一種半導體光電探測器及其製備方法、電子裝置與流程
2023-10-31 02:29:02 1
本發明涉及半導體領域，具體地，本發明涉及一種半導體光電探測器及其製備方法、電子裝置。
背景技術：
石墨烯是已知的世上最薄、最堅硬的納米材料，它幾乎是完全透明的，只吸收2.3％的光；導熱係數高5300w/m·k，高於碳納米管和金剛石，常溫下其電子遷移率超過15000cm2/v·s，又比納米碳管或矽晶體高，而電阻率只約1ω·m，比銅或銀更低，為世上電阻率最小的材料。因其電阻率極低，電子遷移的速度極快，因此被期待可用來發展更薄、導電速度更快的新一代電子元件或電晶體。
石墨烯在半導體器件的製備中得到廣泛應用，石墨烯光電探測器實現光電轉換的原理有很多，如光伏效應、光熱電效應、輻射熱效應和光子牽引效應，其中光伏效應和光熱電效應是半導體光電探測器中光電流產生的主要機理。當入射光能量高於半導體吸收層帶隙並照射在耗盡層時，光被吸收並產生電子-空穴對。在開路情況下，光生載流子依靠內建電場分離，外電路沒有電流產生，而是產生一個開路電壓vg。在短路情況下，分離的載流子很快到達兩側電極，從而在外電路產生光電流，檢測光電流的變化就可以達到探測光信號的目的。
目前石墨烯光電探測器的種類比較少，性能也需要作進一步改進。
技術實現要素：
在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分並不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特徵和必要技術特徵，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護範圍。
本發明提供了一種半導體光電探測器，所述半導體光電探測器包括：
半導體襯底；
第一電極，位於所述半導體襯底上，所述第一電極包括主體層以及位於所述主體層上的相互間隔設置的若干柱形結構；
隔離材料層，位於所述第一電極的表面上並覆蓋所述第一電極；
第二電極，位於所述主體層上方的所述隔離材料層上；
吸收層，位於所述第二電極、所述隔離材料層和所述柱形結構的上方。
可選地，所述吸收層包括石墨烯層。
可選地，所述隔離材料層包括氧化物層。
可選地，所述方法包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有第一電極，所述第一電極包括主體層以及位於所述主體層上的相互間隔設置的若干柱形結構；
在所述第一電極表面形成絕緣層，以覆蓋所述第一電極；
在所述柱形結構之間的所述絕緣層上形成第二電極；
在所述第二電極、所述隔離材料層和所述柱形結構的上方形成吸收層，以覆蓋所述第二電極、所述隔離材料層和所述柱形結構。
可選地，所述吸收層包括石墨烯層。
可選地，所述石墨烯層通過化學氣相沉積或者低壓化學氣相沉積形成，沉積前驅體包括甲苯、苯、或甲烷。
可選地，形成所述第一電極的方法包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有所述主體層；
在所述主體層上形成具有開口圖案的掩膜層；
在所述開口圖案中填充導電材料，以形成柱形結構的第一電極；
去除所述掩膜層。
可選地，形成所述第二電極的方法包括：
在所述絕緣層上形成導電材料層，以覆蓋所述絕緣層；
沉積第一介電層，以填充所述柱形結構之間的間隙並覆蓋所述導電材料層；
回蝕刻所述第一介電層，以減小所述第一介電層的厚度，露出部分所述導電材料層；
去除露出的所述導電材料層，以露出部分所述絕緣層；
沉積第二介電層並平坦化所述第二介電層至所述柱形結構，以填充所述柱形結構之間的間隙並覆蓋露出的所述絕緣層；
去除所述第二介電層，以露出下方的所述導電材料，形成第二電極。
可選地，在平坦化所述第二介電層至所述柱形結構之後還包括：
在所述第二介電層和所述柱形結構上形成第三介電層，以覆蓋所述第二介電層和所述柱形結構；
圖案化所述第三介電層，以保留所述柱形結構上的所述第三介電層；
通過溼法清洗去除所述第二介電層和所述第三介電層，以形成所述第二電極。
本發明還提供了一種電子裝置，，所述電子裝置包括上述的半導體器件。
