電路襯底、使用電路襯底的電子設備及電路襯底的製造方法
2023-12-05 14:36:16 3
專利名稱：電路襯底、使用電路襯底的電子設備及電路襯底的製造方法
技術領域：
本發明涉及作為例如高頻印刷線路板使用的電路襯底，詳細地說，涉及可低消耗電流，串音及輻射噪音的抑制功能優良，且提高運送配線的信號的品質的電路襯底。另外，本發明涉及使用了電路襯底的電子設備及電路襯底的製造方法。
背景技術：
被作為高頻信號傳輸線廣泛使用的微金屬條線路或金屬條線路等被製作在印刷線路板等電路襯底上，且應用於手機或筆記本電腦電腦、家電設備等各種電子設備中。
上述信號傳輸線路的特性阻抗通常為50Ω。
另外，為從LSI(Large Scale Integrated)電路等無源元件向該50Ω系的配線供給充分的信號，在例如LSI電路的輸入輸出部形成緩衝電路，並利用該緩衝電路產生的大電流驅動該50Ω系的配線。
形成於這種印刷線路板等電路襯底上的信號傳輸線路中，通常，由於特性阻抗為50Ω的低的阻抗，故為向該傳輸線路上傳播信號，必須流入大電流，而產生了緩衝電路大型化，耗電增大的問題。
例如，在向傳輸線路傳播1V的信號時，根據歐姆法則，必須流入I＝V/Z＝20mA(I電流、V電壓、Z特性阻抗)的電流。尤其是在手機等攜帶設備中，流入大電流招致電池壽命降低等嚴重的問題。
作為解決所述問題的方法有，提高傳輸線路的特性阻抗，降低流入該傳輸線路中的電流，但通常傳輸線路的特性阻抗的上限在200～300Ω左右，而存在不能得到充分的低耗電化的課題。
使用圖1說明該問題。圖1是微金屬條線路中的配線寬度W和特性阻抗Z的關係的特性圖，將存在於配線和接地金屬之間的厚度h＝100μm的介質的介電常數εr作為參數進行表示。另外，配線厚度t為10μm。
如圖1所示，通過減小配線寬度W提高特性阻抗，但可知其在200Ω～300Ω的左右飽和，不能上升。電磁波在均一的介質中行進時的特性阻抗(固有阻抗)Z在μ為所述介質的磁導率，ε為所述介質的介電常數時，通過Z＝(μ/ε1/2)進行表示，但在採用樹脂等一般電介質使，由於介電常數ε為2～4左右，相對磁導率μ為1左右，所以介電常數為2時，特性阻抗為267Ω，介電常數為4時，特性阻抗為188Ω而成為理論界限。即使實現了介電常數為1的樹脂，特性阻抗的理論界限也成為377Ω。因此，要通過單純地現有延長，增大特性阻抗，降低耗電，而產生了界限。
如使用介電常數為εr和相對磁導率為μr將其說明，則在現在使用的一般電介質中，由於μr(約1)＜εr，故固有阻抗不能比真空中的固有阻抗(377Ω)大。
另外，由於將印刷線路板小型化，故形成於所述印刷線路板上的配線，與鄰接配線的距離減小，而產生了串音這種問題。
如上所述，手機、筆記本電腦和家電設備等電子設備由LSI(Large ScaleIntegrated)電路和周邊部件以及用於集成這些電路和周邊部件且相互配線的電路襯底構成。
電路襯底為對應各種電路的要求，通常使用介由絕緣體層形成多個配線層的襯底。
在絕緣體層上形成被稱為裸孔或通孔的連接孔，多個配線層之間介由在該連接孔內利用配線電鍍的工序等形成的電連接體而進行電連接。
這種連接孔通常通過雷射加工或鑽孔加工形成。
在使用雷射加工時，使用產生構成絕緣體層的樹脂的吸收波長帶即發光的碳酸氣體雷射，通過將加工部分的溫度在局部形成大於或等於300℃，熱的分解、蒸發並形成樹脂。
如上所述，通常，在電路襯底中必須有利用裸孔或通孔這種連接孔電連接不同的配線層之間而形成的多層配線結構。
目前，加工連接孔的主流方式為碳酸氣體雷射，但在該方法中，由於熱將樹脂熔融、蒸鍍而進行開孔，故產生了開口部的形狀顯著惡化的問題。
發明內容
為解決所述問題，本發明的第一目的在於，將以現有的200Ω左右為上限的信號傳輸線路的特性阻抗提高到大於或等於300Ω，優選大於或等於500Ω，減少包括印刷線路板等電路襯底的LSI系統整體的耗電。本發明的第二目的在於，抑制與鄰接的串音和輻射噪音，提高傳播配線信號的信號品質。
本發明的第三目的在於，提供在電子設備中作為必不可少的多層配線襯底的電路襯底。
(A)為實現所述第一及第二目的，本發明具有以下結構。
即，本發明的電路襯底的特徵在於，在絕緣體層內部埋入導體(配線)的電路襯底中，在介電常數為εr、相對磁導率為μr時，滿足εr≥μr的關係的第一絕緣體(即固有阻抗為大於或等於377Ω的磁性電介質)實質地包圍所述導體(配線)。由於第一絕緣體(磁性電介質)實質地包圍導體(配線)，故可將在導體(配線)的周圍產生的磁場封閉在包圍導體(配線)的第一絕緣體(磁性電介質)內，抑制鄰接的導體(配線)間的串音和輻射噪音，提高傳播導體(配線)的信號品質。
在本發明中，也可以利用不滿足εr≥μr的關係的第二絕緣體實質地包圍所述導體，利用所述第一絕緣體實質地包圍該第二絕緣體的周圍。或者，也可以利用不滿足εr≥μr的第二絕緣體實質地包圍所述導體的至少一部分，將該第二絕緣體的周圍和所述導體周圍一起利用所述第一絕緣體實質地包圍。
在本發明中，所謂「絕緣體」是指利用JIS3005測定的比電阻為大於或等於1kΩcm的絕緣體。另外，在本發明中，所謂導體是指利用JISC3005測定的比電阻小於1kΩcm的導體，其具有包括配線和電阻的概念。導體剖面(垂直於長度方向的剖面)形狀不限於矩形，也可以是圓形、橢圓形或其它形狀。另外，絕緣體的剖面形狀也沒有特別限定。
另外，在本發明中，所謂「實質地包圍」的意思是在其一部分中，即使有不包圍的部分，如果有效的磁導率和介電常數滿足所希望的值就可以。
另外，在本發明中，絕緣體的介電常數εr及相對磁導率μr儘管為包圍導體的絕緣體的結構，也可以利用受傳輸導體的電磁波影響的有效介電常數及有效磁導率進行評價。測定有效介電常數或有效磁導率的方法可使用如下方法計測，實際計測運送配線的電磁波並決定介電常數及磁導率的三重線(トレプレ一トライン)共振器法。
根據本發明的電路襯底，作為導體間的絕緣材料，由於使用滿足εr≥μr的第一絕緣體，故可將固有阻抗提高到大於或等於377Ω左右。因此，與使用現有的εr＜μr的絕緣材料的電路襯底相比，可在各階段降低耗電。由此，可降低含有LSI電路或印刷線路板的LSI系統整體的耗電。
在本發明中，優選的是，在所述絕緣體層的內部埋入規定數量N(N為大於或等於2的整數)的所述導體，所述規定數量N的所述導體分別被規定數量N的所述第一絕緣體實質地包圍，所述規定數量N的所述第一絕緣體的相互之間被不滿足εr≥μr關係的第二絕緣體分開。即，實質包圍各所述導體的所述第一絕緣體在每個所述導體上被不滿足εr≥μr的第二絕緣體分開。在本發明的情況下，可將產生於配線等導體周圍的磁場封閉在包圍導體的第一絕緣體內，可抑制鄰接的配線等導體間的串音和輻射噪音，提高傳播配線等導體的信號的信號品質。
