將小晶片施加在基板上的製作方法
2023-10-06 09:03:04 1
專利名稱：將小晶片施加在基板上的製作方法
技術領域：
本申請涉及將小晶片施加在基板上的方 法。
背景技術：
平板顯示裝置與運算裝置結合廣泛用於可攜式裝置中，並廣泛用於娛樂裝置(如電視)。這類顯示器通常運用分布在基板上的多個像素來顯示圖像。通常利用無源矩陣控制或有源矩陣控制來控制顯示裝置，無源矩陣控制運用基板外部的電子線路，有源矩陣控制運用直接形成在基板上的電子線路。為了生產高性能顯示器，已經利用有源矩陣(AM)驅動線路製造出有機發光二極體(OLED)顯示裝置。在美國專利No. 5550066中公開了這類AMOLED顯示裝置的示例。一般通過在基板上形成薄膜電晶體(TFT)並且運用單獨的電路來控制顯示器中的各個發光像素來得到有源矩陣線路。有源矩陣裝置中，有源控制元件包括形成在例如非晶矽或者多晶矽基板上並被分布到平板顯示器基板上的半導體材料的薄膜。通常，各個顯示器子像素由一個控制元件控制並且各個控制元件包括至少一個電晶體。例如，在簡單的有源矩陣有機發光顯示器中，各個控制元件包括兩個電晶體(一個選擇電晶體和一個功率電晶體)以及一個用來存儲電荷的電容，電荷用於確定子像素的亮度。各個發光元件通常採用獨立的控制電極和公共電極。通常通過在基板上形成為金屬線的數據信號線、選擇信號線、電源接頭和地接頭來提供對發光元件的控制。有源矩陣元件不必限於顯示器，並且可以分布在基板上並可以在需要空間分布控制的其它應用中使用。薄膜電晶體(TFT)由半導體(如非晶矽或者晶體矽)薄層(通常100_400nm)構成。然而，這種薄膜半導體的特性對構造高質量顯示器常常是不夠的。例如，由於非晶矽的閾值電壓(Vth)以及載流子遷移率隨著持久的使用時間而發生改變，因此非晶矽是不穩定的。由於結晶過程，晶體矽在整個基板上常常在閾值電壓(Vth)以及載流子遷移率方面具有很大程度的變化性。由於OLED裝置通過電流輸入注入而操作，因此TFT的變化性能夠導致OLED像素的亮度的變化性，並且使顯示器的視覺質量下降。已經提出了新的補償方案(如在各個像素中添加另外的TFT線路)來補償TFT的變化性，然而這種補償增加了複雜性，這會對產量、成本產生負面影響或者會減小OLED發射區域。此外，當將薄膜電晶體製造工藝應用於較大的基板時，比如用於大平板電視應用時，變化性和工藝成本增加。避免薄膜電晶體的這些問題的一個方法是代替為在半導體基板中製造傳統的電晶體，然後將這些電晶體轉移到顯示器基板上。Matsumura等人的公開號為2006/0055864A1的美國專利申請教導了一種使用附在顯示器內的半導體集成電路(IC)裝配顯示器的、用於控制像素元件的方法，其中IC中嵌入的二極體代替現有技術顯示器的TFT所執行的一般功能。Matsumura教導了半導體基板應當變薄，例如通過拋光變薄至20微米至100微米之間的厚度。然後該基板被切成包含集成電路的更小的片，以下稱為「小晶片」。Matsumura教導了一種例如通過刻蝕、噴砂、雷射束加工或者切成小片來切割半導體基板的方法。Matsumura還教導了一種拾取方法,其中使用具有應於希望的定位的真空孔的真空吸盤系統對小晶片進行有選擇地拾取。然後小晶片被傳送到顯示器基板，其中將小晶片嵌入到厚的熱塑性樹脂中。示出了像素控制裝置內的布線互聯以及從總線和控制電極到像素控制裝置的連接。為了成功地對小晶片進行布線互聯，有必要以高的精度和可靠度對小晶片進行定位。如果基板被汙染或者被不正確地準備，則小晶片不能恰當地粘附或對齊，這樣會妨礙基板正確地操作。特別地，小晶片不能呈現在某些位置或者能夠呈現但不能正確地定位。因此，需要一種針對缺失或者未正確對齊的 小晶片而校正基板的製造工藝。
