一種OLED陰極隔離柱的製備方法與流程
2024-03-27 03:32:05
本發明涉及一種OLED陰極隔離柱技術，特別是一種OLED陰極隔離柱的製備方法。
背景技術：
OLED(Organic Light Emitting Display)，有機發光顯示器件是指有機半導體材料和發光材料在電場驅動下，通過載流子注入和複合導致發光的現象。OLED具有主動發光，無視角問題；重量輕，厚度小；高亮度，高發光效率；發光材料豐富，易實現彩色顯示；響應速度快，動態畫面質量高；使用溫度範圍廣；可實現柔軟顯示；工藝簡單，成本低；抗震能力強等一系列的優點，逐步成為最有潛力的一種顯示器件，因此它被專家稱為未來的理想顯示器，在各種領域有著廣泛的應用。
目前國內外許多公司、科研機構都投入大量人力物力進行研究。有機電致發光器件通常由第一電極(透明陽極)、沉積在第一電極上的發光介質、沉積在發光介質上的第二電極(陰極)構成。由無源OLED器件的結構決定了它的驅動方式是二維矩陣尋址。無源矩陣顯示是實現有機發光顯示的一種簡單方法。在有機發光無源矩陣顯示器件中需要實現陰極的圖案化，一般採用具有倒梯形或者T形截面的條紋結構作為隔離柱實現陰極加工過程中的圖案化。目前在矽片或其它襯底上製作金屬圖形都是先通過塗膠、曝光、顯影等光刻出圖形後再通過蒸鍍，超聲剝離等實現金屬圖形的製備。
技術實現要素：
有鑑於此，本發明的主要目的是提供一種OLED陰極隔離柱的製備方法。
具體的方案為：
一種OLED陰極隔離柱的製備方法，包括如下步驟：
步驟1)ITO玻片清洗；
步驟2)在步驟1)上甩兩層聚醯亞胺；
步驟3)在聚醯亞胺上濺射一層450～550nm厚的二氧化矽；
步驟4)在二氧化矽上旋凃上負性光刻KMP-BN308膠；
步驟5)步驟4)完後在光刻機下曝光；
步驟6)將曝完光的基片進行顯影和漂洗；
步驟7)漂洗完的基片放到真空乾燥箱在溫度為100～120℃的條件下進行烘烤20～40min；
步驟8)用幹法刻蝕或HF溼法刻蝕二氧化矽；
步驟9)刻蝕完二氧化矽後進行聚醯亞胺膜的刻蝕。
進一步地，步驟1)中的ITO玻璃清洗方法為：
步驟①：將ITO玻璃放置650ml的按照質量比為1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超聲15min後取出；
步驟②：準備650ml去離子水，將650ml去離子水加3～4滴白毛洗潔精，加熱至70℃；再將步驟①超聲後的ITO玻璃置入超聲10min，取出；
步驟③：準備650ml去離子水，將650ml的去離子水加熱至100℃，將步驟②處理後的ITO玻璃置入沸水煮15min；
步驟④：準備650ml去離子水，將步驟③處理後的ITO玻璃置入超聲5min；
步驟⑤：準備650ml去離子水，將步驟④處理後的ITO玻璃置入超聲5min。
進一步地，步驟2)甩兩層聚醯亞胺的方法為：
步驟①：矽片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和異丙醇中煮沸；然後在氮氣流中吹乾，130℃下烘烤30分鐘，脫水汽；
步驟②：塗膠，用機械旋轉法塗覆ZKPI膠，其轉數為3000～5000rpm/15-30s，將ZKPI膠均勻塗覆在矽片上
步驟③：預烘，在恆溫烘箱中以溫度為100～120℃烘烤20～40min，
步驟④：塗光刻膠、曝光、顯影，塗光刻膠後，可按正常的光刻工藝進行預烘、曝光、顯影和堅膜；