在本發明中，優選的是，所述第一絕緣體是向無機物混合磁性體而形成的絕緣體。提高向無機物內混合磁性體(μr＞1)，可容易地實現滿足μr≥εr的第一絕緣體。作為無機物，可使用二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、BST(鈦酸鋇鍶)等陶瓷，或SOG(旋塗式玻璃)。SOG液由作為膜的矽氧烷成分和作為溶媒的醇成分等進行調整。將該溶液利用旋轉塗敷法塗敷到襯底上，通過熱處理將溶媒等蒸發，將膜硬化而形成SOG絕緣膜。SOG是這些溶液和形成的膜的總稱。SOG根據矽氧烷的結構被分類為二氧化矽玻璃、烷基矽氧烷聚合物、烷基斯露賽斯奧克桑(シルセスキオキサン)聚合物(MSQ)、氫化露賽斯奧克桑(シルセスキオキサン)聚合物(HSQ)、氫化烷基露賽斯奧克桑(シルセスキオキサン)聚合物(HOSP)。在通過塗敷材料進行分類時，二氧化矽玻璃構成第一代無機SOG，烷基矽氧烷聚合物構成第一代有機SOG，HSQ構成第二代無機SOG，MSQ和HOSP構成第二代有機SOG。二氧化矽、氧化鋁等與磁性體材料通過採用共濺射法的同時通過濺射成膜，或也可以利用將粉末和磁性材料粉末一起混煉成膏狀，形成格林片，並將其乾燥燒結的方法形成第一絕緣體。在使用陶瓷時也相同。
或者，在本發明中，第一絕緣體也可以是由含有合成樹脂和磁性體而構成的材料。此時，可通過使合成樹脂內含有磁性材料(μr＞1)，容易地實現滿足μr≥εr的第一絕緣體。
另外，在第一絕緣體中可含有除磁性體和合成樹脂之外的硬化劑、硬化催化劑、阻燃劑、軟質聚合物、耐熱穩定劑、耐候穩定劑、防老化劑、均化(レベリング)劑、防帶電劑、滑動劑、抗阻塞劑、防霧劑、潤滑劑、染料、顏料、天然油、合成油、石蠟、乳劑、填充劑、紫外線吸收劑等。
在本發明中，合成樹脂沒有特別的限定，例如有環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、氟樹脂、改性聚苯醚樹脂、雙馬來醯亞胺、三連氮樹脂、改性聚苯醚樹脂、矽樹脂、苯並環丁烯樹脂、聚奈乙二醇酯樹脂、聚環烯烴樹脂、聚烯烴樹脂、氟碳聚合物、氰酸鹽酯樹脂、密胺樹脂及丙烯酸樹脂等。
這些樹脂與代表性的磁性材料即鐵氧體系材料相比，由於是低介電常數，故可不消除磁導率增加的效果，而發揮阻抗增加的效果。優選的是，或，介電常數損失(tanσ)小、水分或不需要的有機物含量少的樹脂，優選的是，優選介電常數為約2～3，tanσ＝2×10-4的聚環烯烴樹脂、聚烯烴樹脂、或氟碳聚合物。
另外，在本發明中，所述磁性體優選向所述無機物或樹脂中均勻地分散微粒子(粉末)。所述磁性體既可以是電絕緣性的磁性體，也可以是導電性磁性體。電絕緣性的磁性體沒有特別限制，示例有含有Co、Ni、Mn、Zn等金屬氧化物的磁性體。通過使用絕緣性磁性體，使構成電路襯底的第一絕緣體中的渦電流損失減少到可以忽略不計，而僅僅寄希望於提高電路襯底的磁導率。另外，由於可降低電路襯底的渦電流損失，故也可以抑制數百MHz～1GHz左右的高頻損失。導電性磁性體示例有Fe、Ni、Co、Cr等金屬磁性元素單質或合金粉末。由於所述金屬磁性元素單質或合金粉末分散於所述的無機物或樹脂中，故確保了第一絕緣體整體的電絕緣性。
在本發明中，相對合成樹脂100重量份的磁性體的量沒有特別限制，通常為1/106～300重量份的比例，含於所述第一絕緣體中。通過使磁性體的含有比例位於所述範圍內，增大本發明的作用效果。另外，當磁性體的含有比例過低時，由於所述第一絕緣體內的磁性體存在量減少，故本發明的作用效果降低，相反，當過高時，不能得到均一的飛散性等，在製造上產生困難。
這樣，根據本發明，可將以現有的200Ω左右為上限的信號傳輸線路的特性阻抗提高到大於或等於300Ω，優選大於或等於500Ω，減少包括印刷線路板等電路襯底的LSI系統整體的耗電。另外，根據本發明，可抑制與鄰接的串音和輻射噪音，提高傳播配線的消耗的信號品質。
(B)為實現所述第三目的，本發明下面敘述，在電子設備中作為必不可少的多層配線襯底的電路襯底。另外，本發明下面敘述，使用這些電路襯底的電子設備和使用本發明的電路襯底的製造方法。
(1)一種電路襯底，其特徵在於，包括具有相互對向的第一及第二主表面的絕緣體層和形成於所述絕緣體層的所述第一及第二主表面上的第一及第二配線層，在所述絕緣體層的介電常數為εr、相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係。
(2)一種電子設備，其特徵在於，包括具有相互對向的第一及第二主表面的絕緣體層和形成於所述絕緣體層的所述第一及所述第二主表面上的第一及第二配線層，在所述絕緣體層的介電常數為εr、相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係。
(3)在上述(2)項中所述的電子設備中，其特徵在於，具有電池，且從所述電池接受電源供給並進行動作。
(4)在上述(2)項中所述的電子設備中，其特徵在於，具有電池，且不從商用電源接受電源供給，而從電池接受電源供給並且進行動作。
(5)在上述(2)～(4)項中任一項所述的電子設備中，其特徵在於，所述電子設備是手機。
(6)在上述(2)～(4)項中任一項所述的電子設備中，其特徵在於，所述電子設備是筆記本電腦。
(7)一種電路襯底的製造方法，具有有孔的絕緣體層，在該絕緣體層的介電常數為εr，相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，其特徵在於，包括利用通過向純水中添加O3及CO2，利用將pH調整為酸性的含有臭氧酸性純水對所述孔的內部進行超聲波清洗的工序；利用通過向純水中添加H2及NH3，相對將pH調整為鹼性的含有氫的鹼純水對所述孔的內部進行超聲波清洗的工序。
(8)一種電路襯底的製造方法，具有有孔的絕緣體層，在該絕緣體層的介電常數為εr，相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，其特徵在於，包括在所述絕緣體層上使用波長小於或等於400nm、小於或等於700nm的雷射形成所述孔的工序。
