覆蓋有螢光體層的led、其製造方法以及led裝置製造方法

2023-10-23 09:48:02 4

覆蓋有螢光體層的led、其製造方法以及led 裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供覆蓋有螢光體層的LED、其製造方法及LED裝置。該製造方法包括以下工序：準備工序，準備支承片，該支承片包括硬質的支承板和層疊在支承板的厚度方向上的一個表面上的、粘合力會因照射活性能量線而降低的粘合層；LED粘合工序，藉助粘合層將LED粘合於支承板；覆蓋工序，將螢光體層配置在支承板的厚度方向上的一個表面上，利用螢光體層來覆蓋LED；切割工序，在覆蓋工序後，通過與LED相對應地切割螢光體層，獲得覆蓋有螢光體層的LED，該覆蓋有螢光體層的LED包括LED和覆蓋LED的螢光體層；以及LED剝離工序，在切割工序之後，從至少厚度方向上的一側向粘合層照射活性能量線，並將覆蓋有螢光體層的LED自粘合層剝離。
【專利說明】覆蓋有螢光體層的LED、其製造方法以及LED裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及覆蓋有螢光體層的LED、該覆蓋有螢光體層的LED的製造方法以及LED裝置，詳細而言，本發明涉及覆蓋有螢光體層的LED的製造方法、通過該覆蓋有螢光體層的LED的製造方法而獲得的覆蓋有螢光體層的LED以及具有該覆蓋有螢光體層的LED的LED
>j-U ρ?α裝直。
【背景技術】
[0002]以往，公知發光二極體裝置(以下，簡稱為LED裝置。)是通過以下方法製造的:首先，在基板上安裝多個發光二極體元件(以下，簡稱為LED。)，接著，以覆蓋多個LED的方式設置螢光體層，之後，單片化為各LED。
[0003]然而，由於在多個LED之間產生發光波長、發光效率的偏差，因此，在安裝有上述LED的LED裝置中，存在在多個LED之間產生發光的偏差的不良情況。
[0004]為了消除該不良情況，例如研究了以下方法:利用螢光體層覆蓋多個LED來製作覆蓋有螢光體層的LED，之後，根據發光波長、發光效率來篩選覆蓋有螢光體層的LED，然後將篩選出的覆蓋有螢光體層的LED安裝在基板上。
[0005]例如，提出有一種通過下述方法而獲得的覆蓋有螢光體層的LED (晶片零件)(例如，參照日本特開2001 - 308116號公報。)。
[0006]即，首先，在石`英基板之上粘貼粘合力會因照射紫外線而降低的粘合片，之後，在粘合片之上粘貼晶片(LED)。然後，自晶片之上塗敷樹脂，在粘合片之上製作由被樹脂覆蓋的晶片構成的疑似晶圓。之後，自石英基板的背面側(下側)照射紫外線以減弱粘合片的粘合力，將疑似晶圓自石英基板和粘合片剝離。之後，以晶片為單位對剝離下來的疑似晶圓進行切割而使其單片化。
[0007]但是，在日本特開2001 - 308116號公報所記載的方法中，由於自背面側照射的紫外線在透過石英基板之後達到粘合片，因此，作為基板，需要選擇石英基板等紫外線可透過的基板材料。因此，基板材料的選擇受到制限。
[0008]另外，在日本特開2001 - 308116號公報所記載的方法中，在要切割疑似晶圓時，已經將疑似晶圓自石英基板和粘合片剝離，也就是說疑似晶圓沒有由石英基板支承，因此，不能夠以優異的精度切割疑似晶圓，其結果，存在所獲得的晶片零件的尺寸穩定性較低這樣的不良情況。

【發明內容】

[0009]本發明的目的在於提供不僅能夠使用活性能量線透過性的支承板、還能夠使用活性能量線阻隔性的支承板、而且能夠簡便且以優異的尺寸穩定性獲得覆蓋有螢光體層的LED的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法、通過該覆蓋有螢光體層的LED的製造方法而獲得的覆蓋有螢光體層的LED以及具有該覆蓋有螢光體層的LED的LED裝置。
[0010]本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的特徵在於，該覆蓋有螢光體層的LED的製造方法包括以下工序:準備工序，在該準備工序中，準備支承片，該支承片包括硬質的支承板和層疊在上述支承板的厚度方向上的一個表面上的、粘合力會因照射活性能量線而降低的粘合層；LED粘合工序，在該LED粘合工序中，藉助上述粘合層將LED粘合於上述支承板；覆蓋工序，在該覆蓋工序中，將螢光體層配置在上述支承板的上述厚度方向上的一個表面上，利用上述螢光體層來覆蓋上述LED ;切割工序，在上述覆蓋工序後的該切割工序中，通過與上述LED相對應地切割上述螢光體層，從而獲得覆蓋有螢光體層的LED，該覆蓋有螢光體層的LED包括上述LED和用於覆蓋上述LED的上述螢光體層；以及LED剝離工序，在上述切割工序之後的該LED剝離工序中，從至少上述厚度方向上的一側向上述粘合層照射活性能量線，並將上述覆蓋有螢光體層的LED自上述粘合層剝離。
[0011]另外，在本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法中，優選上述螢光體層由螢光體片形成。
[0012]另外，在本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法中，優選在上述覆蓋工序中，利用B階段的上述螢光體片來覆蓋上述LED，之後，使上述螢光體片固化而達到C階段。
[0013]另外，在本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法中，優選上述螢光體層包括:覆蓋部，其用於覆蓋上述LED ;以及反射部，其含有光反射成分且以包圍上述覆蓋部的方式形成。
[0014]另外，在本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法中，優選在上述準備工序中，以預先設置基準標記的方式準備上述支承片，該基準標記在上述切割工序中作為切割基準。
[0015]另外，本發明的覆蓋有螢光體層的LED的特徵在於，該覆蓋有螢光體層的LED通過覆蓋有螢光體層的LED的製造方法而獲得，該覆蓋有螢光體層的LED的製造方法包括以下工序:準備工序，在該準備工序中，準備支承片，該支承片包括上述硬質的支承板和層疊在上述支承板的厚度方向上的一個表面上的、粘合力會因照射活性能量線而降低的粘合層；LED粘合工序，在該LED粘合工序中，藉助上述粘合層將LED粘合於上述支承板；覆蓋工序，在該覆蓋工序中，將螢光體層配置在上述支承板的上述厚度方向上的一個表面上，利用上述螢光體層來覆蓋上述LED ;切割工序，在上述覆蓋工序後的該切割工序中，通過與上述LED相對應地切割上述螢光體層，從而獲得覆蓋有螢光體層的LED，該覆蓋有螢光體層的LED包括上述LED和用於覆蓋上述LED的上述螢光體層；以及LED剝離工序，在上述切割工序之後的該LED剝離工序中，從至少上述厚度方向上的一側向上述粘合層照射活性能量線，並將上述覆蓋有螢光體層的LED自上述粘合層剝離。
[0016]另外，本發明的LED裝置的特徵在於，該LED裝置包括基板和安裝在上述基板上的上述覆蓋有螢光體層的LED，上述覆蓋有螢光體層的LED通過覆蓋有螢光體層的LED的製造方法而獲得，該覆蓋有螢光體層的LED的製造方法包括以下工序:準備工序，在該準備工序中，準備支承片，該支承片包括硬質的支承板和層疊在上述支承板的厚度方向上的一個表面上的、粘合力會因照射活性能量線而降低的粘合層；LED粘合工序，在該LED粘合工序中，藉助上述粘合層將LED粘合於上述支承板；覆蓋工序，在該覆蓋工序中，將螢光體層配置在上述支承板的上述厚度方向上的一個表面上，利用上述螢光體層來覆蓋上述LED ;切割工序，在上述覆蓋工序後的該切割工序中，通過與上述LED相對應地切割上述螢光體層，從而獲得覆蓋有螢光體層的LED，該覆蓋有螢光體層的LED包括上述LED和用於覆蓋上述LED的上述螢光體層；以及LED剝離工序，在上述切割工序之後的該LED剝離工序中，從至少上述厚度方向上的一側向上述粘合層照射活性能量線，並將上述覆蓋有螢光體層的LED自上述粘合層剝離。
[0017]採用本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法，在LED剝離工序中，從至少厚度方向上的一側向粘合層照射活性能量線。於是，活性能量線透過螢光體層而照射至粘合層。因此，不必由活性能量線可透過的基板材料來形成支承板並使活性能量線透過該支承板。其結果，作為支承板，不僅能夠從活性能量線透過性的支承板中選擇，而且還能夠從活性能量線阻隔性的支承板中選擇。
