一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法

2024-04-10 08:32:05

一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法
【專利摘要】一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，屬於電子元件的製備領域。對基片進行處理，首先用純淨水衝洗，用紗布擦淨基片表面，在室溫下用鉻酸洗液浸泡，再用純淨水衝洗，並用酒精、丙酮滌蕩後，用四氯化碳、丙酮和酒精先後各兩次超聲波清洗10min；採用濺射鍍膜的方式在基片上進行鍍膜處理；在薄膜上設置細長條折線。通過對其工藝的改進，採用濺射鍍膜的方式可使膜與基片的附著力增強，膜的純度高，重複性好，成膜速率高，可以在較低的溫度下製備薄膜。本發明所述Pt薄膜熱敏電阻的製備方法操作簡單，易於推廣。
【專利說明】一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法

【技術領域】
[0001]本發明屬於電子元件的製備領域，尤其涉及一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法。

【背景技術】
[0002]隨著科學技術的不斷進步，對於電子產品質量的答覆提升，對於電子元件的製備工業也提出了新的要求。Pt薄膜熱敏電阻具有尺寸小，響應快，易於與集成電路相匹配的特點，且測溫範圍寬、精度高。在工業、國防和科學研究工作中有廣泛的應用。Pt薄膜熱敏電阻採用薄膜技術生產。熱敏電阻的基底材料可以採用三氧化二鋁陶瓷，二氧化矽，玻璃，微晶玻璃等。薄膜的製備工藝可以採用真空蒸發鍍膜法，蒸發源通常有電阻加熱蒸發源，電子束蒸發源或感應加熱式蒸發源。真空蒸發鍍膜工藝不能有效利用靶材，在大量生產時效率不聞。


【發明內容】

[0003]本發明旨在解決上述問題，提供一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法。
[0004]一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於包括如下步驟:(I)對基片進行處理，首先用純淨水衝洗，用紗布擦淨基片表面，在室溫下用鉻酸洗液浸泡，再用純淨水衝洗，並用酒精、丙酮滌蕩後，用四氯化碳、丙酮和酒精先後各兩次超聲波清洗10 min;(2)採用濺射鍍膜的方式在基片上進行鍍膜處理；(3)在步驟(2)完成鍍膜的薄膜上設置細長條折線。
[0005]本發明所述的一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於所述步驟(I)中的基片選用微晶玻璃，表面粗糙度Ra為0.05 μπι.
[0006]本發明所述的一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於所述步驟(2)中的靶材使用高純鉬板。
[0007]本發明所述的一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於所述步驟(I)中所述的浸泡時間為6h。
[0008]本發明所述的一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於所述步驟(2)所述濺射時間為3-5h。
[0009]本發明所述的一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於所述步驟(2)的工作電壓為2kV，工作溫度為200°C。
[0010]本發明所述的Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，通過對其工藝的改進，採用濺射鍍膜的方式可使膜與基片的附著力增強，膜的純度高，重複性好，成膜速率高，可以在較低的溫度下製備薄膜。本發明所述Pt薄膜熱敏電阻的製備方法操作簡單，易於推廣。

【具體實施方式】
[0011]一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，包括如下步驟:(I)對基片進行處理，首先用純淨水衝洗，用紗布擦淨基片表面，在室溫下用鉻酸洗液浸泡，再用純淨水衝洗，並用酒精、丙酮滌蕩後，用四氯化碳、丙酮和酒精先後各兩次超聲波清洗10 min ;(2)採用濺射鍍膜的方式在基片上進行鍍膜處理，用荷能粒子轟擊靶材，使靶材表面原子獲得足夠的能量從表面逸出。高能量的濺射原子澱積到基片上形成薄膜，可使膜與基片的附著力增強，膜的純度高，重複性好，成膜速率高，可以在較低的溫度下製備薄膜。(3)在步驟(2)完成鍍膜的薄膜上設置細長條折線。
[0012]本發明所述的一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，所述步驟(I)中的基片選用微晶玻璃，要求其目檢無劃痕，表面粗糙度Ra為0.05 ym，以保證薄膜的連續性。所述步驟(2)中的靶材使用高純鉬板，金屬鉬具有正的溫度係數，物理化學性質穩定，阻溫係數的線性較好，可以在-19(T+63(TC範圍內有較高的測量精度，常作為測量的基準。阻溫係數ακ =(3 850±10)X10_6。所述步驟(I)中所述的浸泡時間為6h。所述步驟(2)所述濺射時間為3-5h。所述步驟(2)的工作電壓為2kV，工作溫度為200°C。基片溫度的高低對膜的很多性能都有影響。如膜的附著力、緻密性、晶粒尺寸、表面態等。理論上和本項研究試驗都表明，灘射如對基片加熱一定時間，有利於清除基片表面吸附的水氣和雜質，可明顯提聞I吳的附著力。濺射成膜時，適當提高基片溫度，有利於薄膜材料原子和基片原子之間的相互擴散，並且會加速化學反應。這有利於形成擴散附著和通過中間層附著，提高了膜的附著力。從薄膜生長的角度看，適當提高基片的溫度可使澱積原子保持一定的能量和沿基片表面的速度分量，有利於澱積原子沿基片表面的遷移運動，增大澱積原子的聚集作用，利於晶核沿基片表面方向的生長，儘快形成連續膜，使膜表面平整光亮，使晶粒長大。
【權利要求】
1.一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於包括如下步驟:(1)對基片進行處理，首先用純淨水衝洗，用紗布擦淨基片表面，在室溫下用鉻酸洗液浸泡，再用純淨水衝洗，並用酒精、丙酮滌蕩後，用四氯化碳、丙酮和酒精先後各兩次超聲波清洗10 min;(2)採用濺射鍍膜的方式在基片上進行鍍膜處理；(3)在步驟(2)完成鍍膜的薄膜上設置細長條折線。
2.如權利要求1所述的一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於所述步驟(I)中的基片選用微晶玻璃，表面粗糙度Ra為0.05 μ m。
3.如權利要求1所述的一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於所述步驟(2)中的靶材使用高純鉬板。
4.如權利要求1所述的一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於所述步驟(I)中所述的浸泡時間為6h。
5.如權利要求1所述的一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於所述步驟(2)所述濺射時間為3-5h。
6.如權利要求1所述的一種Pt薄膜熱敏電阻的製備方法，其特徵在於所述步驟(2)的工作電壓為2kV，工作溫度為200°C。
【文檔編號】H01C17/12GK104332261SQ201410544191
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年10月15日 優先權日:2014年10月15日
【發明者】張俊 申請人:陝西易陽科技有限公司