一種二維互聯式集成電路晶片的製作方法

2024-02-26 22:12:15

專利名稱：一種二維互聯式集成電路晶片的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種電路晶片，特別是一種二維互聯式集成電路晶片。
背景技術：
科技的日新月異，隨 之所產生的新技術，也為人們生活提供了相當大的便利。在集成電路領域鮮有引入光電切換單元這一技術，多數情況只能作為信息的載體輸入或輸出，並且電信號帶寬會受到一定程度的限制，電信號的通道帶寬距離小於目前光信號通道的帶寬距離水平，在高速發展的當今，電信號的通道帶寬以滿足不了一些特殊用戶的需求。

發明內容
本發明提供一種二維互聯式集成電路晶片，其技術方案是這樣實現的所提供的一種二維互聯式集成電路晶片，其包括母板晶片，在母板晶片上設置了光電切換單元，光電切換單元與母板晶片上設置的集成電路單元的相應點相連。作為本實用新型的進一步改進所述的光電切換單元呈多排矩陣式排列分布。所述的光電切換單元呈多邊蜂窩狀排列分布。所述的光電切換單元是砷化鎵作為材料。作為本發明有益效果如下光電切換單元呈多排矩陣式排列分布，及光電切換單元呈多邊蜂窩狀排列分布，可以在固定尺寸的集成電路晶片上製作更多排列的光電切換單元，從而可在固定尺寸的集成電路晶片上提供更多的信號通道數量；設置光電切換單元的集成電路晶片，可以用光作為信息的載體輸出或輸入信號，相比原來的技術具有更大的信號帶寬且不受電磁幹擾的影響，能滿足一些特殊用戶需求。


圖I為本發明中的光電切換單元呈多排矩陣式排列分布時的結構示意圖；圖2為本發明中的光電切換單元呈多邊蜂窩狀排列分布時的結構示意圖。圖中構件為101-母板晶片，102-光電切換單元。
具體實施例方式以下結合附圖和實施例對本發明做詳細的說明本發明提供的一種二維互聯式集成電路晶片，其包括母板晶片101，在母板晶片101上設置了光電切換單元102，光電切換單元102與母板晶片101設置的集成電路單元的相應點相連。所述的光電切換單元是砷化鎵材料作為材料，所述的光電切換單元102呈多排矩陣式排列分布，所述的光電切換單元102呈多邊蜂窩狀排列分布。本專利光電切換單元102呈多排矩陣式排列分布，及光電切換單元102呈多邊蜂窩狀排列分布，可以在固定尺寸的集成電路晶片上製作更多排列的光電切換單元102，從而可在固定尺寸的集成電路晶片上提供更多的信號通道數量；設置光電切換單元102的集成電路晶片，可以用光作為信息的載體輸出或輸入信號，相比原來的技術具有更大的信號帶寬且不受電磁幹擾的影響，能滿足一些特殊用戶需求，採用了發明的技術方案以後，其有益效果是顯而易見的。
以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非是對本發明作任何其他形式的限制，而依據本發明的技術實質所作的任何修改或等同變化，仍屬於本發明所要求保護的範圍。
權利要求
1.一種二維互聯式集成電路晶片，其特徵在於包括母板晶片(101)，在母板晶片(101)上設置有集成電路單元，在母板晶片(101)上還設置了光電切換單元(102)，光電切換單元(102)與母板晶片(101)上設置的集成電路單元的相應點相連。
2.根據權利要求I所述的一種二維互聯式集成電路晶片，其特徵在於所述光電切換單元(102)呈多排矩陣式排列分布。
3.根據權利要求I所述的一種二維互聯式集成電路晶片，其特徵在於所述光電切換單元(102)呈多邊蜂窩狀排列分布。
4.根據權利要求2或3所述的一種二維互聯式集成電路晶片，其特徵在於所述的光電切換單元是砷化鎵材料作為材料。
全文摘要
本發明涉及一種二維互聯式集成電路晶片包括母板晶片，在母板晶片上設置有集成電路單元，在母板晶片上還設置了光電切換單元，光電切換單元與母板晶片上設置的集成電路單元的相應點相連，設置光電切換單元的集成電路晶片，可以用光作為信息的載體輸出或輸入信號，相比原來的技術具有更大的信號帶寬且不受電磁幹擾的影響，能滿足一些特殊用戶需求。
文檔編號H01L27/144GK102760741SQ20111010715
公開日2012年10月31日 申請日期2011年4月27日 優先權日2011年4月27日
發明者尹慧萍 申請人:尹慧萍