一種像素結構及其製造方法與修複方法
2023-06-13 05:33:56 3
一種像素結構及其製造方法與修複方法
【專利摘要】本發明公開了一種具有線缺陷修復功能的雙柵驅動的像素結構，包括掃描線、數據線、像素電極和薄膜電晶體開關。每根數據線的兩側分別通過電晶體開關連接到一個像素的像素電極，電晶體開關的柵極分別連接上下兩側的掃描線。在上下兩行像素之間設計H型修複線，結合本發明公開的線缺陷修複方法可以修復掃描線的斷線缺陷。在上下兩行像素之間以及未設計數據線的像素電極之間設計「豐」字型修複線，結合本發明公開的線缺陷修複方法可以修復掃描線的斷線缺陷、數據線的斷線缺陷、掃描線和數據線的短路線缺陷。
【專利說明】一種像素結構及其製造方法與修複方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及平板顯示領域，尤其涉及一種利用液晶顯示器的像素結構及其製造方法與修複方法。
【背景技術】
[0002]薄膜電晶體液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,以下簡稱TFT-LCD)，具有重量輕、厚度薄以及低功耗等優點，廣泛應用於電視、手機、顯示器等電子產品中。為了減少驅動IC的顆數，開發出低成本高品質的TFT-LCD，現有技術中通常採用雙柵(Dual Gate)技術驅動像素，以縮短像素充電時間實現低成本高品質的畫面顯示。
[0003]採用雙柵技術的像素結構示意圖如圖1所示，在同一行像素中，沿著數據線12左右分布著兩個像素單元如P13、P14，每個像素單元都由掃描線11、數據線12、像素電極13和薄膜電晶體14構成，在數據線12兩側的像素單元中，像素電極13都通過薄膜電晶體14的源電極142連接到同一根數據線12，同時兩個電晶體14的柵極連接在上下不同掃描線11上進行像素驅動。為了防止液晶在直流電場下的老化，需要對液晶兩端的電荷極性不斷地變化，實現像素的點翻轉，列翻轉以及幀翻等，為了提高整個顯示畫面的品質，像素點翻轉驅動方式已慢慢成為目前顯示的主流方式。
[0004]圖2為現有的一種雙柵極驅動架構的像素結構。位於最底層的是掃描線21、公共電極26和薄膜電晶體24的柵極241，在掃描線21和公共電極26的上方是薄膜電晶體24的半導體溝道層244。在掃描線21和半導體溝道層244之間隔著透明的絕緣物質。在半導體溝道層244的上方是數據線22、薄膜電晶體24的漏極242、薄膜電晶體24的源極243。在薄膜電晶體24的漏極242的上方是接觸孔25，接觸孔25是漏極242上方的透明絕緣物質層中挖出來的一個孔。通過接觸孔25使位於最頂層的透明的像素電極23與漏極實現電學連接。
[0005]在製作雙柵結構的像素陣列時，由於製作過程中的成膜、顯影、刻蝕等工藝的影響，及環境的影響，掃描線和數據線容易發生短路或者斷路，導致線缺陷。隨著面板的尺寸越大，像素解析度越高，加上開口率等因素的制約，掃描線和數據線的線寬變窄，更容易發生線缺陷。為了避免面板由於線缺陷而導致的合格率下降，需要對線缺陷進行修復。
[0006]目前，線缺陷的修複方法主要是通過面板顯示區周圍的環形繞線及其與像素內配套的修復備用配線進行修復。由於面板顯示區周圍的環形繞線的走線線路長，造成輸入信號的延遲失真，修復效果欠佳。
【發明內容】
[0007]本發明的目的是針對現有技術存在的問題，提供一種通過像素結構內部的修復用配線實現像素結構內配線的斷線修復。
[0008]本發明提供一種像素結構，其包括:一基板；一第一金屬層，配置於該基板上，其中該第一金屬層包括:四掃描線31 ;四柵極341，分別電性連接該些掃描線31 ;二公共電極36 ;一柵極絕緣層，配置於該基板上並覆蓋該第一金屬層；一半導體溝道層344，配置於該柵極絕緣層上；一第二金屬層，配置於該半導體溝道層344上，其中該第二金屬層包括:兩數據線32，與該些掃描線31交錯；四源極343，各自與該數據線32電性連接；四漏極342 ；修複線37，設置為H型形成H型修複線37，水平配置於兩相鄰掃描線之間，且所述H型修複線37上下延長線分別於與所述掃描線部分重疊；一保護層，配置於該基板上並覆蓋該第二金屬層；四接觸孔35，分別配置於所述漏極342的上方，所述接觸孔35是漏極342上方的所述保護層中挖出來的一個孔；以及四像素電極33，配置於該保護層上，並通過該些接觸孔35與該些漏極342電性連接；其中，所述兩相鄰掃描線位於所述像素電極的同一側。
[0009]本發明還提供一種像素結構製作方法，其包括以下步驟:
[0010]a.在基板上，進行第一金屬層的成膜工藝，通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成掃描線31、公共電極36和薄膜電晶體的柵極341。在其上方塗覆一柵極絕緣層39 ；
