一種發光器件晶片及其製造方法
2023-12-07 09:30:26 3
一種發光器件晶片及其製造方法
【專利摘要】本發明提出了一種發光器件晶片及其製造方法，其中一種發光器件晶片包括：自下而上依次為反射襯底、N電極、外延層N區、有源區、外延層P區和P電極，反射襯底包括介質層、銀鏡和銅襯底，反射襯底通過生長襯底的轉換方式形成。本發明的生長襯底的As不會帶入發光器件製備的後續工藝流程，降低工業廢水的汙染治理成本；反射襯底能夠提高散熱性能，同時生長襯底可以重複利用，降低生產成本，使得其具有明顯的技術先進性和良好的經濟效益。
【專利說明】一種發光器件晶片及其製造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及LED領域，特別是指一種發光器件晶片及其製造方法。
【背景技術】
[0002]現有發光器件晶片的製備過程中，將生長襯底一次性使用，或者將其直接作為晶片的襯底形成產品，或者將其磨薄後隨晶片形成產品。生長襯底大都作為晶片產品的一部分。
[0003]目前常規使用的紅黃光晶片生長襯底是GaAs，使用這種生長襯底的晶片產品則會含砷。在使用這種生長襯底的晶片的製備過程中，如果應用了生長襯底減薄工藝，則工業廢水中將含有GaAs顆粒，增加了工業廢水的汙染，同時提高了企業排汙和廢水處理的成本。並且，由於GaAs是非透明材料，將影響此類晶片形成的晶片的出光效率。其中採用的腐蝕停止層腐蝕速度慢，且消除不徹底，需要增加後續複雜的清除工藝。
【發明內容】
[0004]本發明提出一種發光器件晶片及其製造方法，解決了現有技術中生長襯底對發光器件晶片散熱效率的影響及其帶來的環境汙染問題。
[0005]本發明的技術方案是這樣實現的:一種發光器件晶片，包括:自下而上依次為反射襯底、N電極、外延層N區、有源區、外延層P區和P電極，所述反射襯底包括介質層、銀鏡和銅襯底，所述反射襯底通過生長襯底的轉換方式形成。
[0006]進一步地，所述生長襯底包括預置轉換層；所述預置轉換層能夠將所述生長襯底轉換為所述反射襯底；所述介質層和所述銀鏡通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備，所述銅襯底通過電鍍方式製備，所述介質層包括SiO2' ITO或Si3N4，所述銅襯底厚度範圍為70 μ m?150 μ m0
[0007]進一步地，所述預置轉換層通過外延生長方式自下而上依次形成所述外延層N區、所述有源區和所述外延層P區；所述P電極經過蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製成，所述N電極經過蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製成。
[0008]優選地，還包括支撐襯底；所述外延層P區通過粘附方式形成粘合層，所述粘合層附接所述支撐襯底；或者所述外延層P區通過鍵合介質結合所述支撐襯底；所述支撐襯底具體為矽襯底、藍寶石襯底或石英襯底。
[0009]進一步地，所述鍵合介質能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。
[0010]優選地，所述鍵合介質為光阻劑，所述光阻劑具體為有機膠介質。
[0011]進一步地，所述預置轉換層能夠被腐蝕液選擇性消除；所述腐蝕液具體為HF或BOE。
[0012]進一步地，所述生長襯底包括GaAs ;所述預置轉換層包括AlAs。
[0013]一種發光器件晶片的製造方法，包括如下步驟:
[0014]a)所述生長襯底依次外延生長形成預置轉換層、外延層N區、有源區和外延層P區；
[0015]b)經步驟a)所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製作P電極；
[0016]c)經步驟b)所得外延片利用腐蝕液腐蝕所述預置轉換層；
[0017]d)經步驟c)所得所述生長襯底經過表面處理步驟之後，進行再利用；
[0018]e)經步驟c)所得所述外延層N區經過表面處理步驟之後，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製作N電極；
[0019]f)將步驟e)所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備介質層和銀鏡，通過電鍍方式製備銅襯底。
[0020]優選地，一種發光器件晶片的製造方法，包括如下步驟:
[0021]I)所述生長襯底依次外延生長形成預置轉換層、外延層N區、有源區和外延層P區；
[0022]2)經步驟I)所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製作P電極；
[0023]3 )經步驟2 )所得外延片表面通過粘附的方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底，或者通過鍵合介質結合所述支撐襯底；