本發明為了解決現有技術中存在的問題，提供了一種半導體光電探測器，所述半導體光電探測器包括：半導體襯底，第一電極；隔離材料，第二電極，吸收層，其中，所述第一電極具有突出的柱形結構，所述第二電極位於所述第一電極之間的間隙，所述吸收層位於所述第一電極和所述第二電極的上方，呈柱形結構，由於所述柱形結構的吸收層的設置，增加了光吸收的面積，進一步提高了所述半導體光電探測器的靈敏度和性能。
附圖說明
本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用於理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例及其描述，用來解釋本發明的裝置及原理。在附圖中，
圖1為本發明中所述半導體器件的製備工藝流程圖；
圖2a-2o為本發明中所述半導體器件的製備過程示意圖；
圖3為本發明中行動電話手機的示例的外部視圖。
具體實施方式
在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為徹底的理解。然而，對於本領域技術人員而言顯而易見的是，本發明可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發明發生混淆，對於本領域公知的一些技術特徵未進行描述。
應當理解的是，本發明能夠以不同形式實施，而不應當解釋為局限於這裡提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，並且將本發明的範圍完全地傳遞給本領域技術人員。在附圖中，為了清楚，層 和區的尺寸以及相對尺寸可能被誇大。自始至終相同附圖標記表示相同的元件。
應當明白，當元件或層被稱為「在...上」、「與...相鄰」、「連接到」或「耦合到」其它元件或層時，其可以直接地在其它元件或層上、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或層，或者可以存在居間的元件或層。相反，當元件被稱為「直接在...上」、「與...直接相鄰」、「直接連接到」或「直接耦合到」其它元件或層時，則不存在居間的元件或層。應當明白，儘管可使用術語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區、層和/或部分，這些元件、部件、區、層和/或部分不應當被這些術語限制。這些術語僅僅用來區分一個元件、部件、區、層或部分與另一個元件、部件、區、層或部分。因此，在不脫離本發明教導之下，下面討論的第一元件、部件、區、層或部分可表示為第二元件、部件、區、層或部分。
空間關係術語例如「在...下」、「在...下面」、「下面的」、「在...之下」、「在...之上」、「上面的」等，在這裡可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特徵與其它元件或特徵的關係。應當明白，除了圖中所示的取向以外，空間關係術語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉，然後，描述為「在其它元件下面」或「在其之下」或「在其下」元件或特徵將取向為在其它元件或特徵「上」。因此，示例性術語「在...下面」和「在...下」可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉90度或其它取向)並且在此使用的空間描述語相應地被解釋。
在此使用的術語的目的僅在於描述具體實施例並且不作為本發明的限制。在此使用時，單數形式的「一」、「一個」和「所述/該」也意圖包括複數形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應明白朮語「組成」和/或「包括」，當在該說明書中使用時，確定所述特徵、整數、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特徵、整數、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術語「和/或」包括相關所列項目的任何及所有組合。
為了徹底理解本發明，將在下列的描述中提出詳細的步驟以及詳細的結構，以便闡釋本發明的技術方案。本發明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發明還可以具有其他實施方式。
本發明為了解決現有技術中存在的問題，提供了一種半導體光電探測器，所述半導體光電探測器包括：