步驟⑤：ZKPI膠膜刻蝕，採用質量比為0.7～1：100的四甲基氫氧化氨水溶液中刻蝕30s，刻蝕完畢後立即置於質量比為0.5～1.0：100的稀冰醋酸去離子水溶液中10s，然後用去離子水衝洗10min，去除殘餘的刻蝕劑和中和劑，隨後烘乾；
步驟⑥：去光刻膠，以丙酮或乙酸乙酯為溶劑的剝離劑剝離光刻膠層
步驟⑦：亞胺化，採用階梯升溫法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根據實際情況，可升至300-350℃/30min，使亞胺化完全。
進一步地，步驟4)中光刻KMP-BN308膠工藝為:
步驟①：基片預處理；
步驟②：清洗，焙烘；
步驟③：塗膠，採用旋轉塗布法，
步驟④：前烘，熱板1000℃/60s
步驟⑤：曝光，採用高壓汞燈曝光；
步驟⑥：顯影；
步驟⑦：採用KMP-BN系列紫外負膠顯影劑浸入或噴淋顯影；
步驟⑧：漂洗，顯影后應立即漂洗；
步驟⑨：堅膜，對流烘箱，130-1400C,20-30分鐘；
步驟⑩：溼法腐蝕；
步驟去膠。
本發明提供的OLED陰極隔離柱的製備方法，其製備的OLED陰極隔離柱不含任何雜質，工藝簡單、厚度小。
說明書附圖
圖1是KMP-BN系列負膠膜厚-轉速曲線；
圖2是膜厚-曝光量曲線圖；
圖3是KMP-BN系列紫外負膠的光譜吸收圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本發明做詳細說明。
實施例1.
步驟1)ITO玻片清洗；ITO玻璃清洗方法為：步驟①：將ITO玻璃放置650ml的按照質量比為1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超聲15min後取出；步驟②：準備650ml去離子水，將650ml去離子水加3～4滴白毛洗潔精，加熱至70℃；再將步驟①超聲後的ITO玻璃置入超聲10min，取出；步驟③：準備650ml去離子水，將650ml的去離子水加熱至100℃，將步驟②處理後的ITO玻璃置入沸水煮15min；步驟④：準備650ml去離子水，將步驟③處理後的ITO玻璃置入超聲5min；步驟⑤：準備650ml去離子水，將步驟④處理後的ITO玻璃置入超聲5min。步驟2)在步驟1)上甩兩層聚醯亞胺；步驟2)甩兩層聚醯亞胺的方法為：步驟①：矽片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和異丙醇中煮沸；然後在氮氣流中吹乾，130℃下烘烤30分鐘，脫水汽；步驟②：塗膠，用機械旋轉法塗覆ZKPI膠，其轉數為3000rpm/15-30s，將ZKPI膠均勻塗覆在矽片上，步驟③：預烘，在恆溫烘箱中以溫度為100～120℃烘烤20～40min，步驟④：塗光刻膠、曝光、顯影，塗光刻膠後，可按正常的光刻工藝進行預烘、曝光、顯影和堅膜；步驟⑤：ZKPI膠膜刻蝕，採用質量比為0.7～1：100的四甲基氫氧化氨水溶液中刻蝕30s，刻蝕完畢後立即置於質量比為0.5～1.0：100的稀冰醋酸去離子水溶液中10s，然後用去離子水衝洗10min，去除殘餘的刻蝕劑和中和劑，隨後烘乾；步驟⑥：去光刻膠，以丙酮或乙酸乙酯為溶劑的剝離劑剝離光刻膠層步驟⑦：亞胺化，採用階梯升溫法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根據實際情況，可升至300-350℃/30min，使亞胺化完全。