發明內容
根據本發明，在基板上提供小晶片的方法包括依次提供以下步驟(a)提供基板； (b)在所述基板上將粘接劑塗覆成層；(C)在分離的小晶片位置將多個第一小晶片放置在所述粘接劑層上，以將第一小晶片粘接至所述粘接劑層，其中，所述多個第一小晶片中的一個或更多個未粘接至所述粘接劑層，使得第一小晶片在粘接小晶片位置粘接至所述粘接劑層，並且第一小晶片在非粘接小晶片位置未粘接；(d)局部處理所述非粘接小晶片位置處的粘接劑層，用於調整所述非粘接位置處的粘接劑層以接收第二小晶片；(e)將第二小晶片放置在經調整的非粘接小晶片位置處的所述粘接劑層上，以將第二小晶片粘接在所述非粘接位置處的粘接劑層；(f)固化所述粘接劑。本發明的優點在於能夠矯正基板上缺失或者未對齊的小晶片，由此提高了產量。
圖I是示出本發明的方法的實施方式的流程圖；圖2A-2C是根據本發明實施方式的在組裝的不同階段的基板、粘結層和小晶片的平面圖；圖3是根據本發明實施方式的具有顆粒汙染的基板的橫截面；圖4是根據本發明實施方式的具有顆粒汙染的基板以及雷射燒蝕裝置的橫截面；圖5是根據本發明實施方式的具有顆粒汙染的基板、微型氣體噴射器、雷射燒蝕裝置以及抽吸裝置的橫截面；圖6是根據本發明實施方式的具有埋入的顆粒汙染的基板以及微型分配器的橫截面；圖7是根據本發明實施方式的具有埋入的顆粒汙染的基板以及位於埋入的顆粒上方的第二小晶片的橫截面；圖8是根據本發明實施方式的具有埋入的顆粒汙染的基板、未對齊的第一小晶片以及位於埋入的顆粒和第一小晶片上方的第二小晶片的橫截面；圖9是根據本發明實施方式的具有顆粒汙染的基板和壓印器的橫截面；圖IOA是根據本發明實施方式的具有顆粒汙染的基板和具有粘接塗覆層的壓印器的橫截面；以及圖IOB是根據本發明實施方式的在非粘接位置處具有未對齊小晶片的基板以及具有粘接塗層的壓印器的橫截面。 由於層的厚度尺寸可以在亞微米範圍，而代表橫向裝置尺寸的特徵可以處於從10微米到I米或者更多的範圍，因此附圖必要地為示意性的。因此，附圖是為了易於視覺呈現而非為了尺寸上的精確性而繪製。
具體實施例方式本發明致力於在基板上設置小晶片的製造方法，各個小晶片包括分離的、獨立的基板，該基板形成具有控制線路和連接墊的集成電路。小晶片分布和放置在基板上以局部地控制形成在基板上或位於基板上方的元件。然而，在基板上放置小晶片的過程會失敗，這種失敗導致在基板上缺失小晶片或未對齊的小晶片。因此，根據本發明，提供一種用於校正基板的方法，使得在基板上希望的位置上適當地放置小晶片。參照圖1，在本發明的一個實施方式中，在基板上提供小晶片的方法依次包括以下步驟提供(步驟100)基板；在基板上將粘接劑塗覆(步驟110)成層；在分離的小晶片位置處將多個第一小晶片置於(步驟120)粘接劑層上，以將第一小晶片粘接到粘接劑層，其中多個第一小晶片中的一個或者更多個不粘接到粘接劑層，使得第一小晶片在粘接小晶片位置處粘接到粘接劑層，第一小晶片在非粘接小晶片位置處不粘接；在非粘接小晶片位置處局部地處理(步驟140)粘接劑層，以調整非粘接位置處的粘接劑層來接收第二小晶片；將第二小晶片放置(步驟150)在經調整的非粘接小晶片位置處的粘接劑層上，以將第二小晶片粘接到非粘接位置處的粘接劑層上；固化(步驟170)粘接劑，以將小晶片貼附到基板。