[0011]b.在該柵極絕緣層的上方，進行半導體層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠的剝離，形成半導體溝道層344 ；
[0012]c.在半導體溝道層344的上方，進行第二金屬層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成數據線32、薄膜電晶體的漏極342、薄膜電晶體的源極343、H型修複線37，其上方塗覆一層鈍化保護層38，其中，該H型修複線37水平配置於兩相鄰掃描線之間，且所述H型修複線37上下延長線分別於與所述掃描線部分重疊；
[0013]d.在該鈍化保護層的上方，進行接觸孔的刻孔工藝，通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成接觸孔35;
[0014]e.在該接觸孔35的上方，進行透明導電層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成像素電極33，該像素電極33通過該接觸孔35，與該漏極342實現電學連接；其中，所述兩相鄰掃描線配置於所述像素電極的同一側。
[0015]本發明的一實施例中提供了一種像素結構的修複方法，其包括以下步驟:
[0016]c.當掃描線斷開時，在發生斷路的掃描線上，找到斷點兩側的該H型修複線與該掃描線重疊的區域，分別在斷點兩側的該重疊區域進行雷射焊接；
[0017]d.在該雷射焊接後，掃描線斷點靠近掃描線信號輸入端一側的電壓信號經過該H型修複線後，傳輸到掃描線斷點的另一側，實現該掃描線斷點兩側的電壓信號一致。
[0018]優選地，所述公共電極36設置於所述像素電極33的中心線上，且分別於所述數據線32、像素電極33分別部分重疊。
[0019]本發明還提供了一種像素結構，其包括:一基板；一第一金屬層，配置於該基板上，其中該第一金屬層包括:四掃描線41 ;四柵極441，分別電性連接該些掃描線41 ;二公共電極46 ;修復襯墊48，配置於兩相鄰所述掃描線之間；一柵極絕緣層，配置於該基板上並覆蓋該第一金屬層；一半導體溝道層444，配置於該柵極絕緣層上；一第二金屬層，配置於該半導體層上，且該第二金屬層下方皆有該半導體溝道層444，其中該第二金屬層包括:兩數據線42，與該些掃描線41交錯；四源極443，各自與該數據線42電性連接；四漏極442 ；修複線47，設置為「豐」字型形成「豐」字型修複線47，具有橫向水平配置的三條H型修複線，其分別位於兩相鄰掃描線之間，且該H型修複線上下延長線分別於與所述掃描線部分重疊，具有豎向平行設置於兩相鄰該數據線之間的豎直修複線；一保護層，配置於該基板上並覆蓋該第二金屬層；四接觸孔45，分別配置於所述漏極442的上方，所述接觸孔45是漏極442上方的所述保護層中挖出來的一個孔；以及四像素電極33，配置於該保護層上，並通過該些接觸孔35與該些漏極342電性連接；其中，該兩相鄰掃描線位於所述像素電極的同一側，且該修復襯墊48與該數據線、該修複線47分別部分重疊，該「豐」字型修複線47豎線設置於兩相鄰該像素電極之間。本發明還提供一種像素結構的製作方法，其包括以下步驟:
[0020]a.在基板上，進行第一金屬層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成掃描線41、公共電極46、薄膜電晶體的柵極441、修復襯墊48，在其上方塗覆一柵極絕緣層；
[0021]b.在該柵極絕緣層的上方，進行半導體層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成半導體溝道層444 ；
[0022]c.在該半導體溝道層444的上方，進行第二金屬層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成數據線42、薄膜電晶體的漏極442、源極443、
[0023]「豐」字型修複線47，在其上方塗覆一保護層，其中，設置為「豐」字型形成「豐」字型修複線47，具有橫向水平配置的三條H型修複線，其分別位於兩相鄰掃描線之間，且該H型修複線上下延長線分別於與所述掃描線部分重疊，具有豎向平行設置於兩相鄰該數據線之間的豎直修複線；
[0024]d.在該保護層的上方，進行接觸孔的刻孔工藝，通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成接觸孔45 ；
[0025]e.在該接觸孔45的上方，進行透明導電層的成膜工藝，通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成像素電極43，該像素電極43通過該接觸孔45，與該漏極442實現電學連接；
