臺積電極速衝向7nm：Intel都快急死了

2025-05-16 10:18:08

    在半導體行業，誰搶先掌握了非常先進的製造工藝，誰就可以呼風喚雨，而在技術日益複雜、摩爾定律幾近失效的今天，先進工藝的重要性就愈發凸顯，Intel這樣的大拿也有些吃不消，22nm、14nm接連掉鏈子。

    臺積電其實也不是很順利，40nm、28nm時代就兩次嚴重滯後，20nm又一門心思為蘋果服務，接下來的16nm完全被三星14nm搶走了風頭，但是對於未來，臺積電又畫了一張大餅。

    臺積電總裁兼聯合CEO Mark Liu近日透露：「我們的10nm工藝開發最近進展非常令人激動，也符合我們的計劃。技術性風險試產定於今年年底，後續就會有大量客戶產品的驗證。批量生產將從2016年底開始。」

    要知道，臺積電16nm也才剛剛邁入量產的門檻，而且要到第四季度才會提上規模，即便如此蘋果A9的訂單也被三星搶走了30％。

    按照臺積電一貫的說法和做法，10nm真正量產至少要到2017年第一季度。事實上臺積電另一位總裁兼聯合CEO C.C. Wei隨後就補充說：「我們將在2016年第四季度投產10nm，不過真正的產品出貨會在2017年第一季度。」

    不過這也基本能保證領先於Intel，後者的10nm平臺原計劃在2016年第二季度推出，但已經大大推遲，雖無明確時間但肯定得到2017年第二季度了。

    臺積電錶示，相比於現在的16nm FinFET+，10nm FinFET (CLN10FF)工藝能將電晶體密度提高110-120％，同等功耗下頻率提升15％，同等頻率下功耗降低35％。

    更進一步地，臺積電計劃在2018年的某個時候投產7nm，如能實現將徹底領先Intel，後者的7nm還沒時間表，但照現在這個樣子，怎麼也得2019年了。

    當然，IBM更猛，已經造出了7nm試驗晶片，但投產時間未定，三星、GlobalFoundries將從中獲益匪淺。■