存儲器及其形成方法、半導體器件與流程
2023-10-11 20:51:29
本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器及其形成方法，以及半導體器件。
背景技術：
存儲器通常包括存儲電容器以及連接到所述存儲元件的存儲電晶體，所述存儲電容器用來存儲代表存儲信息的電荷。所述存儲電晶體中形成有源區、漏區和柵極，所述柵極用於控制所述源區和漏區之間的電流流動，並連接至字線導體，所述源區用於構成位線接觸區，以連接至位線，所述漏區用於構成存儲節點接觸區，以連接至存儲電容器。
在傳統的存儲器的製備方法中，通常包括定義有源區(activearea，aa)、定義字線導體(wordline，wl)、定義位線接觸窗、定義位線(bitline，bl)以及定義存儲節點接觸窗等至少5道光刻工藝。因此，在製備過程中，需相應的提供對應該5道光刻工藝的5道光罩，例如，定義有源區的光罩可以為島狀光罩，定義字線導體和位線的光罩可以為線狀光罩，以及定義位線接觸窗和存儲節點接觸窗的光罩可以為接觸孔光罩。
隨著存儲器尺寸的不斷縮減，存儲器中的各個組件的特徵尺寸(例如，字線導體和位線的線寬、接觸窗的開口尺寸等)也隨之縮小，而這對於目前的光刻工藝而言，將是一項極大的挑戰。並且，在執行多道光刻工藝時，不同光罩之間存在對準偏差的問題，從而在多道光罩相互疊加後相應的會使對應多道光罩的多次位移偏差相互疊加，進而會對存儲器中的部分組件之間的電性連接造成影響。因此，在利用光刻工藝直接定義出存儲節點接觸窗時，將導致所形成的存儲節點接觸和存儲節點接觸區之間產生較大的位移偏差，進而使接觸電阻過大。
由此可見，通過利用光刻工藝直接定義出對應存儲節點接觸區的接觸窗以製備存儲節點接觸時，不僅僅是製備成本較大的問題，同時在多道光刻工藝的對準精度的限制下，使多道光罩在相互疊加時將產生更大的位移偏差。如此，不但會影響後續所形成的存儲器的性能，並且也不利於實現組件尺寸的縮小。
技術實現要素：
本發明的目的在於提供一種存儲器的形成方法，其有利於可減少光刻工藝的執行次數，節省成本，並能夠減小存儲節點接觸和第二接觸區之間的對準偏差。
本發明提供的存儲器的形成方法，包括：
提供一襯底，所述襯底中定義有多個相對於第一方向傾斜延伸的有源區，所述有源區上定義有一用於形成第一接觸區的第一區域和多個用於形成第二接觸區的第二區域，多個所述第二區域延伸在所述有源區的延伸方向上且位於所述第一區域的兩側；
形成一字線掩膜在所述襯底上，所述字線掩膜中形成有多個對應字線導體且沿所述第一方向延伸的開口；
形成多條字線導體在對應所述開口的所述襯底中，在所述字線導體的兩側分布有多個沿所述第一方向排布的所述第二區域；
對準所述形成一第一隔離線在所述襯底上，所述第一隔離線填充所述開口以覆蓋所述字線導體，所述第一隔離線沿著所述第一方向延伸，用於構成一在所述字線掩膜中的第一隔離屏障；
形成多個對應位線的位線溝槽在所述襯底上的所述字線掩膜中，所述位線溝槽交錯地穿越所述第一隔離線；
形成多條位線在所述位線溝槽中，所述位線的表面低於所述位線溝槽的頂表面，所述位線與相應的有源區相交，以使所述相應的有源區中的所述第一接觸區連接至所述位線上，其中，分布在所述字線導體的同一側的多個所述第二區域中，兩個相鄰的所述第二區域分別位於所述位線的兩側；
對準所述位線形成一第二隔離線在所述襯底上，所述第二隔離線填充所述位線溝槽以覆蓋所述位線，所述第二隔離線沿著所述第二方向延伸，並與所述位線共同用於構成一在所述字線掩膜中的第二隔離屏障；
以所述第二隔離屏障和所述第一隔離屏障為二次掩膜，局部去除所述字線掩膜以暴露出所述第二接觸區，所述第一隔離屏障和所述第二隔離屏障相交以共同界定出多個接觸窗，每一所述第二接觸區對應一個所述接觸窗；以及，
形成一導電層在所述襯底上，所述導電層填充所述接觸窗用於構成存儲節點接觸。
可選的，所述第二隔離屏障的表面不低於所述第一隔離屏障的表面，所述導電層對準地填充在所述接觸窗中，以構成所述存儲節點接觸。
可選的，所述導電層的形成方法包括：
填充所述導電材料層於所述接觸窗並覆蓋所述第一隔離屏障和所述第二隔離屏障；以及，
去除所述導電材料層中位於所述第一隔離屏障頂部和位於所述第二隔離屏障頂部的部分，使剩餘的所述導電材料層僅填充在所述接觸窗中以形成所述導電層，所述導電層構成所述存儲節點接觸；其中，
在部分去除所述導電材料層時，利用所述第一隔離屏障和所述第二隔離屏障為刻蝕停止層執行回刻蝕工藝；或者，利用所述第一隔離屏障和所述第二隔離屏障為研磨停止層執行化學機械研磨工藝。
可選的，所述第二隔離線的形成方法包括：
形成一第二隔離材料層在所述襯底上，所述第二隔離材料層填充所述位線溝槽並覆蓋所述字線掩膜；以及，
去除所述第二隔離材料層中位於所述字線掩膜頂部的部分，使剩餘的所述第二隔離材料層僅填充在所述位線溝槽中，以構成覆蓋所述位線的所述第二隔離線；其中，
在部分去除所述第二隔離材料層時，利用所述字線掩膜為研磨停止層執行化學機械研磨工藝；或者，利用所述字線掩膜為刻蝕停止層執行回刻蝕工藝。
可選的，所述第二隔離屏障的表面低於所述第一隔離屏障的表面，兩條相鄰的所述第一隔離屏障之間的間隔界定出一沿著所述第一方向延伸的凹槽，所述導電層填充在所述凹槽中，並且所述導電層覆蓋所述第二隔離屏障，使位於同一所述凹槽中的多個所述接觸窗中的所述導電層相互連接。
可選的，所述導電層的形成方法包括：
填充所述導電材料層於所述凹槽並覆蓋所述第一隔離屏障和所述第二隔離屏障；以及，
去除所述導電材料層中位於所述第一隔離屏障頂部的部分，使剩餘的所述導電材料層僅填充在所述凹槽中以構成所述導電層，所述導電層覆蓋所述第二隔離屏障，使位於同一所述凹槽中的多個所述接觸窗中的所述導電層相互連接；其中，
在部分去除所述導電材料層時，利用所述第一隔離屏障為刻蝕停止層執行回刻蝕工藝；或者，利用所述第一隔離屏障為研磨停止層執行化學機械研磨工藝。
可選的，所述第二隔離線的形成方法包括：
形成一隔離層在所述襯底上，所述隔離層覆蓋所述位線溝槽的底部和側壁以覆蓋所述位線；
形成一掩膜蓋層在所述隔離層上並填充所述位線溝槽，所述掩膜蓋層的表面低於所述第一隔離線的表面，位於所述位線溝槽中的所述掩膜蓋層和所述隔離層構成所述第二隔離線。
可選的，在形成所述導電層之前，還包括去除所述掩膜蓋層；以及，在形成所述導電層之後，所述導電層覆蓋所述第二隔離線的所述隔離層。
可選的，所述掩膜蓋層為一導電材料層，在形成所述導電層之後，所述導電層覆蓋所述第二隔離線的所述隔離層和所述掩膜蓋層，其中，所述導電層和所述掩膜蓋層共同用於構成所述存儲節點接觸。
可選的，所述第一隔離線對準的覆蓋所述字線導體，其形成方法包括：：
利用所述字線掩膜為掩膜刻蝕所述襯底，以形成一對應所述開口的字線溝槽在所述襯底中；
形成字線導體在所述字線溝槽中，且所述字線導體的表面不高於所述字線溝槽的頂表面；以及，
形成所述第一隔離線在所述開口中並延伸至所述字線溝槽中，以覆蓋所述字線導體。
可選的，所述第一隔離線的形成方法包括：
形成一第一隔離材料層在所述襯底上，所述第一隔離材料層填充所述開口並覆蓋所述字線掩膜；以及，
去除所述第一隔離材料層中位於所述字線掩膜頂部的部分，使剩餘的所述第一隔離材料層僅填充在所述開口中，以構成所述第一隔離線；其中，
在部分去除所述第一隔離材料層時，利用所述字線掩膜為研磨停止層執行化學機械研磨工藝；或者，利用所述字線掩膜為刻蝕停止層執行回刻蝕工藝。
可選的，所述字線掩膜包括一形成在所述襯底上的掩膜底層和一形成在所述掩膜底層上的掩膜犧牲層；在局部去除所述字線掩膜之後，部分所述掩膜底層被保留並覆蓋所述接觸窗中的所述第一區域中的所述第一接觸區，以及，所述掩膜犧牲層被去除，以預留出所述存儲節點接觸的形成空間。
可選的，所述掩膜底層、所述第一隔離線和所述第二隔離線的刻蝕選擇比小於1：3：3。
可選的，所述位線在所述第二隔離屏障交錯所述第一隔離屏障的第一區段具有第一厚度，所述位線在所述第二隔離屏障未交錯所述第一隔離屏障的第二區段具有第二厚度，所述第一厚度小於所述第二厚度。
可選的，在形成所述位線溝槽之後，還包括：
形成一間隔絕緣層在所述位線溝槽的側壁上，其中，所述間隔絕緣層、所述位線和所述第二隔離線共同構成所述第二隔離屏障。
基於以上所述的存儲器的形成方法，本發明還提供了一種存儲器，包括：
一襯底，所襯底中定義有多個相對於第一方向傾斜延伸的有源區，所述有源區上形成有一第一接觸區和多個第二接觸區，多個所述第二接觸區延伸在所述有源區的延伸方向上且位於所述第一接觸區的兩側；
多條字線導體，形成在所述襯底中並沿著所述第一方向延伸，用以區隔所述第一接觸區與所述第二接觸區；
多條第一隔離線，形成在所述襯底上並對準地覆蓋所述字線導體以用於構成一第一隔離屏障，且所述第一隔離屏障的表面高於所述襯底的表面；