[0024]4)經步驟3)所得外延片利用腐蝕液腐蝕所述預置轉換層；
[0025]5)經步驟4)所得所述生長襯底經過表面處理步驟之後，進行再利用；
[0026]6)經步驟4)所得所述外延層N區經過表面處理步驟之後，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製作N電極；
[0027]7)將步驟6)所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備介質層和銀鏡，通過電鍍方式製備銅襯底。
[0028]優選地，步驟7)之後執行步驟8)，步驟8)通過有機溶劑溶解法消除所述粘合層或所述鍵合介質，同時移除所述支撐襯底；步驟8)在50°C?100°C的溫度範圍內執行；步驟
3)完成後，加熱至90°C?120°C維持IOmin?30min。
[0029]優選地，所述退火在450°C?500°C的溫度範圍內進行；所述退火的時間範圍為5min?20min ;所述刻蝕具體為幹法刻蝕或者溼法刻蝕，使用選擇性的和/或各向異性的刻蝕法來執行；所述表面處理步驟至多包括拋光步驟、檢測步驟以及位於所述拋光步驟之前和/或之後的清洗步驟，所述拋光步驟具體為化學拋光或機械拋光；所述清洗步驟具體為腐蝕液清洗或者水清洗；所述檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
[0030]本發明的有益效果為:
[0031]I)生長襯底可以重複利用，節省成本；
[0032]2)生長襯底的As不會帶入發光器件製備的後續工藝流程，降低工業廢水的汙染治理成本；
[0033]3)反射襯底具有良好的散熱性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。[0035]圖1為現有技術常規襯底外延片結構示意圖；
[0036]圖2為本發明步驟I)所得結構示意圖；
[0037]圖3為本發明一種發光器件晶片製造方法一個實施例的流程示意圖；
[0038]圖4為本發明一種發光器件晶片製造方法另一個實施例的流程示意圖；
[0039]圖5為本發明步驟2)所得結構示意圖；
[0040]圖6為本發明步驟3)所得結構示意圖；
[0041]圖7為本發明步驟4)所得結構示意圖；
[0042]圖8為本發明步驟7)所得結構示意圖；
[0043]圖9為本發明發光器件晶片示意圖。
[0044]圖中:
[0045]1、生長襯底；2_1、腐蝕停止層；2_2、預置轉換層；3、外延層N區；4、有源區；5、夕卜延層P區；6、P電極；7、鍵合介質；8、支撐襯底；9、N電極；10、介質層；11、銀鏡；12、銅襯底。
【具體實施方式】
[0046]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0047]實施例1
[0048]如圖2和圖9所示，本發明一種發光器件晶片，包括:自下而上依次為反射襯底、N電極9、外延層N區3、有源區4、外延層P區5和P電極6，反射襯底包括介質層10、銀鏡11和銅襯底12，反射襯底通過生長襯底I的轉換方式形成。
[0049]生長襯底I包括預置轉換層2-2 ;預置轉換層2-2能夠將生長襯底I轉換為反射襯底；介質層10和銀鏡11通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備，銅襯底12通過電鍍方式製備，介質層10包括SiO2,銅襯底12厚度為70 μ m。預置轉換層2_2通過外延生長方式自下而上依次形成外延層N區3、有源區4和外延層P區5 ;P電極6經過蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製成，N電極9經過蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製成。
[0050]生長襯底I包括GaAs ;預置轉換層2_2包括AlAs。預置轉換層2_2能夠被腐蝕液選擇性消除；腐蝕液具體為HF。
[0051]相對於圖1所示的現有生長襯底利用腐蝕停止層2-1的剝離情況，本發明採用HF選擇性地腐蝕消除預置轉換層2-2，消除徹底充分，使得生長襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，同時避免了發光器件晶片製造中生長襯底I的As對環境的汙染。
[0052]實施例2
[0053]如圖2和圖9所示，本發明一種發光器件晶片，包括:自下而上依次為反射襯底、N電極9、外延層N區3、有源區4、外延層P區5和P電極6，反射襯底包括介質層10、銀鏡11和銅襯底12，反射襯底通過生長襯底I的轉換方式形成。