(9)一種電路襯底，其特徵在於，包括絕緣體層，其具有相互對向的第一及第二主表面，且具有垂直於所述第一及所述第二主表面的孔；第一及第二配線層，其形成於所述絕緣體層的所述第一及所述第二主表面，在所述絕緣體層的介電常數為εr、相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，在所述孔的內面還具有在接觸所述第一及所述第二配線層的狀態下形成，且用於電連接所述第一及所述第二配線層的電連接體。
(10)一種電子設備，其特徵在於，包括具有相互對向的第一及第二主表面，且具有垂直於所述第一及所述第二主表面的孔的絕緣體層；形成於所述絕緣體層的所述第一及所述第二主表面上的第一及第二配線層，在所述絕緣體層的介電常數為εr，相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，在所述孔的內面還具有在接觸所述第一及所述第二配線層的狀態下形成，且用於電連接所述第一及所述第二配線層的電連接體。
(11)在上述(10)項中所述的電子設備中，其特徵在於，具有電池，且從所述電池接受電源供給並進行動作。
(12)在上述(10)項中所述的電子設備中，其特徵在於，具有電池，且不從商用電源接受電源供給，而從電池接受電源供給並進行動作。
(13)在上述(10)～(12)項中任一項所述的電子設備中，其特徵在於，所述電子設備是手機。
(14)在上述(10)～(12)項中任一項所述的電子設備中，其特徵在於，所述電子設備是筆記本電腦。
在之後的本發明中，滿足εr≤μr的關係的絕緣體被稱為磁性電介質或磁性電介質部。
在本發明中，由於可形成多層使用了磁性電介質的電路襯底，故可構成低耗電的多種電子設備。通過在局部的配線層上使用磁性電介質，可在減少從磁性電介質內部洩漏磁場，且維持低耗電的同時，減少配線層間的串音。
圖1是現有微金屬條線路的配線寬度和特性阻抗的關係的特性圖；圖2是本發明印刷線路板結構的剖面圖；圖3A～圖3D是本發明印刷線路板製造方法的剖面圖；圖4是利用圖3的製造方法得到的印刷線路板結構的剖面圖；圖5是本發明印刷線路板結構的剖面圖；圖6是本發明印刷線路板結構的剖面圖；圖7A及圖7B是本發明印刷線路板結構的剖面圖；圖8是本發明印刷線路板結構的剖面圖；
圖9是本發明印刷線路板結構的剖面圖；圖10是本發明印刷線路板結構的剖面圖；圖11是本發明印刷線路板結構的剖面圖；圖12是本發明印刷線路板結構的剖面圖；圖13A～圖13C是圖11的印刷線路板的製造過程的剖面圖；圖14是在本發明具體例及比較例的印刷線路板上構成金屬條線路時的特性阻抗和配線寬度的關係的特性圖；圖15是在本發明具體例的印刷線路板上構成金屬條線路時的特性阻抗和相對磁導率的關係的特性圖；圖16是在使用了本發明具體例的第一絕緣體的印刷線路板上形成的傳輸線路的特性阻抗、耗電量和頻率的關係的特性圖；圖17是本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖18是本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖19是本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖20是本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖21是本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖22是本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖23是本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖24是本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖25是本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖26是本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；
圖27是本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底的剖面圖；圖28是本發明第二實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底的剖面圖；圖29是本發明第三實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖30是本發明第三實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖31是本發明第三實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖32是本發明第三實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖33是本發明第三實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖34是本發明第三實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖35是本發明第三實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖36是本發明第三實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的剖面圖；圖37A及圖37B是本發明第四實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底製造工序的步驟的照片；圖38是作為具有本發明實施例的多層電路襯底的電子設備的手機的圖示；圖39是作為具有本發明實施例的多層電路襯底的電子設備的筆記本電腦(PC)的圖示。
具體實施例方式
(A)其次，參照附圖所示的實施例說明本發明的印刷線路板。
第一實施例(印刷線路板)如圖2所示，作為本發明一實施例的電路襯底的印刷線路板100，包括具有第一絕緣體101的絕緣體層和埋入該絕緣體層內部的配線(導體)104。
具體地說，印刷線路板100包括板狀或膜狀的第一絕緣體101；在該第一絕緣體101下面形成的第一導電膜102；在第一絕緣體101上面形成的第二導電膜103；被第一絕緣體101內包的多個配線(導體)104。本實施例的配線襯底100被作為例如用於金屬條線路的襯底使用。