多條位線，形成在所述襯底上並沿著第二方向延伸，所述位線與相應的有源區相交，以使所述相應的有源區中的所述第一接觸區連接至所述位線上，其中，分布在所述字線導體的同一側的多個所述第二接觸區中，兩個相鄰的所述第二接觸區分別位於所述位線的兩側；
多條第二隔離線，形成在所述襯底上並對準地覆蓋所述位線，所述位線和所述第二隔離線共同用於構成一第二隔離屏障，所述第一隔離屏障和所述第二隔離屏障相交以共同界定出多個接觸窗，每一所述第二接觸區對應一個所述接觸窗；以及，
多個存儲節點接觸，由一導電層形成在所述襯底上並填充所述接觸窗構成。
可選的，所述第二隔離屏障的表面不低於所述第一隔離屏障的表面，所述存儲節點接觸對準地填充在所述接觸窗中，所述存儲節點接觸在所述襯底上的邊界由所述第一隔離屏障與所述第二隔離屏障所界定。
可選的，所述存儲器還包括一掩膜底層，所述掩膜底層形成在所述襯底上並連接所述第一隔離線，用以遮蓋所述第一接觸區對應在所述接觸窗中的部位。
可選的，所述掩膜底層、所述第一隔離線和所述第二隔離線的刻蝕選擇比小於1：3：3。
可選的，所述位線在所述第二隔離屏障交錯所述第一隔離屏障的第一區段具有第一厚度，所述位線在所述第二隔離屏障未交錯所述第一隔離屏障的第二區段具有第二厚度，所述第一厚度小於所述第二厚度。
可選的，所述存儲器還包括：
一間隔絕緣層，至少覆蓋所述位線的側壁，且所述間隔絕緣層、所述位線和所述隔離線共同構成所述第二隔離屏障。
此外，本發明提供了一種半導體器件，包括：
一襯底，所述襯底上形成有多個第一引出區；
多條第一隔離屏障，形成在所述襯底上，在所述第一隔離屏障的兩側分布有多個沿著所述第一隔離屏障的延伸方向排布的所述第一引出區；
多條第二隔離屏障，形成在所述襯底上，並與所述第二隔離屏障相交以共同界定出多個接觸窗，每一所述第一引出區對應一個所述接觸窗；以及，
多個導電接觸，由一導電層形成在所述襯底上並填充所述接觸窗構成。
可選的，所述第二隔離屏障的表面不低於所述第一隔離屏障的表面，所述導電層對準地填充在所述接觸窗中，以構成所述導電接觸。
可選的，所述襯底上還形成有多個第二引出區，所述第二隔離屏障包括一導體層和一覆蓋所述導體層的頂部和側壁的絕緣層，在所述第二隔離屏障的延伸方向上，多個所述第二引出區連接至相應的所述導體層上。
在本發明提供的存儲器的形成方法中，在利用字線掩膜形成字線導體之後，保留字線掩膜並自對準地形成第一隔離線，以構成一對應字線導體的第一隔離屏障。以及，在形成位線之後，利用位線溝槽自對準地形成第二隔離線，從而可結合位線用於構成第二隔離屏障，進而在相交的第一隔離屏障和第二隔離屏障的限定下，可自定義的界定出對應有第二接觸區的接觸窗，如此，即可在該接觸窗中形成與第二接觸區電性連接的存儲節點接觸。即，本發明提供的形成方法中，不需要利用光刻工藝，即可定義出對應第二接觸區的接觸窗，減少了光刻工藝的執行次數，有利於簡化工藝並節省製備成本，並且還可改善多道光刻工藝之間的對準偏差的問題，使後續所形成的存儲節點接觸和存儲節點接觸區之間具備較小的接觸電阻。
進一步的，本發明提供的形成方法中，還可調整第一隔離屏障和第二隔離屏障的高度差，使第二隔離屏障表面低於第一隔離屏障的表面，從而利用兩個相鄰的第一隔離屏障所界定出的凹槽，可自對準地形成沿著預定方向(第一隔離屏障的延伸方向)延伸並連續的導電層。從而，在利用所述導電層製備存儲節點接觸時，可相應的使所形成的存儲節點接觸沿著預定方向延伸。進一步的，使形成在相鄰的凹槽中的存儲節點接觸沿著相反的方向延伸，進而構成交錯排布的存儲節點接觸。
附圖說明
圖1為本發明實施例一中的存儲器的形成方法的流程示意圖；
圖2a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s110時的俯視圖；
圖2b為圖2a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s110時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖3a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s120時的俯視圖；
圖3b和圖3c為圖3a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s120過程中沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖4a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s130時的俯視圖；
圖4b為圖4a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s130時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖5a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s140時的俯視圖；
圖5b和圖5c為圖5a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s140過程中沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖6a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s150時的俯視圖；
圖6b為圖6a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s150時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖7a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s160時的俯視圖；
圖7b為圖7a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s160時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖8a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s170時的俯視圖；
圖8b為圖8a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s180時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖9為本發明實施例二中的存儲器的形成方法的流程示意圖；
圖10a為本發明實施例二中的存儲器的形成方法在其執行步驟s150』時的俯視圖；
圖10b為圖10a所示的本發明實施例二中的存儲器的形成方法在其執行步驟s150』時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。
圖11a為本發明實施例二的存儲器的形成方法中在其執行步驟s160』時的俯視圖；
圖11b為圖11a所示的本發明實施例二的存儲器的形成方法中在其執行步驟s160』時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖12a為本發明實施例二中的存儲器的形成方法在其執行步驟s170』時的俯視圖；
圖12b為圖12a所示的本發明實施例二中的存儲器的形成方法在其執行步驟s170』時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖13a為本發明實施例三中的存儲器的俯視圖；
圖13b為圖13a所示的本發明實施例三中的存儲器沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖14a為本發明實施例四中的存儲器的俯視圖；
圖14b為圖14a所示的本發明實施例四中的存儲器沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖15a為本發明實施例五中的半導體器件的俯視圖；
圖15b為圖15a所示的本發明實施例五中的半導體器件沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖；
圖16為本發明實施例六中的半導體器件的俯視圖；
其中，附圖標記如下：
100/200-襯底；
110/210-有源區；
111-第一區域；
111a/211a-位線接觸區；
112-第二區域；
112a/212a-存儲節點接觸區；
120/220-隔離結構；
130-字線掩膜；
130a-開口；
140/240-字線導體；
140a-字線溝槽；
141-柵介質層；
142-柵極電極層；
150/250-第一隔離線；
151/251-第一隔離屏障；