適當的粘接劑例如包括苯並環丁烯、聚醯亞胺、以及商業上可購買的材料，比如來自羅門哈斯(Rohm and Haas)的 「 Intervia Photodielectric 8023」。粘接劑被選擇為具有如下特性其輕易地粘接和穩固小晶片、能夠形成平坦化表面、能夠被固化或者能夠如下所述地被固化。根據本發明，被粘接的小晶片是以正確的排列和旋轉在適當的粘接小晶片位置粘接到粘接劑層的小晶片。非粘結位置是這樣的位置在該位置上不存在小晶片，或者在該位置上存在小晶片，但是小晶片沒有被正確定位、對齊或者旋轉。因此在非粘接小晶片位置上不放置第一小晶片意味著在該小晶片位置上沒有被正確地放置、對齊和旋轉的小晶片。在非粘接小晶片位置通過局部處理該粘接劑層以在非粘接位置調整粘接劑意味著以某種方式，例如通過機械、化學或者光學處理，或者通過在非粘接位置添加、改變或者移除材料，改變粘接劑層的處於非粘接位置的部分。通過局部處理還意味著以某種方式，比如通過機械、化學或者光學處理，或者通過添加、改變或者移除材料，改變非粘接位置上的未對齊的小晶片。通過局部處理還意味著在非粘接區域移除、掩埋、消滅任何不期望的材料(比如汙染性化學材料或者顆粒)，或者以另外的方式改變任何不期望的材料性質、位置或相對於其它材料的方位。參考圖2A，示出了基板10。在基板10可以使圖案化的導體或者其它層或者元件位於基板10上。如圖2B所示，粘接劑層12塗覆在基板10上。粘接劑層12可以是可固化的，使得粘接劑層12在被塗覆時僅提供輕微的粘附力，而在固化時提供非常強的粘附力，以在任何後續的工藝步驟(例如光刻或者材料塗覆步驟，如旋塗、簾式塗布，蒸發、濺射或刻蝕)期間將小晶片牢固地粘接在適當的位置。參見圖2C,例如通過使用如Matsumura描述的真空吸盤進行定位，在分離的小晶片位置將第一小晶片20置於基板10和粘接劑層12上。粘接劑層12即便沒有被固化，其對於在隨後的固化步驟之前將第一小晶片20粘接到適當的位置也是足夠的。然而根據本發明的方法，只將第一小晶片20中的一些在粘接小晶片位置22粘接到粘接劑層12。第一小晶片20的一部分在非 粘接位置24沒有正確地粘接到粘接劑層12，這是由於多種原因，例如可以存在汙染性材料(如顆粒50)，如果粘接劑塗覆操作沒有提供均勻的塗覆則可以不存在粘接劑材料，或者粘接劑材料可能在非粘接位置暴露於化學物質而喪失其粘接性能。簡單起見，圖2C示出了顆粒50，但本發明並不限於此。參見側視的圖3，第一小晶片20粘接到基板10上的粘接劑層12。由於存在顆粒50，第一小晶片20A沒有正確粘接到粘接劑層12。小晶片20A可以由小晶片安置裝置(未示出)移除或者小晶片可以被移動到粘接劑層12上不同的位置或方向。根據本發明的各種實施方式，可以採用多種方式校正缺失的小晶片。參見圖4，本發明的一個實施方式中，燒蝕裝置60，例如雷射燒蝕裝置，提供輻射束62，該輻射束62照射非粘接小晶片位置24的粘接劑層並蒸發顆粒50。如本實施方式所採用的，照射粘接劑層12包括照射其它材料，如可以存在於粘接劑層12上或粘接劑層12內部的汙染性顆粒15。顆粒15可以被徹底消滅或者可以被分成不會妨礙小晶片粘接的很多小塊。在本發明的一個實施方式中，例如通過熱輻射或者特定頻段(如紅外)的輻射，可以使粘接劑層12固化。