配線104的厚度T2沒有特別限定，但在將配線襯底100作為金屬條線路使用時，在信號頻率為f、配線104的導電率為σ、配線104的磁導率為μi時，優選侵入電磁波的表皮深度大於或等於{1/(πfμiσ)}1/2。包圍配線104的第一絕緣體101的厚度T1沒有特別限定，但將配線104和第一導電膜102及第二導電膜103的距離a、b中小的一個作為T』，優選T』≥{1/(πfμiσ)}1/2。由此，可將信號的能量集中在絕緣體中，能夠降低配線中的損失。配線104優選配置在第一絕緣體101的厚度方向的大致中央部。
配線104的寬度W沒有特別限定，但優選大於或等於{1/(πfμiσ)}1/2。配線104相互間的距離P在各配線之間既可以是均勻的，也可以是不均勻的，另外，沒有特別限定，優選大於或等於所述T』的間隔，由此，可降低鄰接的配線間的串音。另外，被埋入第一絕緣體101內部的配線104的數量沒有特別限定，因此，配線104也可以在第一絕緣體101中的厚度方向形成多層，另外，也可以形成多層由101、102、103、104構成的電路襯底。
在第一絕緣體101兩面形成的導電膜102及103的厚度T3沒有特別限定，但優選大於或等於{1/(πfμiσ)}1/2。
第一絕緣體101通過向低介電常數的合成樹脂中混合微小的磁性體粉末得到。微小的磁性體粉末比磁區的尺寸充分小，例如為數10nm左右，或者小於或等於10nm的大小。磁性體粉末是絕緣體，例如，利用氣體中蒸發法、霧化法、化學合成法等將含有Co、Ni、Mn、Zn等的金屬氧化物磁性體降低到磁區尺寸以下的小於或等於數10nm左右大小的球形狀、扁平形狀或纖維形狀。或者，磁性體粉末也可以通過形成金屬磁性體的微小粉末並將其進行氧化處理而得到。
通過將利用上述方法得到的微小磁性體粉末在合成樹脂中混合併且成型，得到圖2所示的第一絕緣體101。合成樹脂材料沒有特別限定，列舉先示例的材料。
通常，磁性體通過斯託克斯的限定而使以成為高頻程度的磁導率低下，因此， 將本實施例的電路襯底用於高頻用途時，優選的是，第一絕緣體101的介電常數是低的。由於合成樹脂與代表的磁性材料即鐵氧體的材料等相比，是低介電常數，故即使在高頻區域也可以發揮增加固有阻抗的效果。從該觀點看，優選的合成樹脂特別優選所述的聚環烯烴樹脂或聚烯烴樹脂。
導電膜102、103及配線104的材質如果是導電性材料即可，而沒有特別限制，使用以通常的配線材料，例如銅、金、銀鋁等金屬材料為主成分的材料等。
要將配線104埋入第一絕緣體101的內部，例如如下所述。
如圖3A所示，首先，將第一絕緣體101的下部絕緣層101a成形為片狀。在其下部絕緣層101a的下面形成第一導電膜102，同時，在下部絕緣層101a的上面形成配線層104a。第一導電膜102及配線層104a可通過例如鍍Cu膜法、濺射法、有機金屬CVD法、Cu等的金屬模粘接法等形成。
其次，如圖3B所示，利用光刻法等構圖配線層104a，形成所希望圖形的配線104。然後，如圖3C所示，在形成了配線104的下部絕緣層101a上層積上部絕緣層101b。上部絕緣層101b與例如下部絕緣層101a相同，形成在片上，並通過例如按壓法粘貼在下部絕緣層101a上。然後，如圖3D所示，與第一導電膜102相同，在上部絕緣層101b上形成第二導電膜103。
另外，上部絕緣層101b也可以通過例如旋轉塗敷法或塗敷法等形成。也可以例如使二甲苯等溶媒中含有樹脂材料，並利用旋轉塗敷法等將利用界面活性劑等使鐵氧體等微小磁性材料均勻分散的溶液塗敷在下部絕緣層101a上，進行燒結，使溶媒蒸發，而形成固化的上部絕緣層101b。
這樣得到的電路襯底，如圖4所示，利用下部絕緣層101a和上部絕緣層101b構成第一絕緣體101。下部絕緣層101a和上部絕緣層101b既可以由同一材料形成，也可以由不同的材料形成。但是，優選的是，這些絕緣層101a及101b雙方滿足μr≥εr。
另外，至少任一絕緣層也可以通過在LSI製造過程中使用的無機SOG(Spin On Glass旋塗式玻璃)的氫化斯露賽斯奧克桑(シルセスキオキサン)聚合物(HSQ)等無機物中混合微小磁性材料，進行塗敷、燒結形成。
根據本實施例的配線襯底100，由於導體間的絕緣材料可使用滿足μr≥εr的第一絕緣體101，故固有阻抗可達到大於或等於377Ω左右，優選大於或等於300Ω、大於或等於500Ω，由此，可降低包括印刷線路板等電路襯底的LSI系統整體的耗電。
另外，在本實施例中，由於配線104被埋入第一絕緣體101中，故可將在配線104周圍產生的磁場封閉在包圍配線的第一絕緣體101內，可抑制鄰接的配線104間的串音和輻射噪音，提高傳播配線104的信號的信號品質。
第二實施例(印刷線路板)如圖5所示，在本實施例中，利用第二絕緣體105包圍配線104周圍，進一步利用第一絕緣體101包圍其周圍，除此之外，與所述第一實施例是相同的結構，可期待相同的作用效果。
以下，在各實施例中，與所述第一實施例通用的部件使用同一符號，一部分省略其說明，以下，僅詳細說明不同點。
在本實施例中，包圍配線104的第二絕緣體105由不包括微小磁性材料的通常的合成樹脂構成。該第二絕緣體105滿足μr＞εr。不滿足μr≥εr。該第二絕緣體105的厚度只要比圖2所示的配線104相互間的距離P的1/2小即可，優選小於或等於1/3。
另外，該第二絕緣體105，如圖6所示，也可以不必覆蓋配線104的全周，僅覆蓋配線104的一部分。
另外，如圖7A所示，第一絕緣體101也可以不覆蓋配線104的全周，而利用第二絕緣體105包圍配線104的一部分106。另外，如圖7(B)所示，第一絕緣體101在第一絕緣體101和配線104之間夾持第二絕緣體105的狀態下，包圍除配線104一部分106之外的部分，配線104的一部分106也可以被第二絕緣體105包圍。另外，在配線104的取出口也可以是在通孔連接部等不利用第一絕緣體101包圍配線104的部分。如圖7A、及圖7B所示，在配線104的周圍，優選未通過第一絕緣體101包圍的部分106的寬度W2min比與其寬度W2min平行方向的平行104的最大寬度W1max窄。
第三實施例(印刷線路板)如圖8所示，在本實施例中，除利用分散有球狀第一絕緣體201(僅與第一絕緣體101的形狀不同)的第一絕緣體205包圍配線104的周圍之外，其它與所述第一實施例是相同的結構，可期待相同的作用效果。
在本實施例中，利用分散有球狀第一絕緣體201的第一絕緣體205包圍配線104，即，配線(導體)104被第一絕緣體201實質地包圍。