步驟3)在聚醯亞胺上濺射一層450～550nm厚的二氧化矽；步驟4)在二氧化矽上旋凃上負性光刻KMP-BN308膠；步驟4)中光刻KMP-BN308膠工藝為:步驟①：基片預處理；步驟②：清洗，焙烘；步驟③：塗膠，採用旋轉塗布法，步驟④：前烘，熱板1000℃/60s步驟⑤：曝光，採用高壓汞燈曝光，步驟⑥：顯影；步驟⑦：採用KMP-BN系列紫外負膠顯影劑浸入或噴淋顯影；步驟⑧：漂洗，顯影后應立即漂洗；步驟⑨：堅膜，對流烘箱，130-1400C,20-30分鐘；步驟⑩：溼法腐蝕；步驟去膠。步驟5)步驟4)完後在光刻機下曝光；步驟6)將曝完光的基片進行顯影和漂洗；步驟7)漂洗完的基片放到真空乾燥箱在溫度為100～120℃的條件下進行烘烤20～40min；步驟8)用幹法刻蝕或HF溼法刻蝕二氧化矽；步驟9)刻蝕完二氧化矽後進行聚醯亞胺膜的刻蝕。
實施例2
步驟1)ITO玻片清洗；ITO玻璃清洗方法為：步驟①：將ITO玻璃放置650ml的按照質量比為1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超聲15min後取出；步驟②：準備650ml去離子水，將650ml去離子水加3～4滴白毛洗潔精，加熱至70℃；再將步驟①超聲後的ITO玻璃置入超聲10min，取出；步驟③：準備650ml去離子水，將650ml的去離子水加熱至100℃，將步驟②處理後的ITO玻璃置入沸水煮15min；步驟④：準備650ml去離子水，將步驟③處理後的ITO玻璃置入超聲5min；步驟⑤：準備650ml去離子水，將步驟④處理後的ITO玻璃置入超聲5min。步驟2)在步驟1)上甩兩層聚醯亞胺；步驟2)甩兩層聚醯亞胺的方法為：步驟①：矽片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和異丙醇中煮沸；然後在氮氣流中吹乾，130℃下烘烤30分鐘，脫水汽；步驟②：塗膠，用機械旋轉法塗覆ZKPI膠，其轉數為4000rpm/15-30s，將ZKPI膠均勻塗覆在矽片上，步驟③：預烘，在恆溫烘箱中以溫度為100～120℃烘烤20～40min，步驟④：塗光刻膠、曝光、顯影，塗光刻膠後，可按正常的光刻工藝進行預烘、曝光、顯影和堅膜；步驟⑤：ZKPI膠膜刻蝕，採用質量比為0.7～1：100的四甲基氫氧化氨水溶液中刻蝕30s，刻蝕完畢後立即置於質量比為0.5～1.0：100的稀冰醋酸去離子水溶液中10s，然後用去離子水衝洗10min，去除殘餘的刻蝕劑和中和劑，隨後烘乾；步驟⑥：去光刻膠，以丙酮或乙酸乙酯為溶劑的剝離劑剝離光刻膠層步驟⑦：亞胺化，採用階梯升溫法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根據實際情況，可升至300-350℃/30min，使亞胺化完全。步驟3)在聚醯亞胺上濺射一層450～550nm厚的二氧化矽；步驟4)在二氧化矽上旋凃上負性光刻KMP-BN308膠；步驟4)中光刻KMP-BN308膠工藝為:步驟①：基片預處理；步驟②：清洗，焙烘；步驟③：塗膠，採用旋轉塗布法，步驟④：前烘，熱板1000℃/60s步驟⑤：曝光，採用高壓汞燈曝光，步驟⑥：顯影；步驟⑦：採用KMP-BN系列紫外負膠顯影劑浸入或噴淋顯影；步驟⑧：漂洗，顯影后應立即漂洗；步驟⑨：堅膜，對流烘箱，130-1400C,20-30分鐘；步驟⑩：溼法腐蝕；步驟去膠。步驟5)步驟4)完後在光刻機下曝光；步驟6)將曝完光的基片進行顯影和漂洗；步驟7)漂洗完的基片放到真空乾燥箱在溫度為100～120℃的條件下進行烘烤20～40min；步驟8)用幹法刻蝕或HF溼法刻蝕二氧化矽；步驟9)刻蝕完二氧化矽後進行聚醯亞胺膜的刻蝕。