[0054]生長襯底I包括預置轉換層2-2 ;預置轉換層2-2能夠將生長襯底I轉換為反射襯底；介質層10和銀鏡11通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備，銅襯底12通過電鍍方式製備，介質層10包括ΙΤ0，銅襯底12厚度為150 μ m。[0055]預置轉換層2-2通過外延生長方式自下而上依次形成外延層N區3、有源區4和外延層P區5 ;P電極6經過蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製成，N電極9經過蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製成。
[0056]預置轉換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除；腐蝕液具體為Β0Ε。生長襯底I包括GaAs ;預直轉換層2_2包括AlAs。
[0057]相對於圖1所示的現有生長襯底利用腐蝕停止層2-1的剝離情況，本發明採用BOE選擇性地腐蝕消除預置轉換層2-2，消除徹底充分，使得生長襯底I能夠回收再利用，降低了其使用成本，同時避免了發光器件晶片製造中生長襯底I的As對環境的汙染。
[0058]實施例3
[0059]如圖2、圖6和圖9所示，本發明一種發光器件晶片，包括:自下而上依次為反射襯底、N電極9、外延層N區3、有源區4、外延層P區5和P電極6，反射襯底包括介質層10、銀鏡11和銅襯底12，反射襯底通過生長襯底I的轉換方式形成。本發明還包括支撐襯底8 ;外延層P區5通過粘附方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底8 ;支撐襯底8具體為矽襯底。
[0060]生長襯底I包括預置轉換層2-2 ;預置轉換層2-2能夠將生長襯底I轉換為反射襯底；介質層10和銀鏡11通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備，銅襯底12通過電鍍方式製備，介質層10包括Si3N4,銅襯底12厚度為120 μ m。
[0061 ] 預置轉換層2-2通過外延生長方式自下而上依次形成外延層N區3、有源區4和外延層P區5 ;P電極6經過蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製成，N電極9經過蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製成。
[0062]預置轉換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除；腐蝕液具體為BOE。
[0063]實施例4
[0064]如圖2、圖6和圖9所示，本發明一種發光器件晶片，包括:自下而上依次為反射襯底、N電極9、外延層N區3、有源區4、外延層P區5和P電極6，反射襯底包括介質層10、銀鏡11和銅襯底12，反射襯底通過生長襯底I的轉換方式形成。本發明還包括支撐襯底8 ;外延層P區5通過鍵合介質7結合支撐襯底8 ;支撐襯底8具體為藍寶石襯底或石英襯底。
[0065]生長襯底I包括預置轉換層2-2 ;預置轉換層2-2能夠將生長襯底I轉換為反射襯底；介質層10和銀鏡11通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備，銅襯底12通過電鍍方式製備，介質層10包括SiO2，銅襯底12厚度範圍為100 μ m。
[0066]預置轉換層2-2通過外延生長方式自下而上依次形成外延層N區3、有源區4和外延層P區5 ;P電極6經過蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製成，N電極9經過蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製成。
[0067]預置轉換層2-2能夠被腐蝕液選擇性消除；腐蝕液具體為Β0Ε。鍵合介質7能夠被去光阻劑溶解，去光阻劑具體為丙酮。鍵合介質7為光阻劑，光阻劑具體為有機膠介質。
[0068]實施例5
[0069]如圖2、圖3、圖5和圖9所示，本發明一種發光器件晶片的製造方法，包括如下步驟:
[0070]a)生長襯底I依次外延生長預置轉換層2-2、外延層N區3、有源區4和外延層P區5 ；
[0071]b)經步驟a)所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製作P電極6 ;[0072]c)經步驟b)所得外延片利用腐蝕液腐蝕預置轉換層2-2 ；
[0073]d)經步驟c)所得生長襯底I經過表面處理步驟之後，進行再利用；
[0074]e)經步驟c)所得外延層N區3經過表面處理步驟之後，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製作N電極9 ；
[0075]f)將步驟e)所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備介質層10和銀鏡11，通過電鍍方式製備銅襯底12。
[0076]步驟b )之前先進行清洗操作。
[0077]退火在450°C溫度下進行；退火的時間為5min。
