檢測方法及檢測系統的製作方法

2023-11-03 23:59:32 2

專利名稱：檢測方法及檢測系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體器件製造技術領域，特別涉及一種檢測方法及檢 測系統。
背景技術：
集成電路製作工藝是一種平面製作工藝，其結合光刻、刻蝕、沉積、 離子注入等多種工藝，在同一襯底上形成大量各種類型的複雜器件，並 將其互相連接以具有完整的電子功能。其中，任一步工藝出現問題，都 可能會導致電路的製作失敗，因此，在工藝製作中常需要對各步工藝的 製作結果進行;險測，尤其對於光刻工藝，因其可以進行返工，修復光刻 中出現的問題，這一檢測過程更為關鍵。隨著半導體製造工藝的迅速發展，對製作工藝的檢測過程也更加復 雜，為提高檢測的效率，通常會利用檢測進程，控制整個檢測過程自動 完成。然而，對於不同的產品，其檢測進程中的各個參數及檢測條件也會各不相同，為此，對於新產品，在^r測前，需要4艮據該產品在該工藝 完成後的晶片情況對檢測進程進行重新設置，而在這一設置過程中，該 產品的製作處於停頓狀態，導致產品的生產效率較低。以光刻工藝為例，半導體晶片的製作通常分為多層，且每一層的制 作都需要進行圖形限定，以形成特定結構。在晶片製造前，先根據晶片 上每一層的器件、金屬線、連接等的布局，設計製作該層的光刻掩膜版， 然後，再將各層的光刻掩膜版上的圖形層對層彼此套刻地準確地轉移到 晶片上來製作晶片上的器件和電路。這一套刻的準確度十分關鍵，要實 現電路正常工作，必須要確保每一次光刻時，掩膜版圖形都要與晶片表 面上已存在的圖形準確對準或至少達到一定的套準精度。因此，對光刻 工藝的很重要的一種檢測是對套刻精度的檢測其用於驗證本次光刻轉
移至晶片上的光刻圖形與晶片上已有的下層圖形間的套刻精度是否滿足 工藝製作的要求。為檢測套刻的精度，在每一層的光刻版掩膜版上都製作了對準標記， 所謂對準標記就是用於確定某層掩膜版和晶片上已形成的其下層圖形間的相對位置和方向的可見圖形。圖1A至1C為現有的對準標記的示意圖， 其中，圖1A為第一掩膜版上的第一對準標記，如圖1A所示，對於用於形 成晶片上第一層圖形的掩膜版，其上只有一個大的第一對準標記101。該 對準標記通常會由圖中所示的X向和Y向條形圖形組成，以同時實現對X 和Y方向的套刻精度的檢測。圖1B為第二掩膜版上的對準標記，該掩膜版上的圖形需要套刻於晶 片上已形成的第一掩膜版圖形上。如圖1B所示，該第二掩膜版上的第二 對準標記有110和120兩個。其中，較小的第二對準標記110是用於與檢測 其與第一掩膜版圖形的對準度的，較大的第二對準標記120是用於檢測在 後續工藝中第三掩膜版的套刻對準度的，其一般與第 一掩膜版中的標記 101大小、形狀相同，但位置不同。圖1C為第二次光刻後，轉移到晶片上的對準標記圖形，如圖1C所示， 第二次光刻後，第二掩膜版上的小第二對準標記ll應正好轉移到晶片上 留下的第 一掩膜版上的大的第 一對準標記101的中央，此時若檢測結果表 明該小的第二對準標記110位於第一對準標記101之內，且二者中心在X和 Y方向上的位置偏差在工藝容忍的範圍內，就可以認為本次光刻的掩膜版 上的其他圖形也與晶片上的下層圖形對準了 ，套刻精度達到了工藝要求； 否則，說明本次光刻的套刻精度未達到要求，需要進行返工處理。為提高套刻檢測的精度，申請號為Ol 120876.7的中國專利申請公開了 一種新的對準標記，以便在進行套刻檢測時，可以更好地把握位置偏差 量，提高檢測的精度。但對於套刻情況的檢測，不僅僅需要提高其檢測 的精度，還需要提高其檢測的效率。
