一種晶片的製作方法
2024-02-25 01:57:15
專利名稱：一種晶片的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種晶片，包括磁感應線圈、鍵合線。
背景技術：
現代行動支付業務中交易距離即卡與讀卡器之間的距離控制很重要。現在的技術是用一種低頻交變磁場近距離檢測結合RF高頻通信的系統和方法，來解決上述的距離控制問題。該系統利用低頻交變磁場，實現讀卡器到卡的單向通信，完成距離控制及身份認證，再利用RF通道實現讀卡器和卡間的高速通訊。該系統的特點為無需改造移動終端，只需更換終端內部的SIM卡/TF/SD卡，即可實現可靠的雙向距離通訊。現有技術中卡中的磁通信晶片必須通過磁感應模塊來感應低頻交變磁場信號，將感應後所得到的電信號進行放大處理。其中的磁感應模塊的實現方式就包括在磁通信晶片 中採用金屬線圍繞著晶片低頻信號處理模塊繞制而成的磁感應線圈。當採用在磁通信晶片中採用金屬線圍繞著晶片低頻信號處理模塊繞制而成的磁感應線圈時，為了得到足夠信號強度，磁感應線圈的匝數數量較大，因此磁感應線圈將在晶片中佔據一定面積。晶片低頻信號處理模塊位於磁感應線圈內部，在對晶片進行封裝後，用於引出低頻信號處理模塊電信號接口的鍵合線將跨過磁線圈，鍵合線上的信號將有部分耦合到磁線圈，從而對磁晶片的正常工作造成幹擾。
實用新型內容本實用新型要解決的主要技術問題是，提供一種晶片，能夠減小鍵合線上的信號對磁感應線圈的幹擾，從而減小其對磁晶片的正常工作的影響。為解決上述技術問題，本實用新型提供技術方案如下一種晶片，包括磁感應線圈、鍵合線，所述磁感應線圈環繞形成磁感應線圈面，所述鍵合線經過所述磁感應線圈面上方，其特徵在於，至少在所述鍵合線與所述磁感應線圈面之間設有用於屏蔽鍵合線信號對磁感應線圈幹擾的屏蔽體。進一步地，所述屏蔽體設置在所述磁感應線圈面上方，且所述鍵合線位於所述屏蔽體上方。進一步地，所述屏蔽體為屏蔽層。進一步地，所述屏蔽體為屏蔽套，所述屏蔽套包裹在所述磁感應線圈外表面和/或所述鍵合線外表面。進一步地，所述的屏蔽層材料為金屬材質。進一步地,所述屏蔽套的材料為金屬材質。進一步地，所述的屏蔽層的形狀為多邊形、橢圓形或圓形。進一步地，所述的屏蔽層為內部帶有孔的金屬屏蔽層。進一步地，所述的屏蔽體接所述晶片電路中的固定電平或處於電位懸空的狀態。更進一步地，所述的屏蔽層的材料為鋁、銀、銅或鋁銅合金。[0016]本實用新型的有益效果是本實用新型通過至少在鍵合線與磁感應線圈之間設置用於屏蔽鍵合線信號對磁感應線圈幹擾的屏蔽體，如屏蔽層、屏蔽套，來屏蔽掉幹擾信號。當鍵合線導出信號並通過磁感應線圈上方時，位於鍵合線與磁感應線圈之間的屏蔽體會屏蔽掉來自鍵合線上的信號，減少了磁感應線圈的耦合，使晶片可以正常工作。
圖I為本實用新型實施例一的晶片結構示意圖。圖2為本實用新型實施例二的晶片結構示意圖。圖3為本實用新型實施例三的晶片結構示意圖。 圖4為本實用新型實施例三的晶片另一種結構示意圖。圖5為本實用新型實施例四的晶片結構示意圖。
具體實施方式
本實用新型的構思是，至少在鍵合線與磁感應線圈面之間設置用於屏蔽鍵合線信號對磁感應線圈幹擾的屏蔽體，該屏蔽體可以設置在鍵合線對磁感應線圈幹擾最強的位置，即設置在磁感應線圈面上方，同時鍵合線位於該屏蔽體的上方。屏蔽體可以為屏蔽層或者屏蔽套。下面通過具體實施方式