[0018]另外，在切割工序後，實施LED剝離工序。也就是說，在切割工序中，能夠一邊通過具有硬質的支承板的支承片來支承LED和螢光體片一邊切割螢光體片。因此，能夠獲得尺寸穩定性優異的覆蓋有螢光體層的LED。
[0019]因而，本發明的覆蓋有螢光體層的LED的尺寸穩定性優異。
[0020]另外，由於本發明的LED裝置具有尺寸穩定性優異的覆蓋有螢光體層的LED，因此可靠性優異，因此提高了發光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第I實施方式的工序圖，圖1的(a)表示準備支承片的準備工序，圖1的(b)表示將LED配置在支承片之上的LED粘合工序，圖1的(C)表不將突光體片粘合在支承片的上表面上的片粘合工序，圖1的(d)表示利用螢光體片來密封LED的密封工序以及切割螢光體片的切割工序，圖1的(e)表示將覆蓋有螢光體層的LED自支承片剝離的LED剝離工序，圖1的(f)表示將覆蓋有螢光體層的LED安裝在基板上的安裝工序。
[0022]圖2是表示圖1的(a)所示的支承片的俯視圖。
[0023]圖3是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第2實施方式的工序圖，圖3的(a)表示準備支承片的準備工序，圖3的(b)表示將LED配置在支承片之上的LED粘合工序，圖3的(c)表示通過埋設一反射片的埋設部來埋設LED的片粘合工序，圖3的(d)表示利用埋設部來密封LED的密封工序和切割反射部的切割工序，圖3的(e)表示將設有反射部的覆蓋有螢光體片的LED自支承片剝離的LED剝離工序，圖3的(f)表示將設有反射部的覆蓋有螢光體片的LED安裝在基板上的安裝工序。
[0024]圖4是表不圖3的(d)所不的埋設有突光體片的LED的俯視圖。
[0025]圖5是圖3的(b)所示的埋設一反射片的製造方法的工序圖，圖5的(a)表示在衝壓裝置中配置反射片的工序，圖5的(b)表示對反射片進行衝壓而形成反射部的工序，圖5的(c)表示將螢光體片配置在反射部之上的工序，圖5的(d)表示對螢光體片進行衝壓而形成埋設部的工序，圖5的(e)表示將埋設一反射片自剝離片剝離的工序。
[0026]圖6是本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第3實施方式所使用的埋設一反射片的製造方法的工序圖，圖6的(a)表示在衝壓裝置中配置反射片的工序，圖6的(b)表示對反射片進行衝壓而形成反射部的工序，圖6的(C)表示將螢光樹脂組合物的清漆灌注於通孔的工序，圖6的(d)表示將埋設一反射片自剝離片剝離的工序。
[0027]圖7是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第4實施方式的工序圖，圖7的(a)表示準備支承片的準備工序，圖7的(b)表示將LED配置在支承片之上的LED粘合工序，圖7的(c)表示利用埋設一反射片的埋設部來埋設LED的片粘合工序，圖7的(d)表示利用埋設部來密封LED的密封工序和切割反射部的切割工序，圖7的(e)表示將設有反射部的覆蓋有螢光體片的LED自支承片剝離的LED剝離工序，圖7的(f)表示將設有反射部的覆蓋有螢光體片的LED安裝在基板上的安裝工序。
[0028]圖8是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第5實施方式的工序圖，圖8的(a)表示準備支承片的準備工序，圖8的(b)表示將LED配置在支承片之上的LED粘合工序，圖8的(c)表示利用埋設一反射片的埋設部來埋設LED的片粘合工序，圖8的(d)表示利用埋設部來密封LED的密封工序和切割反射部的切割工序，圖8的(e)表示將設有反射部的覆蓋有螢光體片的LED自支承片剝離的LED剝離工序，圖8的(f)表示將設有反射部的覆蓋有螢光體片的LED安裝在基板上的安裝工序。
[0029]圖9是圖8的(b)所示的埋設一反射片的製造方法的工序圖，圖9的(a)表示在衝裁裝置中配置反射片的工序，圖9的(b)表示對反射片進行衝裁而形成反射部的工序，圖9的(c)表示將螢光體片配置在反射部之上的工序，圖9的(d)表示對螢光體片進行衝壓而形成埋設部的工序，圖9的(e)表示將埋設一反射片自剝離片剝離的工序。
[0030]圖10是本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第6實施方式所使用的埋設一反射片的製造方法的工序圖，圖10的(a)表示在衝裁裝置中配置反射片的工序，圖10的(b)表示對反射片進行衝裁而形成反射部的工序，圖10的(C)表示將螢光樹脂組合物的清漆灌注於通孔的工序，圖10的(d)表示將埋設一反射片自剝離片剝離的工序。
[0031]圖11是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第7實施方式的工序圖，其中，圖11的(a)表示準備支承片的準備工序，圖11的(b)表示將LED配置在支承片之上的LED粘合工序，圖11的(c)表示利用覆蓋部來覆蓋LED的覆蓋工序，圖11的(d)表示使覆蓋部固化的固化工序和切割反射部的切割工序，圖11的(e)表示將設有反射部的覆蓋有螢光體片的LED自支承片剝離的LED剝離工序，圖11的(f)表示將設有反射部的覆蓋有螢光體片的LED安裝在基板上的安裝工序。
[0032]圖12是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第8實施方式的工序圖，圖12的(a)表示準備支承片的準備工序，圖12的(b)表示將LED配置在支承片之上的LED粘合工序，圖12的(c)表示利用螢光體片來覆蓋LED的側面的片粘合工序，圖12的(d)表示使螢光體片固化的固化工序和切割螢光體片的切割工序，圖12的(e)表示將覆蓋有螢光體片的LED自支承片剝離的LED剝離工序，圖12的(f)表示將覆蓋有螢光體片的LED安裝在基板上的安裝工序。
[0033]圖13是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第9實施方式所使用的分配器的立體圖。
【具體實施方式】
[0034]第I實施方式
[0035]在圖1中，以紙面的上下方向為上下方向(第I方向、即厚度方向)，以紙面的左右方向為左右方向(第2方向、即與第I方向正交的方向)、紙面的紙厚方向為前後方向(第3方向、即與第I方向和第2方向正交的方向)。圖2之後的各圖以上述方向和圖1的方向箭頭為基準。
[0036]圖1是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第I實施方式的工序圖。圖2是表不圖1的(a)所不的支承片的俯視圖。
[0037]此外，在圖2中，為了明確示出後述的支承板2與基準標記18之間的相對配置，省略了後述的粘合層3。
[0038]作為覆蓋有螢光體層的LED的一個例子的覆蓋有螢光體片的LEDlO的製造方法包括以下工序:準備工序，在該準備工序中，準備支承片I (參照圖1的(a));LED粘合工序，在該LED粘合工序中，藉助粘合層3將LED4粘合於支承板2 (參照圖1的(b));密封工序，在該密封工序中，利用作為螢光體層的螢光體片5來密封LED4(覆蓋工序的一個例子，參照圖1的(c)和圖1的(d));切割工序，在該切割工序中，與LED4相對應地切割螢光體片5 (參照圖1的(d)的虛線)；以及LED剝離工序，在該LED剝離工序中，將覆蓋有螢光體片的LEDlO自粘合層3剝離(參照圖1的(e))。
[0039]以下，詳細敘述各工序。
[0040]準各工序
[0041]如圖1的(a)和圖2所示，支承片I呈沿著面方向(與厚度方向正交的方向、即左右方向和前後方向)延伸的片形狀，且俯視形狀(沿厚度方向投影時的形狀)形成為例如矩形形狀。
[0042]另外，以預先設置基準標記18的方式準備支承片1，該基準標記18在後面說明的切割工序(參照圖1的(d)虛線)中作為切割基準。
[0043]如圖2所示，基準標記18在支承片I的面方向上的周端部隔開間隔地設有多個。例如，基準標記18分別設於支承片I中的彼此相對的兩邊，且基準標記18以在支承片I的兩邊的相對方向上構成相對的I對的方式形成。I對基準標記18與之後配置的LED4(參照圖2的假想線)相對應地設置，並以在以基準標記18為基準切割螢光體片5時能夠使LED4單片化的方式配置。
[0044]各基準標記18形成為俯視時易於識別的形狀，例如形成為俯視大致三角形。