為提高檢測的效率，該套刻檢測過程是通過執行套刻檢測進程來自 動完成套刻檢測的。但是，對於不同的產品，其所適用的檢測進程是不 同的，如技術節點的不同、所處工序的不同、器件尺寸的不同等都會影 響到對套刻檢測進程的設置。為此，每開發一種新產品，都需要在該產 品完成每一次光刻之後，根據其晶片製作的情況對該次光刻的套刻檢測進程的設置進行調整，形成新的^f企測進程，然後再利用該;險測進程完成套刻檢測。每一次檢測進程的設置需要耗時l小時左右， 一個新產品的光刻步驟至少在20步以上，而每次在對檢測進程進行設置時，整個生產的 工藝流程處於停止狀態，這也就意味著，僅因套刻檢測進程的設置步驟， 每一個新產品的完成都會推遲一天左右的時間，這對生產效率的提高很 不利。發明內容本發明提供了 一種檢測方法及檢測系統，可以在無晶片的狀態下對 各檢測進程的檢測步驟和條件進行設置，避免了工藝流程的停頓，提高 了生產的效率。本發明提供的一種檢測方法，包括步驟 建立包含至少 一個^r測進程的進程組； 獲取待測晶片的數據；在所述進程組中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的 檢測進程作為第 一檢測進程；利用待測晶片的數據對所述第一檢測進程進行調整，生成第二檢測 進程；執行所述第二檢測進程完成對所述待測晶片的檢測。其中，所述第一檢測進程與所述待測晶片的技術節點和檢測工序相同。
其中，所述待測晶片的數據包括晶片尺寸、晶片上圖形的尺寸和排 列周期。
其中，對所述第一檢測進程進行的調整包括對設置參數、定位對準 標記、定位晶片和設置測試條件的調整，其中，所述定位晶片由所述待 測晶片上的對版標記實現，且該對版標記為暗場版，，其中間位置有一圖 形，該圖形為中心具有一個十字的方框。
其中，所述檢測進程為檢測光刻套刻精度的進程，其所述的檢測對 象為用於判斷套刻精度的對準標記。
本發明具有相同或相應技術特徵的一種檢測系統，包括 信息存儲裝置，用於存儲包含至少一個檢測進程的進程組； 數據獲取裝置，用於獲取待測晶片的數據；
信息選取裝置，與所述信息存儲裝置相連，用於在所述信息存儲裝 置中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的檢測進程作為第 一檢測進程；
進程生成裝置，與所述數據獲取裝置、信息選取裝置相連，用於生 成第二檢測進程，所述第二檢測進程是利用由所述數據獲取裝置獲得的 待測晶片的數據，對由所述信息選取裝置選取的第一檢測進程進行調整 後生成的；
執行裝置，與所述進程生成裝置相連，用於執行所述進程生成裝置 中的第二檢測進程，完成對所述待測晶片的檢測。
其中，所述第一檢測進程與所述待測晶片的技術節點和檢測工序相同。
其中，所述待測晶片的數據包括晶片尺寸、晶片上圖形的尺寸和排 列周期。
其中，在所述進程生成裝置中對所述第一檢測進程進行的調整包括對設置參數、定位對準標記、定位晶片和設置測試條件的調整。 與現有技術相比，本發明具有以下優點本發明提供的檢測方法及檢測系統，利用新產品的相關數據對原有 的檢測進程進行修正，修正後的檢測進程可以實現對新產品的直接檢測， 因此，可以實現在晶片正式生產前，在無晶片的狀態下設置好各步檢測 的檢測進程，避免了工藝流程的停頓，提高了生產的效率。本發明的檢測方法，還考慮了可能影響檢測的多種因素，較全面地 對檢測進程進行了調整，其檢測的失敗率與有晶片的傳統方法相當，甚 至更低，可以確保檢測工藝的正常進行。