可以選擇輻射束62使其不固化粘接劑，由此在接收第二小晶片的條件下，保持非粘接小晶片位置24處的粘接劑層12的粘接性能。例如可以通過熱輻射或者紅外輻射和用於蒸發顆粒50的紫外雷射束來固化粘接劑。在圖5中所示的另一實施方式中，微型氣體噴射裝置40可以將顆粒50A從粘接劑層12吹走，並且使顆粒50B懸浮在大氣中(或真空中)，以由氣壓比周圍氣壓低的微型抽吸裝置42抽走。在本發明另一實施方式中，可以由微型氣體噴射裝置40和微型抽取裝置42補充燒蝕裝置60，使得驅離的顆粒50B或保留在粘接層上的顆粒50C被蒸發，並且蒸汽被微型抽吸裝置42移除。另選地，可以驅離顆粒並然後再將其蒸發。在本發明的另選實施方式中，噴墨的或者微型分配器44可以從顆粒50上方的粘接劑供給裝置45分配附加粘接劑的小液滴，以將顆粒50掩埋、驅離或者移到新的位置，並且在粘接劑層12上方形成附加粘接劑的局部附加粘接劑層14。附加粘接劑的局部附加粘接劑層14可以平坦化非粘接小晶片位置處的粘接劑層12的表面。在所有情況下，附加粘接劑小液滴不必形成局域附加粘接劑層14。例如，附加粘接劑的小液滴15可以將顆粒50驅趕到不同的位置，在這個位置顆粒將不會妨礙小晶片粘接到由粘接劑的小液滴15所形成的局部附加粘接劑層14的平坦化的表面。在本發明的一個實施方式中，附加粘接劑的小液滴15包括與粘接劑層12中所採用的相同的材料。如圖7中所示，一旦顆粒50被附加粘接劑的小液滴50掩埋或者驅離，就可以將第二小晶片2B置於局部的附加粘接劑層14上。如圖8所示，局部的附加粘接劑層14還可以用來掩埋未對齊的小晶片20A。根據本發明，非粘接小晶片可以被粘接，但為未對齊的小晶片。因此，可以在非粘接小晶片位置24存在小晶片，並且附加粘接劑的小液滴15可以形成掩埋未對齊的小晶片20A的局部附加粘接劑層14。在圖8中，未對齊的小晶片20A示為被旋轉，以表示未對齊。一旦未對齊的小晶片20A被局部附加粘接劑層14掩埋，就可以在局部附加粘接劑層14上正確地放置第二小晶片20B。附加粘接劑層可以有效地平坦化局部附加粘接劑層14，在汙染性顆粒上方形成層或者填充粘接劑層12中粘接劑材料的間隙。
在如圖9所示的本發明另一實施方式中，壓印器30可以在非粘接小晶片位置24處的粘接劑層12上方向下壓，並且將粘著的顆粒50A壓成壓扁的顆粒50D，該壓扁的顆粒50D也可以被壓進粘接劑層12中。然後非粘接小晶片位置24就可以接收第二小晶片20。參照圖10A，本發明的另一實施方式中，壓印器30可以具有壓印粘接劑層13，當壓印器3與粘接劑層12接觸時，驅離的顆粒50B可以粘接到壓印粘結層13。可以通過在壓印粘接劑層13中使用比在粘接劑層12中使用的粘接劑更強的粘接劑，而將驅離的顆粒優選地粘接到壓印器30和壓印粘接劑層13。參照圖10B，在本發明另一實施方式中，通過使用壓印器30在未對齊的小晶片20A上向下壓，將未對齊的小晶片20A粘接到壓印器30上的壓印器粘接劑層13，以及將壓印器30和未對齊的小晶片20A —起移除，就能夠將未對齊的小晶片移除。非粘接小晶片位置24於是可以接收第二小晶片20。如下所述以及針對圖6和圖7所述，可以在放置第二小晶片20之前在基板10上設置附加粘接劑。根據本發明另一實施方式，可以相結合地使用以上所述的移除顆粒的方法。特別地，在驅離、燒蝕或者抽走汙染性顆粒之後沉積附加粘接劑小液滴以形成局部附加粘接劑層14可以是有用的。