[0045]支承片I的尺寸如下:最大長度例如為IOmm?300mm，另外，I邊的長度例如為IOmm ?300mm。
[0046]支承片I構成為能夠支承接下來說明的LED4 (參照圖1的(b))，支承片I例如包括支承板2和層疊在支承板2的上表面上的粘合層3。
[0047]支承板2由不能夠沿著至少面方向延伸且硬質的材料形成，作為上述那樣材料，只要確保了硬質性就沒有特別限定，例如，能夠從用於阻隔活性能量線的活性能量阻隔性材料、活性能量線可透過的活性能量線透過材料、以及活性能量線的一部分可透過(半透過)的活性能量線半透過性材料等中適當選擇。具體而言，作為用於形成支承板2的材料，可列舉出例如氧化矽(石英等)、氧化鋁等氧化物、例如不鏽鋼等金屬、以及例如矽等。
[0048]支承板2在23°C的溫度條件下的楊氏模量例如為I X IO6Pa以上，優選為I X IO7Pa以上，更優選為I X IO8Pa以上，並且，例如也為I X IO12Pa以下。若支承板2的楊氏模量在上述下限以上，則能夠確保支承板2的硬質而能夠可靠地支承後述的LED4(參照圖1的(b))。此外，支承板2的楊氏模量例如由JIS H7902:2008的壓縮彈性模量等求出。
[0049]支承板2的厚度例如為0.1mm以上,優選為0.3mm以上,例如為5mm以下，也優選為2mm以下。
[0050]如圖1的(a)所示，粘合層3形成在支承板2的整個上表面上。
[0051]粘合層3作為活性能量線照射剝離層(片)而由粘合力會因照射活性能量線而降低的材料形成，具體而言，可列舉出例如丙烯酸系壓敏性粘接劑層等壓敏性粘接劑層。另外，粘合層3也可以由例如日本特開2001 - 308116號公報所記載的活性能量線照射剝離層(片)形成。
[0052]粘合層3的厚度例如為0.1mm以上,優選為0.2mm以上，並且，為Imm以下，也優選為0.5mm以下。
[0053]在準備支承片I時，例如將支承板2和粘合層3粘合起來。此外，也能夠通過以下方法來準備支承片1:首先，準備支承板2，接著，將由上述粘合材料和根據需要而配合的溶劑製備的清漆塗敷在支承板2上，之後，根據需要，通過蒸餾除去溶劑的塗敷方法等將粘合層3直接層疊在支承板2上。
[0054]支承片I的厚度例如為0.2mm以上,優選為0.5mm以上，並且為6mm以下，也優選為2.5mm以下。
[0055]LED粘合工序
[0056]LED粘合工序是在準備工序之後實施的。
[0057]如圖1的(b)的下部和圖2的假想線所示，LED4形成為例如厚度小於面方向(與厚度方向正交的方向)長度(最大長度)的剖視大致矩形形狀和俯視大致矩形形狀。另外，LED4的下表面由未圖示的凸塊形成。作為LED4，可列舉出例如發出藍色光的藍色二極體元件。
[0058]LED4的面方向的最大長度例如為0.1mm?3mm。另外，LED4的厚度例如為0.05mm ?Imm0
[0059]在LED粘合工序中，例如，將多個LED4以直線對齊狀粘合在粘合層3的上表面上。具體而言，以使多個LED4在俯視時在前後左右方向上互相隔開等間隔的方式將LED4粘合在粘合層3的上表面上。另外，以使未圖不的凸塊與粘合層3的上表面相對的方式將LED4粘合在粘合層3的上表面上。由此，LED4以維持其直線對齊狀態的方式被支承(壓敏性粘接)於粘合層3的上表面。
[0060]各LED4之間的間隔例如為0.05mm?2mm。
[0061]密封工序
[0062]密封工序是在LED粘合工序之後實施的。
[0063]在圖1的(b)的上部，螢光體片5由含有固化性樹脂和螢光體的螢光樹脂組合物形成為沿著面方延伸的片狀。
[0064]作為固化性樹脂，可列舉出例如通過加熱而固化的熱固化性樹脂、例如通過照射紫外線、電子束等活性能量線(例如，紫外線、電子束等)而固化的活性能量線固化性樹脂等。優選列舉出熱固化性樹脂。
[0065]具體而言，作為固化性樹脂，可列舉出例如矽樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等熱固化性樹脂。優選列舉出矽樹脂。
[0066]作為矽樹脂，可列舉出例如2階段固化型矽樹脂、I階段固化型矽樹脂等矽樹脂，優選列舉出2階段固化型矽樹脂。[0067]2階段固化型矽樹脂具有2階段的反應機理，是在第I階段的反應中B階段化(半固化)並在第2階段的反應中C階段化(最終固化)的熱固性矽樹脂。另一方面，I階段固化型矽樹脂是具有I階段的反應機理，是第I階段的反應中完全固化的熱固化性矽樹脂。
[0068]另外，B階段是熱固化性矽樹脂處於液狀的A階段與完全固化的C階段之間的狀態，是固化以及凝膠化只進行一點點、壓縮彈性模量小於C階段的彈性模量的狀態。
[0069]作為2階段固化型矽樹脂，可列舉出例如具有縮合反應和加成反應這兩種反應體系的縮合反應.加成反應固化型矽樹脂等。
[0070]相對於突光樹脂組合物，固化性樹脂的配合比例例如為30質量％以上,優選為50質量％以上,並且例如為99質量％以下，也優選為95質量％以下。
[0071]螢光體具有波長轉換功能，可列舉出例如能夠將藍色光轉換成黃色光的黃色螢光體、能夠將藍色光轉換成紅色光的紅色螢光體等。
[0072]作為黃色螢光體，可列舉出例如Y3Al5O12:Ce (YAG (乾?鋁?石榴石):Ce) Jb3Al3O12:Ce (TAG (鋱?鋁.石榴石):Ce)等具有石榴石型晶體構造的石榴石型螢光體、例如Ca —α — SiAlON等氮氧化物螢光體等。
[0073]作為紅色螢光體，可列舉出例如CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Eu等氮化物螢光體等。
[0074]優選列舉出黃色螢光體。
[0075]作為螢光體的形狀，可列舉出例如球狀、板狀、針狀等。從流動性的觀點考慮，優選列舉出球狀。
[0076]螢光體的最大長度的平均值(在為球狀的情況下為其平均粒徑)例如為0.1 μ m以上，優選為Iym以上，並且例如為200 μ m以下，也優選為IOOym以下。
[0077]相對於100質量份固化性樹脂,突光體的配合比例例如為0.1質量份以上,優選為0.5質量份以上,例如為80質量份以下,也優選為50質量份以下。
[0078]並且，螢光樹脂組合物也能夠含有填充劑。
[0079]作為填充劑，可列舉出例如矽顆粒等有機微粒、例如二氧化矽、滑石、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽等無機微粒。另外，相對於100質量份固化性樹脂，填充劑的配合比例例如為0.1質量份以上，優選為0.5質量份以上,並且例如為70質量份以下,也優選為50質量份以下。
[0080]並且，如圖1的(C)所示，在將螢光體片5藉助粘合層3粘合在支承板2上時，首先，如圖1的(b)的上部所示，準備螢光體片5。在準備螢光體片5時，通過對固化性樹脂、螢光體以及根據需要而配合的填充劑進行配合來製備螢光樹脂組合物。接著，將螢光樹脂組合物塗敷於離型片13的表面，之後，進行加熱。作為離型片13，可列舉出例如聚乙烯薄膜、聚酯薄膜(PET等)等聚合物薄膜、例如陶瓷片、例如金屬箔等。優選列舉出聚合物薄膜。另外，還能夠對離型片13的表面實施氟處理等剝離處理。
[0081]在固化性樹脂含有2階段固化型矽樹脂的情況下，通過上述加熱來使固化性樹脂B階段化(半固化)。也就是說，要準備B階段的螢光體片5。
[0082]該螢光體片5在23°C的溫度條件下的壓縮彈性模量例如為0.01MPa以上，優選為0.04MPa以上，並且例如也為1.0MPa以下。
[0083]若螢光體片5的壓縮彈性模量在上述上限以下，則能夠確保充分的柔軟性。另一方面，若螢光體片5的壓縮彈性模量在下限以上，則能夠埋設LED4。
[0084]接著，如圖1的(C)所示，將螢光體片5以埋設LED4的方式配置在粘合層3的上表面上(埋設工序)。即，將螢光體片5以覆蓋LED4的上表面和側面的方式配置在支承片I之上。
[0085]具體而言，如圖1的(b)的箭頭所示，將層疊於離型片13的螢光體片5朝向粘合層3壓接。
[0086]由此，LED4的側面和上表面以及粘合層3的上表面的自LED4暴露的部分被螢光體片5以緊密貼合狀覆蓋。
[0087]即，在密封工序中，實施利用螢光體片5來埋設LED4的埋設工序。
[0088]之後，如圖1的(C)的假想線所示，將離型片13自螢光體片5的上表面剝離。
[0089]之後，如圖1的(d)所示，使螢光體片5固化。在固化性樹脂為熱固化性樹脂的情況下，使螢光體片5熱固化。具體而言，將螢光體片5加熱到例如80°C以上，優選加熱到100°C以上，並且加熱到例如200°C以下，優選加熱到180°C以下。