圖1A至1C為現有的對準標記的示意圖； 圖2為說明本發明第一實施例的流程圖； 圖3為本發明第二實施例所用的對版標記；圖4為本發明第一實施例與第二實施例中檢測失敗率的統計結果圖；圖5為本發明的檢測系統的示意圖。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合 附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。注意到本發明的處理方法可^f皮廣泛地應用到許多應用中，下面僅是 通過較佳的實施例來加以說明，當然本發明並不局限於該具體實施例， 本領域內的普通技術人員所熟知的一般的替換無疑地涵蓋在本發明的 保護範圍內。另外，本發明利用示意圖進行了詳細描述，在詳述本發明實施例時， 為了便於說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，不應以此作為對本 發明的限定，此外，在實際的製作中，應包含長度、寬度及深度的三維 空間尺寸。現有的半導體製作過程中，對工藝的檢測通常是通過執行檢測進程 而自動實現的，但由於不同的產品在不同的工序所用的檢測進程是不同 的，對於每一新產品的製作，在對晶片進行檢測時，都需要先花費大量 的時間調整檢測進程，然後才能進行檢測，這大大降低了生產的效率。為此，本發明提出了一種檢測方法，直接利用原有的檢測進程，結 合新產品的相關信息數據，在生產的新產品晶片到達前，在無晶片的狀 態下形成了新的適用於新產品的檢測進程。本發明的檢測方法，首先，利用以前舊產品的檢測進程建立包含至 少一個的檢測進程的進程組。該進程組裡的各檢測進程分別適用於檢測 不同產品的不同工序。然後，獲取待測晶片的數據， 一個新產品投入時， 晶片製作時各工序的參數設置已經確定，如製作的晶片上各器件圖形的 大小、排列周期、製作的多晶矽柵極的高度等，而這些設計數據對於檢 測進程的設置很關鍵，要進行正確的檢測設置，必須先獲取這類的數據。接著，根據新產品的要求，在上述進程組中選取檢測對象與待測晶 片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程。如，要檢測技術節點為0.13|im的產品在光刻柵極圖形後達到的柵極線寬，就可以在建立的 線寬檢測進程組中選取舊產品中技術節點為0.13|im的產品對光刻柵極 後，柵極線寬進行檢測的檢測進程作為第一檢測進程。但是，作為新產品，其器件的形狀、大小、排列周期等都會與舊產 品有所不同，如果直接按適於舊產品的第一檢測進程對新產品進行檢 觀'j，必然會導致檢測失敗。因此，還需要結合待測晶片的數據對所選取 的第一檢測進程進行調整，生成適合於新產品的檢測的第二檢測進程。 如用新產品的器件形狀、大小、排列周期等數據替換原檢測程序中的同 類數據，使其適用於新產品的測試。
最後，可以執行該適於新產品檢測的第二檢測進程，完成對新產品 的待測晶片的檢測。本發明的^r測方法，可以在沒有晶片的情況下預先形成適用於新產品的檢測進程，待新產品的晶片生產至檢測步驟時，不需要再等待檢測 進程的編制，可以直接進行檢測，提高了生產效率。本發明的第一實施例是利用本發明的檢測方法實現對光刻套刻精度的檢測，圖2為說明本發明第一實施例的流程圖，下面結合圖2對本 發明的第 一 實施例進行詳細說明。為檢查套刻的精度，在每一層的光刻版掩膜版上都製作了對準標記， 並在每一次光刻後，都需要對晶片上的對準標記進行套刻偏差檢查，以 確認本次光刻的圖形是否正確地與晶片上已形成的圖形相重疊。但是， 對於不同的產品的不同階段，其所適用的套刻檢測步驟和條件是不相同 的。為此，對於新產品，必須要對該產品每一步光刻的套刻精度檢測進 程進行重新設置，以形成的適合於新產品的檢測進程。本實施例中，該 檢觀'J進程的設置可以在無晶片的狀態下預先實現。首先，利用以前舊產品的檢測進程建立包含至少一個的檢測進程的 進程組(S201)。該進程組裡的各檢測進程分別適用於檢測不同產品的 不同工序。對於不同的產品，其套刻檢測的步驟和參數設置會有很大的 區別，如製作0.18}xm 4支術節點的產品時所用的對準標記與0.13(im節點 產品的就不會相同，因此其套刻檢測條件也就完全不同。為應用方便， 本實施例中，將進程組分為幾個小組，每一小組分別針對某一個技術節 點，如可以按0.25(im、 0.18|im、 0.13pm等技術節點分為幾個小進程組。另外，對於同 一技術節點的產品，其所用的對準標記雖然可能相同， 但因其所處的工序不同，檢測條件也不會相同，如套刻多晶矽圖形後檢測對準標記的條件就與套刻接觸孔後檢測對準標記的條件不同。因此， 可以在進程組的每一技術節點的'j、進程組中，再按各工序的不同分為多