此外，在粘接劑層12在基板10上不均勻以及在特別的非粘接小晶片位置24不存在粘接劑材料的情況下，附加粘接劑材料的局部添加將允許第二小晶片20被粘接。能夠在非粘接小晶片位置24的粘接劑層12上再次沉積蒸發的、燒蝕的有機材料，使得粘接劑層12無效，這也是可能的。使用具有更強粘接劑塗覆層的壓印器30能夠使得從基板10移除粘接劑層12，這是可能的。此外，附加粘接劑材料的局部添加可以允許第二小晶片20被粘接。因此，通過一個或者多個所述的方法能夠克服現有技術中由於各種顆粒汙染或者粘接劑層12的不均勻性引起的小晶片粘接問題，由此提高了採用小晶片的基板的產量。本發明的方法可以結合成像裝置和分析軟體的使用而實現，成像裝置和分析軟體意在探測基板上小晶片的存在、缺少或者對齊。例如，數位相機能夠拍攝基板，基於計算機的軟體圖像處理程序用來探測基板上小晶片的存在、缺少或者對齊。這類分析結果可用於機械地指導操作雷射燒蝕裝置、微型分配器、微型氣體噴射器、抽吸裝置以及壓印器。本發明可以用來構造上面形成有像素陣列的顯示裝置，像素由小晶片內設置的電路驅動，該顯示裝置例如為有機或者無機發光二極體裝置。壓印過程(如本文所描述的那些壓印過程)在Matsumara(以上引用的)中進行了描述。如上所述，一旦用有效的小晶片對基板進行了充分組裝，基板和小晶片可以被處理為用形成在基板上的線將小晶片電性互連。然後可以在基板上形成響應於小晶片的有機電致發光結構(如OLED)。這些線用於驅動電路以及操作裝置。根據本發明的各種實施方式，能夠以多種方式構造小晶片，例如採用沿著小晶片長度尺寸方向的一行或者兩行連接墊。可以由各種材料形成互連總線，以及互連總線採用各種方法用來沉積在裝置基板上。例如，互連總線可以是蒸發或濺射的金屬，例如鋁或者鋁合金。另選地，互連總線可以由固化的導電油墨或者金屬氧化物製成。一個具有成本優勢的實施方式中，互連總線形成為單層。本發明對採用大裝置基板(如玻璃、塑料或者金屬薄片)的多像素裝置實施方式尤其有用，其中多個小晶片以規則的排列設置在裝置基板上。各個小晶片能夠根據小晶片內的線路以及響應於控制信號來控制形成在裝置基板上的多個像素。能夠在平鋪的元件上設置單個像素組或者多個像素組，這些像素組能夠被 組裝為形成整個顯示器。根據本發明的實施方式，小晶片在基板上提供了分布的像素控制元件。小晶片與裝置基板相比為相對小的集成電路，並且包括形成在獨立基板上的電路，該電路包含有電線、連接墊、諸如電阻器或電容器的無源元件或者諸如電晶體或二極體的有源元件。小晶片與裝置基板分開製造，並且應用到裝置基板。優選地使用矽或絕緣體上矽(SOI)利用製造半導體裝置的已知工藝來製造小晶片。然後在將小晶片附接到裝置基板之前分離各個小晶片。因此，各個小晶片的結晶基底可以被認為是與裝置基板分離的、並且小晶片線路沉積在上面的基板。因此，多個小晶片具有彼此相應的從裝置基板分離的多個基板。特別地，獨立的基板從形成有像素的基板分離，並且獨立的、小晶片基板的總共的面積小於裝置基板。小晶片可以具有結晶基板，以提供比例如薄膜非晶矽裝置或者薄膜多晶矽薄膜裝置中建立的有源元件更高性能的有源元件。小晶片可以優選地具有100微米或者更小的厚度，更優選地具有20微米或者更小的厚度。這利於粘接劑和平坦化材料在小晶片上的形成，其於是可以採用傳統的旋塗技術來進行塗敷。根據本發明的一個實施方式，形成在晶體矽基板上的小晶片以幾何陣列布置並且使用粘接和平坦化材料粘接到裝置基板上。