[0026]其中，該兩相鄰掃描線位於所述像素電極的同一側，且該修復襯墊48與該數據線、該修複線47分別部分重疊，該「豐」字型修複線47豎線設置於兩相鄰該像素電極之間。
[0027]本發明的一實施例中提供了一種像素結構的修複方法，其包括以下步驟:
[0028]c.當掃描線斷開時，在發生斷路的掃描線上，找到「豐」字型修複線靠近斷點的H型修複線，並把該H型修複線從「豐」字型修複線中切割出來形成電學獨立的H型修複線；
[0029]d.在該H型修複線與該掃描線重疊的區域，分別在斷點兩側的重疊區域進行雷射焊接。雷射焊接後，掃描線斷點靠近掃描線信號輸入端一側的電壓信號經過H型修複線後，傳輸到掃描線斷點的另一側，實現掃描線斷點兩側的電壓信號一致。
[0030]本發明的一實施例中提供了一種像素結構的修複方法，其包括以下步驟:
[0031]d.當數據線斷開時，把數據線斷點上側和下側的H型修複線從「豐」字型修複線中切割出來，並保持上下兩個H型修複線之間的電學連接；
[0032]e.通過雷射焊接數據線斷點上側的數據線與上側的修復襯墊、上側的修復襯墊與上側的H型修複線，以及雷射焊接數據線斷點下側的數據線與下側的修復襯墊、下側的修復襯墊與下側的H型修複線；
[0033]f.雷射焊接後，數據線斷點靠近數據線信號輸入端一側的電壓信號經過上側H型修複線、上側修復襯墊、下側H型修複線和下側修復襯墊後，傳輸到數據線斷點的另一側，實現數據線斷點兩側的電壓信號一致。
[0034]本發明的一實施例中提供了一種像素結構的修複方法，其包括以下步驟:
[0035]e.當掃描線和數據線短路時，在掃描線與數據線短路的周圍，依次切斷短路點上側的數據線和下側的數據線；
[0036]f.然後在數據線切斷線的上側找到H型修複線，在數據線切斷線的下側找到H型修複線，把上側H型修複線和下側H型修複線分別從「豐」字型修複線中切割出來，並保持上下兩個H型修複線之間的電學連接；
[0037]g.通過雷射焊接數據線切斷線上側的數據線與上側的修復襯墊、上側的修復襯墊與上側的H型修複線，以及雷射焊接數據線切斷線下側的數據線與下側的修復襯墊、下側的修復襯墊與下側的H型修複線；
[0038]h.雷射焊接後，上側的數據線切斷線靠近數據線信號輸入端一側的電壓信號經過上側H型修複線、上側修復襯墊、下側H型修複線和下側修復襯墊後，傳輸到下側數據線切斷線遠離短路點的一側，實現短路點上下兩側數據線的電壓信號一致。在切斷數據線後，掃描線實現正常的信號傳輸功能。
[0039]優選地，所述公共電極46設置於所述像素電極43的中心線上，且分別於所述數據線42、像素電極43分別部分重疊。
[0040]本發明採用優化的像素結構，在雙柵像素結構中追加修複線、修復襯墊等結構，在雷射切割和雷射焊接等操作後，實現像素結構內配線的線缺陷修復功能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0041]圖1為現有的一種雙柵極驅動像素排列示意圖；
[0042]圖2為現有的一種雙柵極驅動像素結構的平面示意圖；
[0043]圖3a為本發明一實施例含H型修複線的雙柵像素結構的平面示意圖；
[0044]圖3b為本發明圖3a沿剖面線a_a』方向的剖面示意圖；
[0045]圖4為本發明又一實施例含「豐」字型修複線的雙柵像素結構的平面示意圖；
[0046]圖5為本發明另一實施例含H型修複線的雙柵像素結構的掃描線斷線修復示意圖；
[0047]圖6為本發明再一實施例含「豐」字型修複線的雙柵像素結構的掃描線斷線修復示意圖；
[0048]圖7為本發明又一實施例含「豐」字型修複線的雙柵像素結構的數據線斷線修復示意圖；
[0049]圖8為本發明再一實施例含「豐」字型修複線的雙柵像素結構的掃描線與數據線短路修復示意圖；
【具體實施方式】
[0050]下面結合附圖與實施例對本發明作進一步的說明。
[0051]如如圖2所示的雙柵極像素結構，由於相鄰的兩個沒有共用數據線的像素之間無數據線，且上下兩行像素之間的相鄰掃描線之間存在一定距離的空隙，可以在這些區域配置修復用的備用配線，用於掃描線和數據線的短路缺陷修復或者斷路缺陷修復。[0052]根據本發明的線缺陷修復思想，本發明提供了一種含H型修複線的像素結構以及一種含「豐」字型修複線的像素結構。
