一種大型晶片的製作方法
2024-01-22 11:03:15
專利名稱：一種大型晶片的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種晶片，尤其是涉及一種大型晶片。
背景技術：
氮化鎵(GaN)基發光二極體的發光效率隨著外延技術的提升、材料品質的改善而 不斷得到提升。衡量發光二極體發光效率之一的內量子效率已幾乎接近其理論極限，也就 是說半導體發光材料在電光轉換效率上已遠超過其它任何發光光源，為半導體照明奠定了 堅實的基礎。中國專利公開了一種樹形GaN基LED晶片電極(授權公告號CN 201266611Y), 其包括P型電極和N型電極，對GaN外延片進行臺面刻蝕，形成P型GaN臺面和N型GaN溝 槽，在P型GaN表面生長一層導電薄膜，再在導電薄膜上澱積P型電極，或者直接在P型GaN 表面澱積P型電極，在溝槽內澱積N型電極，P型電極的P型焊盤和N型電極的N型焊盤分 別設置在晶片一對角線的兩頂角部位，自P型焊盤的條形電極沿晶片對角線呈樹形分布， 自N型焊盤的條形電極沿晶片四周邊緣，並有條形電極伸向晶片內部；P型條形電極沿晶片 對角線呈樹形分布，包括沿對角線的條形電極，以及與之相連、呈對稱分布的且平行於晶片 邊緣的不少於兩條條形電極；N型條形電極包括沿晶片邊緣的邊緣電極及與一側邊緣電極 相連、且平行於另一側邊緣電極伸向晶片內部的條形電極，P型電極和N型電極的形狀亦可 互換，N型電極澱積在相應形狀的溝槽內。但是這種電極的封裝較為複雜，P電極區域、N電 極區域的製造較為不易，製造成本較大。
實用新型內容本實用新型是提供一種大型晶片，其主要是解決現有技術所存在的電極的封裝較 為複雜，P電極區域、N電極區域的製造較為不易，製造成本較大等的技術問題。本實用新型的上述技術問題主要是通過下述技術方案得以解決的本實用新型的一種大型晶片，包括殼體，其特徵在於所述的殼體為二氧化矽保護 層，二氧化矽保護層上設有P電極區域與N電極區域，二氧化矽保護層下方設有透明接觸電 極層，P電極區域、N電極區域的下方分別設有P型GaN、N型GaN，N型GaN的下方依次設有 襯底、反射層。P電極區域、P型GaN與N電極區域、N型GaN可以互換，二氧化矽保護層上 可以開有溝槽，用來固定P電極區域與N電極區域。作為優選，所述的P電極區域為「山」字型，其兩端的轉角處為圓形的P電極部位； N電極區域由主引線以及四根平行的支引線組成，支引線與主引線垂直，其兩端的轉角處為 矩形的N電極部位，N電極區域與P電極區域互相交錯設置。P電極區域與N電極區域互相 交錯相對設置，即節約了排布空間，又使加工較為方便。作為優選，所述的P型GaN與N型GaN之間設有發光層，可以在使用時發光。作為優選，所述的襯底為藍寶石襯底。作為優選，所述的二氧化矽保護層為正方形，其邊長為1200 μ m，整體尺寸較小，適 用於不同的電子元器件。[0010]因此，本實用新型電極的封裝較為簡單，P電極區域、N電極區域的製造較為容易， 製造成本較低，具有結構簡單、合理等特點。
附圖1是本實用新型的一種結構示意圖；附圖2是P電極區域的剖面結構示意圖；附圖3是N電極區域的剖面結構示意圖。圖中零部件、部位及編號二氧化矽保護層1、P電極部位2、N電極部位3、透明 接觸電極層4、PSGaN5、N型GaN6、襯底7、反射層8、發光層9。
具體實施方式
下面通過實施例，並結合附圖，對本實用新型的技術方案作進一步具體的說明。實施例本例的一種大型晶片，如圖1，有一個二氧化矽保護層1，二氧化矽保護層 為正方形，其邊長為1200 μ m，二氧化矽保護層上開有溝槽，溝槽內設有P電極區域與N電極 區域，其中P電極區域為「山，，字型，其兩端的轉角處為圓形的P電極部位2 ；N電極區域由 主引線以及四根平行的支引線組成，支引線與主引線垂直，其兩端的轉角處為矩形的N電 極部位3，N電極區域與P電極區域互相交錯設置。如圖2、圖3，二氧化矽保護層下方設有 透明接觸電極層4，P電極區域、N電極區域的下方分別設有P型GaN5、N型GaN6，P型GaN 與N型GaN之間設有發光層9。N型GaN的下方依次設有藍寶石的襯底7、反射層8。使用時，將整個晶片製作機構裝入電子元器件，接通P電極部位2、N電極部位3 即可。以上所述僅為本實用新型的具體實施例，但本實用新型的結構特徵並不局限於 此，任何本領域的技術人員在本實用新型的領域內，所作的變化或修飾皆涵蓋在本實用新 型的專利範圍之中。
權利要求一種大型晶片，包括殼體，其特徵在於所述的殼體為二氧化矽保護層(1)，二氧化矽保護層上設有P電極區域與N電極區域，二氧化矽保護層下方設有透明接觸電極層(4)，P電極區域、N電極區域的下方分別設有P型GaN(5)、N型GaN(6)，N型GaN的下方依次設有襯底(7)、反射層(8)。
2.根據權利要求1所述的一種大型晶片，其特徵在於所述的P電極區域為「山」字型， 其兩端的轉角處為圓形的P電極部位(2) ；N電極區域由主引線以及四根平行的支引線組 成，支引線與主引線垂直，其兩端的轉角處為矩形的N電極部位(3)，N電極區域與P電極區 域互相交錯設置。
3.根據權利要求1或2所述的一種大型晶片，其特徵在於所述的P型GaN(5)與N型 GaN (6)之間設有發光層(9)。
4.根據權利要求1或2所述的一種大型晶片，其特徵在於所述的襯底(7)為藍寶石襯底。
5.根據權利要求1或2所述的一種大型晶片，其特徵在於所述的二氧化矽保護層(1) 為正方形，其邊長為1200 μ m。
專利摘要本實用新型涉及一種晶片，尤其是涉及一種大型晶片。其主要是解決現有技術所存在的電極的封裝較為複雜，P電極區域、N電極區域的製造較為不易，製造成本較大等的技術問題。本實用新型包括殼體，其特徵在於所述的殼體為二氧化矽保護層(1)，二氧化矽保護層上設有P電極區域與N電極區域，二氧化矽保護層下方設有透明接觸電極層(4)，P電極區域、N電極區域的下方分別設有P型GaN(5)、N型GaN(6)，N型GaN的下方依次設有襯底(7)、反射層(8)。
文檔編號H01L33/38GK201699051SQ201020171798
公開日2011年1月5日 申請日期2010年4月28日 優先權日2010年4月28日
發明者蘭葉, 施建江 申請人:杭州海鯨光電科技有限公司