152/252-凹槽；
160/260-位線；
160a-位線溝槽；
170/170』/270/270』-間隔絕緣層；
180/180』/280/280』-第二隔離線；
180a』/280a』-隔離層；
180b』/280b』-掩膜蓋層；
181/181』/281/281』-第二隔離屏障；
190/190』/290/290』-導電層；
190a/190a』/290a/290a』-接觸窗；
192/292-導電層分割線；
300-襯底；
310-第一引出區；
320-第一隔離屏障；
321-凹槽；
330/330』-第二隔離屏障；
340/340』-接觸窗；
350/350』-導電層；
360-第二引出區。
具體實施方式
承上所述，在傳統的存儲器的形成方法中需利用多道光刻工藝，從而在存儲器的製備中需花費較高的成本，同時在多道光罩的重疊和對準偏差的情況下，不僅容易導致器件中部分組件之間的接觸異常的問題，並且也不利於實現存儲器尺寸的縮減。
為此，發明提供一種存儲器的形成方法，包括：
提供一襯底，所述襯底中定義有多個相對於第一方向傾斜延伸的有源區，所述有源區上定義有一用於形成第一接觸區的第一區域和多個用於形成第二接觸區的第二區域，多個所述第二區域延伸在所述有源區的延伸方向上且位於所述第一區域的兩側；
形成一字線掩膜在所述襯底上，所述字線掩膜中形成有多個對應字線導體且沿所述第一方向延伸的開口；
形成多條字線導體在對應所述開口的所述襯底中，在所述字線導體的兩側分布有多個沿所述第一方向排布的所述第二區域；
對準所述字線導體形成一第一隔離線在所述襯底上，所述第一隔離線填充所述開口以覆蓋所述字線導體，所述第一隔離線沿著所述第一方向延伸，用於構成一在所述字線掩膜中的第一隔離屏障；
形成多個對應位線的位線溝槽在所述襯底上的所述字線掩膜中，所述位線溝槽交錯地穿越所述第一隔離線；
形成多條位線在所述位線溝槽中，所述位線的表面低於所述位線溝槽的頂表面，所述位線與相應的有源區相交，以使所述相應的有源區中的所述第一接觸區連接至所述位線上，其中，分布在所述字線導體的同一側的多個所述第二區域中，兩個相鄰的所述第二區域分別位於所述位線的兩側；
對準所述位線形成一第二隔離線在所述襯底上，所述第二隔離線填充所述位線溝槽以覆蓋所述位線，所述第二隔離線沿著所述第二方向延伸，並與所述位線共同用於構成一在所述字線掩膜中的第二隔離屏障；
以所述第一隔離屏障和所述第二隔離屏障為二次掩膜，局部去除所述字線掩膜以暴露出所述第二接觸區，所述第一隔離屏障和所述第二隔離屏障相交以共同界定出多個接觸窗，每一所述第二接觸區對應一個所述接觸窗；以及，
形成一導電層在所述襯底上，所述導電層填充所述接觸窗用於構成存儲節點接觸。
本發明提供的存儲器的形成方法中，在形成字線導體後，可直接利用定義字線導體的字線掩膜自對準地形成一覆蓋字線導體的第一隔離線，所述第一隔離線構成一第一隔離屏障；以及，在形成位線之後，利用位線與位線溝槽之間的高度差，自對準地形成覆蓋位線的第二隔離線，利用所述第二隔離線和位線構成一第二隔離屏障；從而在利用第一隔離線和第二隔離線為掩膜去除所述字線掩膜後，可形成由第一隔離屏障和第二隔離屏障所界定出的多個接觸窗，並且每一所述第二接觸區對應一個所述接觸窗。即，在自對準形成的第一隔離屏障和第二隔離屏障的界定下能夠直接定義出對應存儲節點接觸的接觸窗。
與傳統的利用光刻工藝定義出存儲節點接觸窗的方法相比，本發明提供的存儲器的形成方法中在定義存儲節點接觸的接觸窗時，不需要再額外利用一道光刻工藝，減少了光刻工藝的執行次數，有利於簡化工藝並節省製備成本，同時可改善多道光刻工藝而產生的位移偏差的問題。
以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的存儲器及其形成方法、半導體器件作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
實施例一
圖1為本發明實施例一中的存儲器的形成方法的流程示意圖，如圖1所示，本實施例示出的存儲器的形成方法中，直接利用由第一隔離屏障和第二隔離屏障所界定出的接觸窗，並在第一隔離屏障和第二隔離屏障的限定下，可使導電層對準地填充在所述接觸窗中，以構成存儲節點接觸。與傳統的方法相比，本實施例中，在定義對應存儲節點接觸的接觸窗時，不需要在額外利用一道光刻工藝。以下結合附圖1對本實施例中的存儲器的形成方法進行詳細說明。
圖2a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s110時的俯視圖，圖2b為圖2a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s110時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。其中，圖2b中的aa』方向上的剖面圖即為在有源區的延伸方向上的有源區的剖面圖；圖2b中的bb』方向上的剖面圖即為對應後續需形成的字線導體位置的剖面圖；圖2b中的cc』方向上的剖面圖即為對應相鄰的字線導體之間的剖面圖。
在步驟s110中，參考圖2a和圖2b所示，提供一襯底100，所述襯底100上定義有多個相對於第一方向傾斜延伸的有源區110，所述有源區110上定義有一用於形成第一接觸區的第一區域111和多個用於形成第二接觸區的第二區域112；多個所述第二區域112延伸在所述有源區110的延伸方向上且位於所述第一區域111的兩側。其中，所述第一區域的面積大於等於後續所形成的第一接觸區的面積；以及第二區域的面積大於等於後續所形成的第二接觸區的面積。本實施例中，所述第一接觸區為對應位線接觸的位線接觸區111a，用於連接至位線，所述第二接觸區為對應存儲接觸節點接觸的存儲節點接觸區112a，用於連接至存儲電容器。
進一步的，本實施例中，一個有源區110中定義有一個第一區域111和兩個第二區域112，所述第一區域111位於所述有源區110的在垂直於其延伸方向上的中心線位置，兩個所述第二區域112位於所述第一區域111的兩側。
具體的參考圖2a所示，所述有源區11沿著z方向延伸。具體的，所述有源區的延伸方向(z方向)與第一方向之間的銳角夾角可以為50°～70°，例如為60°。進一步的，本實施例中，多個所述有源區110呈多行排布，有源區110傾斜延伸，因此在同一行有源區110中可使相鄰的有源區110在垂直於行方向的投影具有部分重合，如此一來，可有利於提高有源區陣列的密集程度。
繼續參考圖2a和圖2b所示，所述襯底100中還形成有多個隔離結構120，所述隔離結構120位於有源區110的外圍，用於對相鄰的有源區110進行隔離。也可以理解的是，通過形成所述隔離結構120進而定義出所述有源區110。其中，所述隔離結構120可以為溝槽隔離結構。
進一步的，所述有源區110用於形成存儲單元，所述存儲單元例如為存儲電晶體。在後續的工藝製程中，可對所述第一區域111和第二區域112的襯底執行離子摻雜工藝，以分別形成離子摻雜區，對應第一區域111的離子摻雜區可構成所述存儲電晶體的源區，進而可構成存儲器的第一接觸區111a；對應第二區域112的離子摻雜區可構成所述存儲電晶體的漏區，進而可構成存儲器的第二接觸區112a。其中，所述離子摻雜工藝可以在形成字線導體之前執行，也可以在形成字線導體之後執行。
本實施例中，在製備字線導體之前，先在有源區110的襯底中形成位線接觸區111a和存儲節點接觸區112a。如圖2b所示，可通過執行離子摻雜工藝，同時在第一區域111的襯底中形成位線接觸區111a，以及在第二區域的112的襯底中形成存儲節點接觸區112a。當然，在其他實施例中，在形成字線導體之後的後續步驟中，當暴露出第一區域111的襯底時，即可執行摻雜工藝以形成位線接觸區111a，以及當暴露出第二區域112的襯底時，即可執行摻雜工藝以形成存儲節點接觸區112a。
圖3a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s120時的俯視圖，圖3b和圖3c為圖3a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s120過程中沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。
在步驟s120中，具體參考圖3a-圖3c所示，形成一字線掩膜130在所述襯底100上，所述字線掩膜130中形成有多個對應字線導體且沿第一方向(y方向)延伸的開口130a，並形成多條字線導體140在對應所述開口130a的所述襯底100中，在所述字線導體140的兩側分布有多個沿所述第一方向排布的所述第二區域112。