個套刻檢測進程。如在(U3(im的小進程組中，又分為柵極套刻檢測進 程、接觸孔套刻檢測進程、金屬線套刻檢測進程等。然後，獲取待測晶片的數據(S202)， 一個新產品投入時，產品的 相關信息已經確定，如晶片尺寸、晶片上圖形的尺寸和排列周期。對於 自動檢測，前提是要保證能檢測到對準標記，雖然對準標記通常都位於 晶片的切割線上，但由於不同產品的圖形尺寸和排列周期不相同，其對 準標記的位置也不會完全相同。為此，在建立適用於新產品的檢測程序 前，需要先獲取新產品(待測晶片)的該類基本信息數據。接著，可以根據新產品的工藝要求，在上述進程組中選取檢測對象 與待測晶片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程(S203 )，本 實施例中，檢測對象相同首先表現為用於檢測套刻精度的對準標記相 同。另外，對於套刻檢測進程，除了檢測的對象相同外，還要考慮到影 響其檢測結果的其他因素，如該產品的技術節點，該步檢測所處的工序， 即該步檢測是在形成柵極後還是形成金屬層後的光刻套刻檢測等，這些 也會對套刻檢測進程的設置有影響，因此，要求所選取的第一檢測進程， 不僅其對準標記要與待測晶片的相同，其檢測產品的技術節點、檢測的 工序也要與待測晶片的本步檢測相同，如本次要檢測的待檢測的晶片為 0.13pm的技術節點，且是對光刻接觸孔圖形後對其套刻精度的檢測， 則所選取的第 一檢測進程，是在所用對準標記與待測晶片相同的前提下 (通常技術節點相同的各產品所用的對準標記是相同的)，在0.13pm技 術節點的、進程組中選取的用於在舊產品中檢測光刻接觸孔圖形後的 套刻精度的檢測進程作為第 一檢測進程。另外，作為新產品，其器件的形狀、大小、排列周期等往往都與舊 產品有所不同，這會導致其準標記的位置與舊產品的不同，因此，即使 所選用的第一檢測進程與待測晶片的技術節點相同，對準標記相同，所 處工序相同，其所適用的檢測條件也不會相同。如果直接按所選用的適 於舊產品的第一4企測進程對新產品進行4企測，往往會導致無法正確定位 至對準標記，結果必然會是檢測失敗。因此，下一步需要結合前面在S202中獲取的待測品片的數據對所選取的第一檢測進程進行調整，生 成適合於新產品的檢測的第二檢測進程(S204)。本實施例中，可以利 用前面獲得的新產品的晶片尺寸、圖形尺寸和排列周期等數據對第一檢 測進程進行調整修正，如將第一檢測進程中利用產品的器件形狀、大小、 排列周期等數據用來定位對準標記的參數替換為新產品的相關數據，使 其適用於新產品的測試。這樣，在進行新產品檢測時，就可以依據這些 新的數據正確定位到其對準標記，並實現對其的套刻精度檢測。最後，可以執行該適於新產品檢測的第二檢測進程，完成對新產品 的待測晶片的檢測(S205 )。執行本實施例方法形成的第二檢測進程， 可以在待測晶片到位後，直接自動依次按設定好的條件和步驟對新產品 的待測晶片進行定位、檢測等操作，不需要再等到晶片到位後再進行檢 測進程的編制，減少了工藝流程的時間，提高了生產的效率。本實施例中，通過將新產品的相關數據與類似舊產品的檢測進程相 結合，得到了適用於新產品的檢測進程，實現了在無晶片狀態下對檢測 進程的編制。但是，在傳統的有晶片情況下編制的檢測進程，其自動檢 測的失敗率在10%左右，而採用本實施例的方法後，其檢測的失敗率有 所上升，達到20%左右，即，雖然採用第一實施例中的^^測方法可以令 生產的效率有所提升，但其檢測失敗率卻比有晶片的情況要更高一些。 為此，本發明的第二實施例在第一實施例的基礎上作了以下改進1、優化了對版標記，除了用於檢測套刻精度的對準標記外，光刻 掩膜版上還會有另 一種用於定位晶片的標記一 一對版標記。通過對上述 失敗率較高情況的分析，發現大部分檢測失敗都是由於未能正確定位而 引起的，傳統的置檢測進程的方法，是在有晶片的情況下進行的，因此, 可以根據晶片表面的實際情況進行定位，對晶片上的對版標記的清晰度