[0053]圖3a為本發明一實施例含H型修複線的雙柵像素結構的平面示意圖，圖3b為本發明圖3a沿剖面線a-a』方向的剖面示意圖。參考圖3a和圖3b，本發明提供一種像素結構，其包括:一基板；一第一金屬層，配置於該基板上，其中該第一金屬層包括:四掃描線31 ;四柵極341，分別電性連接該些掃描線31 ;二公共電極36 ;—柵極絕緣層，配置於該基板上並覆蓋該第一金屬層；一半導體溝道層344，配置於該柵極絕緣層上；一第二金屬層，配置於該半導體溝道層344上，其中該第二金屬層包括:兩數據線32，與該些掃描線31交錯；四漏極342，各自與該數據線32電性連接；四源極343 ;修複線37，設置為H型形成H型修複線37，水平配置於兩相鄰掃描線之間，且所述H型修複線37上下延長線分別於與所述掃描線部分重疊；一保護層，配置於該基板上並覆蓋該第二金屬層；四接觸孔35，分別配置於所述漏極342的上方，所述接觸孔35是漏極342上方的所述保護層中挖出來的一個孔；以及四像素電極33，配置於該保護層上，並通過該些接觸孔35與該些漏極342電性連接；其中，所述兩相鄰掃描線位於所述像素電極的同一側。
[0054]圖3a和圖3b所示含H型修複線的雙柵像素結構製造工藝如下:
[0055]a，在透明的襯底基板上，進行第一金屬層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成掃描線31、公共電極36和薄膜電晶體的柵極341。接著，在這些圖案的上方塗覆一層透明的絕緣物質層。這層絕緣物質層一般稱為柵極絕緣層39。
[0056]b，在柵極絕緣層的上方，進行半導體層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成半導體溝道層344。
[0057]C，在半導體溝道層344的上方，進行第二金屬層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成數據線32、薄膜電晶體的漏極342、薄膜電晶體的源極343、H型修複線37。接著，在這些圖案的上方塗覆一層透明的絕緣物質層。這層絕緣物質層一般稱為鈍化保護層38。
[0058]d，在鈍化保護層的上方，進行接觸孔的刻孔工藝，通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成接觸孔35。
[0059]e,在接觸孔35的上方，進行透明導電層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成像素電極33。透明導電層一般為ITO材料。像素電極33通過接觸孔35，與漏極342實現電學連接。
[0060]圖3a為所示含H型修複線的雙柵像素結構的修複方法如下，當掃描線斷開時，其特徵在於所述的修複方法步驟如下:在發生斷路的掃描線上，找到斷點兩側的H型修複線與該掃描線重疊的區域，分別在斷點兩側的重疊區域進行雷射焊接。雷射焊接後，掃描線斷點靠近掃描線信號輸入端一側的電壓信號經過H型修複線後，傳輸到掃描線斷點的另一偵牝實現掃描線斷點兩側的電壓信號一致。
[0061]作為一實施例，優選地，所述公共電極(36)設置於所述像素電極(33)的中心線上，且分別於所述數據線(32)、像素電極(33)分別部分重疊。
[0062]圖4為本發明一實施例含「豐」字型修複線的雙柵像素結構的平面示意圖，如圖4所不，本發明提供了一種像素結構，其包括:一基板；一第一金屬層，配置於該基板上，其中該第一金屬層包括:四掃描線41 ;四柵極441，分別電性連接該些掃描線41 ;二公共電極46 ;修復襯墊48，配置於兩相鄰所述掃描線之間；一柵極絕緣層，配置於該基板上並覆蓋該第一金屬層；一半導體溝道層444，配置於該柵極絕緣層上；一第二金屬層，配置於該半導體層上，且該第二金屬層下方皆有該半導體溝道層444，其中該第二金屬層包括:兩數據線42，與該些掃描線41交錯；四源極443，各自與該數據線42電性連接；四漏極442 ;修複線47，設置為「豐」字型形成「豐」字型修複線47，具有橫向水平配置的三條H型修複線，其分別位於兩相鄰掃描線之間，且該H型修複線上下延長線分別於與所述掃描線部分重疊，具有豎向平行設置於兩相鄰該數據線之間的豎直修複線；一保護層，配置於該基板上並覆蓋該第二金屬層；四接觸孔45，分別配置於所述漏極442的上方，所述接觸孔45是漏極442上方的所述保護層中挖出來的一個孔；以及四像素電極33，配置於該保護層上，並通過該些接觸孔35與該些漏極342電性連接；其中，該兩相鄰掃描線位於所述像素電極的同一側，且該修復襯墊48與該數據線、該修複線47分別部分重疊，該「豐」字型修複線47豎線設置於兩相鄰該像素電極之間。
[0063]如圖4所示的含「豐」字型修複線的雙柵像素結構的製造工藝如下:
[0064]f，在透明的襯底基板上，進行第一金屬層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成掃描線41、公共電極46、薄膜電晶體的柵極441、修復襯墊48。接著，在這些圖案的上方塗覆一層透明的絕緣物質層。這層絕緣物質層一般稱為柵極絕緣層。