半導體襯底101；
第一電極，位於所述半導體襯底101上，所述第一電極包括主體層103以及位於所述主體層上的相互間隔的若干柱形結構105；
隔離材料106，位於所述主體層的表面以及所述柱形結構的側邊上；
第二電極109ˊ，位於所述主體層上方的所述隔離材料層106上；
吸收層111，位於所述第二電極、所述隔離材料層和所述柱形結構的上方。
其中，所述吸收層111包括石墨烯，其中，所述石墨烯是已知的世上最薄、最堅硬的納米材料，它幾乎是完全透明的，只吸收2.3％的光；導熱係數高5300w/m·k，高於碳納米管和金剛石，常溫下其電子遷移率超過15000cm2/v·s，又比納米碳管或矽晶體高，而電阻率只約1ω·m，比銅或銀更低，為世上電阻率最小的材料。因其電阻率極低，電子遷移的速度極快，因此選用石墨烯的光電探測器的性能得到進一步的提高。
其中，所述石墨烯可以為一層或者多層，並不據局限於某一數值，其中所述第一電極具有突出的柱形結構，所述第二電極位於所述第一電極之間的間隙，所述石墨烯位於所述第一電極和所述第二電極的上方，呈柱形結構，由於所述柱形結構的石墨烯的設置，增加了光吸收的面積，進一步提高了所述半導體光電探測器的靈敏度和性能。
在所述半導體光電探測器中，用1-3層的石墨烯覆蓋所述第一電極和第二電極，以熱氧化300nm絕緣層(二氧化矽)的矽片為襯底，製作上共面波導傳輸線的第一電極和第二電極接觸形成石墨烯光電探測器gpd(graphenephotodetectors)結構。通過暗電流和光電流測試得到i-v曲線，在光照下總電流有明顯的偏移，表明所述半導體光電探測器可用於光探測，並且在無外加源陋電壓時也有可觀的光電流產生，具有良好的性能。
在本發明中，選用石墨烯製作的光電探測器可以在很寬的波長範圍(至少300nm～6um)(可見-紅外)，用實現探測，具有更為廣泛的應用。
本發明為了解決現有技術中存在的問題，提供了一種半導體光電探測器，所述半導體光電探測器包括：半導體襯底，第一電極；隔離材料，第 二電極，吸收層，其中，其中，其中所述第一電極具有突出的柱形結構，所述第二電極位於所述第一電極之間的間隙，所述吸收層位於所述第一電極和所述第二電極的上方，呈柱形結構，由於所述柱形結構的吸收層的設置，增加了光吸收的面積，進一步提高了所述半導體光電探測器的靈敏度和性能。
實施例一
所述半導體光電探測器包括：
半導體襯底101；
第一電極，位於所述半導體襯底101上，所述第一電極包括主體層103以及位於所述主體層上的相互間隔的若干柱形結構105；
隔離材料106，位於所述主體層的表面以及所述柱形結構的側邊上；
第二電極109ˊ，位於所述主體層上方的所述隔離材料層106上；
吸收層111，位於所述第二電極、所述隔離材料層和所述柱形結構的上方。
如圖2o所示，其中，所述半導體襯底101可以是以下所提到的材料中的至少一種：矽、絕緣體上矽(soi)、絕緣體上層疊矽(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化矽(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化矽(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。
其中，所述第一電極的主體層103可以選用cu、au、ni、w、pt、pd和ti中的一種。
可選地，在該實施例中所述第一電極的主體層103選用cu。
可選地，在所述半導體襯底101和所述第一電極的主體層103之間還形成有sicn層。
其中，所述隔離材料106可以選用氧化物，例如可以選用al2o3層，但並不局限於該示例。
可選地，在所述隔離材料106上還形成有第一sic層，所述第一sic層可以通過原子層沉積的方法形成。
進一步，在所述第一sic層形成第二sic層108，所述第二sic層108可以通過等離子體增強化學氣相沉積(pecvd)的方法形成。
所述第二電極選用cu、au、ni、w、pt、pd和ti中的一種。
可選地，在該實施例中所述第二電極選用cu。
在該步驟中所述第二電極通過物理氣相沉積(pvd)或者電化學鍍銅(ecp)的方法形成。