其中，所述字線掩膜130不僅用於定義出字線導體140的圖形，並且，在本發明提供的形成方法中，在形成字線導體140之後仍保留所述字線掩膜130，從而可利用所述字線掩膜130的開口130a自對準地形成第一隔離線。具體參考圖3a所示，在形成所述字線導體140之後，則可使多個第二區域112被布置在所述字線導體140的兩側，從而在利用所述字線掩膜130自對準地在字線導體140上形成所述第一隔離線後，即可利用所述第一隔離線使字線導體140兩側的第二區域112相互隔離。
以及，在後續製備位線時，所述字線掩膜130還可為位線提供一形成基底，使對應位線的部分位線溝槽形成在所述字線掩膜130中，因此，所述字線掩膜130的高度將間接決定位線溝槽的深度。基於此，本實施例中，可形成具有預定高度的字線掩膜130，從而使後續形成在字線掩膜130中的部分位線溝槽的深度值大於後續所形成的位線的高度值，即，位線不會完全填充整個位線溝槽，進而可利用位線上方的位線溝槽自對準地填充隔離材料。其中，所述字線掩膜130的預定高度可根據實際狀況進行調整，例如可根據位線的高度的進行調整等。
此外，本實施例中，所述字線掩膜130還可進一步作為後續的刻蝕停止層或研磨停止層。即，後續在位線上沉積隔離材料時，部分的隔離材料會覆蓋所述字線掩膜130，此時，可在字線掩膜130的阻擋下，利用回刻蝕工藝或化學機械研磨工藝去除字線掩膜130頂部的隔離材料。在此過程中，由於字線掩膜130具備預定高度，所述預定高度界定出在研磨工藝(或回刻蝕工藝)之後的位線和位線頂部的隔離材料的總高度，因此，利用具備預定高度的字線掩膜130作為研磨停止層(或刻蝕停止層)，不僅可使字線掩膜130頂部的隔離材料能夠被完全去除，同時還可確保位線溝槽的深度，確保位線上方仍然覆蓋有隔離材料，避免了位線溝槽中的隔離材料被完全去除。
進一步的，所述字線掩膜130可利用光刻工藝和刻蝕工藝形成，例如：首先，在所述襯底100上形成掩膜材料層；接著，利用光刻工藝，在所述掩膜材料層上形成一圖形化的光刻膠，所述圖形化的光刻膠對應後續需形成的字線導體的圖形；再接著，利用刻蝕工藝，以所述光刻膠為掩膜刻蝕所述掩膜材料層以形成字線掩膜130，使所形成的字線掩膜130中形成有對應字線導體的開口130a。可選的方案中，在形成所述字線掩膜130之後，可進一步執行灰化工藝去除所述光刻膠。
此外，所述字線掩膜130可以為多層結構。本實施例中，所述字線掩膜130分別包括一掩膜底層131和一掩膜犧牲層132。所述掩膜底層131覆蓋所述襯底，不僅可用於構成字線掩膜，並且在後續的工藝中還被局部保留，用於遮蓋第一區域111中的第一接觸區111a顯露在接觸窗190a中的部分。所述掩膜犧牲層132用於預留後續所形成的存儲節點接觸的部分形成空間。在製備多層結構的字線掩膜130時，可相應的依次形成多層材料層在所述襯底上，多層材料層構成所述掩膜材料層，從而可直接利用一道光刻工藝依次對多層材料層進行刻蝕。
本實施例中，所述字線導體140為掩埋字線，即所述字線導體140的表面不高於所述襯底100的表面。進一步的，使所述字線導體140的表面低於所述襯底的表面。具體的，所述字線導體140通過字線掩膜130所定義出的字線導體的圖形，並結合刻蝕工藝和沉積工藝形成，包括：
第一步驟，具體參考圖3a和圖3b所示，形成字線掩膜130在所述襯底100上，所述字線掩膜130上形成有多個開口130a以暴露出對應字線導體的所述襯底100；本實施例中，需形成的字線導體140為沿著第一方向(y方向)延伸，因此，所述開口130a相應的也沿著第一方向延伸；
第二步驟，繼續參考圖3b所示，以所述字線掩膜130為掩膜刻蝕所述襯底100，以形成一字線溝槽140a在所述襯底100中，所述字線溝槽140a即對應所述開口130a；
第三步驟，具體參考圖3a和圖3c所示，在所述字線溝槽140a中填充字線材料，以形成沿所述第一方向(y方向)延伸的字線導體140；具體的，所述字線材料包括一柵介質層141和一柵極電極層142，所述柵介質層141形成在所述字線溝槽140a的側壁和底部，所述柵極電極層142形成在所述柵介質層141上並填充所述字線溝槽140a；其中，所述柵介質層141例如為氧化層、氮化層或氮氧化層等，所述柵極電極層142例如可以為多晶矽層或者金屬層等；
第四步驟，為確保所形成的字線導體140的表面不高於所述襯底100的表面，則在沉積有字線材料之後，還可進一步對所述字線材料執行回刻蝕工藝，以控制所形成的字線導體140的高度，即，使最終所形成的字線導體140的表面不高於所述字線溝槽140a的頂表面。
由於所述字線導體140的表面不高於所述字線溝槽140a的頂表面，從而，在後續的工藝中，可直接利用字線掩膜130的開口130a和字線溝槽140a，自對準地在字線導體140上形成第一隔離線，不僅可確保所形成的第一隔離線能夠完全覆蓋所述字線導體140，避免字線導體140的側壁被暴露出，以防止字線導體140與後續所形成的位線接觸以及存儲節點接觸電連接。
此外，如圖3a所示，所形成的字線導體140與有源區110相交，從而可使有源區110上的存儲電晶體的柵極結構連接至相應的字線導體140上。本實施例中，存儲電晶體的柵極結構和所述字線導體同時形成，即，位於有源區110中的字線材料同時構成存儲電晶體的柵極結構和字線導體。進一步的，所述柵極結構形成在所述第一區域111和所述第二區域112之間。
圖4a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s130時的俯視圖，圖4b為圖4a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s130時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。
在步驟s130中，具體參考圖4a和圖4b所示，對準所述字線導體140形成一第一隔離線150在所述襯底100上，所述第一隔離線150填充所述開口130a以覆蓋所述字線導體140。具體的，所述第一隔離線150對準覆蓋所述字線導體140並沿著第一方向(y方向)延伸，以構成一在所述字線掩膜130中的第一隔離屏障。
具體參考圖4b所示，所述第一隔離線150填充開口130a並延伸至字線溝槽140a中，以覆蓋所述字線導體140，從而可對字線導體140進行更好的電性隔離。並且，所述第一隔離線150填充所述開口130a，即，所述第一隔離線150的表面高於襯底100的表面。
此外，在後續所形成的對應位線的位線溝槽中，由於位線溝槽會交錯地穿越所述第一隔離線150，從而會使所形成的位線也相應的與第一隔離線150交錯相交，因此，為進一步確保後續所形成的第二隔離線能夠對準的覆蓋位線150，還可對第一隔離線150的高度進行調整。具體的，可使第一隔離線150的高度高於後續所形成的位線的高度，例如，可使所述第一隔離線150的表面不低於所述字線掩膜130的表面，本實施例中，使所述第一隔離線150的表面和所述字線掩膜130的表面齊平或接近齊平(例如，二者的高度差小於字線掩膜高度的10％)。
本實施例中，可結合化學機械研磨工藝形成與所述字線掩膜130等高的第一隔離線150，其形成方法例如為：首先，沉積第一隔離材料層在所述襯底100上，所述第一隔離材料層填充所述字線溝槽140a和所述開口130a，並覆蓋所述字線掩膜130；接著，去除位於所述字線掩膜130頂部的所述第一隔離材料層，使剩餘的所述第一隔離材料層僅填充在所述開口中，以構成所述第一隔離線150。其中，在去除位於所述字線掩膜130頂部的所述第一隔離材料層時，可利用所述字線掩膜130作為研磨停止層執行化學機械研磨工藝；或者，也可以利用所述字線掩膜130為刻蝕停止層執行回刻蝕工藝。具體的，可根據所述第一隔離材料層和所述字線掩膜130的材質選擇相應的去除方式，例如，當所述第一隔離材料層的材質為氧化矽，所述字線掩膜130靠近頂部部分的材質氮化矽時，則可利用化學機械研磨工藝去除部分所述第一隔離材料層；當所述第一隔離材料層的材質為氮化矽，所述字線掩膜130靠近頂部部分的材質為氧化矽時，則可利用回刻蝕工藝去除部分所述第一隔離材料層。
圖5a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s140時的俯視圖，圖5b和圖5c為圖5a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s140過程中沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。
在步驟s140中，具體參考圖5a-圖5c所示，形成多個對應位線且沿第二方向(x方向)延伸的位線溝槽160a在所述襯底100上的所述字線掩膜130中，所述位線溝槽160a交錯地穿越所述第一隔離線150，，並形成多條位線160在所述位線溝槽160a中，所述位線160的表面低於所述位線溝槽160a的頂表面，所述位線160與相應的有源區110相交，以使所述相應的有源區110中的所述位線接觸區111a連接至所述位線160上，其中，分布在所述字線導體140的同一側的多個所述第二區域112中，兩個相鄰的所述第二區域112分別位於所述位線160的兩側。