[0090]在熱固化性樹脂含有2階段固化型矽樹脂且用於埋設LED4的螢光體片5處於B階段的情況下，螢光體片5通過上述加熱而完全固化(最終固化)，從而達到C階段。
[0091]另外，在熱固化性樹脂含有I階段固化型矽樹脂的情況下，螢光體片5通過上述加熱而完全固化(最終固化)，從而達到C階段。
[0092]或者，在固化性樹脂為活性能量線固化性樹脂的情況下，從上方向螢光體片5照射活性能量線。此外，在從上方照射活性能量線的情況下，要選擇固化性樹脂、照射條件，使得粘合層3的粘合力不會因照射活性能量線而降低。
[0093]固化(完全固化)後的螢光體片5具有撓性，具體而言，在23°C的溫度條件下的壓縮彈性模量例如為0.5MPa以上，優選為1.0MPa以上，並且例如為IOOMPa以下，也優選為IOMPa以下。若螢光體片5的壓縮彈性模量在上述上限以下，則能夠可靠地確保撓性，例如，在接下來的切割工序(參照圖1的(d))中，也能夠使用切割裝置(後述)來切割螢光體片5。若螢光體片5的壓縮彈性模量在上述下限以上，則能夠保持切割後的形狀。
[0094]另外，突光體片5對于波長400nm以下的光的光透過率例如為50%以上,優選為60%以上。若螢光體片5的光透過率在上述下限以上，則能夠確保活性能量線透過螢光體片5的透過性，從而能夠使活性能量線透過螢光體片5而到達粘合層3。同時，能夠獲得亮度優異的LED裝置15 (後述)。
[0095]由此，LED4的側面和上表面以及粘合層3的上表面的自LED4暴露的部分被螢光體片5以緊密貼合狀覆蓋。也就是說，LED4被C階段的螢光體片5密封。
[0096]切割工序
[0097]在密封工序後的切割工序中，如圖1的(d)的虛線所示，沿厚度方向切割LED4的周圍的螢光體片5。例如，如圖2的單點劃線所示，將螢光體片5切割為例如包圍各LED4的俯視大致矩形形狀。
[0098]在切割螢光體片時5，例如使用以下裝置:使用圓盤狀的切割鋸(切割刀片)31的切割裝置、使用刀具的切割裝置、雷射照射裝置等。
[0099]另外，螢光體片5的切割是以基準標記18為基準來實施的。具體而言，沿著將構成I對的基準標記18連接起來的直線(在圖2中以單點劃線表示)切割螢光體片5，以便形成切縫8。
[0100]在切割螢光體片5時，例如，以切縫8不貫通支承片I的方式自螢光體片5的上表面朝向下表面切割螢光體片5，優選以切縫8不貫通粘合層3的方式自螢光體片5的上表面朝向下表面切割突光體片5。
[0101]通過切割工序，獲得與支承片I緊密貼合的狀態下的覆蓋有螢光體片的LED10，該覆蓋有螢光體片的LEDlO包括LED4和以覆蓋LED4的表面(上表面和側面)的方式形成的螢光體片5。即，使螢光體片5與LED4相對應地單片化。
[0102]LED剝離工序
[0103]在切割工序後，在圖1的(e)所示的LED剝離工序中，將覆蓋有螢光體片的LEDlO自粘合層3的上表面剝離。
[0104]在將覆蓋有螢光體片的LEDlO自粘合層3的上表面剝離時，首先，如圖1的(e)的朝向下的箭頭所示，自上方(厚度方向上的一側)隔著螢光體片5向粘合層3照射活性能量線。
[0105]作為活性能量線，可列舉出例如包括紫外線、電子束等在內的、例如在波長為180nm以上、優選為200nm以上、並且例如波長為460nm以下、優選為400nm以下的區域中具有光譜分布的活性能量線。
[0106]在照射活性能量線時，使用例如化學燈(日文:> S力> 5 > 7°)、準分子雷射、不可見光、水銀弧、碳弧、低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬齒化物燈等照射裝置。此外，也可以使用能夠在比上述波長區域靠長波長側的區域或比上述波長區域靠短波長側的區域產生活性能量線的照射裝置。
[0107]照射量例如為0.001J/cm2以上，優選為0.01J/cm2以上，並且例如為100J/cm2以下，也優選為lOJ/cm2以下。若照射量在上述下限以上，則能夠可靠地使粘合層3的粘合力高效地降低。另一方面，若照射量在上述上限以下，則能夠抑制成本增加並能夠有效地防止設備的損傷。
[0108]照射時間例如為5秒鐘?10分鐘以下，優選為I分鐘以下，並且例如也為5秒鐘以上。若照射時間的上限在上述上限以下，則能夠縮短LED4的剝離工序所花費的時間。
[0109]並且，活性能量線的全部或一部分自上方透過螢光體片5而照射至粘合層3。
[0110]粘合層3的粘合力會因照射該活性能量線而降低。
[0111]在該狀態下，如圖1的(e)的朝向上的箭頭所示，將覆蓋有螢光體片的LED10自粘合層3剝下。此外，為了將覆蓋有螢光體片的LED10自粘合層3剝下，雖未圖示，但能夠根據需要而使用具有吸嘴(collet)等吸引構件的拾取裝置。具體而言，能夠一邊利用吸引構件吸引覆蓋有螢光體片的LED10 —邊將覆蓋有螢光體片的LED10自粘合層3剝下。
[0112]由此，獲得自粘合層3剝離下的覆蓋有螢光體片的LED10。
[0113]安裝工序
[0114]在LED剝離工序後，根據發光波長、發光效率來篩選覆蓋有螢光體片的LED10，之後，如圖1的(f)所示，將篩選出的覆蓋有螢光體片的LED10安裝在基板9上。由此，獲得LED裝置15。
[0115]具體而言，以使LED4的凸塊(未圖示)與設於基板9的上表面的端子(未圖示)相對的方式使覆蓋有螢光體片的LED10與基板9相對配置。即，將覆蓋有螢光體片的LED10的LED4倒裝安裝在基板9上。
[0116]由此，獲得包括基板9和安裝在基板9上的覆蓋有螢光體片的LED10的LED裝置15。
[0117]之後，如圖1的(f)的假想線所示，根據需要，在LED裝置15上設置用於密封覆蓋有螢光體片的LEDlO的密封保護層20。由此，能夠提高LED裝置15的可靠性。
[0118]並且，採用該方法，在LED剝離工序中，將活性能量線自上方隔著螢光體片5向粘合層3照射。於是，活性能量線透過螢光體片5而照射至粘合層3。因此，不必由活性能量線可透過的基板材料來形成支承板2並使活性能量線透過該支承板2。其結果，作為支承板2，不僅能夠從活性能量線透過性的支承板中選擇，還能夠從活性能量線阻隔性的支承板中選擇。
[0119]另外，在切割工序後，實施LED剝離工序。也就是說，在切割工序中，能夠一邊通過具有硬質的支承板2的支承片I來支承LED4和螢光體片5 —邊切割螢光體片5。因此，能夠獲得尺寸穩定性優異的覆蓋有螢光體片的LED10。
[0120]並且，在該方法中，在LED剝離工序中，由於向粘合層3照射活性能量線，因此，與通過加熱粘合層3來降低粘合層3的粘合力的方法相比，能夠防止因加熱而引起的支承片I的變形，從而能夠進一步提聞尺寸穩定性。
[0121]因而，該覆蓋有螢光體片的LEDlO的尺寸穩定性優異。
[0122]另外，由於LED裝置15具有尺寸穩定性優異的覆蓋有螢光體片的LED10，因此可靠性優異，由此提高了發光效率。
[0123]奪形例
[0124]此外，在第I實施 方式的圖1的(e)的LED剝離工序中，僅自上方(厚度方向上的一側)向粘合層3照射活性能量線，但在本發明中，只要自至少上方(厚度方向上的一側)照射活性能量線即可，例如，在支承板2由活性能量線透過性的材料或活性能量線半透過性的材料形成的情況下，也能夠自上下兩側(厚度方向上的一側和另一側)向粘合層3照射活性能量線。在該情況下，自支承片I的下方照射的活性能量線的全部或一部分透過支承板2而達到粘合層3。
[0125]採用這樣的變形例，在LED剝離工序中，能夠進一步縮短為了使粘合層3的粘合力降低而花費的時間、即活性能量線的照射時間，從而能夠提高覆蓋有螢光體片的LEDlO的製造效率。
[0126]另外，在圖2中，將基準標記18形成為俯視大致三角形狀，但並基準標記18的形狀沒有特別限定，基準標記18能夠形成為例如俯視大致圓形狀、俯視大致矩形形狀、俯視大致X形狀、俯視大致T字形狀等適當的形狀。
[0127]第2實施方式
[0128]圖3是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第2實施方式的工序圖。圖4是表不圖3的(d)所不的埋設有突光體片的LED的俯視圖。圖5是表不圖3的(b)所示的埋設一反射片的製造方法的工序圖。
[0129]此外,在第2實施方式中,對於與第I實施方式相同的構件和工序,標註相同的附圖標記而省略其詳細的說明。
[0130]在第I實施方式中，作為本發明的螢光體層的一個例子，如圖1的(b)所示，例示了均勻(至少沿著面方向均勻)分散有螢光體的螢光體片5，但如圖3的(b)和圖4所示，例如也能夠例示包括埋設部33和反射部34的埋設一反射片24，該埋設部33作為含有螢光體的覆蓋部，該反射部34包圍埋設部33。