小晶片表面上的連接墊用於將各個小晶片連接到信號線、電源總線以及行或列電極，以驅動像素。小晶片能夠控制至少四個像素。由於小晶片形成在半導體基板內，因此可以使用現代光刻工具形成小晶片的線路。採用這種工具，可以容易地得到0.5微米或者更小的特徵尺寸。例如，現在的半導體製造線可以達到90納米或者45納米的線寬，並且可以在製造本發明的小晶片時使用。然而，小晶片還需要連接墊，用於在組裝到顯示器基板上時進行到設置在小晶片上的配線層的電連接。必須根據顯示器基板上使用的光刻工具的特徵尺寸(比如5微米)以及小晶片連接到配線層的對齊(比如+/-5微米)來確定連接墊的尺寸。因此，連接墊可以例如是15微米寬且墊之間的間隔為5微米。這表明墊一般將明顯大於小晶片中形成的電晶體線路。墊一般可以形成在小晶片上、電晶體上方的金屬化層中。理想的是將小晶片製造得具有儘可能小的表面積，以實現低的製造成本。通過使用有獨立基板(如包括晶體矽)的小晶片，提供了具有更高性能的裝置，其中，相比於直接形成在基板(如非晶矽或者多晶矽)上的電路，該獨立基板具有更高性能的線路。由於晶體矽不僅具有更高的性能，而且具有更小的有源元件(比如電晶體)，因此大大減小了線路尺寸。使用微機電(MEMS)結構也可以形成有用的小晶片，例如Yoon、Lee、Yang 和 Jang 在 「A novel use of MEMs switches in driving AMOLED，，(Digest ofTechnical Papers of the Society for Information Display, 2008,3. 4, p. 13)中所描述的。裝置基板可以包括玻璃和配線層，該配線層由蒸發或濺射的金屬或金屬合金(如鋁或銀)製成並形成在利用現有技術中已知的光刻技術圖案化的平坦化層(如樹脂)之上。可以使用在集成電路工業中很好地確立的常規技術來形成小晶片。本發明具體基於特定的優選實施方式進行了詳細的描述，但是應當理解，可以在本發明的精神和保護範圍內實現多種變形和修改。 部件列表10 基板12粘接劑層13壓印粘接劑層14局部附加粘接劑層15粘性劑的小液滴20、20A、20B 小晶片22粘接小晶片位置24非粘接小晶片位置30壓印器40微型氣體噴射器裝置42微型抽吸裝置44微型分配器45 供給50 顆粒50A粘接的顆粒50B驅離的顆粒50C蒸發的顆粒50D壓扁的顆粒52 蒸汽60燒蝕裝置62 輻射100提供基板的步驟110塗覆粘性劑的步驟120放置第一小晶片的步驟140局部處理粘接劑層的步驟150放置和粘接第二小晶片的步驟170固化粘接劑層
權利要求
1.一種在基板上提供小晶片的方法，包括依次提供以下步驟 (a)提供基板； (b)在所述基板上將粘接劑塗覆成層； (C)在分離的小晶片位置將多個第一小晶片放置在所述粘接劑層上，以將第一小晶片粘接至所述粘接劑層，其中，所述多個第一小晶片中的一個或者更多個未粘接至所述粘接劑層，使得第一小晶片在粘接小晶片位置粘接至所述粘接劑層，並且第一小晶片在非粘接小晶片位置處未粘接； (d)局部處理所述非粘接小晶片位置處的粘接劑層，用於調整所述非粘接位置處的所述粘接劑層以接收第二小晶片； (e)將第二小晶片放置在經調整的非粘接小晶片位置處的所述粘接劑層上，以將第二小晶片粘接在所述非粘接位置處的粘接劑層； (f)固化所述粘接劑。