即，字線掩膜130構成一用於製備位線160的基底，進而可在所述基底上形成位線溝槽160a，並在所述位線溝槽160a中形成位線160，所述位線溝槽160a交錯地穿越所述第一隔離線150，相應的，可使所形成的位線160交錯穿越所述第一隔離線150。
如圖5a所示，在兩條相鄰的所述字線導體140之間，相鄰的所述第二區域112分別位於所述位線160的兩側。具體的說，所述字線導體140沿著第一方向延伸，從而在垂直於第一方向上的兩個相鄰的第二區域112分別位於字線導體140的兩側，以及，所述位線160的延伸方向與所述字線導體140的延伸方向相交(第一方向和第二方向相交)，從而使沿著第一方向排布的兩個相鄰的第二區域112分別位於所述位線160的兩側。即，對應字線導體140的區域和對應位線160的區域相互交錯，以界定出多個對應存儲節點接觸區112a的空間。
如上所述，本實施例中，通過調整字線掩膜130和位線160的高度，以使所形成的位線160的表面低於所述位線溝槽160a的頂表面，從而可利於預留出的位線溝槽160a自對準地在位線160頂部形成一對應位線160的第二隔離線，對準覆蓋在位線160上方的第二隔離線可用於對位線160進行電性隔離。
此外，參考圖5c所示，所形成的位線160交錯穿越所述第一隔離線150，並且，位線160的底部高於所述第一隔離線150的底部，從而可利用所述第一隔離線150對位線160和字線140進行隔離。優選的方案中，可進一步對位線160中的不同區段的厚度進行調整，確保字線140和位線160之間保持一絕緣距離，具體的，所述位線160在所述第二隔離屏障181交錯所述第一隔離屏障151的第一區段具有第一厚度，所述位線160在所述第二隔離屏障181未交錯所述第一隔離屏障151的第二區段具有第二厚度，所述第一厚度小於所述第二厚度。即，使所述位線160中對應字線140位置的第一區段的厚度，小於所述位線160中不對應字線位置的第二區段的厚度，從而在第一區段和第二區段的表面高度齊平的基礎上，可使第一區段的位線與字線之間具備較大的絕緣距離。
具體參考圖5a所示，可直接利用光刻工藝和蝕刻工藝以形成所述位線溝槽160a。與位線圖形相對應的，所述位線溝槽160a與相應的有源區110相交，以使所述相應的有源區110中的所述位線接觸區111a能夠通過所述位線溝槽160a暴露出，進而使位線接觸區111a連接至位線160上。此外，在暴露出位線接觸111a之後，還包括在位線接觸區111a上形成位線接觸，所述位線接觸與所述位線接觸區111a電性連接，進而所述位線接觸區111a通過所述位線接觸連接至所述位線160。
繼續參考圖5b和圖5c所示，本實施例中，通過一次光刻工藝同時形成對應位線接觸和位線160的位線溝槽160a，從而可進一步在形成位線160的同時形成位線接觸。可以理解的是，本實施例中，部分位線直接構成所述位線接觸，即對應所述位線接觸區111a的位線構成所述位線接觸。其中，所述位線160可包括一擴散阻擋層和一導電層。
進一步的，在形成位線160之前，還包括形成間隔絕緣層170在所述位線溝槽160a的側壁上，利用所述間隔絕緣層170使後續所形成的存儲節點接觸和位線160電性隔離。其中，所述間隔絕緣層170可結合沉積工藝和回刻蝕工藝形成，具體包括：首先，沉積一絕緣材料層在所述襯底上，所述絕緣材料層覆蓋所述字線掩膜130和第一隔離線150的頂部，並覆蓋所述位線溝槽160a的底部和側壁；接著，利用回刻蝕工藝，去除位於字線掩膜130和第一隔離線150頂部的絕緣材料層，以及去除位於位線溝槽160a底部的絕緣材料層，並保留位於位線溝槽160a側壁上的絕緣材料層，以構成所述間隔絕緣層170。
圖6a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s150時的俯視圖，圖6b為圖6a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s150時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。
在步驟s150中，具體參考圖6a和圖6b所示，對準所述位線140形成一第二隔離線180在所述襯底100上，所述第二隔離線180填充所述位線溝槽160a以覆蓋所述位線160，其中，所述第二隔離線180沿著所述第二方向(x方向)延伸，並與所述位線共同用於構成一在所述字線掩膜130中的第二隔離屏障181。本實施例中，所述第二隔離屏障181的表面不低於第一隔離屏障151的表面。
如上所述，對應字線導體的區域和對應位線的區域相互交錯，以界定出多個對應有存儲節點接觸區112a的空間，相應的，所述第一隔離屏障151和所述第二隔離屏障181相交，以共同界定出多個對應有所述存儲節點接觸區112a的區域。
參考圖6a和圖6b所示，在位線溝槽160a的側壁上還形成有間隔絕緣層170，因此，本實施例中，所述間隔絕緣層170、位線160和所述第二隔離線180共同組合以構成所述第二隔離屏障181。其中，所述第二隔離線180可採用一絕緣材料形成，並可結合平坦化工藝自對準地形成第二隔離線180在所述位線溝槽160a中。具體的：
首先，沉積一第二隔離材料層在所述襯底100上，所述第二隔離材料層填充位線溝槽160a，並覆蓋字線掩膜130和第一隔離線150的頂部；其中，所述第二隔離材料層可採用與所述第一隔離材料層相同的材質形成，例如，所述第二隔離材料層和所述第一隔離材料層可均採用氮化矽構成；
接著，結合圖6a和圖6b所示，去除位於所述字線掩膜130頂部的第二隔離材料層，使剩餘的第二隔離材料層僅填充在所述位線溝槽160a中，以構成所述第二隔離線180。進一步的，可利用回刻蝕工藝或化學機械研磨工藝去除部分第二隔離材料層，在此過程中，所述字線掩膜130可作為刻蝕停止層或研磨停止層，使回刻蝕過程或研磨過程能夠自動的停止在字線掩膜130的頂部位置，此時，剩餘的第二隔離材料層的表面與所述字線掩膜130的表面齊平，即所述第二隔離線180的表面與所述字線掩膜130的表面齊平。
即，本實施例中，在形成第一隔離線150和第二隔離線180時，可均利用字線掩膜130作為研磨停止層或刻蝕停止層，以執行相應的研磨工藝或回刻蝕工藝，進而使所形成的第一隔離線150和第二隔離線180的表面齊平。
圖7a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s160時的俯視圖，圖7b為圖7a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s160時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。
在步驟s160中，具體參考圖7a和圖7b所示，以所述第二隔離屏障181和所述第一隔離屏障151為二次掩膜，局部去除所述字線掩膜以暴露出所述存儲節點接觸區112a，所述第一隔離屏障151和所述第二隔離屏障181相交以共同界定出多個接觸窗190a，每一所述第二接觸區112a對應一個所述接觸窗190a。。即，在局部去除字線掩膜後，存儲節點接觸區112a通過所述接觸窗190a暴露出。
其中，所述第二隔離屏障181的表面不低於所述第一隔離屏障151的表面，本實施例中，所述第二隔離屏障181的表面和所述第一隔離屏障151的表面齊平。因此，由所述第二隔離屏障181和所述第一隔離屏障151所界定出的接觸窗190a在各個方向上的側壁高度均一致。
本實施例中，所述字線掩膜包括掩膜底層和掩膜犧牲層，因此，在該步驟中，可使掩膜犧牲層和部分掩膜底層被去除，從而界定出存儲節點接觸的形成區域。其中，未被去除的部分掩膜底層，用於覆蓋所述接觸窗190a中的所述第一區域111中的第一接觸區111a，即，在可能的情況下，接觸窗190a會對應部分第一區域111，以及會進一步對應第一區域111中的部分第一接觸區111a，此時，可利用保留下的掩膜底層覆蓋對應所述接觸窗190a的第一接觸區111a，避免後續所形成的存儲節點接觸與位線接觸區電性連接。
進一步的，在執行刻蝕工藝以局部去除字線掩膜使，對所述掩膜底層、第一隔離線和第二隔離線的刻蝕選擇比相近(例如，所述掩膜底層、所述第一隔離線和所述第二隔離線的刻蝕選擇比小於1：3：3)，進一步的，掩膜底層可採用與第一隔離線和第二隔離線相同的材質形成，例如均為氮化矽。
圖8a為本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s170時的俯視圖，圖8b為圖8a所示的本發明實施例一中的存儲器的形成方法在其執行步驟s180時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。