[0078]刻蝕方法具體為幹法刻蝕，使用選擇性的刻蝕法來執行；表面處理步驟包括拋光步驟、檢測步驟以及位於拋光步驟之前的清洗步驟，拋光步驟具體為化學拋光；清洗步驟具體為腐蝕液清洗；檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
[0079]實施例6
[0080]如圖2、圖3、圖5和圖9所示，本發明一種發光器件晶片的製造方法，包括如下步驟:
[0081]a)生長襯底I依次外延生長預置轉換層2-2、外延層N區3、有源區4和外延層P區5 ；
[0082]b)經步驟a)所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製作P電極6 ;
[0083]c)經步驟b)所得外延片利用腐蝕液腐蝕預置轉換層2-2 ；
[0084]d)經步驟c)所得生長襯底I經過表面處理步驟之後，進行再利用；
[0085]e)經步驟c)所得外延層N區3經過表面處理步驟之後，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製作N電極9 ；
[0086]f)將步驟e)所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備介質層10和銀鏡11，通過電鍍方式製備銅襯底12。
[0087]步驟b )之前先進行清洗操作。
[0088]退火在500°C溫度下進行；退火的時間為15min。
[0089]刻蝕方法具體為溼法刻蝕，使用各向異性的刻蝕法來執行；表面處理步驟包括拋光步驟、檢測步驟以及位於拋光步驟之後的清洗步驟，拋光步驟具體為機械拋光；清洗步驟具體為水清洗；檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
[0090]實施例7
[0091]如圖2及圖4?8所示，本發明一種發光器件晶片的製造方法，包括如下步驟:
[0092]I)生長襯底I依次外延生長預置轉換層2-2、外延層N區3、有源區4和外延層P區5 ；
[0093]2)經步驟I)所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製作P電極6 ;
[0094]3)經步驟2)所得外延片表面通過粘附的方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底8 ；
[0095]4)經步驟3)所得外延片利用腐蝕液腐蝕預置轉換層2-2 ；
[0096]5)經步驟4)所得生長襯底I經過表面處理步驟之後，進行再利用；
[0097]6)經步驟4)所得外延層N區3經過表面處理步驟之後，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製作N電極9 ；[0098]7)將步驟6)所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備介質層10和銀鏡11，通過電鍍方式製備銅襯底12。
[0099]步驟3)完成後，加熱至90 O維持30min。
[0100]退火在480°C溫度下進行；退火的時間為20min。
[0101]刻蝕方法具體為幹法刻蝕，使用選擇性的刻蝕法來執行；表面處理步驟包括檢測步驟和清洗步驟；清洗步驟具體為腐蝕液清洗或者水清洗；檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
[0102]實施例8
[0103]如圖2及圖4?8所示，本發明一種發光器件晶片的製造方法，包括如下步驟:
[0104]I)生長襯底I依次外延生長預置轉換層2-2、外延層N區3、有源區4和外延層P區5 ；
[0105]2)經步驟I)所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製作P電極6 ;
[0106]3)經步驟2)所得外延片表面通過鍵合介質7結合支撐襯底8 ；
[0107]4)經步驟3)所得外延片利用腐蝕液腐蝕預置轉換層2-2 ；
[0108]5)經步驟4)所得生長襯底I經過表面處理步驟之後，進行再利用；
[0109]6)經步驟4)所得外延層N區3經過表面處理步驟之後，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製作N電極9 ；
[0110]7)將步驟6)所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備介質層10和銀鏡11，通過電鍍方式製備銅襯底12。
[0111]步驟3)完成後，加熱至120°C維持lOmin。
[0112]退火在450°C溫度下進行；退火的時間為20min。
[0113]刻蝕方法具體為溼法刻蝕，使用各向異性的刻蝕法來執行；表面處理步驟包括拋光步驟、檢測步驟以及位於拋光步驟之後的清洗步驟，拋光步驟具體為機械拋光；清洗步驟具體為水清洗；檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
