一種半導體器件的生產方法與流程

2024-04-04 03:43:05

本發明涉及半導體器件的生產的技術領域，尤其涉及一種半導體器件的生產方法。

背景技術：

半導體器件是導電性介於良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件。其包括晶體二極體、雙極型電晶體和場效應電晶體等。半導體器件在生產過程中，需要使用錫膏塗覆在引線框架上，再將晶片覆蓋在錫膏上，具體而言，一般經過以下步驟：先將冷凍保存的錫膏解凍，將解凍後的錫膏在引線框架上塗覆，將晶片以貼片的形式設置在引線框架上，再經過回流焊，最終形成成品。傳統的生產過程中，錫膏一般通過點膠的方式塗覆在引線框架上，生產效率不高，而將錫膏通過印刷的方式直接印刷在引線框架上的效率更高，因此得到越來越多的採用，且很多倒裝晶片必須採用印刷錫膏的方式比較精確的控制錫膏的量。由於錫膏本身的特點，錫膏在塗覆後應該要在1個小時內完成後續的流程，即直至完成回流焊，否則錫膏中的助焊劑會揮發出去，產生回流焊時晶片剝離、焊接不牢固和氣泡過大等問題，導致產品報廢。因此，印刷錫膏的設備的高生產率會對後續的流程造成很大的壓力，在實際生產過程中，常常由於焊接晶片的設備和回流焊設備的異常以及總負載能力偏低等特點，導致半成品(即印刷有錫膏的引線框架和設置有晶片的引線框架)滯留時間超過一個小時而報廢，造成極大浪費，而且印刷錫膏的設備不能滿產能運轉，導致產能浪費。

技術實現要素：

本發明的目的在於提出一種半導體器件的生產方法，通過延長塗覆有錫膏的半導體器件半成品的保存期，避免半導體器件成品浪費，極大的提高了生產的靈活性。

為達此目的，本發明採用以下技術方案：

一種半導體器件的生產方法，其特徵在於，包括：

S4：將塗覆有錫膏的半導體器件半成品在不超過5℃的低溫中儲存；

S5：將在低溫下儲存的半導體器件半成品解凍到5℃以上後繼續使用。

其中，步驟S4之前包括：

S1：解凍錫膏；

S2：在引線框架上設置錫膏；

S3：在引線框架上設置晶片；

所述半導體器件半成品包括設置有錫膏的引線框架和/或設置有晶片的引線框架。

其中，步驟S5中的繼續使用包括：將解凍後的半導體器件半成品進行回流焊處理。

其中，所述錫膏通過印刷的方式設置於所述引線框架上。

其中，半導體器件半成品在-18℃到5℃之間儲存。

其中，所述半導體半成品解凍到10℃到30℃之間。

其中，步驟S4中，塗覆有錫膏的半導體器件半成品經過抽真空密封后在低溫下儲存。

其中，抽真空密封具體包括：塗覆有錫膏的半導體器件半成品置於料盒，放入密封袋中，抽真空。

其中，所述密封袋為鋁箔袋或塑膠袋。

其中，塗覆有錫膏的半導體器件半成品放入冷櫃中實現低溫儲存。

有益效果：本發明提供了一種半導體器件的生產方法，包括：S4：將塗覆有錫膏的半導體器件半成品在不超過5℃的低溫中儲存；S5：將在低溫下儲存的半導體器件半成品解凍到5℃以上後繼續使用。通過在低溫下保存塗覆有錫膏的半導體器件半成品，可以避免錫膏內的助焊劑揮發，不需要限定在1個小時內完成後續工藝，即使遇到後續工藝設備出現故障時，也可以避免浪費，極大的提高了生產的靈活性，且不再限制錫膏的塗覆設備的產能，可以滿產能運轉，避免產能浪費。

附圖說明

圖1是本發明供的半導體器件的生產方法。

具體實施方式

為使本發明解決的技術問題、採用的技術方案和達到的技術效果更加清楚，下面結合附圖並通過具體實施方式來進一步說明本發明的技術方案。

本發明提供了一種半導體器件的生產方法，其包括：

S1：解凍錫膏；

S2：在引線框架上設置錫膏；

S3：在引線框架上焊晶片；

S4：將塗覆有錫膏的半導體器件半成品在不超過5℃的低溫中儲存；

S5：將在低溫下儲存的半導體器件半成品解凍到5℃以上後繼續使用。

本發明通過將塗覆有錫膏的半導體器件半成品低溫儲存的方式，利用錫膏在低溫下凝固的特點，可以避免錫膏內的助焊劑揮發，達到長時間保持半成品的目的，只需要在進行後續工藝前對低溫儲存的半成品解凍，再繼續完成後續工藝即可。通過此種方式，可以有效地延長保存期，不需要限定在1個小時內完成後續工藝，在後續工藝的設備，如晶片貼片設備和回流焊設備出現故障時，可以將半成品保存，避免浪費。且對於使用印刷錫膏的高產能方式而言，對半成品的保存還可以滿產能運轉印刷錫膏的設備，印刷後的大量半成品可以在低溫中存儲，不必壓制印刷設備的產能，避免產能浪費。

具體而言，半導體器件半成品可以是步驟S1-S3的過程中所生產的引線框架，即包括設置有錫膏的引線框架和焊接晶片後的引線框架。也可以是通過其他方式製備獲得的帶有錫膏的半成品，只要是在上面設置有錫膏的具有較短時限的半成品而言，都可以採用低溫儲存後再解凍的方式來延長錫膏的保持時間，從而突破短期處理的局限，極大的提高了生產過程中的靈活性。錫膏可以通過印刷的方式設置在引線框架上，以獲得較高的工作效率，減低其生產成品，且便於控制塗覆的厚度。低溫儲存的溫度一般控制在-18℃到5℃之間比較合適，既能較好的保存半成品中的錫膏，又避免溫度太低影響錫膏的性能。低溫存儲通過常用的冷卻儲存設備，如冷櫃等冷卻設備實現即可，此時一般可以控制在-10℃到5℃，降低製冷設備的功耗，降低成本。在繼續使用前，一般將半導體半成品解凍常溫即可，常溫是指室溫，一般在10℃到30℃之間。

本發明中，步驟S5中的繼續使用包括：將解凍後的半導體器件半成品進行回流焊處理，將錫膏熔化，使得晶片和引線框架牢固的焊接在一起。

在步驟S4中，塗覆有錫膏的半導體器件經過抽真空密封后在低溫下儲存。抽取真空密封后再存儲的方式可以避免在低溫冷藏和解凍時，水蒸氣等吸附在錫膏上，影響錫膏的質量，造成焊接後產品質量不佳。具體而言，抽真空密封的方式可以包括：將塗覆有錫膏的半導體器件置於料盒中，再將放入密封袋中，進行抽真空處理。通過密封帶密封使用方便、成本低。密封袋可以是為鋁箔袋或塑膠袋等常用的密封袋，成本低，也可以使用其他的密封袋，只需要能較好的密封即可。

以上內容僅為本發明的較佳實施例，對於本領域的普通技術人員，依據本發明的思想，在具體實施方式及應用範圍上均會有改變之處，本說明書內容不應理解為對本發明的限制。