在步驟s170中，具體參考圖8a和圖8b所示，形成一導電層190在所述襯底100上，所述導電層190對準地填充在所述接觸窗190a中，以構成所述存儲節點接觸。
如上所述，每一所述第二接觸區對應一個所述接觸窗190a，因此，每一所述存儲節點接觸區112a也與自對準地填充在所述接觸窗190a中的導電層190相對應，進而可直接構成所述存儲節點接觸，並且相鄰的存儲節點接觸之間通過所述第一隔離屏障151和所述第二隔離屏障181相互隔離。
其中，所述導電層190可利用沉積工藝和化學機械研磨工藝形成，或利用沉積工藝和回刻蝕工藝形成。具體可參考如下方法：
首先，形成一導電材料層在所述襯底100上，所述導電材料層填充所述接觸窗190a並覆蓋所述第一隔離屏障151和第二隔離屏障181；
接著，去除位於所述第一隔離屏障151頂部的所述導電材料層和位於所述第二隔離屏障181頂部的所述導電材料層，使剩餘的導電材料層僅填充在所述接觸窗190a中以形成所述導電層190，在形成有存儲節點接觸區112a的接觸窗中的所述導電層190構成所述存儲節點接觸；其中，在去除部分導電材料層時，可利用所述第一隔離屏障151和所述第二隔離屏障181為刻蝕停止層執行回刻蝕工藝；此外，本實施例中，所述第一隔離屏障151和所述第二隔離屏障181的表面齊平，因此，也可直接利用平坦化工藝形成所述導電層，例如，可利用所述第一隔離屏障151和所述第二隔離屏障181為研磨停止層執行化學機械研磨工藝。
可見，通過自對準形成的接觸窗190a，並利用第一隔離屏障151和第二隔離屏障181作為刻蝕停止層或研磨停止層，能夠自對準地在接觸窗190a中形成導電層190以構成存儲節點接觸。與傳統的製備工藝相比，本發明提供的形成方法中，不需要在額外的利用一道光刻工藝定義出對應存儲節點接觸的接觸窗，節省了一道光刻工藝，有利於簡化工藝並節省製備成本。並且，避免過多的光罩在相互疊加時出現的多重偏移偏差的疊加，有利於提高所形成的存儲節點接觸與存儲節點接觸區之間的對準精度，同時，與傳統的利用光刻工藝定義出的孔狀接觸窗相比，本實施例中，在第一隔離屏障和第二隔離屏障的界定下，使存儲節點接觸的邊界能夠延伸至第一隔離屏障和第二隔離屏障的側壁位置，大大增加了存儲節點接觸的面積，有利於減小存儲節點接觸和存儲節點接觸區之間的接觸電阻。
實施例二
與實施例一的區別在於，本實施例的存儲器的形成方法中，對應字線導體的第一隔離屏障的表面高於對應位線的第二隔離屏障的表面，從而可利用第一隔離屏障自對準地形成一連續的導電層，所述導電層沿著第一方向延伸，進而在製備存儲節點接觸時，有利於調整存儲節點接觸的延伸方向。與傳統的形成方法相比，本實施例中，不需要利用光刻工藝額外形成一再分配層以對存儲節點接觸的延伸方向進行調整，有利於簡化工藝。
圖9為本發明實施例二中的存儲器的形成方法的流程示意圖，如圖9所示，在本實施例中，對應位線的第二隔離屏障的表面低於所述第一隔離屏障的表面，即，第二隔離線的表面也相應的低於所述第一隔離線的表面。因此，在形成第二隔離線之前的步驟(包括，步驟s110-步驟s140)與實施例一類似，可直接參考上述實施例(參考圖2a-5c所示)，此處不做贅述。本實施例中僅針對形成位線之後的步驟(步驟s150』-步驟s170』)進行詳細說明，其中，形成位線之後的襯底的結構可參考圖5a-圖5c所示。此外，在形成表面低於第一隔離線的第二隔離線時，可以在去除字線掩膜之前(即，步驟s160』之前)，直接形成具有較低表面的第二隔離線；也可以在去除字線掩膜之後(即，步驟s160』之後)，接著對第二隔離線進行刻蝕，以調整第二隔離線的高度。本實施例中，以在去除字線掩膜之前直接形成具有較低表面的第二隔離線為例，進行解釋說明。
圖10a為本發明實施例二中的存儲器的形成方法在其執行步驟s150』時的俯視圖，圖10b為圖10a所示的本發明實施例二中的存儲器的形成方法在其執行步驟s150』時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。需說明的是，圖10a中僅示意性的示出了部分的有源區。
在步驟s150』中，具體參考圖10a和圖10b所示，形成一第二隔離線180』在所述襯底100上，所述第二隔離線180』填充所述位線溝槽160a以覆蓋所述位線160，所述第二隔離線180』沿著所述第二方向(x方向)延伸，並與所述位線160共同用於構成一第二隔離屏障181』，且所述第二隔離屏障181』的表面低於所述第一隔離屏障151的表面。
其中，所述第一隔離線150沿著所述第一方向(y方向)延伸用於構成所述第一隔離屏障151，由於所述第二隔離屏障181』的表面低於所述第一隔離屏障151的表面，因此，兩條相鄰的第一隔離屏障151可界定出一沿著第一方向(y方向)延伸的空間，在後續的工藝中，可在所述空間中自對準地形成一沿著第一方向(y方向)延伸的連續的導電層。
此外，所述第二隔離線180』可以為單層結構也可以為疊層結構，本實施例中採用疊層結構的第二隔離線180』。具體的，所述第二隔離線180』的形成方法可參考如下步驟：
第一步驟，形成一隔離層180a』在所述襯底100上，所述隔離層層180a』覆蓋所述位線溝槽160a的底部和側壁以覆蓋所述位線160；
第二步驟，填充一掩膜蓋層180b』在位線溝槽中，所述掩膜蓋層180b』的表面低於所述第一隔離線150的表面，具體可利用回刻蝕工藝調整所述掩膜蓋層180b』的高度，位於所述位線溝槽160a中的所述掩膜蓋層180b』和所述隔離層180a』構成所述第二隔離線180』。
其中，還可在形成掩膜蓋層180b』之後，進一步利用所述掩膜蓋層180b』定義出所述隔離層180a』的高度，即在形成掩膜蓋層180b』之後，以所述掩膜蓋層180b』為刻蝕停止層執行回刻蝕工藝去除部分隔離層180a』，使剩餘的隔離層180a』僅形成在位線溝槽160a中，並不高於所述掩膜蓋層180b』。
繼續參考圖10a和圖10b所示，與實施例一類似的，本實施例中，所述間隔絕緣層170』、第二隔離線180』和所述位線160共同構成所述第二隔離屏障181』，因此，在該步驟中，還可相應的對間隔絕緣層170』進行刻蝕，並使間隔絕緣層170』的表面不高於所述掩膜蓋層180b』的表面，進而確保所述第二隔離屏障181』的表面低於所述第一隔離屏障151的表面。
圖11a為本發明實施例二的存儲器的形成方法中在其執行步驟s160』過程中的俯視圖，圖11b為圖11a所示的本發明實施例二的存儲器的形成方法中在其執行步驟s160』過程中沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。
步驟s160』中，具體參考圖11a和圖11b所示，以所述第二隔離線180a』和所述第一隔離線150為掩膜，去除所述字線掩膜以暴露出所述第二接觸區112a，其中，兩條相鄰的所述第一隔離屏障151之間的間隔界定出一沿著所述第一方向(y方向)延伸的凹槽152，所述凹槽152中對應有多個頂部相互連通的所述接觸窗190a』。所述接觸窗190a』由第一隔離屏障151和第二隔離屏障181』相交而界定出。
即，與實施例一的區別在於，本實施例中，由於第一隔離屏障151的表面高於所述第二隔離屏障181』的表面，因此，由第一隔離屏障151和第二隔離屏障181』所界定出的接觸窗190a』中，所述接觸窗190a』在第一方向(y方向)的側壁高度小於其在第二方向(x方向)上的側壁高度，即，在第一方向上相鄰的接觸窗190a』的頂部相互連通。
圖12a為本發明實施例二中的存儲器的形成方法在其執行步驟s170』時的俯視圖，圖12b為圖12a所示的本發明實施例二中的存儲器的形成方法在其執行步驟s170』時沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。
在步驟s170』中，具體參考圖12a和圖12b所示，形成一導電層190』在所述襯底100上，所述導電層190』填充在所述凹槽152中，並且位於同一所述凹槽152中的多個所述接觸窗190』中的所述導電層190』相互連接。即，在同一凹槽152中，所述導電層190』覆蓋所述第二隔離屏障181』，以使多個位於所述接觸窗190』中的所述導電層190』相互連接，所述導電層190』用於後續形成存儲節點接觸。
如圖12a所示，在所述凹槽152中，所述導電層190』沿著第一方向連續延伸，此外，由於第二隔離線180』的表面低於所述第一隔離線150的表面，因此，在第一隔離線180』和第二隔離線150相交的區域上也覆蓋有所述導電層190』。
本實施例中，所述導電層190』可利用沉積工藝和平坦化工藝形成，所述平坦化工藝例如為化學機械研磨工藝或回刻蝕工藝。具體的，所述導電層190』的形成步驟包括：
步驟一，形成一導電材料層在所述襯底100上，所述導電材料層100填充所述凹槽152並覆蓋所述第一隔離屏障151和所述第二隔離屏障181』；