其中，所述吸收層111包括石墨烯，其中，所述石墨烯是已知的世上最薄、最堅硬的納米材料，它幾乎是完全透明的，只吸收2.3％的光；導熱係數高5300w/m·k，高於碳納米管和金剛石，常溫下其電子遷移率超過15000cm2/v·s，又比納米碳管或矽晶體高，而電阻率只約1ω·m，比銅或銀更低，為世上電阻率最小的材料。因其電阻率極低，電子遷移的速度極快，因此選用石墨烯的光電探測器的性能得到進一步的提高。
其中，所述石墨烯可以為一層或者多層，並不據局限於某一數值，其中所述第一電極具有突出的柱形結構，所述第二電極位於所述第一電極之間的間隙，所述石墨烯位於所述第一電極和所述第二電極的上方，呈柱形結構，由於所述柱形結構的石墨烯的設置，增加了光吸收的面積，進一步提高了所述半導體光電探測器的靈敏度和性能。
在所述半導體光電探測器中，用1-3層的石墨烯覆蓋所述第一電極和第二電極，以熱氧化300nm絕緣層(二氧化矽)的矽片為襯底，製作上共面波導傳輸線的第一電極和第二電極接觸形成石墨烯光電探測器gpd(graphenephotodetectors)結構。
通過暗電流和光電流測試得到i-v曲線，在光照下總電流有明顯的偏移，表明所述半導體光電探測器可用於光探測，並且在無外加源陋電壓時也有可觀的光電流產生，具有良好的性能。
本發明為了解決現有技術中存在的問題，提供了一種半導體光電探測器，所述半導體光電探測器包括：半導體襯底，第一電極；隔離材料，第二電極，吸收層，其中，其中，其中所述第一電極具有突出的柱形結構，所述第二電極位於所述第一電極之間的間隙，所述吸收層位於所述第一電極和所述第二電極的上方，呈柱形結構，由於所述柱形結構的吸收層的設置，增加了光吸收的面積，進一步提高了所述半導體光電探測器的靈敏度和性能。
實施例二
本發明為了解決現有技術中存在的問題，提供了一種半導體光電探測 器的製備方法，下面結合附圖對所述方法作進一步的說明。
其中，圖2a-2o為本發明中所述半導體器件的製備過程示意圖；圖3為本發明中行動電話手機的示例的外部視圖。
圖1為本發明中所述半導體光電探測器的製備工藝流程圖，具體包括以下步驟：
步驟s1：提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有第一電極，所述第一電極包括主體層以及位於所述主體層上的相互間隔設置的若干柱形結構；
步驟s2：在所述第一電極表面形成絕緣層，以覆蓋所述第一電極；
步驟s3：在所述柱形結構之間的所述絕緣層上形成第二電極；
步驟s4：在所述第二電極、所述隔離材料層和所述柱形結構的上方形成吸收層，以覆蓋所述第二電極、所述隔離材料層和所述柱形結構。
下面以附圖1中的工藝流程圖為基礎，對所述方法展開進行詳細說明。
執行步驟一，提供半導體襯底101，在所述半導體襯底上形成第一電極的主體層103。
具體地，如圖2a所示，在該步驟中，所述半導體襯底101可以是以下所提到的材料中的至少一種：矽、絕緣體上矽(soi)、絕緣體上層疊矽(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化矽(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化矽(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。
其中，所述第一電極的主體層103可以選用cu、au、ni、w、pt、pd和ti中的一種。
可選地，在該實施例中所述第一電極的主體層103選用cu。
其中，所述第一電極的主體層103通過物理氣相沉積(pvd)或者電化學鍍銅(ecp)的方法形成。
可選地，在所述半導體襯底101和所述第一電極的主體層103之間還形成有擴散阻擋層102，其中，所述擴散阻擋層102可以選用sicn層，但並不局限於該材料。
執行步驟二，在所述主體層上形成具有開口圖案的掩膜層104；在所述開口圖案中填充導電材料，以形成柱形結構105，形成所述第一電極。
具體地，如圖2a所示，在該步驟中首先形成具有開口圖案的掩膜層 104，例如形成氧化物層，並且對所述氧化物進行圖案化，以形成所述開口圖案。
然後在所述開口圖案中填充導電材料，以形成柱形結構105，如圖2b所示，形成所述第一電極。
其中，所述導電材料選用cu、au、ni、w、pt、pd和ti中的一種。
可選地，在該實施例中所述導電材料選用cu。
在該步驟中所述導電材料通過物理氣相沉積(pvd)或者電化學鍍銅(ecp)的方法形成。