結合附圖對本發明作進一步詳細說明。實施例一如圖I所示，為本實用新型實施例一的晶片結構示意圖。圖I中，本實施方式的晶片，包括磁感應線圈、第一鍵合線12、第二鍵合線13，所述磁感應線圈環繞形成磁感應線圈面11，所述第一鍵合線12、第二鍵合線13經過所述磁感應線圈面11上方，所述屏蔽體設置在所述磁感應線圈面11上方，且所述第一鍵合線12、第二鍵合線13位於所述屏蔽體上方。本實施例中的屏蔽體為屏蔽層14。屏蔽層14的材料可以為金屬材質，如鋁、銅、銀或鋁銅合金；屏蔽層14的形狀是不受限制的，可以為矩形、圓形、梯形、菱形；屏蔽層14可以是完整的也可以是不完整的，如帶有小孔的屏蔽層14 ;屏蔽層14也可以接固定電平或處於電位懸空的狀態。當第一鍵合線12和第二鍵合線13導出信號並且經過磁感應線圈面11上方時，位於磁感應線圈面11與第一鍵合線12、第二鍵合線13之間的屏蔽層14，屏蔽第一鍵合線12、第二鍵合線13周圍的電場，從而減小磁感應線圈對來自於第一鍵合線12、第二鍵合線13的信號的耦合，減弱了第一鍵合線12、第二鍵合線13中信號對磁感應線圈的幹擾，使晶片正
常工作。實施例二 如圖2所示，為本實施例的晶片結構示意圖。圖2中的本實施方式中的晶片和圖I所示的實施例一的晶片相似，包括磁感應線圈、第一鍵合線12、第二鍵合線13，所述磁感應線圈環繞形成磁感應線圈面11，所述第一鍵合線12、第二鍵合線13經過所述磁感應線圈面11上方，所述屏蔽體設置在所述磁感應線圈面11上方，且所述第一鍵合線12、第二鍵合線13位於所述屏蔽體上方。但唯一不同的是，本實施例中的屏蔽體為第一屏蔽套15，該屏蔽套包裹在實施例一所述磁感應線圈的外表面。當第一鍵合線12、第二鍵合線13導出信號並且經過磁感應線圈面11上方時，包裹在磁感線圈外表面的第一屏蔽套15將屏蔽第一鍵合線12、第二鍵合線13周圍的電場，從而減小磁感應線圈對來自於第一鍵合線12、第二鍵合線13的信號耦合，減弱了第一鍵合線12、第二鍵合線13中信號對磁感應線圈的幹擾，使晶片正常工作。實施例三如圖3所示，為實施例三的晶片結構示意圖。圖3中的本實施方式中的晶片如上述實施例所述，包括磁感應線圈、第一鍵合線12、第二鍵合線13，所述磁感應線圈環繞形成磁感應線圈面11，所述第一鍵合線12、第二鍵合線13經過所述磁感應線圈面11上方，所述屏蔽體設置在所述磁感應線圈面11上方，且所述第一鍵合線12、第二鍵合線13位於所述屏蔽體上方。但不同的是，本實施例中的屏蔽體為第二屏蔽套16、第三屏蔽套17。第二 屏蔽套16包裹在第一鍵合線12的外表面，第三屏蔽套17包裹在第二鍵合線13的外表面。第二屏蔽套16、第三屏蔽套17的材料可以為金屬材質，如鋁、銅、銀或鋁銅合金。當第一鍵合線12、第二鍵合線13導出信號並且經過磁感應線圈面11上方時，分別包裹在第一鍵合線12、第二鍵合線13外表面上的第二屏蔽套16、第三屏蔽套17將會屏蔽第一鍵合線12、第二鍵合線13周圍的電場,從而減小磁感應線圈上對來自於第一鍵合線12、第二鍵合線13的信號的耦合，減弱了第一鍵合線12、第二鍵合線13中的信號對磁感應線圈的幹擾，使晶片正常工作。如圖4所示，根據本實施例的構思也可設置一個屏蔽套18同時包裹在第一鍵合線12和第二鍵合線13外表面，將兩根鍵合線包裹在一起，屏蔽這兩根鍵合線中的信號對磁感應線圈的幹擾，圖4中所示晶片設置的屏蔽套18用於當第一鍵合線12、第二鍵合線13導出信號並且經過磁感應線圈面11上方時，屏蔽第一鍵合線12、第二鍵合線13周圍的電場，從而減小磁感應線圈對來自於第一鍵合線12、第二鍵合線13的信號耦合，減弱了第一鍵合線