[0065]g，在柵極絕緣層的上方，進行半導體層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成半導體溝道層444。
[0066]h，在半導體溝道層444的上方，進行第二金屬層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成數據線42、薄膜電晶體的漏極442、薄膜電晶體的源極443、「豐」字型修複線47。接著，在這些圖案的上方塗覆一層透明的絕緣物質層。這層絕緣物質層一般稱為鈍化保護層。
[0067]i，在鈍化保護層的上方，進行接觸孔的刻孔工藝，通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成接觸孔45。
[0068]j，在接觸孔45的上方，進行透明導電層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成像素電極43。透明導電層一般為ITO材料。像素電極43通過接觸孔45，與漏極442實現電學連接。
[0069]如含「豐」字型修複線的像素結構的修複方法，當掃描線斷開時，其特徵在於所述的修複方法步驟如下:在發生斷路的掃描線上，找到「豐」字型修複線靠近斷點的H型修複線，並把該H型修複線從「豐」字型修複線中切割出來形成電學獨立的H型修複線。在該H型修複線與該掃描線重疊的區域，分別在斷點兩側的重疊區域進行雷射焊接。雷射焊接後，掃描線斷點靠近掃描線信號輸入端一側的電壓信號經過H型修複線後，傳輸到掃描線斷點的另一側，實現掃描線斷點兩側的電壓信號一致。
[0070]如含「豐」字型修複線的像素結構的修複方法，當數據線斷開時，其特徵在於所述的修複方法步驟如下:把數據線斷點上側和下側的H型修複線從「豐」字型修複線中切割出來，並保持上下兩個H型修複線之間的電學連接。通過雷射焊接數據線斷點上側的數據線與上側的修復襯墊、上側的修復襯墊與上側的H型修複線，以及雷射焊接數據線斷點下側的數據線與下側的修復襯墊、下側的修復襯墊與下側的H型修複線。雷射焊接後，數據線斷點靠近數據線信號輸入端一側的電壓信號經過上側H型修複線、上側修復襯墊、下側H型修複線和下側修復襯墊後，傳輸到數據線斷點的另一側，實現數據線斷點兩側的電壓信號一致。
[0071]如含「豐」字型修複線的像素結構的修複方法，當掃描線和數據線短開時，其特徵在於所述的修複方法步驟如下:在掃描線與數據線短路的周圍，依次切斷短路點上側的數據線和下側的數據線。然後在數據線切斷線的上側找到H型修複線，在數據線切斷線的下側找到H型修複線，把上側H型修複線和下側H型修複線分別從「豐」字型修複線中切割出來，並保持上下兩個H型修複線之間的電學連接。通過雷射焊接數據線切斷線上側的數據線與上側的修復襯墊、上側的修復襯墊與上側的H型修複線，以及雷射焊接數據線切斷線下側的數據線與下側的修復襯墊、下側的修復襯墊與下側的H型修複線。雷射焊接後，上側的數據線切斷線靠近數據線信號輸入端一側的電壓信號經過上側H型修複線、上側修復襯墊、下側H型修複線和下側修復襯墊後，傳輸到下側數據線切斷線遠離短路點的一側，實現短路點上下兩側數據線的電壓信號一致。在切斷數據線後，掃描線實現正常的信號傳輸功倉泛。
[0072]作為一實施例，優選地，所述公共電極46設置於所述像素電極43的中心線上，且分別於所述數據線42、像素電極43分別部分重疊。
[0073]實施例1
[0074]圖5為本發明一實施例含H型修複線的雙柵像素結構的掃描線斷線修復示意圖。如圖5所示，在雙柵驅動的像素結構中，在上一行像素和下一行像素之間，設計一個H型修複線結構，H型修複線結構的左右兩側分別與上一行像素的掃描線以及下一行像素的掃描
線重疊。
[0075]如圖5所示的雙柵驅動的像素結構，當掃描線51出現斷點53時，相應的修複方法如下:
[0076]a、在發生斷路的掃描線51上，找到斷點53左右兩側的H型修複線57與掃描線51重疊的區域。
[0077]b、分別在斷點兩側的重疊區域進行雷射焊接，形成焊接點521和焊接點522。
[0078]雷射焊接後，掃描線斷點53靠近掃描線信號輸入端一側的電壓信號經過H型修複線57後，傳輸到掃描線斷點53的另一側，實現掃描線斷點53兩側的電壓信號一致。
[0079]實施例2
[0080]圖6為本發明一實施例含「豐」字型修複線的雙柵像素結構的掃描線斷線修復示意圖。如圖6所示，在雙柵驅動的像素結構中，在上一行像素和下一行像素之間，以及左側數據線的右側像素與右側數據線的左側像素之間設計一個「豐」字型修複線結構，「豐」字型修複線結構是一種通過左側數據線的右側像素與右側數據線的左側像素之間的連接線把上下H型修複線結構實現電學連接的同層金屬結構。在「豐」字型修複線結構中的H型修複線結構，兩側的底部都設計有與掃描線同層的修復襯墊。修復襯墊的兩端分別與數據線和H型修複線結構存在部分重疊區域。