[0114]實施例9
[0115]如圖2及圖4?9所示，一種發光器件晶片的製造方法，包括如下步驟:
[0116]I)生長襯底I依次外延生長預置轉換層2-2、外延層N區3、有源區4和外延層P區5 ；
[0117]2)經步驟I)所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製作P電極6 ;
[0118]3)經步驟2)所得外延片表面通過鍵合介質7結合支撐襯底8 ；
[0119]4)經步驟3)所得外延片利用腐蝕液腐蝕預置轉換層2-2 ；
[0120]5)經步驟4)所得生長襯底I經過表面處理步驟之後，進行再利用；
[0121]6)經步驟4)所得外延層N區3經過表面處理步驟之後，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製作N電極9 ；
[0122]7)將步驟6)所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備介質層10和銀鏡11，通過電鍍方式製備銅襯底12 ；
[0123]8)通過有機溶劑溶解法消除鍵合介質7，同時移除支撐襯底8。
[0124]步驟8 )在75 °C的溫度下執行。
[0125]步驟3)完成後，加熱至110°C維持20min。[0126]刻蝕方法具體為溼法刻蝕，使用各向異性的刻蝕法來執行；表面處理步驟包括拋光步驟、檢測步驟以及位於拋光步驟之後的清洗步驟，拋光步驟具體為機械拋光；清洗步驟具體為水清洗；檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
[0127]實施例10
[0128]如圖2及圖4?9所示，一種發光器件晶片的製造方法，包括如下步驟:
[0129]I)生長襯底I依次外延生長預置轉換層2-2、外延層N區3、有源區4和外延層P區5 ；
[0130]2)經步驟I)所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製作P電極6 ;
[0131]3)經步驟2)所得外延片表面通過鍵合介質7結合支撐襯底8 ；
[0132]4)經步驟3)所得外延片利用腐蝕液腐蝕預置轉換層2-2 ；
[0133]5)經步驟4)所得生長襯底I經過表面處理步驟之後，進行再利用；
[0134]6)經步驟4)所得外延層N區3經過表面處理步驟之後，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製作N電極9 ；
[0135]7)將步驟6)所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備介質層10和銀鏡11，通過電鍍方式製備銅襯底12 ；
[0136]8)通過有機溶劑溶解法消除鍵合介質7，同時移除支撐襯底8。
[0137]步驟8)在50°C的溫度下執行。步驟3)完成後，加熱至110°C維持15min。
[0138]刻蝕方法具體為幹法刻蝕，使用選擇性的刻蝕法來執行；表面處理步驟包括拋光步驟、檢測步驟以及位於拋光步驟之前的清洗步驟，拋光步驟具體為化學拋光；清洗步驟具體為腐蝕液清洗；檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。
[0139]實施例11
[0140]如圖2及圖4?9所示，一種發光器件晶片的製造方法，包括如下步驟:
[0141]I)生長襯底I依次外延生長預置轉換層2-2、外延層N區3、有源區4和外延層P區5 ；
[0142]2)經步驟I)所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製作P電極6 ;
[0143]3)經步驟2)所得外延片表面通過粘附的方式形成粘合層，粘合層附接支撐襯底8 ；
[0144]4)經步驟3)所得外延片利用腐蝕液腐蝕預置轉換層2-2 ；
[0145]5)經步驟4)所得生長襯底I經過表面處理步驟之後，進行再利用；
[0146]6)經步驟4)所得外延層N區3經過表面處理步驟之後，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製作N電極9 ；
[0147]7)將步驟6)所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備介質層10和銀鏡11，通過電鍍方式製備銅襯底12 ；
[0148]8)通過有機溶劑溶解法消除粘合層，同時移除支撐襯底8。
[0149]步驟8)在100°C的溫度下執行。
[0150]步驟3)完成後，加熱至95°C維持18min。