要求不高。而採用本發明的方法後，該對版標記是由檢測設備按預先設 定的條件進行尋找定位的，此時，若該對版標記不夠清晰就會導致檢測 設備無法正確定位，如不同的晶片表面，其表面亮度不同，也會影響到 對版標記的定位效果。為此，需要選取一種受晶片表面情況影響不大的標記作為對版標記，圖3為本發明第二實施例所用的對版標記，如圖3 所示，該對版標記301為暗場版，圖中斜線部分代表的是不透光的部分， 該對版標記301的中間位置有一圖形，且該圖形為中心具有一個十字的 方框。實驗證實，採用圖3所示的對版標記可以降低晶片表面情況對其 定位的影響，提高了定位的正確度。2、除器件的形狀、大小、排列周期等位置、尺寸參數外，在S202 中還要獲取更多的有關新產品的數據，以便在S204步驟中對檢測進程 的更多參數進行全面的修正。導致檢測失敗率較高的因素，，不僅僅是定位問題，還可能會因其他 檢測參數設置不合適而引起，如不同的晶片，其表面情況不同，檢測時 的光線強度、聚焦位置等參數可能會有所不同。為此，本發明的第二實 施例中，對檢測進程的調整是從設置參數(parameter)、定位對準標記 (alignment )、定位晶片(wafer map)和設置測試條件(test)四個方面進行 的。本實施例中，將晶片的表面凹凸度、表面介質層厚度等多個可能影 響檢測的因素也考慮進去。如，當新產品的晶片的對準標記中，代表上 層的小對準標記和代表下層的大對準標記的高度差，與舊產品的相比有 所變化時，相應地要對檢測時的聚焦條件等進行修正，而這一高度差的 數據可以在S202中根據新產品的設計直接得到，所以在無晶片狀態下 將這一新、舊產品的區別考慮進去，對新產品的檢測進程進行修正是可 行的。通過對可能影響到檢測進程的各個因素的全面考慮和修正，可以 令採用本發明的檢測方法對新產品的晶片進行檢測的失敗率降至與有 晶片情況下進行檢測時的相當或更低，更好地滿足了實際生產中的檢測 要求。圖4為本發明第一實施例與第二實施例中;f全測失敗率的統計結果 圖，如圖4所示，其中，401為採用第一實施例方法進行套刻精度檢測 的失敗率統計結果，402為採用本發明的第二實施例後套刻精度檢測的 失敗率統計結果，如圖中所示，採用第二實施例的全面修正方法後，其 檢測的失敗率明顯下降，可以更好地滿足生產檢測的要求。本發明的第 一和第二實施例是用於檢測光刻套刻精度的檢測方法， 在本發明的其他實施例中，本發明的檢測方法還可以應用於其他的檢測 工藝中，本發明的第三實施例說明了利用本發明的檢測方法對刻蝕結果 進行檢測的過程。本實施例中，需要對0.13pm技術節點下的器件在刻蝕多晶矽柵極 後的柵極線寬進行檢測。首先，利用以前舊產品的柵極線寬檢測進程建 立包含至少一個的刻蝕結果檢測進程的進程組。該進程組裡各進程分別 適用於4企測不同產品，如對於0.25pm、 0.18nm、 0.13|im等不同的技術 節點，分別具有不同的檢測進程。然後，獲取所需的待測晶片的數據， 一個新產品投入時，其上器件 的柵極的高度、線寬等參數已經確定，此外，其晶片上各器件圖形的大 小、排列周期等數據也可以在製作前得知，因此，可以在無晶片的狀態 下事先得到晶片的這些相關數據。接著，根據新產品的要求，在上述進程組中選取檢測對象與待測晶 片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程。本實施例中，要檢測 技術節點為0.13pm的產品在刻蝕柵極圖形後達到的柵極線寬，就可以 在建立的線寬檢測進程組中選取舊產品中技術節點為0.13pm的產品對 柵極線寬進行檢測的檢測進程作為第 一檢測進程。然後，考慮到新產品的器件形狀、大小、排列周期等都會與舊產品 有所不同，結合待測晶片的數據對所選取的第一檢測進程進行調整，生