另外，在圖9所示的實施例中，利用分散有扁平狀第一絕緣體301的第一絕緣體305包圍配線104，即，配線(導體)104被第一絕緣體301實質地包圍。
在圖10所示的實施例中，利用分散有纖維狀第一絕緣體401的第一絕緣體405包圍配線層104，即，配線(導線)104被第一絕緣體401實質地包圍。
第四實施例(印刷線路板)如圖11所示，在本實施例中，形成於第一導電膜102和第二導電膜103之間的板狀或膜狀的滿足μr≥εr的第一絕緣膜501被不滿足μr≥εr的第二絕緣體505區分成各配線104。
第一絕緣體501是與所述第一實施例的配線襯底100中的第一絕緣體101相同的材質，並同樣地製造。第二絕緣體505是通常的合成樹脂，不能分散磁性體粉末。
第一絕緣體501的寬度W4必須比配線104的寬度W大，也可以利用第一絕緣體501實質地包圍配線104。配線104優選配置在第一絕緣體501寬度方向的大致中央附近。第二絕緣體505的寬度W3也可以比寬度W4小，具體地說，寬度大於0，決定絕緣體501實質地包圍配線104。即，如圖12所示，第二絕緣體505的最小寬度W3min如果大於或等於是第一絕緣體501不包圍配線104周圍的部分605(與第二絕緣體505的材質相同)的最小寬度W2min就可以。
反覆交互第一絕緣體501和第二絕緣體505形成的配線襯底可例如像下述那樣進行製造。
即，首先，如圖13A所示，與圖4所示的工序相同，配線104形成埋入第一絕緣體501內部的襯底。然後，如圖13B所示，利用雷射加工等在形成圖11所示的形成第二絕緣體505的圖形上形成槽505a。然後，如圖13C所示，通過旋轉塗敷法從槽505a上流入成為第二絕緣體505的樹脂，形成由第二絕緣體505和505b構成的絕緣體，然後，去除剩餘的絕緣體部分505b。
通過本實施例的配線襯底，分別在各第一絕緣體501中埋入配線104，而且，各第一配線體501被第二絕緣體505分開。由此，根據本實施例，能夠進一步增進所述第一實施例的作用效果。即，根據本實施例，可將在配線104周圍產生的磁場被有效地封閉在包圍配線104的第一絕緣體501內，可抑制鄰接的配線104間的串音和輻射噪音，提高傳播配線104的信號的信號品質。
另外，本發明不限於上述的實施例，在本發明的範圍內可進行各種改變。
例如，本發明的電路襯底可使用除金屬條線路之外的電路，例如微金屬條線路或用於其它電路的襯底之外的電路。
具體例以下，參照詳細的具體例進一步說明本發明，但本發明不限於這些具體例。
具體例1向將聚環烯烴樹脂(降冰片烷系環狀烯烴的開環聚合物改性體(Tg＝170℃))100份、雙酚系硬化劑40份、及咪唑系效應促進劑0.1份溶解於溶劑中得到的清漆中均勻地擴散由絕緣體構成的微小磁性體粉末即鐵氧體(戶田工業社制)，鑄造成形後進行熱處理，得到厚度T1＝100μm的如圖2所示的第一絕緣體101。該第一絕緣體101的介電常數ε為2.9。磁性體粉末的分散量相對於清漆溶劑之外的成分質量100的質量份為100質量份的比例。
另外，在第一絕緣體101內部埋入由剖面寬度W為10μm，剖面厚度T2為10μm的銅金屬構成的配線104，使配線間隔P＝200μm，並且配置在厚度方向的大致中央。
其次，在第一絕緣體101的下面及上面同樣實施電鍍，形成厚度戶20μm的導電膜102及103，並且得到配線襯底100。
測定該配線襯底100中的第一絕緣體101的磁導率μ的結果為25。
使配線104的寬度W在1～100μm之間變化，圖14的實線表示求出與特性阻抗的關係的結果。
比較例1代替絕緣體101，不向所述清漆中分散微小磁性體粉末，得到絕緣體，除此之外，與所述具體例1相同，製造配線襯底。絕緣體的介電常數ε＝2，配線襯底的磁導率μ＝1。使配線104的寬度W在1～100μm之間變化，圖14的虛線表示求出與特性阻抗的關係的結果。
評價1如圖14所示，本發明具體例與比較例(現有型的金屬條線路)相比較，可確認特性阻抗提高。即，目前，在本具體例中，可確認以100～200Ω為界限的特性阻抗為大於或等於300～500Ω左右。另外，由於為提高配線阻抗不必要將配線寬度減細為極端的細，故可減少配線阻抗引起的損失。
具體例2使第一絕緣體101中的磁性體粉末的分散量改變，且使100MHz中的第一絕緣體101的磁導率在1～100的範圍內變化，除此之外，與具體例1相同，製造配線襯底。圖15表示形成於配線襯底100上的轉送線路的特性阻抗和第一絕緣體101的介電常數的關係。可確認得到在介電常數為25左右並且特性阻抗為500Ω，介電常數為100左右，特性阻抗1000Ω的傳輸線路。
具體例3在具體例1的配線襯底中，選擇特性阻抗為500Ω的線路，圖16中的曲線A表示求出頻率和耗電的關係的結果。
比較例2在比較例1的配線襯底中，選擇特性阻抗為50Ω的線路，圖16中的曲線B表示求出頻率和耗電的關係的結果。
評價2如圖16所示，由於從超出1GHz的附近向旋轉磁化共振頻率靠近，磁性體的損失開始增大，但在小於1GHz左右的頻率中，由於成為微小磁性體的單磁區結構，故可停止磁壁運動，實現低的損失。與現有例的比較例2的50Ω的特性阻抗相比，通過在調整介電常數為25的具體例3的第一絕緣體中形成傳輸線路配線，並將特性阻抗設定為500Ω，可確認實現1/10的低耗電化。
目前，與通常使用的50Ω的特性阻抗的情況相比，在具體例3中，由於可容易形成500Ω左右，或者大於或等於500Ω的特性阻抗，故可將流向配線的電流降低到1/10左右，或者小於或等於1/10左右，可確認將驅動印刷線路板或配線的緩衝電路中的耗電設定為小於或等於1/10。
所述具體例表示本發明適用於印刷線路板上的情況，但本發明也可以適用於LSI電路的內部配線中，得到相同的效果。
(B)其次，參照
本發明實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底。
第一實施例(多層電路襯底)本發明第一實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底如下製造。
1)如圖17所示，在厚度50μm的第一磁性電介質(相對磁導率μr＝25，介電常數εr＝2)11上利用無電解電鍍法施行鍍銅，形成厚度10μm的第一配線用導電體層21。
2)如圖18所示，在第一配線用導電體層21上塗敷光致抗蝕劑層31，通過掩模調準器進行曝光，之後，通過利用規定的顯影液顯影，在未形成配線的部分在光致抗蝕劑層31上設置開口部。
3)如圖19所示，利用氯化亞銅溶液蝕刻從光致抗蝕劑層31的開口部露出的第一配線用導電體層21的銅，形成第一配線層圖形21』。然後，利用抗蝕劑剝離液剝離光致抗蝕劑層。
