一種電源過壓保護電路的製作方法

2024-03-24 01:09:05

本發明涉及的是電壓保護技術領域，具體涉及一種電源過壓保護電路。

背景技術：

目前，現有技術的電源輸出過壓保護電路，通常是檢測輸出電壓，當輸出電壓過高時，穩壓二極體導通，光耦導通，三極體導通，從而將ic晶片能引起保護電壓拉低，從而實現輸出過壓保護，但是此種技術成本較高，需要佔用較大的pcb空間，且保護效果不佳，基於此，設計一種電源過壓保護電路還是很有必要的。

技術實現要素：

針對現有技術上存在的不足，本發明目的是在於提供一種電源過壓保護電路，成本低，佔用空間小，能夠獲得較好的輸出過壓保護效果，提高了電源的安全性和可靠性。

為了實現上述目的，本發明是通過如下的技術方案來實現：一種電源過壓保護電路，包括第一二極體-第四二極體、發光二極體、三極體、mos管、第一電阻-第四電阻、第一電容-第三電容，三極體的發射極、mos管的源極均接至輸入電壓vin端，三極體的發射極與基極之間接有第一電阻與第三電阻的串聯電路，三極體的集電極連接第二二極體至mos管的門極，第一電阻與第三電阻之間的節點反接第一二極體至地端，mos管的門極、漏極分別連接第二電阻、第三二極體至地端，mos管的漏極還依次連接第四二極體、第四電阻、發光二極體至地端，第四二極體的負極端還連接第一電容-第三電容的並聯電路至地端，第四二極體的負極端連接電壓輸出vout端。

作為優選，所述的第一二極體採用穩壓二極體，第三二極體採用肖特基二極體。

作為優選，所述三極體採用pnp型三極體，mos管採用p溝道mos管。

本發明的有益效果：該電路能夠獲得較好的輸出過壓保護效果，提高了電源的安全性和可靠性，且結構簡單，成本低，佔用空間小，易於推廣使用。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式來詳細說明本發明；

圖1為本發明的電路圖。

具體實施方式

為使本發明實現的技術手段、創作特徵、達成目的與功效易於明白了解，下面結合具體實施方式，進一步闡述本發明。

參照圖1，本具體實施方式採用以下技術方案：一種電源過壓保護電路，包括第一二極體d1-第四二極體d4、發光二極體d5、三極體q1a、mos管q2、第一電阻r1-第四電阻r4、第一電容c1-第三電容c3，三極體q1a的發射極、mos管q2的源極均接至輸入電壓vin端，三極體q1a的發射極與基極之間接有第一電阻r1與第三電阻r3的串聯電路，三極體q1a的集電極連接第二二極體d2至mos管q2的門極，第一電阻r1與第三電阻r3之間的節點反接第一二極體d1至地端，mos管q2的門極、漏極分別連接第二電阻r2、第三二極體d3至地端，mos管q2的漏極還依次連接第四二極體d4、第四電阻r4、發光二極體d5至地端，第四二極體d4的負極端還連接第一電容c1-第三電容c3的並聯電路至地端，第四二極體d4的負極端連接電壓輸出vout端。

值得注意的是，所述的第一二極體d1採用穩壓二極體，第三二極體d3採用肖特基二極體；所述的三極體q1a採用pnp型三極體，mos管q2採用p溝道mos管。

本具體實施方式的原理為：電路輸入電壓由vin端接入，vout端輸出，當輸入電壓vin端由於某種原因升高，如果不加以限制或者斷開，就會燒毀後級的晶片或電路，所以在輸入電壓vin端升高時要斷開電源與後級的連接，當輸入電壓vin端增大，則mos管q2斷開，當輸入電壓vin端下降到正確壓值時，mos管q2導通。

本具體實施方式的具體實現方法如下：選一個穩壓值為vin+△的穩壓管，△為要保護的電壓裕量，當大於△時，三極體q1a就會導通，此時vin端的高電平就會出現在圖示4處，即mos管q2的門極，而p-mos管門極高電平時就會截止，所以此時過高的電壓就會斷開，不會傳到後級，影響晶片；而正常情況下，vin端電壓處於正常壓值，此時三極體q1a不會導通，則mos管q2的門極經第二電阻r2接到地，低電平，所以mos管q2導通，即vin端電壓導通到後級，mos管q2的導通壓降非常小，不會降低vin端電壓，經過第四二極體d4的管壓降vd，而得到所需的vout端處電壓vin-vd。

本具體實施方式過壓保護效果好，能有效提高電源的安全性和可靠性，實用穩定，具有廣闊的市場應用前景。

以上顯示和描述了本發明的基本原理和主要特徵和本發明的優點。本行業的技術人員應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理，在不脫離本發明精神和範圍的前提下，本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發明範圍內。本發明要求保護範圍由所附的權利要求書及其等效物界定。