2.如權利要求I所述的方法，其中，在塗覆步驟期間，顆粒汙染所述非粘接小晶片位置處的粘接劑層。
3.如權利要求I所述的方法，其中，局部處理粘接劑層的步驟包括採用雷射束以照射所述非粘接小晶片位置處的粘接劑層。
4.如權利要求3所述的方法，其中，所述雷射束將所述非粘接小晶片位置處的汙染粘接劑層的顆粒蒸發。
5.如權利要求I所述的方法，其中，所述局部處理步驟包括在所述非粘接小晶片位置處的粘接劑層上沉積附加粘接劑。
6.如權利要求5所述的方法，其中，所述附加粘接劑將汙染所述非粘接小晶片位置處的粘接劑層的顆粒驅離、移到新的位置或者掩埋。
7.如權利要求5所述的方法，其中，所述局部處理步驟包括使具有所述附加粘接劑的所述非粘接小晶片位置處的粘接劑層表面平坦化。
8.如權利要求5所述的方法，其中，使用噴墨裝置或微型分配裝置以沉積所述附加粘接劑。
9.如權利要求3所述的方法，所述方法包括在所述非粘接小晶片位置處的粘接劑層上局部沉積附加粘接劑。
10.如權利要求3所述的方法，所述方法包括在所述雷射束照射之前或之後，使用微型氣體噴射器。
11.如權利要求2所述的方法，所述方法包括採用微型氣體噴射器將所述顆粒從所述非粘接小晶片位置處驅離或移除。
12.如權利要求2所述的方法，所述方法包括採用微型氣體抽吸裝置將所述顆粒從所述非粘接小晶片位置處驅離或移除。
13.如權利要求3所述的方法，所述方法包括採用微型氣體噴射器或者微型抽吸裝置將所述顆粒從所述非粘接小晶片位置處驅離或移除。
14.如權利要求I所述的方法，所述方法包括對非粘接小晶片區域施加壓印器。
15.如權利要求14所述的方法，所述方法包括在所述非粘接小晶片位置處的粘接劑層上局部沉積附加粘接劑。
16.如權利要求14所述的方法，其中，在塗覆步驟期間，顆粒汙染所述非粘接小晶片位置處的粘接劑層，並且其中對所述非粘接小晶片區域施加壓印器迫使所述顆粒至少部分地進入到所述基板上的所述粘接劑層中。
17.如權利要求14所述的方法，其中，在塗覆步驟期間，顆粒汙染所述非粘接小晶片位置處的粘接劑層，並且所述方法還包括在所述壓印器上提供壓印粘接劑層，所述壓印器被施加到所述非粘接小晶片區域，使得所述顆粒粘接至所述壓印粘接劑層。
18.如權利要求14所述的方法，其中，一個或者更多個小晶片在所述基板上未對齊，並且所述方法還包括在所述壓印器上提供壓印粘接劑層，所述壓印器被施加到所述未對齊的小晶片，以將所述未對齊的小晶片粘接至所述壓印粘接劑層。
全文摘要
一種在基板上提供小晶片(22)的方法，該方法包括依次提供以下步驟提供基板(10)；在基板上將粘接劑(12)塗覆成層，在分離的小晶片位置(22)將多個第一小晶片(20)放置在粘接劑層(12)上，以將第一小晶片粘接至粘接劑層，其中，多個第一小晶片中的一個或更多個未粘接至該粘接劑層，使得第一小晶片在粘接小晶片位置粘接至粘接劑層，並且第一小晶片在非粘接小晶片位置(24)未粘接；局部處理非粘接小晶片位置處的粘接劑層，用於調整非粘接位置處的粘接劑層以接收第二小晶片；將第二小晶片放置在經調整的非粘接小晶片位置處的粘接劑層上，以將第二小晶片粘接在非粘接位置處的粘接劑層，以及固化該粘接劑。
文檔編號H01L27/32GK102804381SQ201080028093
公開日2012年11月28日 申請日期2010年6月17日 優先權日2009年6月23日
發明者R·S·庫克, 約翰·W·哈默 申請人:全球Oled科技有限責任公司