[0081]如圖6所示的雙柵驅動的像素結構，當掃描線61出現斷點63時，相應的修複方法如下:[0082]a、在發生斷路的掃描線61上，找到「豐」字型修複線靠近斷點63的H型修複線67，並在「豐」字型修複線上通過雷射切割線641切斷上側的連接線，通過雷射切割線642切斷下側的連接線，把H型修複線67從「豐」字型修複線中切割出來形成電學獨立的H型修複線。
[0083]b、在H型修複線67與掃描線61重疊的區域，分別在斷點63兩側的重疊區域進行雷射焊接，形成焊接點621和焊接點622。
[0084]雷射焊接後，掃描線斷點63靠近掃描線信號輸入端一側的電壓信號經過H型修複線67後，傳輸到掃描線斷點63的另一側，實現掃描線斷點63兩側的電壓信號一致。
[0085]實施例3
[0086]圖7為本發明一實施例含「豐」字型修複線的雙柵像素結構的數據線斷線修復示意圖。如圖7所示，在雙柵驅動的像素結構中，在上一行像素和下一行像素之間，以及左側數據線的右側像素與右側數據線的左側像素之間設計一個「豐」字型修複線結構，「豐」字型修複線結構是一種通過左側數據線的右側像素與右側數據線的左側像素之間的連接線把上下H型修複線結構實現電學連接的同層金屬結構。在「豐」字型修複線結構中的H型修複線結構，兩側的底部都設計有與掃描線同層的修復襯墊。修復襯墊的兩端分別與數據線和H型修複線結構存在部分重疊區域。
[0087]如圖7所示的雙柵驅動的像素結構，當數據線71出現斷點72時，相應的修複方法如下:
[0088]a、把數據線斷點72上側的H型修複線772通過雷射切割線741和切割線742從「豐」字型修複線中切割出來。
[0089]b、把數據線斷點72下側的H型修複線782通過雷射切割線751和切割線752從「豐」字型修複線中切割出來。並保持H型修複線772和H型修複線782之間的電學連接。
[0090]C、在數據線斷點72上側的數據線與上側的修復襯墊771的重疊區域進行雷射焊接，形成焊接點731 ;在修復襯墊771和H型修複線772的重疊區域進行雷射焊接，形成焊接點732。
[0091]d、在數據線斷點72下側的數據線與下側的修復襯墊781的重疊區域進行雷射焊接，形成焊接點761 ;在修復襯墊781和H型修複線782的重疊區域進行雷射焊接，形成焊接點762。
[0092]雷射焊接後，數據線斷點72靠近數據線信號輸入端一側的電壓信號經過上側修復襯墊771、上側H型修複線772、下側H型修複線782和下側修復襯墊781後，傳輸到數據線斷點72的另一側，實現數據線斷點兩側的電壓信號一致。
[0093]實施例4
[0094]圖8為本發明再一實施例含「豐」字型修複線的雙柵像素結構的掃描線與數據線短路修復示意圖。如圖8所示，在雙柵驅動的像素結構中，在上一行像素和下一行像素之間，以及左側數據線的右側像素與右側數據線的左側像素之間設計一個「豐」字型修複線結構，「豐」字型修複線結構是一種通過左側數據線的右側像素與右側數據線的左側像素之間的連接線把上下H型修複線結構實現電學連接的同層金屬結構。在「豐」字型修複線結構中的H型修複線結構，兩側的底部都設計有與掃描線同層的修復襯墊。修復襯墊的兩端分別與數據線和H型修複線結構存在部分重疊區域。[0095]如圖8所示的雙柵驅動的像素結構，當數據線80和掃描線89出現短路點81時，相應的修複方法如下:
[0096]a、在掃描線89與數據線80發生短路的短路點81的周圍，通過雷射切割形成的切割線821以及通過雷射切割形成的切割線822，把數據線80與掃描線89在電學上分割開來。這樣，掃描線就能正常進行信號電壓的傳輸。
[0097]b、把切割線821上側的H型修複線842通過雷射切割線851和切割線852從「豐」
字型修複線中切割出來。
[0098]C、把切割線822下側的H型修複線843通過雷射切割線871和切割線872從「豐」字型修複線中切割出來。
[0099]d、在H型修複線842和H型修複線843之間的H型修複線844，通過雷射切割線861和切割線862切斷H型修複線844。保持H型修複線842和H型修複線843之間的電學連接。
[0100]e、在切割線821上側的數據線與上側的修復襯墊841的重疊區域進行雷射焊接，形成焊接點831 ;在修復襯墊841和H型修複線842的重疊區域進行雷射焊接，形成焊接點832。
[0101]f、在切割線822下側的數據線與下側的修復襯墊845的重疊區域進行雷射焊接，形成焊接點882 ;在修復襯墊845和H型修複線843的重疊區域進行雷射焊接，形成焊接點881。
[0102]雷射焊接後，切割線821靠近數據線信號輸入端一側的電壓信號經過上側修復襯墊841、上側H型修複線842、中間的H型修複線844、下側H型修複線843和下側修復襯墊845後，傳輸到切割線822的下側，實現數據線斷點兩側的電壓信號一致。