4)如圖20所示，利用真空按壓法形成作為絕緣體層的第二磁性電介質層12(相對磁導率μr＝25，介電常數εr＝2)，以覆蓋第一配線層圖形21』。
5)如圖21所示，利用無電解電鍍法在第二磁性電介質層12上施行鍍銅，形成厚度10μm的第二配線用導電體層22。
6)如圖22所示，利用碳酸氣體雷射形成連接第一配線層圖形21』和第二配線用導電體層22時使用的連接孔41。
7)在圖22中，為充分清洗連接孔41內部，使脫氣的純水中含有O3的量為5mg/L，並且通過進一步添加CO2，在將pH調整為4～5的含有臭氧的酸性溶液中浸漬襯底，利用1MHz的超聲波進行超聲波清洗。然後，使脫氣的純水中含有H2的量為1.3ng/L，並且通過進一步添加NH3，在將pH調整為9～10的含有氫的鹼純水中利用1MHz的超聲波進行超聲波清洗。根據汙染的狀況不同，清洗溫度為室溫就可以，清洗時間最好為1分～10分左右。也可以反覆進行清洗處理。由此，在所述的碳酸氣體雷射加工時，可充分地除去殘留於連接孔41內部的磁性體殘渣。
8)如圖23所示，利用無電解電鍍法在連接孔41內形成鍍銅膜51，電連接第一配線層圖形21』和第二配線用導電體層22。
9)如圖24所示，塗敷光致抗蝕劑層32，並進行曝光及顯影，在光致抗蝕劑層32上形成開口部。然後，如圖25所示，通過利用氯化亞銅溶液蝕刻在光致抗蝕劑層32的開口部露出的第二配線用導電體層22，將第二配線用導電體層22構圖成所希望的圖形，形成第二配線層圖形22』，之後，剝離光致抗蝕劑層32。
10)如圖26所示，利用真空按壓法形成作為絕緣體層的第三磁性電介質層13(相對磁導率μr＝25，介電常數εr＝2)，以覆蓋第二配線層圖形22』。
11)如圖27所示，利用無電解電鍍法在第三磁性電介質層13上形成厚度10μm的作為第三配線用導電體層23的由銅構成的電鍍層。
12)如圖27所示，利用碳酸氣體雷射形成連接第二配線層圖形22』和第三配線用導電體層23時使用的連接孔42。
13)在圖27中，為充分清洗連接孔42內部，使脫氣的純水中含有O3的量為5mg/L，並且通過進一步添加CO2，在將pH調整為4～5的含有臭氧的酸性溶液中浸漬襯底，利用1MHz的超聲波進行超聲波清洗。然後，使脫氣的純水中含有H2的量為1.3ng/L，並且通過進一步添加NH3，在將pH調整為9～10的含有氫的鹼純水中利用1MHz的超聲波進行超聲波清洗。由此，可充分地除去在進行所述的碳酸氣體雷射加工時的殘留於連接孔42內部的磁性體殘渣。
14)如圖27所示，利用無電解電鍍法在連接孔42內進行銅電鍍52，電連接第二配線層圖形22』和第三配線用導電體層23。
15)在27中，與圖24及圖25相同，構圖第三配線用導電體層23，形成第三配線層圖形23』。
16)如圖27所示，與圖26相同，利用真空按壓法形成作為絕緣體層的第四磁性電介質層14(相對磁導率μr＝25，介電常數εr＝2)，以覆蓋第二配線層圖形23』。
17)在圖27中，利用無電解電鍍法在第四磁性電介質層14上形成厚度10μm的第四配線用導電體層24的由銅構成的電鍍層。
18)最後，塗敷感光性保護膜61，通過將部件安裝部分的保護膜61曝光、顯影並除去，在部件安裝部形成開口部71，完成圖27所示的電路襯底。
在圖27中，如果著眼於包括第二磁性電介質層12的部分A，則電路襯底的特徵在於，在所述部分A中包括具有相互對向的第一及第二主表面的絕緣體層12、形成於所述絕緣體層12的所述第一及所述第二主表面上的第一及第二配線層21』及22』，在所述絕緣體層22的介電常數為εr，相對磁導率為μr時，所述絕緣體層12為εr≤μr。在此，即使全部絕緣體層12不滿足εr≤μr，如絕緣體12的至少一部分滿足εr≤μr，則在多層電路襯底中也可得到本發明想要的低耗電化的效果。另外，由於可減少從εr≤μr的磁性體內部的配線向不滿足εr≤μr的絕緣體的洩漏磁場，故可減少配線間的串音。
在所述部分A中，絕緣體層12具有垂直於所述第一及所述第二主表面的孔41。電路襯底在該孔41的內面與所述第一及所述第二配線層21』及22』接觸的狀態下形成，且具有用於電連接所述第一及第所述第二配線層21』及22』的電連接體51。
第二實施例(多層電路襯底)參照圖28，其表示本發明第二實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底。該多層電路襯底取代圖27的多層電路襯底的第三磁性電介質層13，形成絕緣體層81。在該絕緣體層81的介電常數為εr，相對磁導率為μr時，絕緣體層81不滿足εr≤μr。
這樣，即使絕緣體層81不是磁性電介質層，也可以得到相同的效果。
第三實施例(多層電路襯底)其次，說明本發明第三實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底。
如圖29所示，在具有相互對向的第一及第二主表面的第一磁性電介質層(相對磁導率μr＝25，介電常數εr＝2)11的第一及第二主表面上形成與第一實施例相同的第一及第二配線用導電體層21及22。
其次，如圖32所示，與第一實施例是相同的結構，選擇地蝕刻第一及第二配線用導電體層21及22，形成第一及第二配線層圖形21』及22』。
如圖31所示，與第一實施例的所述6)中所敘述的相同，利用碳酸氣體雷射形成連接第一配線圖形21』和第二配線圖形22』的連接孔41。
然後，在圖31中，與第一實施例的所述7)中所敘述的相同，為充分地清洗連接孔41內部，使脫氣的純水中含有O3的量為5mg/L，並且通過進一步添加CO2，在將pH調整為4～5的含有臭氧的酸性溶液中浸漬襯底，利用1MHz的超聲波進行超聲波清洗。然後，使脫氣的純水中含有H2的量為1.3ng/L，並且通過進一步添加NH3，在將pH調整為9～10的含有氫的鹼純水中利用1MHz的超聲波進行超聲波清洗。由此，可充分地除去在進行所述的碳酸氣體雷射加工時的殘留於連接孔41內部的磁性體殘渣。
其次，如圖32所示，與第一實施例的所述8)中)所敘述的相同，在連接孔41內進行鍍銅51，電連接第一配線層圖形21』和第二配線層圖形22』。
如圖33所示，與圖29～32所敘述的相同，在第二磁性電介質層(相對磁導率μr＝25，介電常數εr＝2)12的兩主表面上形成第三及第四配線層圖形23』及24』。然後，在連接孔42內進行鍍銅52，電連接第三配線層圖形23』和第四配線層圖形24』。
在圖33中，如上所述，準備多個在磁性電介質層兩面上形成的配線層圖形的電路襯底，且準備預浸漬片91，準備多個在磁性電介質層兩面上形成了多個配線層圖形的電路襯底，通過介由預浸漬片91熱壓，得到圖34所示的多層電路襯底。