12、第二鍵合線13中信號對磁感應線圈的幹擾，使晶片正常工作。實施例四如圖5所示，為本實施例的晶片結構示意圖。圖5中本實施方式晶片和實施例三晶片大致相同，包括磁感應線圈、第一鍵合線12、第二鍵合線13，所述磁感應線圈環繞形成磁感應線圈面11，所述第一鍵合線12、第二鍵合線13經過所述磁感應線圈面11上方，設置為第二屏蔽套16、第三屏蔽套17分別包裹在第一鍵合線12或第二鍵合線13的外表面。不同的是圖5中的晶片在實施例三的基礎上增加了一個屏蔽套，包裹在磁感應線圈外表面，例如實施例二中所述的第一屏蔽套15。本實施例是實施例二與實施例三的綜合。增加的屏蔽套的材料可以為金屬材質，如鋁、銅、銀或鋁銅合金。如圖5所示的晶片，當第一鍵合線12、第二鍵合線13導出信號並且經過磁感應線圈面11上方時，包裹在磁感應線圈外表面上和第一鍵合線12、第二鍵合線13外表面上的第一屏蔽套15、第二屏蔽套16、第三屏蔽套17，會屏蔽第一鍵合線12、第二鍵合線13周圍的電場，從而減小磁感應線圈對來自於第一鍵合線12、第二鍵合線13的信號的耦合，減弱了第一鍵合線12、第二鍵合線13中的信號對磁感應線圈的幹擾，使晶片正常工作。根據本實施例的思路也可在實施例一的基礎上增加一個屏蔽套包裹在第一鍵合線和第二鍵合線的外表面或者增加兩個屏蔽套分別包裹在第一鍵合線、第二鍵合線的外表面如實施例三所述的第二屏蔽套、第三屏蔽套；同樣也可在實施例二的基礎上增加一個屏蔽套包裹在第一鍵合線和第二鍵合線的外表面，將兩根鍵合線包裹在一起。以上內容是結合具體的本實用新型所作的進一步詳細說明，不能認定本實用新型 的具體實施只局限於這些說明。對於實用新型所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離實用新型構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬於實用新型的保護範圍。
權利要求1.一種晶片，包括磁感應線圈、鍵合線，所述磁感應線圈環繞形成磁感應線圈面，所述鍵合線經過所述磁感應線圈面上方，其特徵在於，至少在所述鍵合線與所述磁感應線圈面之間設有用於屏蔽鍵合線信號對磁感應線圈幹擾的屏蔽體。
2.如權利要求I所述的晶片，其特徵在於，所述屏蔽體設置在所述磁感應線圈面上方，且所述鍵合線位於所述屏蔽體上方。
3.如權利要求2所述的晶片，其特徵在於，所述屏蔽體為屏蔽層。
4.如權利要求3所述的晶片，其特徵在於，所述屏蔽層的材料為金屬材質。
5.如權利要求4所述的晶片，其特徵在於，所述金屬屏蔽層的材料為銅、鋁、銀或鋁銅合金。
6.如權利要求3所述的晶片，其特徵在於，所述屏蔽層的形狀為多邊形、橢圓形或圓形。
7.如權利要求4所述的晶片，其特徵在於，所述金屬屏蔽層內部帶有孔。
8.如權利要求1-7中任一項所述的晶片，其特徵在於，所述的屏蔽體接固定電平或處於電位懸空的狀態。
9.如權利要求I所述的晶片，其特徵在於，所述屏蔽體為屏蔽套，所述屏蔽套包裹在所述磁感應線圈外表面和/或所述鍵合線外表面。
10.如權利要求9所述的晶片，其特徵在於，所述屏蔽套的材料為金屬材質。
專利摘要本實用新型公開了一種晶片。本實用新型的晶片包括磁感應線圈、鍵合線，所述磁感應線圈環繞形成磁感應線圈面，所述鍵合線經過所述磁感應線圈面上方，其特徵在於，至少在所述鍵合線與所述磁感應線圈面之間設有用於屏蔽鍵合線信號對磁感應線圈幹擾的屏蔽體。當鍵合線導出信號並經過磁感應線圈面上方時，位於所述鍵合線與所述磁感應線圈面之間的屏蔽體會屏蔽掉屏蔽鍵合線周圍的電場，從而減小磁感應線圈對來自於鍵合線的信號的耦合，減弱了鍵合線中的信號對磁感應線圈的幹擾，使晶片正常工作。
文檔編號H05K9/00GK202523703SQ20112048811
公開日2012年11月7日 申請日期2011年11月30日 優先權日2011年11月30日
發明者潘文杰 申請人:國民技術股份有限公司