成適合於新產品的檢測的第二檢測進程。如用新產品的器件形狀、大小、 排列周期等數據替換原檢測程序中的同類數據，使得利用新的檢測進程 可以直接定位到用子檢測柵極線寬的測試圖形，並進行測試。最後，可以執行該適於新產品檢測的第二檢測進程，完成對新產品 的待測晶片的柵極線寬的檢測。本實施例中，為了定位晶片的效果更好，可以採用圖3所示的對版標 記實現晶片的定位。另外，在對第一檢測進程進行修正時，同樣可以利 用已有的新產品信息，對設置參數、定位對準標記、定位晶片和設置測 試條件等四方面的多個參數進行全面修正，如柵極刻蝕的高度不同引起 的測試時聚焦位置的變化等，以進一步提高檢測效果。通過以上三個實施例可以看到，本發明的岸企測方法可以在晶片正式 生產前，在無晶片的狀態下設置好各步檢測的檢測進程，避免了工藝流 程的停頓，提高了生產的效率。圖5為本發明的4企測系統的示意圖，如圖5所示，本發明的檢測系統 由五部分組成，包括信息存儲裝置501，其用於存儲包含至少一個檢測產品的不同工序。該信息存儲裝置可以為計算機的存儲裝置，如硬碟、 軟盤等。數據獲取裝置502,該裝置用於獲取待測晶片的數據，包括晶片尺寸、 晶片上圖形的尺寸和排列周期等，除此以外，針對不同的檢測，其還需 要獲取不同的其他數據，如對於刻蝕結果的檢測，還要有刻蝕深度的數 據，對於套刻結果的檢測，可能需要上、下兩層高度差的數據等。該裝 置內信息的獲取可以通過鍵盤直接錄入數據或通過網絡獲得數據而實 現，本實施例中，是通過鍵盤將所需新產品的相關數據錄入excel文件中實現數據的獲取。信息選取裝置503,該裝置與信息存儲裝置501相連，用於在信息 存儲裝置501中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的檢測進 程作為第一檢測進程，且該第一檢測進程與所述待測晶片的技術節點和檢測工序相同。其中，既可以直接將所選取的第一^r測進程存儲在該信 息選取裝置503中，也可以只將所選取的第一^r測進程在上述信息存儲 裝置501中的位置信息存儲在該信息選取裝置503中。進程生成裝置504，該裝置與數據獲取裝置502、信息選取裝置503 相連，用於生成第二檢測進程。該進程生成裝置504是利用由數據獲取 裝置502獲得的待測晶片的數據，對信息選取裝置503所選取的第一檢 測進程進行調整後生成新的適於新產品的第二糹全測進程的。本實施例 中，在利用excel文件實現數據的獲取後，將該excel文件和第一檢測進 程調入後面的進程生成裝置504中，實現對第一^r測進程的調整，並形 成了適合新產品的新的檢測進程。其中，對第一檢測進程的調整可以包 括設置參數、定位對準標記、定位晶片和設置測試條件等四方面的調整， 其調整時依據的是在數據獲取裝置中獲取的相關的數據。另外，注意到對於在信息選取裝置503中直接存儲第一檢測進程的 情況，進程生成裝置504可直接由信息選取裝置503中調用第一檢測進 程進行調整，對於在信息選取裝置503中存儲的是第一檢測進程的地址 的情況，則需要根據信息選取裝置503中的地址信息到信息存儲裝置 501中調用第一^r測進程，然後再對其進行調整，圖5中所示的為第一 種情況。執行裝置505，與所述進程生成裝置504相連，用於執行進程生成 裝置504中生成的第二檢測進程，完成對待測晶片的檢測。對於本發明第一實施例和第二實施例中所說的套刻檢測方法，本檢 測系統中控制檢測操作的檢測進程為檢測光刻套刻精度的進程。對於本 發明的第三實施例，檢測進程為柵極線寬檢測進程。