[0103]以上實施例僅為說明本發明的技術思想，不能以此限定本發明的保護範圍，凡是按照本發明提出的技術思想，在技術方案基礎上所做的任何改動，均落入本發明保護範圍之內；本發明未涉及的技術均可通過現有技術加以實現。
【權利要求】
1.一種像素結構，其包括: 一基板； 一第一金屬層，配置於該基板上，其中該第一金屬層包括: 四掃描線(31)； 四柵極(341)，分別電性連接該些掃描線(31)； 二公共電極(36)； 一柵極絕緣層，配置於該基板上並覆蓋該第一金屬層； 一半導體溝道層(344)，配置於該柵極絕緣層上； 一第二金屬層，配置於該半導體溝道層(344)上，其中該第二金屬層包括: 兩數據線(32)，與該些掃描線(31)交錯； 四源極(343)，各自與該數據線(32)電性連接； 四漏極(342)； 修複線(37)，設置為H型形成H型修複線(37)，水平配置於兩相鄰掃描線之間，且所述H型修複線(37)上下延長線分別於與所述掃描線部分重疊； 一保護層，配置於該基板上並覆蓋該第二金屬層； 四接觸孔(35)，分別配置於所述漏極(342)的上方，所述接觸孔(35)是漏極(342)上方的所述保護層中挖出來的一個孔； 以及四像素電極(33)，配置於該保護層上，並通過該些接觸孔(35)與該些漏極(342)電性連接； 其中，所述兩相鄰掃描線位於所述像素電極的同一側。
2.一種像素結構製作方法，其包括以下步驟: a.在基板上，進行第一金屬層的成膜工藝，通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成掃描線(31)、公共電極(36)和薄膜電晶體的柵極(341)，在其上方塗覆一柵極絕緣層； b.在該柵極絕緣層的上方，進行半導體層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠的剝離，形成半導體溝道層(344)； c.在半導體溝道層(344)的上方，進行第二金屬層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、光刻膠的顯影、刻蝕、光刻膠的剝離等工藝，形成數據線(32)、薄膜電晶體的漏極(342)、薄膜電晶體的源極(343)、H型修複線(37)，其上方塗覆一層鈍化保護層，其中，該H型修複線(37)水平配置於兩相鄰掃描線之間，且所述H型修複線(37)上下延長線分別於與所述掃描線部分重疊； d.在該鈍化保護層的上方，進行接觸孔的刻孔工藝，通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成接觸孔(35)； e.在該接觸孔(35)的上方，進行透明導電層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成像素電極(33)，該像素電極(33)通過該接觸孔(35)，與該漏極342實現電學連接； 其中，所述兩相鄰掃描線配置於所述像素電極的同一側。
3.—種如權利要求1所述像素結構的修複方法，其包括以下步驟: a.當掃描線斷開時，在發生斷路的掃描線上，找到斷點兩側的該H型修複線與該掃描線重疊的區域，分別在斷點兩側的該重疊區域進行雷射焊接； b.在該雷射焊接後，掃描線斷點靠近掃描線信號輸入端一側的電壓信號經過該H型修複線後，傳輸到掃描線斷點的另一側，實現該掃描線斷點兩側的電壓信號一致。
4.如權利要求1-3任一項所述的像素結構、製作方法或修複方法，其中，所述公共電極(36)設置於所述像素電極(33)的中心線上，且分別於所述數據線(32)、像素電極(33)分別部分重疊。
5.—種像素結構,其包括: 一基板； 一第一金屬層，配置於該基板上，其中該第一金屬層包括: 四掃 描線(41)； 四柵極(441)，分別電性連接該些掃描線(41)； 二公共電極(46)； 修復襯墊(48)，配置於兩相鄰所述掃描線之間； 一柵極絕緣層，配置於該基板上並覆蓋該第一金屬層； 一半導體溝道層(444)，配置於該柵極絕緣層上； 一第二金屬層，配置於該半導體層上，且該第二金屬層下方設有該半導體溝道層(444)，其中該第二金屬層包括: 兩數據線(42)，與該些掃描線(41)交錯； 四源極(443)，各自與該數據線(42)電性連接； 四漏極(442)； 修複線(47)，設置為「豐」字型形成「豐」字型修複線(47)，具有橫向水平配置的三條H型修複線，其分別位於兩相鄰掃描線之間，且該H型修複線上下延長線分別於與所述掃描線部分重疊，具有豎向平行設置於兩相鄰該數據線之間的豎直修複線； 一保護層，配置於該基板上並覆蓋該第二金屬層； 四接觸孔(45)，分別配置於所述漏極(442)的上方，所述接觸孔(45)是漏極(442)上方的所述保護層中挖出來的一個孔； 以及四像素電極(43)，配置於該保護層上，並通過該些接觸孔(45)與該些漏極(442)電性連接；其中，該兩相鄰掃描線位於所述像素電極的同一側，且該修復襯墊(48)與該數據線、該修複線(47)分別部分重疊，該「豐」字型修複線(47)豎線設置於兩相鄰該像素電極之間。