[0131]如圖4所示，在埋設一反射片24中，埋設部33作為用於埋設多個LED4的部分而隔開間隔地設有多個，各埋設部33形成為俯視大致圓形狀。具體而言，如圖3的(b)所示，各埋設部33形成為朝向下方去而寬度逐漸變窄的大致圓臺形狀。
[0132]埋設部33的下端部的直徑(最大長度)大於LED4的面方向的最大長度，具體而言，埋設部33的下端部的直徑為LED4的面方向的最大長度的例如200%以上，優選為300%以上，更優選為500%以上，例如為3000%以下。具體而言，埋設部33的下端部的直徑(最大長度)例如為5mm以上,優選為7mm以上，並且例如為300mm以下,優選為200mm以下。
[0133]另外，埋設部33的上端部的直徑(最大長度)大於下端部的直徑(最大長度)，具體而言，埋設部33的上端部的直徑例如為7mm以上，優選為IOmm以上，並且例如為400mm以下，優選為250mm以下。
[0134]並且，各埋設部33之間的間隔(最小間隔，具體而言，是埋設部33的上端部之間的間隔)例如為20mm以上，優選為50mm以上，並且例如為IOOOmm以下，優選為200mm以下。
[0135]埋設部33由上述螢光樹脂組合物形成。在螢光樹脂組合物含有固化性樹脂的情況下，埋設部33以B階段形成。
[0136]如圖4所示，反射部34在埋設一反射片24的周端部連續且配置在各埋設部33之間，從而形成為包圍各埋設部33的俯視大致網格狀。
[0137]另外，反射部34由後述的含有光反射成分的反射樹脂組合物形成。
[0138]接下來，參照圖4和圖5說明該埋設一反射片24的製造方法。
[0139]在該方法中，首先，如圖5的(a)所示，準備衝壓裝置35。
[0140]衝壓裝置35包括支承板36和與該支承板36相對地配置於支承板36的上側的模具37。
[0141]支承板36由例如不鏽鋼等金屬形成為大致矩形平板形狀。
[0142]模具37由例如不鏽鋼等金屬形成，模具37包括平板部38和以自平板部38向下側突出的方式形成的突出部39，平板部38和突出部39形成為一體。
[0143]平板部38形成為在俯視時與支承板36相同的形狀。
[0144]在模具37中，突出部39以與埋設部33相對應的方式沿著面方向互相隔開間隔地設置有多個。即，突出部39形成為自平板部38的下表面朝向下方去而寬度逐漸變窄的大致圓臺形狀，具體而言，形成為在主剖視時和側剖視時朝向下方去而寬度逐漸變窄的錐形狀。也就是說，突出部39形成為與埋設部33相同的形狀。
[0145]另外，如圖5的(a)所示，在支承板36的周端部的上表面設有隔離件40。隔離件40由例如不鏽鋼等金屬構成，且以在沿厚度方向投影時包圍多個埋設部33的方式配置。另夕卜，隔離件40以在沿厚度方向投影時包含在模具37中的方式配置在支承板36上，具體而言隔離件40以在沿厚度方向投影時與平板部38的周端部重疊的方式配置在支承板36上。
[0146]隔離件40的厚度被設定為後述的剝離片49的厚度與突出部39的厚度的合計厚度。具體而言，隔離件40的厚度例如為0.3mm以上,優選為0.5mm以上，並且例如為5mm以下，優選為3mm以下。
[0147]此外，衝壓裝置35構成為能夠更換形狀不同的模具37，具體而言，衝壓裝置35構成為能夠更換具有圖5的(a)所示的突出部39的模具37和圖5的(c)所示的後述的不具有突出部39的平板狀的模具37。
[0148]另外，如圖5的(a)所示，在支承板36的上表面，在隔離件40的內側載置有剝離片49。剝離片49的周端面以與隔離件40的內側面相接觸的方式形成在支承板36的上表面上。剝離片49的厚度例如為10 μ m以上,優選為30 μ m以上,並且例如為200 μ m以下，優選為150 μ m以下。
[0149]接著，在圖5的(a)所示的衝壓裝置35中，將反射片42配置在剝離片49的上表面上。
[0150]在將反射片42配置在剝離片49的上表面上時，使用例如將由反射樹脂組合物形成的反射片42層疊在剝離片49的上表面上的層疊方法、例如將液狀的反射樹脂組合物塗敷在剝離片49的上表面上的塗敷方法等。
[0151 ] 反射樹脂組合物含有例如樹脂和光反射成分。
[0152]作為樹脂，可列舉出例如熱固化性矽樹脂、環氧樹脂、熱固化性聚醯亞胺樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙基酯樹脂、熱固化性聚氨脂樹脂等熱固化性樹脂，優選列舉出熱固化性矽樹脂、環氧樹脂。
[0153]光反射成分例如為白色的化合物，作為上述那樣白色的化合物，具體而言，可列舉出白色顏料。
[0154]作為白色顏料，可列舉出例如白色無機顏料，作為上述那樣的白色無機顏料，可列舉出例如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯等氧化物、例如鉛白(碳酸鉛)、碳酸鈣等碳酸鹽、例如高嶺土 (高嶺石)等粘土礦物等。
[0155]作為白色無機顏料，優選列舉出氧化物，進一步優選列舉出氧化鈦。
[0156]上述那樣的氧化鈦具體來說為TiO2、(氧化鈦(IV)、二氧化鈦)。
[0157]氧化鈦的晶體構造沒有特別限定,例如為金紅石、板鈦礦(板鈦石)、銳鈦礦(銳鈦石)等，優選為金紅石。
[0158]另外，氧化鈦的晶系沒有特別限定，例如為四方晶系、斜方晶系等，優選為四方晶系O
[0159]若氧化鈦的晶體構造為金紅石且晶係為四方晶系，則即使在使反射部34長時間暴露於高溫的情況下，也能夠有效地防止該反射部34對光(具體來說為可見光，特別是波長450nm附近的光)的反射率降低的情況。
[0160]光反射成分為顆粒狀，但是並不限定其形狀，可列舉出例如球狀、板狀、針狀等。光反射成分的最大長度的平均值(在為球狀的情況下為其平均粒徑)例如為Inm?lOOOnm。最大長度的平均值是使用雷射衍射散射式粒度分布儀測定的。
[0161]光反射成分相對於100質量份樹脂的配合比例例如為30質量份以上,優選為50質量份以上，並且例如為200質量份以下，優選為100質量份以下。
[0162]將上述光反射成分均勻地分散混合到樹脂中。
[0163]另外，還能夠在反射樹脂組合物中進一步添加上述填充劑。也就是說，能夠並用填充劑與光反射成分(具體來說為白色顏料)。
[0164]作為填充劑，除上述白色顏料之外，可列舉出公知的填充劑，具體而言，可列舉出矽顆粒等有機微粒、例如二氧化矽、滑石、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽等無機微粒。
[0165]將填充劑的添加比例調整為:相對於100質量份的樹脂，填充劑和光反射成分的總量例如為400質量份以上,優選為500質量份以上,進一步優選為600質量份以上,並且例如為2500質量份以下,優選為2000質量份以下,進一步優選為1600質量份以下。
[0166]在層疊方法中，對上述樹脂、光反射成分以及根據需要而添加的填充劑進行配合併均勻混合，從而將反射樹脂組合物製備為A階段。
[0167]接著，在層疊方法中，通過例如鑄造、旋塗、輥塗等塗敷方法在未圖示的離型片的表面上塗敷處於A階段的反射樹脂組合物，之後，進行加熱而使其達到B階段或C階段。作為離型片，可列舉出與上述離型片13相同的離型片。
[0168]或者，例如通過絲網印刷等利用上述塗敷方法在未圖示的離型片的表面上塗敷處於A階段的反射樹脂組合物，之後，進行加熱，從而形成B階段或C階段的反射片42。
[0169]之後，將反射片42轉印到剝離片49上。接著，將未圖示的離型片剝離。
[0170]另一方面，在塗敷方法中，通過絲網印刷等在剝離片49的上表面上塗敷處於上述A階段的反射樹脂組合物，之後，進行加熱，從而形成B階段的反射片42。
[0171]反射片42的厚度例如為0.3mm以上,優選為0.5mm以上，並且例如為5mm以下,優選為3mm以下。
[0172]接著，如圖5的(a)的箭頭和圖5的(b)所示，利用衝壓裝置35來對反射片42進行衝壓。
[0173]具體而言，將模具37相對於支承板36下壓。詳細而言，以使突出部39沿厚度方向貫通反射片42的方式向下側下壓模具37。並且，使模具37的平板部38的周端部抵接於隔離件40的上表面。
[0174]由此，如圖5的(b)所示，在反射片42上形成沿厚度方向貫穿反射片42且形狀與突出部39的形狀相對應的通孔41。
[0175]在反射樹脂組合物含有B階段的熱固化性樹脂的情況下，也能夠預先在模具37中內置加熱器(未圖示)，在模具37的下壓過程中，利用該加熱器來加熱反射片42。由此，使反射樹脂組合物完全固化(C階段化)。