[0151]刻蝕方法具體為溼法刻蝕，使用各向異性的刻蝕法來執行；表面處理步驟包括拋光步驟、檢測步驟以及位於拋光步驟之後的清洗步驟，拋光步驟具體為機械拋光；清洗步驟具體為水清洗；檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度檢測。[0152]以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種發光器件晶片，其特徵在於，包括:自下而上依次為反射襯底、N電極、外延層N區、有源區、外延層P區和P電極，所述反射襯底包括介質層、銀鏡和銅襯底，所述反射襯底通過生長襯底的轉換方式形成。
2.根據權利要求1所述的一種發光器件晶片，其特徵在於，所述生長襯底包括預置轉換層；所述預置轉換層能夠將所述生長襯底轉換為所述反射襯底；所述介質層和所述銀鏡通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備，所述銅襯底通過電鍍方式製備，所述介質層包括Si02、ITO或Si3N4，所述銅襯底厚度範圍為70μm~150 μ m。
3.根據權利要求2所述的一種發光器件晶片，其特徵在於，所述預置轉換層通過外延生長方式自下而上依次形成所述外延層N區、所述有源區和所述外延層P區；所述P電極經過蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製成,所述N電極經過蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製成。
4.根據權利要求3所述的一種發光器件晶片，其特徵在於，還包括支撐襯底；所述外延層P區通過粘附方式形成粘合層，所述粘合層附接所述支撐襯底；或者所述外延層P區通過鍵合介質結合所述支撐襯底；所述支撐襯底具體為矽襯底、藍寶石襯底或石英襯底。
5.根據權利要求4所述的一種發光器件晶片,其特徵在於,所述鍵合介質能夠被去光阻劑溶解，所述去光阻劑具體為丙酮。
6.根據權利要求5所述的一種發光器件晶片，其特徵在於，所述鍵合介質為光阻劑，所述光阻劑具體為有機膠介質。
7.根據權利要求2所述的一種發光器件晶片，其特徵在於，所述預置轉換層能夠被腐蝕液選擇性消除；所述腐蝕液具體為HF或Β0Ε。
8.根據權利要求2~7任一項所述的一種發光器件晶片,其特徵在於,所述生長襯底包括GaAs ;所述預置轉換層包括AlAs。
9.一種權利要求2所述的發光器件晶片的製造方法，其特徵在於，包括如下步驟: a)所述生長襯底依次外延生長所述預置轉換層、外延層N區、有源區和外延層P區； b)經步驟a)所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製作所述P電極； c)經步驟b)所得外延片利用腐蝕液腐蝕所述預置轉換層； d)經步驟c)所得所述生長襯底經過表面處理步驟之後，進行再利用； e)經步驟c)所得所述外延層N區經過表面處理步驟之後，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製作所述N電極； f)將步驟e)所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備所述介質層和所述銀鏡，通過電鍍方式製備所述銅襯底。
10.一種權利要求4所述的發光器件晶片的製造方法，其特徵在於，包括如下步驟: 1)所述生長襯底依次外延生長所述預置轉換層、外延層N區、有源區和外延層P區； 2)經步驟I)所得外延片進行蒸鍍BeAu、退火、光刻和刻蝕製作所述P電極； 3)經步驟2)所得外延片表面通過粘附的方式形成粘合層，所述粘合層附接支撐襯底，或者通過鍵合介質結合所述支撐襯底； 4)經步驟3)所得外延片利用腐蝕液腐蝕所述預置轉換層； 5)經步驟4)所得所述生長襯底經過表面處理步驟之後，進行再利用； 6)經步驟4)所得所述外延層N區經過表面處理步驟之後，進行蒸鍍GeAu、光刻和刻蝕製作所述N電極；7)將步驟6)所得外延片通過沉積、光刻、刻蝕和蒸鍍製備所述介質層和所述銀鏡，通過電鍍方式製備所述銅襯底。
11.根據權利要求10所述的一種發光器件晶片的製造方法，其特徵在於，所述步驟7)之後執行步驟8)，所述步驟8)通過有機溶劑溶解法消除所述粘合層或所述鍵合介質，同時移除所述支撐襯底；所述步驟8)在50°C~100°C的溫度範圍內執行；所述步驟3)完成後，加熱至90°C~12CTC維持IOmin~30min。
12.根據權利要求9或10所述的一種發光器件晶片的製造方法，其特徵在於，所述退火在450°C~500°C的溫度範圍內進行；所述退火的時間範圍為5min~20min ;所述刻蝕具體為幹法刻蝕或者溼法刻蝕，使用選擇性的和/或各向異性的刻蝕法來執行；所述表面處理步驟至多包括拋光步驟、檢測步驟以及位於所述拋光步驟之前和/或之後的清洗步驟，所述拋光步驟具體為化學拋光或機械拋光；所述清洗步驟具體為腐蝕液清洗或者水清洗；所述檢測步驟具體為光滑度檢測和表面清潔度 檢測。
【文檔編號】H01L33/36GK103779460SQ201410050409
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2014年2月13日 優先權日:2014年2月13日
【發明者】廉鵬, 李有群 申請人:馬鞍山太時芯光科技有限公司