例如，選用金屬銅填充所述溝槽，在本發明中可以通過物理氣相沉積(pvd)法或者電化學鍍銅(ecp)的方法填充所述開口並覆蓋所述氧化物層。
選用電化學鍍銅(ecp)的方法沉積金屬銅，銅鍍層厚度(um)＝電流密度(asf)×電鍍時間(min)×電鍍效率×0.0202；一般電鍍銅電流效率為90-100％，在本發明中需要填充所述開口，因此在電鍍時需要使用添加劑，所述添加劑為平坦劑(leveler)，加速劑(acceleratore)和抑制劑(suppressor)。
作為優選，在形成所述金屬銅形成後還可以進一步包含退火的步驟，退火可以在80-160℃下進行2-4小時，以促使同重新結晶，長大晶粒，降低電阻和提高穩定性。
最後去除所述掩膜層，如圖2c所示，具體地可以選用溼法去除所述掩膜層，例如選用dhf進行溼法蝕刻或者溼法清洗，以去除所述掩膜層。
其中，將n2通入所述dhf中以去除所述dhf中溶解的氧，以避免在去除的過程中對金屬氧化。
執行步驟三，在所述第一電極表面形成隔離材料106，以覆蓋所述第一電極。
具體地，如圖2d所示，在該步驟中所述隔離材料106可以通過熱氧化的方法形成或者通過原子層沉積的方法形成。
其中，所述隔離材料106可以選用氧化物，例如可以選用al2o3層，但並不局限於該示例。
可選地，在所述隔離材料106上還可以形成介電層或者介電層疊層，以增加隔離效果。
例如在所述隔離材料106上形成第一sic層107，如圖2e所示，所述第一sic層107可以通過原子層沉積的方法形成。
進一步，在所述第一sic層上形成第二sic層108，如圖2f所示，所述第二sic層108可以通過等離子體增強化學氣相沉積(pecvd)的方法形成。
執行步驟四，在所述第二sic層108上形成導電材料層109，以覆蓋所述第二sic層108。
具體地，如圖2g所示，在該步驟中所述導電材料選用cu、au、ni、w、pt、pd和ti中的一種。
可選地，在該實施例中所述導電材料選用cu。
在該步驟中所述導電材料通過物理氣相沉積(pvd)或者電化學鍍銅(ecp)的方法形成。
執行步驟五，沉積第一介電層110，以填充所述柱形結構之間的間隙並覆蓋所述導電材料層。
具體地，如圖2h所示，在該步驟中所述第一介電層包括氧化物，其中所述氧化物的形成方法可以通過沉積的方法形成，例如化學氣相沉積、原子層沉積等方法。
可選地，對所述第一介電層進行平坦化處理，所述平坦化處理的非限制性實例包括機械平坦化方法和化學機械拋光平坦化方法。
執行步驟六，回蝕刻所述第一介電層110，以減小所述第一介電層的厚度，露出部分所述導電材料層。
具體地，如圖2i所示，在該步驟中回蝕刻所述第一介電層110至所述柱形結構底部以上，例如至所述柱形結構底部四分之一位置處，以減小所述第一介電層的厚度，露出部分所述導電材料層。
在該步驟中，選用氫氟酸hf或稀釋氫氟酸dhf進行蝕刻，其中組成為hf:h2o＝1:2-1:10，所述蝕刻溫度為20-25℃。
執行步驟七，去除露出的所述導電材料層109，以露出部分所述絕緣層。
具體地，如圖2j所示，在該步驟中去除露出的所述導電材料層109，同時保留位於所述第一介電層下方的所述導電材料層109，以在後續的步驟中形成第二電極。
在該步驟中可以選用幹法蝕刻去除所述導電材料層109，所述蝕刻壓力可以為50-200mtorr，功率為200-600w，在本發明中所述處理時間為5-80s，在本發明所述蝕刻氣體的流量為30-300sccm。
執行步驟八，沉積第二介電層，以填充所述柱形結構之間的間隙並覆蓋露出的所述絕緣層；平坦化所述第二介電層至所述柱形結構。
具體地，如圖2k所示，在該步驟中所述第二介電層包括氧化物，其中所述氧化物的形成方法可以通過沉積的方法形成，例如化學氣相沉積、原子層沉積等方法。
可選地，對所述第二介電層進行平坦化處理至所述柱形結構，以露出所述柱形結構的頂部，所述平坦化處理的非限制性實例包括機械平坦化方法和化學機械拋光平坦化方法。
執行步驟九，去除所述第二介電層，以露出下方的所述導電材料，形成第二電極109ˊ。
具體地，形成第二電極的步驟包括以下步驟：
首先，如圖2l所示，在所述第二介電層和所述柱形結構上形成第三介電層，以覆蓋所述第二介電層和所述柱形結構；
其中，所述第三介電層包括氧化物，其中所述氧化物的形成方法可以通過沉積的方法形成，例如化學氣相沉積、原子層沉積等方法。