預浸漬片91既可以是磁性電介質，也可以不是磁性電介質。在預浸漬片91為磁性電介質時，如果相對於基準面，在向水平方向施加磁場的同時，進行按壓，則伴隨預浸漬片的熔融，減少磁性體的亂排列，減少磁導率偏差，故可減少Z＝(μ/ε)1/2所表示的特性阻抗的面內誤差。
另外，在圖34中，通過在多層電路襯底的兩面塗敷感光性保護層61，並將連接孔形成部分的保護膜61進行曝光、顯影，然後除去，在連接孔形成部形成開口部71。
然後，如圖35所示，利用與第一實施例的所述6)中所敘述的相同的方法或鑽孔加工等形成連接孔43，與第一實施例的所述7)中所敘述的相同，清洗連接孔43內部。
最後，如圖36所示，與第一實施例的所述8)中所敘述的相同，在連接孔內進行鍍銅53，電連接第一配線層圖形21』、第二配線層圖形22』、第三配線層圖形23』和第四配線層圖形24』。
第四實施例(多層電路襯底)其次，說明本發明第四實施例的使用了磁性電介質的多層電路襯底。
在該第四實施例中，在第一實施例的圖22中，在連接孔41進行開口時，使用以ArF為激發介質的激元脈衝雷射器(小於或等于波長193nm的雷射)代替碳酸氣體雷射器形成連接孔41。其結果如圖37B所示，得到優良的開口部作為連接孔41。由於連接孔41是優良的開口部，故也可以不進行第一實施例所述的7)中所敘述的連接孔41內部的清洗。使用以Nd-YAG介質的第三高頻的雷射器(波長355nm)代替以ArF為激發介質的激元脈衝雷射的雷射器也可以得到相同的效果。
另外，在使用碳酸氣體雷射形成連接孔41時，如圖37A所示，開口部的形狀顯著惡化，不能得到優良的開口部。在配線圖形不能緊湊，而開口部的形狀影響減少時，也可以利用碳酸氣體雷射進行開口。另外，根據襯底的用途也不同，在必要的磁性體量減少時，也可以使用碳酸氣體雷射等大於或等於700nm的紅雷射，在磁性體的含有量多時，優選小於或等於400nm的短波雷射。根據發明者的研究，在磁性體含有量為大概大於或等於20％體積時，優選短波雷射。
圖38中，手機作為具有利用所述第一至第四實施例中任一項得到的多層電路襯底的電子設備。圖38中圖示的手機具有包括天線、送受識別器、發送信號放大器、混合器、局部振蕩器、調製器等的電波發射部。
另外，圖39中，筆記本電腦(PC)作為具有利用所述第一至第四實施例中任一項得到的多層電路襯底的電子設備。
圖39中圖示的筆記本電腦具有中央運算處理裝置(CPU)及輔助運算裝置和作為存儲部的存儲器。
圖38及圖39中圖示的手機及筆記本電腦具有電池10，從電池10接受電源供給並進行動作。詳細地說，手機及筆記本電腦不從商用電源(外部電源)接受電源供給，而從電池10接受電源供給並且進行動作。
另外，即使在利用所述的第一至第四實施例中任一項得到的多層電路襯底中，成為εr≤μr的絕緣體的磁性電介質也是向絕緣物樹脂中分散磁性體粉末的電介質。所述磁性體粉末的材料也可以是鐵氧體等絕緣物磁性體的粉末，或也可以是Fe、Ni、Co、Cr等金屬磁性元素的單體或合金粉末。
另外，在利用所述的第一至第四實施例中任一項得到的多層電路襯底中，在多層絕緣體層中，對於不需要高阻抗化的層或部分，也可以不使用磁性電介質(εr≤μr的絕緣體)。
另外，也可以在除手機及筆記本電腦之外的電子設備，例如伺服器、路由器、電視、DVD(Digital Versatile Disc)、遊戲機、監視器、錄像機、數位相機、投影儀等中使用所述的第一至第四實施例中任一項得到的多層電路襯底。
另外，在作為圖38中圖示了的電子設備的手機中，也可以代替多層電路襯底而使用作為第一實施例(印刷線路板)、第二實施例(印刷線路板)、第三實施例(印刷線路板)和第四實施例(印刷線路板)所說明的印刷線路板中的任一線路板。
同樣，在作為圖39中圖示了的電子設備的筆記本電腦中，也可以代替多層電路襯底而使用作為第一實施例(印刷線路板)、第二實施例(印刷線路板)、第三實施例(印刷線路板)和第四實施例(印刷線路板)所說明的印刷線路板中的任一線路板。
權利要求
1.一種電路襯底，其具有絕緣體層和埋入該絕緣體層內的導體，其特徵在於，所述絕緣體層在介電常數為εr、相對磁導率為μr時，具有滿足μr≥εr的關係的第一絕緣體，並利用該第一絕緣體實質地包圍所述導體。
2.如權利要求1所述的電路襯底，其特徵在於，所述絕緣體層還具有未滿足μr≥εr的關係的第二絕緣體，利用該第二絕緣體實質地包圍所述導體，且該第二絕緣體周圍被所述第一絕緣體實質地包圍。
3.如權利要求1所述的電路襯底，其特徵在於，所述絕緣體層還具有未滿足μr≥εr的關係的第二絕緣體，利用該第二絕緣體實質地包圍所述導體的一部分，且該第二絕緣體和所述導體的周圍被所述第一絕緣體實質地包圍。
4.如權利要求1所述的電路襯底，其特徵在於，在所述絕緣體層的內部埋入規定數N(N為大於或等於2的整數)的所述導體，所述規定數N的所述導體分別被規定數N的所述第一絕緣體實質地包圍，所述規定數N的所述第一絕緣體之間被不滿足μr≥εr的關係的第二絕緣體分開。
5.如權利要求1所述的電路襯底，其特徵在於，所述第一絕緣體是向無機物或有機SOG混合磁性體而形成的。
6.如權利要求5所述的電路襯底，其特徵在於，所述無機物是無機SOG、二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽或陶瓷。
7.如權利要求5所述的電路襯底，其特徵在於，所述磁性體是絕緣體、金屬磁性元素的單體或合金。
8.如權利要求1所述的電路襯底，其特徵在於，所述第一絕緣體是含有合成樹脂和磁性體的絕緣體。
9.如權利要求8所述的電路襯底，其特徵在於，所述合成樹脂是從環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、氟樹脂、改性聚苯醚樹脂、雙馬來醯亞胺·三連氮樹脂、改性聚苯醚樹脂、矽樹脂、苯並環丁烯樹脂、聚奈乙二醇酯樹脂、聚環烯烴樹脂、聚烯烴樹脂、氟碳聚合物、氰酸鹽酯樹脂、密胺樹脂及丙烯酸樹脂構成的組中所選擇的至少一種樹脂。
10.如權利要求8所述的電路襯底，其特徵在於，所述磁性體是絕緣體或金屬磁性元素的單體或合金。
11.一種電子設備，其特徵在於，具有權利要求1～10中任一項所述的電路襯底。
12.一種電路襯底，其特徵在於，包括具有對向的第一及第二主表面的絕緣體層，和形成於所述絕緣體層的所述第一及所述第二主表面上的第一及第二配線層，在所述絕緣體層的介電常數為εr，相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係。