6.一種像素結構的製作方法，其包括以下步驟: a.在基板上，進行第一金屬層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成掃描線(41)、公共電極(46)、薄膜電晶體的柵極(441)、修復襯墊(48)，在其上方塗覆一柵極絕緣層； b.在該柵極絕緣層的上方，進行半導體層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成半導體溝道層(444)； c.在該半導體溝道層(444)的上方，進行第二金屬層的成膜工藝，然後通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成數據線(42)、薄膜電晶體的漏極(442)、源極(443)、「豐」字型修複線(47)，在其上方塗覆一保護層，其中，設置為「豐」字型形成「豐」字型修複線(47)，具有橫向水平配置的三條H型修複線，其分別位於兩相鄰掃描線之間，且該H型修複線上下延長線分別於與所述掃描線部分重疊，具有豎向平行設置於兩相鄰該數據線之間的豎直修複線； d.在該保護層的上方，進行接觸孔的刻孔工藝，通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成接觸孔(45)； e.在該接觸孔(45)的上方，進行透明導電層的成膜工藝，通過光刻膠的塗布、曝光、顯影、刻蝕、剝離，形成像素電極(43)，該像素電極(43)通過該接觸孔(45)，與該漏極(442)實現電學連接； 其中，該兩相鄰掃描線位於所述像素電極的同一側，且該修復襯墊(48)與該數據線、該修複線(47)分別部分重疊，該「豐」字型修複線(47)豎線設置於兩相鄰該像素電極之間。
7.如權利要求4所述的修複方法，其包括以下步驟: a.當掃描線斷開時，在發生斷路的掃描線上，找到「豐」字型修複線靠近斷點的H型修複線，並把該H型修複線從「豐」字型修複線中切割出來形成電學獨立的H型修複線； b.在該H型修複線與該掃描線重疊的區域，分別在斷點兩側的重疊區域進行雷射焊接，雷射焊接後，掃描線斷點靠近掃描線信號輸入端一側的電壓信號經過H型修複線後，傳輸到掃描線斷點的另一側，實現掃描線斷點兩側的電壓信號一致。
8.如權利要求4所述的修複方法，其包括以下步驟: a.當數據線斷開時，把數據線斷點上側和下側的H型修複線從「豐」字型修複線中切割出來，並保持上下兩個H型修複線之間的電學連接； b.通過雷射焊接數據線斷點上側的數據線與上側的修復襯墊、上側的修復襯墊與上側的H型修複線，以及雷射焊接數據線斷點下側的數據線與下側的修復襯墊、下側的修復襯墊與下側的H型修複線； c.雷射焊接後，數據線斷點靠近數據線信號輸入端一側的電壓信號經過上側H型修複線、上側修復襯墊、下側H型修複線和下側修復襯墊後，傳輸到數據線斷點的另一側，實現數據線斷點兩側的電壓信號一致。
9.如權利要求4所述的修複方法，其包括以下步驟: a.當掃描線和數據線短路時，在掃描線與數據線短路的周圍，依次切斷短路點上側的數據線和下側的數據線； b.然後在數據線切斷線的上側找到H型修複線，在數據線切斷線的下側找到H型修複線，把上側H型修複線和下側H型修複線分別從「豐」字型修複線中切割出來，並保持上下兩個H型修複線之間的電學連接； c.通過雷射焊接數據線切斷線上側的數據線與上側的修復襯墊、上側的修復襯墊與上側的H型修複線，以及雷射焊接數據線切斷線下側的數據線與下側的修復襯墊、下側的修復襯墊與下側的H型修複線； d.雷射焊接後，上側的數據線切斷線靠近數據線信號輸入端一側的電壓信號經過上側H型修複線、上側修復襯墊、下側H型修複線和下側修復襯墊後，傳輸到下側數據線切斷線遠離短路點的一側，實現短路點上下兩側數據線的電壓信號一致，在切斷數據線後，掃描線實現正常的信號傳輸功能。
10.如權利要求5-9任一項所述的像素結構、製作方法或修複方法，其中，所述公共電極(46)設置於所述 像素電極(43)的中心線上，且分別於所述數據線(42)、像素電極(43)分別部分重疊。
【文檔編號】G02F1/1362GK103984174SQ201410226425
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年5月26日 優先權日:2014年5月26日
【發明者】王傑, 劉文雄 申請人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司