一種陽極鉭塊的製作方法
2024-02-12 02:36:15 1
一種陽極鉭塊的製作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種陽極鉭塊，包括陽極鉭塊和陽極鉭絲；所述陽極鉭絲固定設置於陽極鉭塊的前端或者後端，所述陽極鉭塊的外側面上設置有凸肋或溝槽。本實用新型通過在現有鉭塊的表面上設置一定數量的凸肋或溝槽，以此增大鉭塊的表面積，通過增大接觸面積達到降低微孔外表二氧化錳(或導電聚合物)層與石墨層、石墨層與銀漿層間的接觸電阻的目的；本實用新型所使用的陽極鉭塊的形狀對降低固體電解質鉭電容器產品的ESR有更好的效果，從而能夠製造出超低ESR的鉭電容產品。
【專利說明】
-種陽極結塊
技術領域
[0001] 本實用新型設及粗電容器製造技術領域，具體設及一種陽極粗塊。
【背景技術】
[0002] 隨著電子技術的不斷發展，尤其是作為片式粗電容器應用最多的電源技術和處理 器技術出現了重大變革，固體電解質粗電容器小型化、超低ESR化的趨勢日益明顯。
[0003] 對於片式粗電容器而言，其等效串聯電阻ESR = Rf+R〇+Rext，其中，Rf是與介質氧化 膜五氧化二粗有關的損耗電阻，R。是粗塊微孔中二氧化儘(或導電聚合物）的損耗電阻，Rext 是微孔外表二氧化儘(或導電聚合物）的損耗電阻和引出陰極(石墨層、金屬層等）的電阻及 它們的接觸電阻之和。
[0004] 對規格型號及其粗塊形狀確定的粗電容器，Rf和R。是基本固定不變的，要降低ESR 唯有從降低Rext方面著手，在工藝確定後微孔外表二氧化儘(或導電聚合物）的損耗電阻是 一確定值而引出陰極只能在一定範圍內降低電阻，所W要降低片式粗電容器的ESR就是要 降低粗忍微孔外表二氧化儘(或導電聚合物)和引出陰極(石墨層、金屬層等）的接觸電阻， 如微孔外表二氧化儘(或導電聚合物)層與石墨層、石墨層與銀漿層間的接觸電阻。而接觸 電阻與接觸面積有關，接觸面積越大接觸電阻越小。 【實用新型內容】
[0005] 為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種陽極粗塊，該陽極粗塊通過改變陽 極粗塊的外形，增大陽極粗塊的表面積，解決了現有陽極粗塊接觸電阻較大的問題。
[0006] 本實用新型通過W下技術方案得W實現。
[0007] 本實用新型提供的一種陽極粗塊，包括陽極粗塊和陽極粗絲;所述陽極粗絲固定 設置於陽極粗塊的前端或者後端，所述陽極粗塊的外側面上設置有凸肋或溝槽。
[000引所述凸肋或溝槽設置於陽極粗塊的上下兩側和/或左右兩側上。
[0009] 所述凸肋和/或溝槽為矩形或Ξ角形。
[0010] 本實用新型的有益效果在於:通過在現有粗塊的表面上設置一定數量的凸肋或溝 槽，W此增大粗塊的表面積，通過增大接觸面積達到降低微孔外表二氧化儘(或導電聚合 物)層與石墨層、石墨層與銀漿層間的接觸電阻的目的;本實用新型所使用的陽極粗塊的形 狀對降低固體電解質粗電容器產品的ESR有更好的效果，從而能夠製造出超低ESR的粗電容 產品。
【附圖說明】
[0011] 圖1是本實用新型第一實施例的結構示意圖；
[0012] 圖視圖1的俯視圖；
[0013] 圖3是本實用新型第二實施例的結構示意圖；
[0014] 圖4是本實用新型第Ξ實施例的結構示意圖；
[0015] 圖5是圖4的俯視圖；
[0016] 圖中：1 -陽極粗塊，11 -凸肋，12-溝槽，2-陽極粗絲。
【具體實施方式】
[0017] 下面進一步描述本實用新型的技術方案，但要求保護的範圍並不局限於所述。
[001引第一實施例；
[0019 ] 如圖1和圖2所示的一種陽極粗塊，包括陽極粗塊1和陽極粗絲2;所述陽極粗絲徊 定設置於陽極粗塊1的前端或者後端，所述陽極粗塊1的外側面上設置有凸肋11，凸肋11為 矩形，凸肋11設置於陽極粗塊1的上下兩側。
[0020] 第二實施例；
[0021] 該實施例與第一實施例的區別在於，直接在陽極粗塊1上設置溝槽12,如圖3所示， W達到增大陽極粗塊1表面積的目的。
[0022] 第=實施例：
[0023] 該實施例與第一實施例的區別在於，陽極粗塊1上的凸肋11為Ξ角形，凸肋11設置 於陽極粗塊1的上下兩側和/或左右兩側上，如圖4和5所示。
[0024] 本實用新型通過將現有片式粗電容器陽極粗塊的外形由平板型改成異型，即在現 有粗塊的表面上設置一定數量的凸肋或溝槽，W此增大粗塊的表面積，通過增大接觸面積 達到降低微孔外表二氧化儘(或導電聚合物)層與石墨層、石墨層與銀漿層間的接觸電阻的 目的。
[00巧]用尺寸都是1.7 X 3.4 X 4.5平板型和異型粗塊各加工一批規格為16V4化F的片式 粗電容器。平板型粗塊的表面積是57.46mm2，異型粗塊的表面積是65.85mm2，異型粗塊的表 面積比平板型粗塊的表面積增加了 14.6%。
[0026] 完成後續加工，分別抽取10隻平板型粗塊和異型粗塊加工得到的成品粗電容器測 量其ESR，測量結果見下表：
[0027] _
[00%]從上表可W看出，採用本發明的粗電容器的ESR更低，較平板型粗塊加工得到的粗 電容器ES啡華低了 45%左右。通過多次試驗採用本發明的粗電容器的ESR均明顯優於現有工 藝，該發明已經在現生產中進行小批次試生產，效果明顯。
[0029]綜上所述，本實用新型所使用的陽極粗塊的形狀對降低固體電解質粗電容器產品 的ESR有更好的效果，從而能夠製造出超低ESR的粗電容產品。
【主權項】
1. 一種陽極鉭塊，包括陽極鉭塊（1)和陽極鉭絲（2)，其特徵在於:所述陽極鉭絲（2)固 定設置於陽極鉭塊（1)的前端或者後端，所述陽極鉭塊（1)的外側面上設置有凸肋（11)或溝 槽(12)。2. 如權利要求1所述的陽極鉭塊，其特徵在於:所述凸肋（11)或溝槽(12)設置於陽極鉭 塊(1)的上下兩側和/或左右兩側上。3. 如權利要求1或2所述的陽極鉭塊，其特徵在於:所述凸肋（11)和/或溝槽(12)為矩形 或三角形。
【文檔編號】H01G9/048GK205692702SQ201620648721
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年6月27日 公開號201620648721.8, CN 201620648721, CN 205692702 U, CN 205692702U, CN-U-205692702, CN201620648721, CN201620648721.8, CN205692702 U, CN205692702U
【發明人】田超, 黃洪喜, 胡科正, 江洪超, 王劍波, 顧祥
【申請人】中國振華（集團）新雲電子元器件有限責任公司