13.一種電子設備，其特徵在於，包括具有對向的第一及第二主表面的絕緣體層，和形成於所述絕緣體層的所述第一及所述第二主表面上的第一及第二配線層，在所述絕緣體層的介電常數為εr，相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係。
14，如權利要求13所述的電子設備，其特徵在於，其具有電池，且從所述電池接受電源供給並進行動作。
15.如權利要求13所述的電子設備，其特徵在於，其具有電池，且不從外部電源接受電源供給，而從所述電池接受電源供給並進行動作。
16.如權利要求13～15中任一項所述的電子設備，其特徵在於，其具有電波發射裝置。
17.如權利要求13～15中任一項所述的電子設備，其特徵在於，其具有運算處理部(CPU)和存儲部(存儲器)。
18.一種電路襯底的製造方法，具有有孔的絕緣體層，在該絕緣體層的介電常數為εr，相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，其特徵在於，包括利用向純水中添加O3及CO2，並且利用將pH調整為酸性的含有臭氧酸性純水對所述孔的內部進行超聲波清洗的工序；利用向純水中添加H2及NH3，並且利用將pH調整為鹼性的含有氫的鹼純水對所述孔的內部進行超聲波清洗的工序。
19.一種電路襯底的製造方法，具有有孔的絕緣體層，在該絕緣體層的介電常數為εr、相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，其特徵在於，具有在所述絕緣體層上使用波長小於或等於400nm的雷射形成所述孔的工序。
20.一種電路襯底的製造方法，具有有孔的絕緣體層，在該絕緣體層的介電常數為εr、相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，其特徵在於，具有在所述絕緣體層上使用大於或等於700nm的雷射形成所述孔的工序。
21.一種電路襯底，其特徵在於，包括絕緣體層，其具有相互對向的第一及第二主表面，且具有連接所述第一及所述第二主表面的孔；第一及第二配線層，其形成於所述絕緣體層的所述第一及所述第二主表面，在所述絕緣體層的介電常數為εr、相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，在所述孔的內面還具有在接觸所述第一及所述第二配線層的狀態下形成的，且用於電連接所述第一及所述第二配線層的電連接體。
22.一種電路襯底，包括第一絕緣體層，其具有對向的第一及第二主表面；第一及第二配線層，其形成於所述第一絕緣體層的所述第一及所述第二主表面；第二絕緣體層，其形成於所述第二配線層上；第三配線層，其形成於和與所述第二絕緣體層的所述第二配線層接觸側對向的面上，在所述第一及所述第二絕緣體層的至少一層上形成連接從第一至第三的配線層中選擇的任意兩層以上的孔，其特徵在於，在所述第一及所述第二絕緣體層的介電常數為εr、相對磁導率為μr時，所述第一及所述第二絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，在所述孔的內面還具有連接從所述第一至第三配線層中選擇的任意兩層以上的電連接體。
23.一種電子設備，其特徵在於，其具有電路襯底，該電路襯底具有對向的第一及第二主表面，且具有連接所述第一及所述第二主表面的孔的絕緣體層，和形成於所述絕緣體層的所述第一及所述第二主表面上的第一及第二配線層，在所述絕緣體層的介電常數為εr、相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，在所述孔的內面還具有在接觸所述第一及所述第二配線層的狀態下形成的，且用於電連接所述第一及所述第二配線層的電連接體。
24.如權利要求23所述的電子設備，其特徵在於，其具有電池，且從所述電池接受電源供給並進行動作。
25.如權利要求23所述的電子設備，其特徵在於，其具有電池，且不從外部電源接受電源供給，而從所述電池接受電源供給並進行動作。
26.如權利要求23～25中任一項所述的電子設備，其特徵在於，其具有電波發射裝置。
27.如權利要求23～25中任一項所述的電子設備，其特徵在於，其具有運算處理部(CPU)和存儲部(存儲器)。
28.一種電子設備，其具有電路襯底，該電路襯底具有包括第一絕緣體層，其具有對向的第一及第二主表面；第一及第二配線層，其形成於所述第一絕緣體層的所述第一及所述第二主表面；第二絕緣體層，其形成於所述第二配線層上；第三配線層，其形成於和與所述第二絕緣體層的所述第二配線層接觸側對向的面上，在所述第一及所述第二絕緣體層的至少一層上形成連接從第一至第三的配線層中選擇的任意兩層以上的孔，其特徵在於，在所述第一及所述第二絕緣體層的介電常數為εr、相對磁導率為μr時，所述第一及所述第二絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，在所述孔的內面還具有連接從所述第一至第三配線層中選擇的任意兩層以上的電連接體。
29.如權利要求28所述的電子設備，其特徵在於，其具有電池，且從所述電池接受電源供給並進行動作。
30.如權利要求28所述的電子設備，其特徵在於，其具有電池，且不從外部電源接受電源供給，而從所述電池接受電源供給並進行動作。
31.如權利要求28～30中任一項所述的電子設備，其特徵在於，其具有電波發射裝置。
32.如權利要求28～30中任一項所述的電子設備，其特徵在於，其具有運算處理部(CPU)和存儲部(存儲器)。
33.一種電路襯底，其具有絕緣體層，在所述絕緣體層的介電常數為εr、相對磁導率為μr時，所述絕緣體層的至少一部分滿足εr≤μr的關係，其特徵在於，所述絕緣體層的所述至少一部分是在絕緣物中分散了磁性體，所述磁性體的材料是金屬磁性元素的單體或合金。
全文摘要
一種電路襯底、使用電路襯底的電子設備及電路襯底的製造方法，在具有絕緣體層和埋入該絕緣體層內部的導體(104)的電路襯底(100)中，在所述絕緣體層在介電常數為εr，相對磁導率為μr時，具有滿足μr≥εr的關係的第一絕緣體(101)，並利用該第一絕緣體將所述導體實質地包圍。
文檔編號H05K1/02GK1679380SQ0381997
公開日2005年10月5日 申請日期2003年8月25日 優先權日2002年8月23日
發明者大見忠弘, 須川成利, 森本明大, 加藤丈佳, 脅坂康尋 申請人:日本瑞翁株式會社, 大見忠弘