步驟二，可利用平坦化工藝，去除位於所述第一隔離屏障151頂部的所述導電材料層，使剩餘的所述導電材料層僅填充在所述凹槽152中以構成所述導電層190』，且所述導電層190』覆蓋所述第二隔離屏障181』，使位於同一所述凹槽152中的多個所述接觸窗190a』中的所述導電層190』相互連接；在該步驟中，可利用所述第一隔離屏障151作為刻蝕停止層執行回刻蝕工藝，以使導電材料層僅形成在凹槽152中，或者，也可利用所述第一隔離屏障151為研磨停止層執行化學機械研磨工藝等。
可選的方案中，在形成所述導電層190』之前，還可先去除所述第二隔離線180』中的掩膜蓋層180b』，接著再形成所述導電層190』，此時，所述導電層190』覆蓋所述第二隔離線180』中的隔離層180a』，從而可使凹槽152中兩個相鄰的接觸窗190a』之間的導電層190』具有較大的連接空間，確保所述導電層190』能夠在凹槽152中形成一連續的膜層。當然，由於第二隔離線180』的表面低於所述第一隔離線150，因此，也可以不去除所述掩膜蓋層180b』，只要所形成的導電層190』能夠在凹槽152中形成一連續的膜層即可。
本實施例中，保留掩膜蓋層180b』，從而使所形成的導電層190』覆蓋所述第二隔離線180』中的掩膜蓋層180b』。進一步的，所述掩膜蓋層180b』可採用一導電材料形成，且所述掩膜蓋層180b』的導電材料和所述導電層190』的導電材料相同，從而在形成所述導電層190』之後，所述掩膜蓋層180b』與所述導電層190』可相互連接以共同用於形成存儲節點接觸。
本實施例所提供的存儲器的形成方法中，可在界定出對應有第二接觸區的接觸窗的基礎上，進一步利用第一隔離屏障和第二隔離屏障的高度差，使在第一隔離屏障所界定出的凹槽中，對應有多個頂部相互連通的接觸窗，進而可在該凹槽中形成一沿第一方向延伸的連續的導電層。如此一來，在對所述導電層利用相關的分割技術製備存儲節點接觸時，可直接對存儲節點接觸的延伸方向進行調整，以便於進一步對後續所形成的電容器的排布方式進行調整。
例如，可參考圖12a所示，其中導電層分割線192示意性的示出一種對導電層190』的分割方法，即，通過相應的分割技術，使分割後的各個導電層190』之間相互斷開，並且與第二接觸區(存儲節點接觸區112a)對應連接的導電層190』構成存儲節點接觸。此外，可使位於同一凹槽152中的對應不同接觸窗190a』的存儲節點接觸在第一方向上沿著同一方向延伸，而位於相鄰的凹槽152中存儲節點接觸可在第一方向上沿著相反方向延伸，進而使所形成的存儲節點接觸相互交錯排布。
在傳統的存儲器的形成方法中，為便於與後續所形成的電容器的排布方式相契合，通常需結合光刻工藝在襯底上形成一再分配層，從而利用所述再分配層對存儲節點接觸的延伸方向進行調整。由此可見，與傳統的方法相比，本實施例提供的形成方法中，可利用導電層直接形成存儲節點接觸並對存儲節點接觸的延伸方向進行調整，而不需要再額外形成一再分配層，可減少光刻工藝的執行次數，有利於簡化工藝。
實施例三
本發明還提供了一種存儲器，所述存儲器中的對應存儲節點接觸的接觸窗直接由對應字線導體的第一隔離屏障和對應位線的第二隔離屏障界定出，從而使所界定出的接觸窗的邊界分別延伸至靠近位線和靠近字線導體的側壁位置，因此，所述接觸窗在高度方向上的投影不僅能夠覆蓋第二接觸區，並且所述接觸窗的投影面積大於第二接觸區在高度方向上的投影面積。如此，一方面，可使所形成的存儲節點接觸能夠完全與第二接觸區電性連接；另一方面，存儲節點接觸與第二接觸區之間還具有較大的接觸面積，有利於減小兩者之間的接觸電阻，提高存儲器的性能。
本實施例中，不僅利用第一隔離屏障和第二隔離屏障界定出對應存儲節點接觸的接觸窗，同時還可在所述接觸窗的限定下，自對準地形成存儲節點接觸。以下結合附圖對本實施例中的存儲器進行詳細說明。
圖13a為本發明實施例三中的存儲器的俯視圖，圖13b為圖13a所示的本發明實施例三中的存儲器沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。如圖13a和圖13b所示，所述存儲器包括：
一襯底200，所襯底200上定義有多個相對於第一方向傾斜延伸的有源區210，所述有源區210上形成有一第一接觸區和多個第二接觸區，多個所述第二接觸區延伸在所述有源區的延伸方向上且位於所述第一接觸區的兩側；本實施例中，所述第一接觸區為位線接觸區211a，第二接觸區為存儲節點接觸區212a；
多條字線導體240，形成在所述襯底200中並沿著第一方向(y方向)延伸，在所述字線導體240的兩側分布有多個沿所述第一方向排布的所述第二接觸區(存儲節點接觸區212a)，並用以區隔所述第一接觸區211a與所述第二接觸區212a；
多條第一隔離線250，形成在所述襯底200上並對準地覆蓋所述字線導體240以用於構成一第一隔離屏障251，且所述第一隔離屏障251的表面高於所述襯底200的表面；
多條位線260，形成在所述襯底200上並沿著第二方向(x方向)延伸，所述位線260與相應的有源區210相交，以使所述相應的有源區中的所述第一接觸區(位線接觸區211a)連接至所述位線260上，其中，分布在所述字線導體240的同一側的多個所述第二接觸區(存儲節點接觸區212a)中，兩個相鄰的所述第二接觸區(存儲節點接觸區212a)分別位於所述位線260的兩側；
多條第二隔離線280，形成在所述襯底200上並對準地覆蓋所述位線260，所述位線260和所述第二隔離線280共同用於構成一第二隔離屏障281，所述第一隔離屏障251和所述第二隔離屏障281相交以共同界定出多個接觸290a，多個所述接觸窗290a與多個所述第二接觸區(存儲節點接觸區212a)一一對應；
本實施例中，所述第二隔離屏障281的表面不低於所述第一隔離屏障251的表面，進一步的，可使第二隔離屏障281的表面和第一隔離屏障的表面齊平；可以理解的是，在本實施例中，接觸窗290a在各個方向上的側壁高度均一致；以及，
多個存儲節點接觸，由一導電層290形成在所述襯底100上並填充所述接觸窗290a構成。
本實施例中，所述存儲節點接觸對準地填充在所述接觸窗290a中。可以理解的是，在接觸窗290a的限定下，所述導電層290沿著第一隔離屏障251的和第二隔離屏障281的側壁對準地填充在所述接觸窗290a中，並且相鄰的導電層290利用所述第一隔離屏障和第二隔離屏障相互隔離，即，所述存儲節點接觸在所述襯底上的邊界是由所述第一隔離屏障與所述第二隔離屏障所界定的。
進一步的，所述存儲器還可進一步包括一掩膜底層(圖中未示出)，所述掩膜底層形成在襯底200上並連接所述第一隔離線250，用以遮蓋所述第一接觸區211a對應在所述接觸窗290a中的部位。可選的，所述掩膜底層、所述第一隔離線250與所述第二隔離線280包含相近刻蝕選擇比的材料，進一步的，所述掩膜底層、所述第一隔離線250與所述第二隔離線280可採用同一種材料形成，例如可均採用氮化矽形成。
此外，在所述位線260中的不同區段的位置上可相應的設置不同的厚度，確保字線240和位線260之間保持一絕緣距離，具體的，所述位線260在所述第二隔離屏障281交錯所述第一隔離屏障251的第一區段具有第一厚度，所述位線260在所述第二隔離屏障281未交錯所述第一隔離屏障251的第二區段具有第二厚度，所述第一厚度小於所述第二厚度。即，使所述位線260中對應字線240位置的第一區段的厚度，小於所述位線260中不對應字線位置的第二區段的厚度，從而在第一區段和第二區段的表面高度齊平的基礎上，可使第一區段的位線與字線之間具備較大的絕緣距離。
繼續參考圖13a和圖13b所示，所述襯底200中還形成有多個隔離結構220，所述隔離結構220位於有源區210的外圍，用於對相鄰的有源區210進行隔離。
接著參考圖13a所示，本實施例中，一個有源區210中形成有一個位線接觸區211a和兩個存儲節點接觸區212a。其中，所述位線接觸區211a位於所述有源區210的在垂直於其延伸方向上的中心線位置，兩個所述存儲節點接觸區212a位於所述位線接觸區211a的兩側。
具體的，所述有源區210沿著z方向延伸。所述有源區的延伸方向(z方向)與第一方向之間的銳角夾角可以為50°～70°，例如為60°。進一步的，多個所述有源區210呈多行排布，有源區210傾斜延伸，因此在同一行有源區210中可使相鄰的有源區110在垂直於行方向的投影具有部分重合，如此一來，可有利於提高有源區陣列的密集程度。
本實施例中，所述字線導體240為掩埋字線，即，在襯底200中形成有一字線溝槽240a，所述字線導體240形成在所述字線溝槽240中。其中，所述字線導體240與相應的有源區210相交，以使有所述相應的源區210中的柵極結構連接至所述字線導體240上，本實施例中，位於有源區中210中的字線導體240同時構成存儲電晶體的柵極結構。此外，所述字線導體240的表面可低於所述字線溝槽240a的頂表面，從而使對準覆蓋在字線導體240上方的第一隔離線250能夠更好實現其隔離效果，避免字線導體240的側壁暴露出。