[0176]加熱溫度例如為80°C以上，優選為100°C以上，並且例如為200°C以下，優選為180°C以下。
[0177]由此，在剝離片49之上形成反射部34。
[0178]之後，如圖5的(C)所示，解除衝壓裝置35的衝壓狀態。具體而言，提起模具37。
[0179]接著，將具有平板部38和突出部39的模具37更換為僅具有平板部38的模具37。
[0180]並且，將螢光體片5配置在反射部34之上。
[0181]具體而言，將螢光體片5以覆蓋通孔41的方式載置在反射部34的上表面上。
[0182]在螢光樹脂組合物含有固化性樹脂的情況下，將B階段的螢光體片5配置在反射部34之上。由於在B階段的情況下螢光體片5的平板形狀得到一定程度的維持，因此螢光體片5不會落入通孔41內而會以覆蓋通孔41的方式被載置在反射部34的上表面上。
[0183]另外，與反射部34(具體而言，在反射片42的反射樹脂組合物含有固化性樹脂的情況下，為處於C階段的反射部34)相比，螢光體片5形成得柔軟。具體而言，螢光體片5具有能夠通過接下來的衝壓(圖5的(d))而變形的柔軟度，而反射部34形成為不能夠通過接下來的衝壓而變形的硬度。
[0184]接著，如圖5的(d)所示，利用衝壓裝置35來對螢光體片5進行衝壓。具體而言，將由平板部38構成的模具37朝向支承板36下壓。並且，使平板部38的周端部抵接於隔離件40的上表面。另外,使平板部38的下表面與反射部34的上表面相接觸。
[0185]由此，比較柔軟的螢光體片5被平板部38自上側按壓而充填到通孔41內。另一方面，比較硬的反射部34不會發生變形，在其通孔41內容納埋設部33。
[0186]另外，在固化性樹脂為熱固化性樹脂的情況下，也能夠通過內置在平板部38內的加熱器來加熱突光體片5。
[0187]由此，使埋設部33形成在反射部34的通孔41內。
[0188]由此，能夠在支承板36和模具37之間獲得具有埋設部33和反射部34的埋設一反射片24。
[0189]如圖5的(e)所示，之後，提起模具37，接著，將埋設一反射片24自剝離片49剝離。
[0190]接下來，對於使用圖5的(e)所示的埋設一反射片24來製造覆蓋有螢光體片的LEDlO和LED裝置15的方法，參照圖3來詳細敘述與上述實施方式不同的工序。
[0191]片粘合工序
[0192]如圖3的(b)的上側圖所示，以使埋設部33成為朝向下方去而寬度逐漸變窄的錐形狀的方式將埋設一反射片24配置在支承片I之上。
[0193]S卩，使多個埋設部33分別與多個LED4相對配置。具體而言，以使各埋設部33在俯視時與LED4的中心相對且各埋設部33彼此隔開間隔的方式將各埋設部33配置在反射部34的內側。
[0194]接著，如圖3的(C)所示，對埋設一反射片24進行衝壓。由此，LED4以其上表面和側面被埋設部33覆蓋的方式埋設於埋設部33。
[0195]此外，在埋設部33處於B階段的情況下，LED4的上表面及側面、粘合層3的上表面被埋設部33以緊密貼合狀覆蓋。
[0196]密封工序
[0197]如圖3的(d)所示，在密封工序中，在螢光樹脂組合物含有固化性樹脂的情況下，使螢光體片5固化。由此，埋設部33完全固化。由此，LED4被埋設部33密封。
[0198]切割工序
[0199]如圖3的(d)的虛線所示，在切割工序中，沿厚度方向切割反射部34。例如，如圖4的單點劃線所示，以使反射部34呈例如包圍各埋設部33的俯視大致矩形形狀的方式切割螢光體片5。
[0200]通過切割工序，從而獲得與支承片I緊密貼合的狀態下的覆蓋有螢光體片的LED10，該覆蓋有螢光體片的LEDlO包括一個LED4、用於埋設LED4的埋設部33以及設於埋設部33的周圍的反射部34。也就是說，在覆蓋有螢光體片的LEDlO中設有反射部34。SP，覆蓋有螢光體片的LEDlO是帶反射部的覆蓋有螢光體片的LED。
[0201]LED剝離工序
[0202]在LED剝離工序中，如圖3的(e)所示，將設有反射部34的覆蓋有螢光體片的LEDlO自支承片I剝離。
[0203]安裝工序
[0204]在安裝工序中，根據發光波長、發光效率來篩選設有反射部34的覆蓋有螢光體片的LED10，之後，如圖3的(f)所示，將篩選出的覆蓋有螢光體片的LEDlO安裝在基板9上。由此，獲得LED裝置15。
[0205]由此，獲得包括基板9和安裝在基板9上的設有反射部34的覆蓋有螢光體片的LEDlO 的 LED 裝置 15。
[0206]並且，採用該第2實施方式，由於埋設一反射片24包括用於埋設LED4的埋設部33和含有光反射成分並以包圍埋設部33的方式形成的反射部34，因此能夠利用反射部34來反射自LED4發出的光。因此，能夠提高LED裝置15的發光效率。
[0207]奪形例
[0208]還能夠如下這樣進行衝壓:在圖5的(C)所示的平板部38與螢光體片5之間設置離型片13 (參照圖3的(b)的假想線)，形成在上表面層疊有離型片13的埋設一反射片24，之後，如圖3的(c)的假想線所示，相對於例如多個LED4和支承片1，對該埋設一反射片24進行例如平板衝壓。
[0209]第3實施方式
[0210]圖6是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第3實施方式所使用的埋設一反射片的製造方法的工序圖。
[0211]此外,在第3實施方式中,對於與第2實施方式相同的構件和工序,標註相同的附圖標記而省略其詳細的說明。
[0212]在第2實施方式的埋設一反射片24的製造方法中，如圖5的(C)和圖5的(d)所示，由螢光體片5形成埋設部33，但如圖6的(c)所示，例如也能夠不使用螢光體片5，而通過將螢光樹脂組合物的清漆灌注於通孔41來形成埋設部33。
[0213]具體而言，首先，將螢光樹脂組合物製備成清漆。具體而言，在螢光樹脂組合物含有固化性樹脂的情況下，製備處於A階段的清漆。由此，將處於A階段的螢光樹脂組合物充填到通孔41內。
[0214]之後，在螢光樹脂組合物含有固化性樹脂的情況下，使A階段的螢光樹脂組合物B階段化。
[0215]通過第3實施方式，也能夠取得與第2實施方式相同的作用效果。
[0216]第4實施方式
[0217]圖7是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第4實施方式的工序圖。
[0218]此外,在第4實施方式中，對於與第2實施方式和第3實施方式相同的構件和工序，標註相同的附圖標記而省略其詳細的說明。
[0219]在第2實施方式中，如圖3的(b)和圖4所示，在俯視時將埋設部33的下端部形成得大於LED4，但如圖7的(b)所示，例如也能夠將埋設部33的下端部與LED4形成為相同尺寸。
[0220]LED粘合工序
[0221]例如，埋設部33形成為朝向下方去而寬度逐漸變窄的大致四稜台形狀。
[0222]為了形成圖7的(b)所示的埋設部33，將圖5和圖6所示的突出部39形成為自平板部38的下表面朝向下方去而寬度逐漸變窄的大致四稜台形狀。
[0223]另外，如圖7的(b)的單點劃線所示，以在沿厚度方向投影時使埋設部33的下端部與LED4互相重疊的方式將埋設一反射片24配置在含有LED4的粘合層3之上，具體而言，以在俯視時使埋設部33的下端部的周端緣與LED4的周端緣形成在相同位置的方式將埋設一反射片24配置在含有LED4的粘合層3之上。
[0224]通過第4實施方式，也能夠取得與第5實施方式和第8實施方式相同的作用效果。
[0225]第5實施方式
[0226]圖8是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第5實施方式的工序圖。圖9是表示圖8的(b)所示的埋設一反射片的製造方法的工序圖。
[0227]此外,在第5實施方式中,對於與第2實施方式相同的構件和工序,標註相同的附圖標記而省略其詳細的說明。
[0228]在第2實施方式中，如圖3的(b)所示，將埋設一反射片24的埋設部33形成為朝向下方去而寬度逐漸變窄的大致圓臺形狀，但如圖8的(b)所示，例如也能夠將埋設部33形成為沿著上下方向(厚度方向)延伸的大致圓柱形狀。
[0229]在形成這樣的埋設部33時，使用圖9的(a)和圖9的(b)所示的衝裁裝置55。
[0230]衝裁裝置55包括支承板56和與該支承板56相對地配置於支承板56的上側的模具57。
[0231]支承板56由例如不鏽鋼等金屬形成為大致矩形平板形狀，另外，在支承板56上形成有沿厚度方向貫穿支承板56的通孔53。
[0232]通孔53形成為俯視大致圓形狀。
