一種led晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法
2024-02-18 02:24:15 1
一種led晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法
【專利摘要】本發明公開了一種LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法，首先在將COW成品用丙酮，異丙醇超聲清洗乾淨，同時用清水將去除剩餘的化學雜質，然後將COW進行高溫烘烤，隨後在COW表面沉積高緻密性SiO2，接著根據COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射進行正面切割，同時將濃硫酸和濃磷酸以1：4比例進行混合，並加熱至245℃～255℃後，將正劃後的COW放置於混酸中進行腐蝕10min後取出，最後用BOE將高溫酸腐蝕後的COW表面的SiO2溼法刻蝕乾淨後，進行劈裂，並按正常LED晶片流程進行作業；本工藝具有操作簡單可行，既符合LED晶片的正常工藝流程，又能去除鐳射正劃COW後產生的吸光產物，從而使COW的芯粒亮度不受到損失。
【專利說明】一種LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及光電【技術領域】，尤其是一種LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法。
【背景技術】
[0002]隨著GaN基寬禁帶半導體磊晶技術的重大突破，藍光和綠光的LED作為節能，環保，高壽命新型節能材料引起了業界的廣泛關注。目前傳統大功率LED晶片切割時，需用鐳射在其表面進行高能量，高深度的燒灼；其切割過程中對芯粒表面的損傷以及燒灼產物，在LED晶片發光時，吸收散射至側壁的光能；在現有LED晶片製作工藝流程中未能有一種妥善的解決上述切割和吸光的弊端。
[0003]因此，需要一種新的技術方案以解決上述問題。
【發明內容】
[0004]發明目的:為了解決現有技術所產生的問題，本發明提供了一種簡單易行，可有效去除鐳射正劃COW後產生吸光產物的LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法。
[0005]技術方案:為達到上述目的，本發明可採用如下技術方案:
[0006]一種LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法，包括以下步驟:
[0007](I)將COW用丙酮，異丙醇超聲清洗lOmin，清水衝洗5min後，旋幹，並在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0008](2 )在COW表面沉積I μ m的高緻密SiO2做為掩膜；
[0009](3)根據COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射在其表面進行切割，雷射光斑的寬度為8 μ m?10 μ m,戈丨」深為35 μ m?40 μ m ;
[0010](4)將濃硫酸和濃磷酸混合均勻後，將混酸加熱至特定溫度；
[0011](5)將鐳射切割後的COW用耐酸性陶瓷提籃放置於混酸中，放置IOmin取出；
[0012](6)用BOE將高溫酸腐蝕後的產品表面的SiO2溼法腐蝕乾淨；
[0013](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈後便可以按照正常LED晶片流程作業，直至方片入庫。
[0014]更進一步的，所述步驟(4)中濃硫酸和濃磷酸按1:5?1:8的體積比例進行配製。
[0015]更進一步的，所述步驟(4)中加熱溫度為245°C?255°C。
[0016]有益效果:本發明公開了一種LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法，首先在將COW成品用丙酮，異丙醇超聲清洗乾淨，同時用清水將去除剩餘的化學雜質，然後將COW進行高溫烘烤，隨後在COW表面沉積高緻密性SiO2,接著根據COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射進行正面切割，同時將濃硫酸和濃磷酸以1:4比例進行混合，並加熱至245°C?255°C後，將正劃後的COW放置於混酸中進行腐蝕IOmin後取出，最後用BOE將高溫酸腐蝕後的COW表面的SiO2溼法刻蝕乾淨後，進行劈裂，並按正常LED晶片流程進行作業；本工藝具有操作簡單可行，既符合LED晶片的正常工藝流程，又能去除鐳射正劃COW後產生的吸光產物，從而使COW的芯粒亮度不受到損失。【具體實施方式】
[0017]下面結合【具體實施方式】，進一步闡明本發明，應理解下述【具體實施方式】僅用於說明本發明而不用於限制本發明的範圍，在閱讀了本發明之後，本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落於本申請所附權利要求所限定的範圍。
[0018]實施例1:
[0019]一種LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法，包括以下步驟:
[0020](I)將COW用丙酮，異丙醇超聲清洗lOmin，清水衝洗5min後，旋幹，並在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0021 ] (2 )在COW表面沉積I μ m的高緻密SiO2做為掩膜；
[0022](3)根據COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射在其表面進行切割，雷射光斑的寬度為8 μ m,劃深為35 μ m ；
[0023](4)將濃硫酸和濃磷酸按1:5的體積比例進行配製，混合均勻後，將混酸加熱至245 0C ；
[0024](5)將鐳射切割後的COW用耐酸性陶瓷提籃放置於混酸中，放置IOmin取出；
[0025](6)用BOE將高溫酸腐蝕後的產品表面的SiO2溼法腐蝕乾淨；
[0026](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈後便可以按照正常LED晶片流程作業，直至方片入庫。
[0027]實施例2:
[0028]一種LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法，包括以下步驟:
[0029](I)將COW用丙酮，異丙醇超聲清洗lOmin，清水衝洗5min後，旋幹，並在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0030](2 )在COW表面沉積I μ m的高緻密SiO2做為掩膜；
[0031](3)根據COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射在其表面進行切割，雷射光斑的寬度SlOym,劃深為 40 μ m ;
[0032](4)將濃硫酸和濃磷酸按1:8的體積比例進行配製，混合均勻後，將混酸加熱至255 0C ；
[0033](5)將鐳射切割後的COW用耐酸性陶瓷提籃放置於混酸中，放置IOmin取出；
[0034](6)用BOE將高溫酸腐蝕後的產品表面的SiO2溼法腐蝕乾淨；
[0035](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈後便可以按照正常LED晶片流程作業，直至方片入庫。
[0036]實施例3:
[0037]一種LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法，包括以下步驟:
[0038](I)將COW用丙酮，異丙醇超聲清洗lOmin，清水衝洗5min後，旋幹，並在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0039](2 )在COW表面沉積I μ m的高緻密SiO2做為掩膜；
[0040](3)根據COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射在其表面進行切割，雷射光斑的寬度為8 μ m,劃深為38 μ m ；
[0041](4)將濃硫酸和濃磷酸按1:6的體積比例進行配製，混合均勻後，將混酸加熱至250 °C ；
[0042](5)將鐳射切割後的COW用耐酸性陶瓷提籃放置於混酸中，放置IOmin取出；
[0043](6)用BOE將高溫酸腐蝕後的產品表面的SiO2溼法腐蝕乾淨；
[0044](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈後便可以按照正常LED晶片流程作業，直至方片入庫。
【權利要求】
1.一種LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法，其特徵在於包括以下步驟: (1)將COW用丙酮，異丙醇超聲清洗lOmin，清水衝洗5min後，旋幹，並在烤箱中120°C烘烤IOmin ； (2)在COW表面沉積Iμ m的高緻密SiO2做為掩膜； (3)根據COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射在其表面進行切割，雷射光斑的寬度為8 μ m?IOym,戈丨」深為35 μ m?40 μ m ; (4)將濃硫酸和濃磷酸混合均勻後，將混酸加熱至特定溫度； (5)將鐳射切割後的COW用耐酸性陶瓷提籃放置於混酸中，放置IOmin取出； (6)用BOE將高溫酸腐蝕後的產品表面的SiO2溼法腐蝕乾淨；(7)上述成品研磨至100μ m,背劈後便可以按照正常LED晶片流程作業，直至方片入庫。
2.根據權利要求1所述的一種LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法，其特徵在於:所述步驟(4)中濃硫酸和濃磷酸按1:5?1:8的體積比例進行配製。
3.根據權利要求1所述的一種LED晶片高溫混酸腐蝕切割道的方法，其特徵在於:所述步驟(4)中加熱溫度為245°C?255°C。
【文檔編號】H01L33/00GK103474341SQ201310414145
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月12日 優先權日:2013年9月12日
【發明者】鬱彬 申請人:崑山奧德魯自動化技術有限公司