻雜層摻雜濃度的控制，可以理解的是，對於各個n型摻雜層的摻雜濃度的控制還可以通過調節通入所述反應腔室內氣體質量百分比濃度，控制各個n型摻雜層摻雜濃度的控，即：在縱向方向上沉積各層n型摻雜層時，所述氣體質量百分比濃度呈遞增狀即可。

本實施中，為保證異質結太陽能電池的整體結構在增加摻雜層後，減小其空間佔用量，各層n型摻雜層的沉積厚度在遠離所述基片的縱向方向上呈遞減狀，即：所述第一n型摻雜層的厚度大於所述第二n型摻雜層的厚度，所述第二n型摻雜層的厚度大於所述第三n型摻雜層的厚度；例如：實施例中，所述第一n型摻雜層的沉積厚度為6nm，所述第二n型摻雜層的沉積厚度為4nm，所述第三n型摻雜層的沉積厚度為2nm。

需要說明的是，本實施中沉積第一n型摻雜層、第二n型摻雜層和第三n型摻雜層的過程中，在向所述反應腔室內通入反應氣體前，對所述反應腔室進行抽真空處理，從而確保反應腔室內無殘留氣體，以避免影響後續的沉積反應過程。

在本實施例中，當所述第一n型摻雜層、第二n型摻雜層和第三n型摻雜層在所述第一本徵層上沉積完畢後，將所述基片翻面對所述第二本徵層沉積所述p型摻雜層。

在所述第二本徵層上沉積所述p型摻雜層的沉積條件是：

採用氣體流量體積比是h2/sih4/b2h6＝6/2/1；氣壓範圍為大於等於0.6mbar，小於等於1.0mbar，在本實施例中，優選的是0.8mbar；射頻功率範圍為大於等於800w，小於等於1200w，在本實施例中，優選的是1000w；沉積厚度範圍為大於等於4nm，小於等於10nm，在本實施例中，優選的是8nm。

在本實施例中是單側形成多層n型摻雜層，其優勢在於：

1、通過在第一本徵層上縱向依次沉積多層n型摻雜層且摻雜濃度呈遞增狀實現異質結太陽能的高濃度摻雜，能夠保證所述第一本徵層不受到雜質滲入的影響，形成一個電場方向與pn結一致的n/n+/n++電場，以增加pn結的內建電場，達到提升電池轉換效率的目的；

2、為避免過高的界面態密度而導致電池片低效，p型和n型摻雜層不能彼此接觸,本發明通過在所述基片的縱向方向上進行沉積摻雜無需額外的掩膜過程或者摻雜後增加去除部分摻雜層的過程，即：在對所述基片的一側進行沉積摻雜時，無需對所述基片的另一側進行掩膜或遮擋，以及在摻雜完成後進行去除摻雜等工序，僅需在一側沉積完畢後再沉積另一側即可，進而提高生產效率

需要說明的是，本發明提供的異質結太陽能電池的製備方法可以根據不同的需求在所述第一本徵層上分別依次沉積多層n型摻雜層，在所述第二本徵層上沉積一層p型摻雜層；或者在所述第二本徵層上分別依次沉積多層p型摻雜層，在所述第一本徵層上沉積一層n型摻雜層；或者在所述第一本徵層上分別依次沉積多層n型摻雜層，在所述第二本徵層上依次沉積多層p型摻雜層。

所述第一本徵層和所述第二本徵層沉積條件相同，結構相同，用第一和第二加以區分僅為描述方便而已，並不是限定二者沉積的先後順序。

沉積過程可以先進行一側沉積之後在進行另一側沉積，具體沉積的層數根據實際需要確定，以及多層摻雜層的沉積方式(多層n摻雜層和/或多層p摻雜層)也可以根據具體需要設定。

以上本實施中的舉例僅為說明本發明異質結太陽能電池的製備過程，並不限制具體沉積過程中的各參數、方式等。

步驟s104：在所述n型摻雜層和所述p型摻雜層上分別依次形成透明導電層和電極層。

所述步驟s104的具體實現過程可以是，通過物理氣相沉積法(pvd：physicalvapordeposition)在所述n型摻雜層和所述p型摻雜層上分別依次形成透明導電層。