[0233]模具57包括平板部58和以自平板部58向下側突出的方式形成的突出部59，平板部58和突出部59形成為一體。
[0234]平板部58形成為與圖5的(a)所示的平板部38相同的形狀。
[0235]在模具57中，突出部59以與埋設部33 (參照圖9的(d))相對應的方式沿著面方向互相隔開間隔地設有多個。突出部59形成為在俯視時與通孔53相同的形狀和尺寸，具體而言，突出部59形成為大致圓柱形狀。突出部59形成為與埋設部33 (參照圖9的(d))相同的形狀。也就是說，突出部59形成為在主剖視時和側剖視時的大致矩形形狀。
[0236]由此，衝裁裝置55構成為能夠通過下壓模具57來使突出部59插入到通孔53內。
[0237]通孔53的孔徑和突出部59的直徑例如為5mm以上，優選為7mm以上，並且例如為300mm以下，優選為200mm以下。
[0238]另外，在支承板56的周端部的上表面上設有隔離件40。隔離件40以在俯視時包圍通孔53的方式呈俯視大致框形狀配置於支承板56的周端部。
[0239]並且，為了通過圖9的(a)和圖9的(b)所示的衝裁裝置55來形成埋設一反射片24，首先，如圖9的(a)所示，將反射片42配置在支承板56之上。具體而言，將反射片42以覆蓋多個通孔53的方式載置在支承板56的上表面上。
[0240]接著，如圖9的(b)所示，使用衝裁裝置55來對反射片42進行衝裁。
[0241]具體而言，通過下壓模具57來使突出部59對反射片42進行衝裁。
[0242]由此，在反射片42上形成形狀與突出部59的形狀相對應的通孔41。
[0243]由此，在支承板56之上形成反射部34。
[0244]接著,如圖9的(C)所示,提起模具57。
[0245]之後，將形成後的反射部34設置於包括支承板36和由平板部38構成的模具37的、設有剝離片49的衝壓裝置35。
[0246]接著，將螢光體片5配置在反射部34之上。
[0247]接著，如圖9的(C)的箭頭和圖9的(d)所示，利用衝壓裝置35來對螢光體片5進行衝壓。由此，將埋設部33形成在反射部34的通孔41內。
[0248]由此，在支承板36和模具37之間獲得具有埋設部33和反射部34的埋設一反射片24。
[0249]之後，提起模具37，接著，如圖9的(e)所示，將埋設一反射片24自剝離片49剝離。
[0250]通過第5實施方式，也能夠取得與第2實施方式相同的作用效果。
[0251]第6實施方式
[0252]圖10是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第6實施方式所使用的埋設一反射片的製造方法的工序圖。
[0253]此外,在第6實施方式中,對於與第5實施方式相同的構件和工序,標註相同的附圖標記而省略其詳細的說明。
[0254]在第5實施方式的埋設一反射片24的製造方法中，如圖9的(C)和圖9的(d)所示，由螢光體片5形成埋設部33，但如圖10的(c)所示，也能夠不使用螢光體片5，而通過將螢光樹脂組合物的清漆灌注在通孔41內來形成埋設部33。
[0255]具體而言，將圖10的(b)所示的反射部34自衝裁裝置55取出，接著，如圖10的(c)所示，將反射部34配置在剝離片49的上表面上。接著，將螢光樹脂組合物的清漆灌注在通孔41內。
[0256]通過第6實施方式，也能夠取得與第5實施方式相同的作用效果。
[0257]第7實施方式
[0258]圖11是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第7實施方式的工序圖。
[0259]此外,在第7實施方式中,對於與第5實施方式相同的構件和工序,標註相同的附圖標記而省略其詳細的說明。
[0260]在第5實施方式中，如圖8的(C)所示，作為覆蓋部，例示出了用於埋設LED4的埋設部33，但如圖11的(c)所示，例如也能夠例示用於覆蓋LED4的上表面的覆蓋部43。
[0261]如圖11的(b)所不,覆蓋部43以被反射部34包圍的方式設於覆蓋一反射片44。在覆蓋一反射片44中，覆蓋部43呈與圖8的(b)所示的埋設部33相同的形狀且形成為與LED4相同的尺寸。
[0262]例如，如圖11的(b)所示，以在沿厚度方向投影時使覆蓋部43與LED4互相重疊的方式將覆蓋部43配置在LED4的上表面上，具體而言，以在俯視時使覆蓋部43的周端緣與LED4的周端緣形成在相同位置的方式將覆蓋部43配置在LED4的上表面上。
[0263]覆蓋工序
[0264]在第7實施方式中，替代圖8的(C)所示的埋設工序，而實施圖11的(C)所示的覆蓋工序。覆蓋工序的條件與埋設工序的條件相同。
[0265]此外，在圖11的(C)所示的覆蓋工序中，覆蓋部43以緊密貼合狀覆蓋在LED4的上表面上。由於LED4的衝壓而使LED4被壓入到覆蓋部43中，覆蓋部43略微向面方向外偵臌出，由於該鼓出的程度微小，因此，在圖11的(C)中，以相同長度示出了衝壓後的覆蓋部43與LED4的左右方向長度。
[0266]固化工序
[0267]在第7實施方式中，替代圖8的(d)所示的密封工序，而實施圖11的(d)所示的固
化工序。
[0268]在固化工序中，使覆蓋部43固化。固化工序的條件與上述密封工序的條件相同。
[0269]通過第7實施方式，也能夠取得與第5實施方式相同的作用效果。
[0270]第8實施方式
[0271]圖12是表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第8實施方式的工序圖。
[0272]此外，在第8實施方式中，對於與第I實施方式相同的構件和工序，標註相同的附圖標記而省略其詳細的說明。
[0273]在第I實施方式中，如圖1的(C)所示，在片粘合工序中，實施了利用螢光體片5來覆蓋LED4的側面和上表面的埋設工序，但如圖12的(c)所示，例如也能夠替代埋設工序而實施利用螢光體片5來僅覆蓋LED4的側面的覆蓋工序。另外，也能夠替代密封工序而實施固化工序。
[0274]片粘合工序
[0275]如圖12的(b)所示，將準備好的螢光體片5的厚度設定得比LED4的厚度薄，相對於LED4的厚度，將螢光體片5的厚度設定為例如95%以下，優選設定為90%以下，並且例如設定為10%以上。具體而言，將螢光體片5的厚度設定為例如IOOOym以下，優選設定為800 μ m以下，並且例如設定為30 μ m以上，優選設定為50 μ m以上。
[0276]在覆蓋工序中，如圖12的(C)所示，通過衝壓以使離型片13的下表面與各LED4的上表面相接觸的方式將由離型片13和層疊於離型片13的下表面的螢光體片5構成的層疊體(參照圖12的(b)的上側圖)向包括LED4的支承片I壓入。
[0277]另外，相對於多個LED4壓入後的突光體片5的上表面與各LED4的上表面形成得齊平。另外，螢光體片5的下表面也與各LED4的下表面形成得齊平。也就是說，壓入有多個LED4的螢光體片5的厚度與各LED4的厚度相同。
[0278]另外，用於形成LED4的下表面的一部分的凸塊和LED4的上表面均暴露，而LED4的側面被螢光體片5覆蓋。
[0279]固化工序
[0280]在固化工序中，使螢光體片5固化。固化工序的條件與上述密封工序的條件相同。
[0281]切割工序
[0282]如圖12的(d)的虛線所示，一邊自上側確認LED4的位置，一邊切割螢光體片5。具體而言，例如一邊通過攝像機等自上側識別LED4以確認LED4的位置，一邊切割螢光體片
5。另外，如圖4的虛線所示，以在俯視時形成用於劃分出包圍LED4的區域的切縫8的方式切割螢光體片5。
[0283]此外，也能夠一邊識別LED4，並且一邊以基準標記18 (圖2參照)為基準來切割螢光體片5。
[0284]LED剝離工序[0285]在圖12的(e)的LED剝離工序中，將覆蓋有螢光體片的LEDlO自粘合層3的上表面剝離。也就是說，以在螢光體片5及LED4與粘合層3之間產生界面剝離的方式將覆蓋有螢光體片的LEDlO自支承板2和粘合層3剝離。
[0286]通過第8實施方式，也能夠取得與第I實施方式相同的作用效果。
[0287]並且，在覆蓋工序中，由於以使LED4的至少上表面自螢光體片5暴露的方式利用螢光體片5來覆蓋LED4的側面，因此，在片粘合工序後的切割工序中，能夠一邊識別上表面暴露的LED4 —邊以與該LED4相對應的方式精度良好地切割螢光體片5。因此，所獲得的覆蓋有螢光體片的LEDlO的尺寸穩定性優異。其結果，具有該覆蓋有螢光體片的LEDlO的LED裝置15的發光穩定性優異。
[0288]第9實施方式