實施例3
步驟1)ITO玻片清洗；ITO玻璃清洗方法為：步驟①：將ITO玻璃放置650ml的按照質量比為1:1的丙酮和乙醇混合溶液中超聲15min後取出；步驟②：準備650ml去離子水，將650ml去離子水加3～4滴白毛洗潔精，加熱至70℃；再將步驟①超聲後的ITO玻璃置入超聲10min，取出；步驟③：準備650ml去離子水，將650ml的去離子水加熱至100℃，將步驟②處理後的ITO玻璃置入沸水煮15min；步驟④：準備650ml去離子水，將步驟③處理後的ITO玻璃置入超聲5min；步驟⑤：準備650ml去離子水，將步驟④處理後的ITO玻璃置入超聲5min。步驟2)在步驟1)上甩兩層聚醯亞胺；步驟2)甩兩層聚醯亞胺的方法為：步驟①：矽片清洗，在三氯乙烷中煮沸，再在丙酮和異丙醇中煮沸；然後在氮氣流中吹乾，130℃下烘烤30分鐘，脫水汽；步驟②：塗膠，用機械旋轉法塗覆ZKPI膠，其轉數為5000rpm/15-30s，將ZKPI膠均勻塗覆在矽片上，圖1是KMP-BN系列負膠膜厚-轉速曲線。步驟③：預烘，在恆溫烘箱中以溫度為100～120℃烘烤20～40min，步驟④：塗光刻膠、曝光、顯影，塗光刻膠後，可按正常的光刻工藝進行預烘、曝光、顯影和堅膜；步驟⑤：ZKPI膠膜刻蝕，採用質量比為0.7～1：100的四甲基氫氧化氨水溶液中刻蝕30s，刻蝕完畢後立即置於質量比為0.5～1.0：100的稀冰醋酸去離子水溶液中10s，然後用去離子水衝洗10min，去除殘餘的刻蝕劑和中和劑，隨後烘乾；步驟⑥：去光刻膠，以丙酮或乙酸乙酯為溶劑的剝離劑剝離光刻膠層步驟⑦：亞胺化，採用階梯升溫法：150℃/60min、180℃/30min、250℃/60min，根據實際情況，可升至300-350℃/30min，使亞胺化完全。步驟3)在聚醯亞胺上濺射一層450～550nm厚的二氧化矽；步驟4)在二氧化矽上旋凃上負性光刻KMP-BN308膠；步驟4)中光刻KMP-BN308膠工藝為:步驟①：基片預處理；步驟②：清洗，焙烘；步驟③：塗膠，採用旋轉塗布法，步驟④：前烘，熱板1000℃/60s步驟⑤：曝光，採用高壓汞燈曝光，步驟⑥：顯影；步驟⑦：採用KMP-BN系列紫外負膠顯影劑浸入或噴淋顯影；步驟⑧：漂洗，顯影后應立即漂洗；步驟⑨：堅膜，對流烘箱，130-1400C,20-30分鐘；步驟⑩：溼法腐蝕；步驟去膠。步驟5)步驟4)完後在光刻機下曝光；步驟6)將曝完光的基片進行顯影和漂洗；步驟7)漂洗完的基片放到真空乾燥箱在溫度為100～120℃的條件下進行烘烤20～40min；步驟8)用幹法刻蝕或HF溼法刻蝕二氧化矽；步驟9)刻蝕完二氧化矽後進行聚醯亞胺膜的刻蝕。
參照圖1，本發明中塗布的轉數為3000～5000rpm/15-30s時厚度最優，其中，5000rpm/15-30s達到最好。
以上顯示和描述了本發明的基本原理和主要特徵和本發明的優點。本行業的技術人員應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理，在不脫離本發明精神和範圍的前提下，本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發明範圍內。本發明要求保護範圍由所附的權利要求書及其等效物界定。