圖案化所述第三介電層，如圖2m所示，以保留所述柱形結構上的所述第三介電層，去除所述第二介電層上方的所述第三介電層；在該步驟中通過幹法蝕刻所述第三介電層，在本發明中可以根據所選材料的不同來選擇蝕刻氣體，例如在本發明中可以選擇cf4、co2、o2、n2中的一種或者多種，所述蝕刻壓力可以為20-300mtorr，優選為50-150mtorr，功率為 200-600w。
通過溼法清洗蝕刻去除所述第二介電層和所述第三介電層，如圖2n所示，成所述第二電極。
其中去除所述第二介電層和所述第三介電層的步驟還進一步包括灰化步驟，以更加容易的去除所述第二介電層和所述第三介電層。
執行步驟十，在所述第二電極、所述隔離材料層和所述柱形結構的上方形成吸收層，以覆蓋所述第二電極、所述隔離材料層和所述柱形結構。
其中，如圖2o所示，所述吸收層111包括石墨烯，其中，所述石墨烯是已知的世上最薄、最堅硬的納米材料，它幾乎是完全透明的，只吸收2.3％的光；導熱係數高5300w/m·k，高於碳納米管和金剛石，常溫下其電子遷移率超過15000cm2/v·s，又比納米碳管或矽晶體高，而電阻率只約1ω·m，比銅或銀更低，為世上電阻率最小的材料。因其電阻率極低，電子遷移的速度極快，因此選用石墨烯的光電探測器的性能得到進一步的提高。
其中，所述石墨烯可以為一層或者多層，並不據局限於某一數值，其中所述第一電極具有突出的柱形結構，所述第二電極位於所述第一電極之間的間隙，所述石墨烯位於所述第一電極和所述第二電極的上方，呈柱形結構，由於所述柱形結構的石墨烯的設置，增加了光吸收的面積，進一步提高了所述半導體光電探測器的靈敏度和性能。
在所述半導體光電探測器中，用1-3層的石墨烯覆蓋所述第一電極和第二電極，以熱氧化300nm絕緣層(二氧化矽)的矽片為襯底，製作上共面波導傳輸線的第一電極和第二電極接觸形成石墨烯光電探測器gpd(graphenephotodetectors)結構。
通過暗電流和光電流測試得到i-v曲線，在光照下總電流有明顯的偏移，表明所述半導體光電探測器可用於光探測，並且在無外加源陋電壓時也有可觀的光電流產生，具有良好的性能。
在本發明中，選用石墨烯製作的光電探測器可以在很寬的波長範圍(至少300nm～6um)(可見-紅外)，用實現探測，具有更為廣泛的應用。
至此，完成了本發明實施例的半導體光電探測器的製備過程的介紹。在上述步驟之後，還可以包括其他相關步驟，此處不再贅述。並且，除了 上述步驟之外，本實施例的製備方法還可以在上述各個步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過現有技術中的各種工藝來實現，此處不再贅述。
實施例三
本發明還提供了一種電子裝置，包括實施例一所述的半導體光電探測器，所述半導體光電探測器根據實施例二所述方法製備得到。
本實施例的電子裝置，可以是手機、平板電腦、筆記本電腦、上網本、遊戲機、電視機、vcd、dvd、導航儀、數碼相框、照相機、攝像機、錄音筆、mp3、mp4、psp等任何電子產品或設備，也可為任何包括電路的中間產品。本發明實施例的電子裝置，由於使用了上述的電路，因而具有更好的性能。
其中，圖3示出行動電話手機的示例。行動電話手機200被設置有包括在外殼201中的顯示部分202、操作按鈕203、外部連接埠204、揚聲器205、話筒206等。
其中所述行動電話手機包括實施例一所述的半導體光電探測器，所述半導體光電探測器中用1-3層的石墨烯覆蓋所述第一電極和第二電極，以熱氧化300nm絕緣層(二氧化矽)的矽片為襯底，製作上共面波導傳輸線的第一電極和第二電極接觸形成石墨烯光電探測器gpd(graphenephotodetectors)結構。通過暗電流和光電流測試得到i-v曲線，在光照下總電流有明顯的偏移，表明所述半導體光電探測器可用於光探測，並且在無外加源陋電壓時也有可觀的光電流產生，具有良好的性能。
本發明已經通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用於舉例和說明的目的，而非意在將本發明限制於所描述的實施例範圍內。此外本領域技術人員可以理解的是，本發明並不局限於上述實施例，根據本發明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發明所要求保護的範圍以內。本發明的保護範圍由附屬的權利要求書及其等效範圍所界定。