所述物理氣相沉積法包括：真空蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍膜；所述真空蒸發鍍膜是使源物質加熱蒸發；所述濺射鍍膜是用具有一定能量的粒子轟擊源物質靶，從靶上濺出源物質原子；所述離子鍍膜是用雷射照射靶，利用熱效應使靶材物質蒸發並等離子體化。

在本實施例中，採用濺射鍍膜濺射透明導電層(tco：transparentconductiveoxide)，採用濺射鍍膜沉積方法的好處在於，濺射鍍膜不受靶材限制，純度高，緻密性好以及結合性好。

本實施中，在所述第三n型摻雜層上沉積所述透明導電層，在所述第p型摻雜層上沉積所述透明導電層。

在沉積透明導電層後在所述透明導電層上形成電極層，所述電極層可以通過絲網印刷工藝實現。

對於異質結電池，降低界面複合，有利於光生載流子的收集和運輸，提高電池片的轉換效率。對於高濃度的n型摻雜，雖然能增加pn結的內建電場，但是高濃度摻雜會引入過多的雜質進入本徵層，從而降低本徵層的鈍化效果，本實施例中，在接觸本徵層的面(或者是說靠近本徵層的一側)採用低濃度摻雜，杜絕n型摻雜層的雜質滲入本徵層，保證了本徵層的鈍化效果，降低電池的表面複合；與此同時，在低濃度摻雜層上再進行梯度重摻雜，也就是說，在由靠近本徵層直至遠離本徵層的縱向方向上逐漸增加摻雜濃度，有效增加了pn結內建電場；另一方面與透明導電層(tco)接觸的n型膜層經過重摻雜有利於降低n型摻雜層與透明導電層的接觸電阻，提高載流子的運輸能力，進而提高電池轉換效率。

以上是對本發明提供的一種異質結太陽能電池的製備方法實施例進行的詳細描述，下面結合上述對方法的描述介紹本發明提供的一種異質結太陽能電池的具體結構，具體如下：

請參考圖2所示，圖2是本發明提供的一種異質結太陽能電池實施例的結構示意圖，本發明提供的異質結太陽能電池包括：

基片201，本徵層202、n型摻雜層203、p型摻雜層204、透明導電層205和電極層206。

所述本徵層202設置於所述基片201的兩側，所述n型摻雜層203和p型摻雜層204分別設置於所述基片201兩側的所述本徵層202上，所述電極層206分別設置於所述基片201兩側的所述n型摻雜層203和p型摻雜層204上；

所述n型摻雜層203和/或p型摻雜層204至少設置為兩層，且在遠離所述基片201的縱向方向上，所述n型摻雜層203和/或p型摻雜層204中各層的摻雜濃度呈遞增狀。

在本實施例中，通過在本徵層202上設置多層n型摻雜層203來進行說明，即：

在靠近所述本徵層202的一側設置第一n型摻雜層2031；

在所述第一n型摻雜層2031上設置第二n型摻雜層2032；

在所述第二n型摻雜層2032上設置第三n型摻雜層2033。

為更清楚的了解本實施中電池的結構，對所述本徵層202進行名稱上的限定，即：所述基片201縱向方向上的兩側分別為第一本徵層2021和第二本徵層2022。

在所述第一本徵層2021上設置第一n型摻雜層2031，在所述第一n型摻雜層2031上設置第二n型摻雜層2032，在所述第二n型摻雜層2032上設置第三n型摻雜層2033。

所述第一n型摻雜層2031的厚度範圍為大於5nm，小於等於10nm，在本實施例中，優選的沉積厚度值為6nm。

所述第二n型摻雜層2032的厚度範圍為大於3nm，小於等於5nm，在本實施例中，優選的沉積厚度值為4nm。

所述第三n型摻雜層2033的厚度範圍為大於等於1nm，小於等於3nm，在本實施例中，優選的沉積厚度值為2nm。

在所述第二本徵層2022上設置p型摻雜層204，所述p型摻雜層204的厚度範圍為大於等於10nm，小於等於6nm，在本實施例中，優選的沉積厚度值為8nm。

所述第一本徵層2021和所述第二本徵層2022的厚度範圍為大於等於5nm，小於等於15nm，在本實施例中，優選的沉積厚度值為10nm。

本發明雖然以較佳實施例公開如上，但其並不是用來限定本發明，任何本領域技術人員在不脫離本發明的精神和範圍內，都可以做出可能的變動和修改，因此本發明的保護範圍應當以本發明權利要求所界定的範圍為準。