一種基於柔性基板的倒置oled器件結構的製作方法
2024-01-29 15:47:15
一種基於柔性基板的倒置oled器件結構的製作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基於柔性基板的倒置OLED器件結構，包括透明的柔性基板，所述柔性基板上設置有使柔性基板表面平整化的高分子導電聚合物的防短路層，所述防短路層上由下及上依次沉積有陰極薄膜，金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜上由下至上依次蒸鍍有n型摻雜的電子傳輸層，電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極。本實用新型的優點是：使基板表面平整化，防止短路點的產生，倒置OLED器件結構具有高效率長壽命性。
【專利說明】—種基於柔性基板的倒置OLED器件結構
【技術領域】
[0001]本實用新型屬於有機電致發光器件領域，特別是涉及一種基於柔性基板的倒置OLED器件結構。
【背景技術】
[0002]研究表明:選擇柔性襯底作為OLED的基板時，由於選擇柔性襯底作為OLED的基板時，由於襯底本身的性質，給器件和製作過程帶來了很多問題。(I)平整性較差:通常柔性襯底的平整性要比玻璃襯底差，這不符合表面要求。大部分澱積技術是共形的，製備的薄膜會複製襯底的表面形態，使得襯底的各層都凹凸不平，這會造成器件的短路，引起器件損壞；(2)熔點低:柔性襯底的熔點很低，而OLED基板的工藝溫度卻很高，所以，在製作過程中柔性襯底會變形甚熔化。即使溫度較低的環境中，柔性襯底尺寸也不穩定，這給多層結構的OLED製作在精確地整齊排列上帶來了很大的困難；(3 )壽命短:0LED對水蒸汽和氧氣都比較敏感，而大部分柔性襯底的水、氧透過率均比較高。當水汽和氧氣進入到器件內部時，會影響陰極與發光層之間的粘附性、使有機膜層內發生化學反應。這些都會導致器件的光電特性急劇衰退，造成器件迅速老化、失效。與玻璃襯底相比，塑料襯底對水汽和氧氣的隔離及對器件防老化的保護作用都不夠理想，無法滿足顯示器連續工作超過1000小時的壽命要求。
實用新型內容
[0003]本實用新型目的是提供一種基於柔性基板的倒置OLED器件結構。
[0004]本實用新型的技術方案是:
[0005]一種基於柔性基板的倒置OLED器件結構，包括透明的柔性基板，所述柔性基板上旋塗有使柔性基板表面平整化的高分子導電聚合物的防短路層，所述防短路層上由下及上依次沉積有陰極薄膜，金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜上由下至上依次蒸鍍有η型摻雜的電子傳輸層，電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極。
[0006]優選地，所述防短路層為PEDOT:PSS為高分子導電聚合物，厚度為100-300 nm。防短路層的厚度必須保證在一兩百納米以上，這樣才能有效的保證柔性基地表面粗糙表面能夠很好被遮覆，保證器件不會因為基底粗糙造成短路，該厚度增強了器件的穩定性。
[0007]優選地，所述陰極薄膜為納米銀線，石墨烯，金屬薄層，ΙΤ0，碳納米管的一種，厚度為 15?60nm。
[0008]優選地，所述陽極為半透明或全反射的電極薄膜。
[0009]優選地，所述金屬氧化物薄膜為WO3 (氧化鎢)，Mo03(氧化鑰)，V2O5 (五氧化二釩)，ReO3 (氧化錸)，的厚度為1-15 nm。
[0010]優選地，所述η型摻雜的電子傳輸層中η型摻雜劑為Li或銫的氧化物或氮化物，如 LiH, Li2CO3, Cs2CO30
[0011]優選地，所述陽極為金屬電極薄膜，透明金屬氧化物薄膜或複合陽極薄膜。
[0012]本實用新型的優點是:使基板表面平整化，防止短路點的產生，倒置OLED器件結構具有高效率長壽命性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013]下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
[0014]圖1為本實用新型的結構示意圖；
[0015]具體實施
[0016]一種基於柔性基板的倒置OLED器件結構，是在柔性基板上旋塗一層200 nm厚的PEDOT: PSS (高分子導電聚合物)，其次是30 nm的石墨烯，接著是10 nm的Mo03，然後是55 nm的Bphen: Li，其它功能層的蒸鍍順序自下而上依次為20 nm TmPyPB電子傳輸層，20 nm CBP:1r (ppy) 3發光層，40 nm的TAPC空穴傳輸層，10 nm HAT-CN空穴注入層，100nm招金屬陽極。
[0017]本實用新型的PED0T:PSS (高分子導電聚合物)使基板表面平整化，防止短路點的產生，倒置OLED器件結構具有高效率長壽命性。
[0018]上述實施例只為說明本實用新型的技術構思及特點，其目的在於讓熟悉此項技術的人能夠了解本實用新型的內容並據以實施，並不能以此限制本實用新型的保護範圍。凡根據本實用新型主要技術方案的精神實質所做的等效變換或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種基於柔性基板的倒置OLED器件結構，其特徵在於:包括透明的柔性基板，所述柔性基板上設置有使柔性基板表面平整化的高分子導電聚合物的防短路層，所述防短路層上由下及上依次沉積有陰極薄膜，金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜上由下至上依次蒸鍍有η型摻雜的電子傳輸層，電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極。
2.根據權利要求1所述的一種基於柔性基板的倒置0LED器件結構，其特徵在於:所述防短路層厚度為100-300 nm。
3.根據權利要求1所述的一種基於柔性基板的倒置0LED器件結構，其特徵在於:所述陰極薄膜為厚度為15飛Onm。
4.根據權利要求1所述的一種基於柔性基板的倒置0LED器件結構，其特徵在於:所述金屬氧化物薄膜的厚度為1-15 nm。
5.根據權利要求1所述的一種基於柔性基板的倒置0LED器件結構，其特徵在於:所述陽極為半透明或全反射的電極薄膜。
6.根據權利要求1所述的一種基於柔性基板的倒置0LED器件結構，其特徵在於:所述陽極為金屬電極薄膜，透明金屬氧化物薄膜或複合陽極薄膜。
【文檔編號】H01L51/50GK204088384SQ201420461006
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年8月15日 優先權日:2014年8月15日
【發明者】丁磊, 馮亞青, 徐傑, 楊玲, 馮敏強, 廖良生 申請人:蘇州方昇光電裝備技術有限公司