[0289]圖13表示本發明的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法的第9實施方式所使用的分配器的立體圖。
[0290]此外,在第9實施方式中,對於與第I實施方式相同的構件和工序,標註相同的附圖標記而省略其詳細的說明。
[0291]在第I實施方式中，如圖1的(b)所示，在密封工序中，作為本發明的螢光體層的一個例子，例示出了預先成形的螢光體片5。但參照圖13，例如也能夠將螢光樹脂組合物製備成清漆並以覆蓋多個LED4的方式將清漆直接塗敷在支承片I之上，以形成螢光體層25。也就是說，能夠由螢光樹脂組合物的清漆來形成螢光體層25。
[0292]在形成螢光體層25時，首先，將清漆以覆蓋LED4的方式塗敷在支承片I之上。
[0293]在塗敷清漆時，例如使用分配器、塗膜器(applicator)、狹縫式模塗敷機等塗敷機。優選使用圖13所示的分配器26。
[0294]如圖13所示，分配器26包括導入部27和塗敷部28，導入部27和塗敷部28形成為一體。
[0295]導入部27形成為沿著上下方向延伸的大致圓筒形狀，且其下端部與塗敷部28相連接。
[0296]塗敷部28形成為沿著左右方向和上下方向延伸的平板形狀，且形成為在上下方向上較長的側視大致矩形形狀。在塗敷部28的上端部連接有導入部27。塗敷部28的下端部形成為其前端部和後端部被切除而成的、側剖視時頂端變細的形狀(錐狀)。另外，塗敷部28的下端面構成為能夠相對於粘合層3的上表面和LED4的上表面進行按壓。並且，在塗敷部28的內部設有供自導入部27導入的清漆隨著朝向下遊側(下側)去而向左右方向擴展的寬幅的流路(未圖示)。
[0297]另外，分配器26構成為能夠相對於沿著面方向延伸的支承片I在前後方向上相對地移動。
[0298]在使用該分配器26向支承片I塗敷清漆時，一邊將塗敷部28與多個LED4的上表面相對地配置(按壓)，一邊嚮導入部27供給清漆。與此同時，使分配器26相對於多個LED4向後側相對地移動。由此，清漆被自導入部27導入到塗敷部28，接著，清漆被自塗敷部28的下端部以寬幅狀供給到支承片I和LED4。另外，通過使分配器26相對於多個LED4向後側相對地移動，從而清漆被以覆蓋多個LED4的方式呈沿著前後方向延伸的帶形狀塗敷在支承片I的上表面上。[0299]此外，在螢光樹脂組合物含有固化性樹脂的情況下，將清漆製備為A階段狀態，另夕卜，該清漆具有例如在自塗敷部28供給到支承片I時不會從該被供給的部位向面方向外側流出、也就是說滯留在該被供給的部位那樣的粘性。具體而言，清漆在25°C且一個大氣壓的條件下的粘度例如為IOOOmPa *s以上，優選為4000mPa *s以上，並且例如為lOOOOOOmPa *s以下，優選為IOOOOOmPa.s以下。此外，粘度是通過將清漆的溫度調節至25°C並使用E型錐板粘度計以每秒99轉測定的。
[0300]若清漆的粘度在上述下限以上，則能夠有效地防止清漆向面方向外側流出。因此，不必在支承片I (具體而言，在多個LED4的周圍)上另行設置阻擋構件等，因此能夠謀求工藝的簡化，並能夠利用分配器26將清漆以期望的厚度和期望的形狀簡單且可靠地塗敷在支承片I上。
[0301]另一方面，若清漆的粘度在上述上限以下，則能夠提高塗敷性(處理性)。
[0302]之後，在螢光樹脂組合物含有固化性樹脂的情況下，使塗敷後清漆B階段化(半固化)。
[0303]由此，使處於B階段的螢光體層25以覆蓋多個LED4的方式形成在支承片I之上(粘合層3的上表面)。
[0304]通過第9實施方式，也能夠取得與第I實施方式相同的作用效果。
[0305]奪形例
[0306]在第I實施方式?第9實施方式中，利用螢光體片5來覆蓋多個LED4，但例如也能夠利用螢光體片5來覆蓋單個LED4。
[0307]在該情況下，具體而言，在第I實施方式所例示的、圖1的(d)所示的切割工序中，對螢光體片5進行外形加工(裁切)，以便使LED4的周圍的螢光體片5成為期望的尺寸。
[0308]此外，雖然作為本發明的例示實施方式提供了上述說明，但這僅僅是例示，不應進行限定性解釋。對於本領域技術人員來說顯而易見的本發明的變形例包括在後述的權利要求書中。
【權利要求】
1.一種覆蓋有螢光體層的LED的製造方法，其特徵在於， 該覆蓋有螢光體層的LED的製造方法包括以下工序: 準備工序，在該準備工序中，準備支承片，該支承片包括硬質的支承板和層疊在上述支承板的厚度方向上的一個表面上的、粘合力會因照射活性能量線而降低的粘合層； LED粘合工序，在該LED粘合工序中，藉助上述粘合層將LED粘合於上述支承板； 覆蓋工序，在該覆蓋工序中，將螢光體層配置在上述支承板的上述厚度方向上的一個表面上，利用上述螢光體層來覆蓋上述LED ； 切割工序，在上述覆蓋工序後的該切割工序中，通過與上述LED相對應地切割上述螢光體層，從而獲得覆蓋有螢光體層的LED，該覆蓋有螢光體層的LED包括上述LED和用於覆蓋上述LED的上述螢光體層；以及 LED剝離工序，在上述切割工序之後的該LED剝離工序中，從至少上述厚度方向上的一側向上述粘合層照射活性能量線，並將上述覆蓋有螢光體層的LED自上述粘合層剝離。
2.根據權利要求1所述的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法，其特徵在於， 上述螢光體層由螢光體片形成。
3.根據權利要求1所述的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法，其特徵在於， 在上述覆蓋工序中，利用B階段的上述螢光體層來覆蓋上述LED，之後，使上述螢光體層固化而達到C階段。
4.根據權利要求1所述的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法，其特徵在於， 上述突光體層包括: 覆蓋部，其用於覆蓋上述LED ;以及 反射部，其含有光反射成分且以包圍上述覆蓋部的方式形成。
5.根據權利要求1所述的覆蓋有螢光體層的LED的製造方法，其特徵在於， 在上述準備工序中，以預先設置基準標記的方式準備上述支承片，該基準標記在上述切割工序中作為切割基準。
6.一種覆蓋有螢光體層的LED，其特徵在於， 該覆蓋有螢光體層的LED通過覆蓋有螢光體層的LED的製造方法而獲得,該覆蓋有螢光體層的LED的製造方法包括以下工序: 準備工序，在該準備工序中，準備支承片，該支承片包括硬質的支承板和層疊在上述支承板的厚度方向上的一個表面上的、粘合力會因照射活性能量線而降低的粘合層； LED粘合工序，在該LED粘合工序中，藉助上述粘合層將LED粘合於上述支承板； 覆蓋工序，在該覆蓋工序中，將螢光體層配置在上述支承板的上述厚度方向上的一個表面上，利用上述螢光體層來覆蓋上述LED ； 切割工序，在上述覆蓋工序後的該切割工序中，通過與上述LED相對應地切割上述螢光體層，從而獲得覆蓋有螢光體層的LED，該覆蓋有螢光體層的LED包括上述LED和用於覆蓋上述LED的上述螢光體層；以及 LED剝離工序，在上述切割工序之後的該LED剝離工序中，從至少上述厚度方向上的一側向上述粘合層照射活性能量線，並將上述覆蓋有螢光體層的LED自上述粘合層剝離。
7.—種LED裝置，其特徵在於， 該LED裝置包括基板和安裝在上述基板上的覆蓋有螢光體層的LED，上述覆蓋有螢光體層的LED通過覆蓋有螢光體層的LED的製造方法而獲得，該覆蓋有螢光體層的LED的製造方法包括以下工序: 準備工序，在該準備工序中，準備支承片，該支承片包括硬質的支承板和層疊在上述支承板的厚度方向上的一個表面上的、粘合力會因照射活性能量線而降低的粘合層； LED粘合工序，在該LED粘合工序中，藉助上述粘合層將LED粘合於上述支承板； 覆蓋工序，在該覆蓋工序中，將螢光體層配置在上述支承板的上述厚度方向上的一個表面上，利用上述螢光體層來覆蓋上述LED ； 切割工序，在上述覆蓋工序後的該切割工序中，通過與上述LED相對應地切割上述螢光體層，從而獲得覆蓋有螢光體層的LED，該覆蓋有螢光體層的LED包括上述LED和用於覆蓋上述LED的上述螢光體層；以及 LED剝離工序，在上述切割工序之後的該LED剝離工序中，從至少上述厚度方向上的一側向上述粘合層照射活性能量線，並將上`述覆蓋有螢光體層的LED自上述粘合層剝離。
【文檔編號】H01L33/50GK103531692SQ201310271787
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年7月1日 優先權日:2012年6月29日
【發明者】木村龍一, 片山博之, 江部悠紀, 大西秀典, 福家一浩 申請人:日東電工株式會社