儘管通過在此的實施例描述說明了本發明，和儘管已經足夠詳細地 描述了實施例，申請人不希望以任何方式將權利要求書的範圍限制在這 種細節上。對於本領域技術人員來說另外的優勢和改進是顯而易見的。 因此，在較寬範圍的本發明不限於表示和描述的特定細節、表達的設備 和方法和說明性例子。因此，可以偏離這些細節而不脫離申請人總的發 明概念的精神和範圍。
權利要求
1. 一種檢測方法，包括步驟建立包含至少一個檢測進程的進程組；獲取待測晶片的數據；在所述進程組中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程；利用待測晶片的數據對所述第一檢測進程進行調整，生成第二檢測進程；執行所述第二檢測進程完成對所述待測晶片的檢測。
2、 如權利要求1所述的檢測方法，其特徵在於所述第一檢測進 程與所述待測晶片的技術節點和檢測工序相同。
3、 如權利要求1所述的檢測方法，其特徵在於所述待測晶片的 數據包括晶片尺寸、晶片上圖形的尺寸和排列周期。
4、 如權利要求1所述的檢測方法，其特徵在於對所述第一檢測 進程進行的調整包括對設置參數、定位對準標記、定位晶片和設置測試 條件的調整。
5、 如權利要求4所述的檢測方法，其特徵在於所述定位晶片由 所述待測晶片上的對版標記實現。
6、 如權利要求5所述的檢測方法，其特徵在於所述對版標記為 暗場版，其中間位置有一圖形，且所述圖形為中心具有一個十字的方框。
7、 如權利要求1所述的檢測方法，其特徵在於所述檢測進程為 檢測光刻套刻精度的進程。
8、 如權利要求7所述的檢測方法，其特徵在於所述檢測對象為 用於判斷套刻精度的對準標記。
9、 一種檢測系統，其特徵在於，包括信息存儲裝置，用於存儲包含至少 一個檢測進程的進程組； 數據獲取裝置，用於獲取待測晶片的數據；信息選取裝置，與所述信息存儲裝置相連，用於在所述信息存儲裝 置中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程；進程生成裝置，與所述數據獲取裝置、信息選取裝置相連，用於生 成第二檢測進程，所述第二檢測進程是利用由所述數據獲取裝置獲得的待測晶片的數據，對由所述信息選取裝置選取的第一檢測進程進行調整 後生成的；執行裝置，與所述進程生成裝置相連，用於執行所述進程生成裝置 中的第二檢測進程，完成對所述待測晶片的檢測。
10、 如權利要求9所述的檢測系統，其特徵在於所述第一檢測進 程與所述待測晶片的技術節點和檢測工序相同。
11、 如權利要求9所述的檢測系統，其特徵在於所述待測晶片的 數據包括晶片尺寸、晶片上圖形的尺寸和排列周期。
12、 如權利要求9所述的檢測系統，其特徵在於在所述進程生成 裝置中對所述第一檢測進程進行的調整包括對設置參數、定位對準標 記、定位晶片和設置測試條件的調整。
全文摘要
本發明公開了一種檢測方法及檢測系統，檢測方法包括步驟建立包含至少一個檢測進程的進程組；獲取待測晶片的數據；在所述進程組中選取檢測對象與所述待測晶片的檢測對象相同的檢測進程作為第一檢測進程；利用待測晶片的數據對所述第一檢測進程進行調整，生成第二檢測進程；執行所述第二檢測進程完成對所述待測晶片的檢測。採用本發明的檢測方法的檢測系統可以在無晶片的狀態下對檢測的步驟和條件進行設置，避免了因檢測進程的設置而導致工藝流程的停頓，提高了生產的效率。
文檔編號H01L21/66GK101211804SQ20061014881
公開日2008年7月2日 申請日期2006年12月28日 優先權日2006年12月28日
發明者軻 張 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司