繼續參考圖13a和圖13b所示，第一隔離線250填充字線溝槽240a並延伸出襯底至預定高度，以對準的覆蓋所述字線導體240。一方面，可對字線導體240進行電性隔離；另一方面，所述第一隔離線250還可構成一第一隔離屏障251，進而可與可第二隔離屏障281共同界定出存儲節點接觸的形成區域，也可以認為，利用所述第一隔離線250使相鄰的存儲節點接觸相互隔離。此外，所述第一隔離線250還部分形成在所述位線260的下方，例如，在對應字線導體240的位置上，位線260即形成在所述第一隔離線250上，以支撐所述位線260並使位線260和字線導體240相互隔離。
進一步的，所述存儲器還包括一間隔絕緣層270，所述間隔絕緣層270覆蓋所述位線240的側壁，從而可對位線260和鄰近的存儲節點接觸電性隔離。與位線260相對應的，所述間隔絕緣層270也沿著第二方向(x方向)延伸。進而，可結合所述間隔絕緣層270、所述位線260和所述第二隔離線280共同構成所述第二隔離屏障280。本實施例中，所述第二隔離線280可以為一單層結構，以及可採用一絕緣材料形成，以用於對位線260進行電性隔離。
實施例四
與實施例三的區別在於，本實施例中，用於形成存儲器節點接觸的導電層在第一方向上連續延伸，即，在第一方向上，位於相應的接觸窗中的導電層相互連接。從而，在形成存儲節點接觸時，不僅可直接形成對應第二接觸區的存儲節點接觸，並且還可同時對存儲節點接觸的延伸方向進行調整，以利於與後續所形成的電容器的排布方式相契合。
圖14a為本發明實施例四中的存儲器的俯視圖，圖14b為圖14a所示的本發明實施例四中的存儲器沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。如圖14a和圖14b所示，本實施例中的存儲器包括：一形成有多個有源區210的襯底200、多條字線導體240、多條對準覆蓋所述字線導體240的第一隔離線250、多條位線260、多條對準覆蓋所述位線260的第二隔離線280』和一用於形成存儲節點接觸的導電層290』。其中，所述襯底200、所述字線導體240以及所述位線260的結構和實施例三中的類似，此處不做贅述，以下主要針對本實施例中的第一隔離線250、第二隔離線280』以及導電層290』進行詳細說明。
本實施例中，第一隔離線250沿著第一方向(y方向)延伸以構成第一隔離屏障251，第二隔離線280』和位線260用於共同構成一沿著第二方向(x方向)延伸的第二隔離屏障281』。其中，第二隔離屏障281』的表面低於所述第一隔離屏障251的表面，進而，兩條相鄰的所述第一隔離屏障251即可界定出一沿著所述第一方向延伸的凹槽252，並且所述凹槽252中對應有多個頂部相互連通的接觸窗290a』，所述接觸窗290a』通過第一隔離屏障251和第二隔離屏障281』相交以界定出。所述導電層290』對準地填充在所述凹252中，並覆蓋所述第二隔離屏障281』，使位於同一所述凹槽252中的多個所述接觸窗290a』中的所述導電層290』相互連接，即，所述導電層290』沿著第一方向連續延伸。
繼續參考圖14b所示，第二隔離屏障281』的表面低於所述第一隔離屏障251的表面，因此，所述第二隔離線280』的表面也相應的低於所述第一隔離線250的表面。其中，所述第二隔離線280』包括一隔離層280a』和一掩膜蓋層280b』。所述隔離層280a』形成在所述襯底200上且覆蓋所述位線240；所述掩膜蓋層280b』形成在所述襯底200的所述隔離層280a』上，且所述掩膜蓋層280b』的表面低於所述第一隔離線250的表面。進一步的，所述掩膜蓋層280b』可採用導電材料形成，從而當導電層290』覆蓋第二隔離線280』的隔離層280a』和掩膜蓋層280b』時，所述掩膜蓋層280b』可以與所述導電層290』相互連接，以共同用於形成存儲節點接觸。
此外，本實施例中，在所述位線260的側壁上也形成有一間隔絕緣層270』，所述間隔絕緣層270』可用於對位線260和存儲節點接觸進行隔離。以及，所述間隔絕緣層270』、所述位線260和所述第二隔離線280』共同構成所述第二隔離屏障281』。因此，所述間隔絕緣層270』的表面也相應的低於所述第一隔離線250的表面。
進一步的，本實施例中，利用第一隔離屏障251和第二隔離屏障281』的高度差，可使導電層290』能夠自對準地填充在由相鄰的第一隔離屏障251所界定出的凹槽252中，並且位於同一所述凹槽252中的多個所述接觸窗290a』中的所述導電層290』相互連接。由於所述導電層290』在第一方向上為一連續的膜層，從而在利用所述導電層290』形成存儲節點接觸時，還可同時對所形成的存儲節點接觸的延伸方向進行調整。例如，參考圖14a示出的一種導電層分隔線292，在利用相應的分割技術對導電層290』進行分割時，可使分割後的各個導電層290』之間相互斷開，並對應第二接觸區以構成存儲節點接觸；同時，分割後所形成的存儲節點接觸中，其沿著第一方向延伸，並且位於相鄰凹槽252儲節點接觸的延伸方向相反，進而構成交錯排布的存儲節點接觸。
實施例五
本發明還提供了一種半導體器件，所述半導體器件中包括多個第一引出區，以及多個對應所述第一引出區的接觸窗，本發明中的半導體器件中，其接觸窗是由相交的隔離屏障界定出。以下結合附圖對本實施例中的半導體器件進行詳細說明。
圖15a為本發明實施例五中的半導體器件的俯視圖，圖15b為圖15a所示的本發明實施例五中的半導體器件沿aa』、bb』和cc方向的剖面圖。如圖15a和圖15b所示，所述半導體器件包括：
一襯底300，所述襯底300上形成有多個第一引出區310；
多條第一隔離屏障320，形成在所述襯底300上，且在所述第一隔離屏障320的兩側分布有多個所述第一引出區310，位於所述第一隔離屏障320同一側的多個所述第一引出區310沿著所述第一隔離屏障320的延伸方向順序排布；
多條第二隔離屏障330，形成在所述襯底300上並與所述第二隔離屏障330相交，以共同界定出多個接觸窗340，每一所述第一引出區310對應一個所述接觸窗340；以及，
一導電層350，形成在所述襯底300上並填充所述接觸窗340用於構成與所述第一引出區310電性連接的導電接觸。
其中，所述第一隔離屏障320用於對多個第一引出區310進行第一次分隔，並使分隔後的位於所述第一隔離屏障320同一側的多個所述第一引出區310能夠沿著所述第一隔離屏障320的延伸方向順序排布。相應的，所述第一隔離屏障320的延伸方向和形貌可根據所述第一引出區310的排布狀況進行調整，例如，當所述第一引出區310呈陣列式排布時，則可相應的形成沿著列方向/行方向延伸的第一隔離屏障，從而可利用所述第一隔離屏障將各個列/各個行的第一引出區310進行分隔。以及，所述第一隔離屏障320的形貌也可根據第一引出區310的排布狀況進行調整，例如，當在第一隔離屏障320的延伸方向上，第一引出區310之間交錯排布，此時即可相應的形成波浪形的第一隔離屏障。
具體參考圖15a和圖15b所示，本實施例中的多個第一引出區310呈陣列式排布，所述第一隔離屏障320沿著列方向延伸，從而使不同列之間的第一引出區310相互分隔，並且在兩條相鄰的第一隔離屏障320之間的多個第一引出區310沿著列方向順序排布，其中列方向即為圖15a所示的y方向，行方向即為圖15a所示的x方向。進一步的，在列方向上，多個所述第一引出區310對齊排布，此時，可相應的採用沿著列方向延伸的直線型的第一隔離屏障320。
繼續參考圖15a和圖15b所示，所述第二隔離屏障330用於對多個第一引出區310進行第二次分隔，使分別在第一隔離屏障320同一側的多個第一引出區310相互分隔(即，位於兩條相鄰的第一隔離屏障320之間的相鄰的第一引出區310分別位於第二隔離屏障330的兩側)，從而可通過第一隔離屏障320和第二隔離屏障330相交，以界定出對應第一引出區310的接觸窗340。其中，與第一隔離屏障320類似的，所述第二隔離屏障330的延伸方向和形貌也可根據第一引出區310的排布狀況進行調整，只要通過形成第二隔離屏障330之後，可使兩條相鄰的第一隔離屏障320之間的相鄰的第一引出區310分別位於第二隔離屏障330的兩側即可。
重點參考圖15a所示，本實施例中，所述第二隔離屏障330的表面不低於所述第一隔離屏障320的表面，從而，所述導電接觸對準地填充在所述接觸窗中，並且，所述導電接觸在所述襯底上的邊界由所述第一隔離屏障320與所述第二隔離屏障330所界定。即，所述導電接觸的形貌與所述接觸窗340的形貌相對應，所述導電接觸350的邊界延伸至所述接觸窗340的側壁位置，並依附在所述接觸窗340的側壁上，從而使所述導電接觸350能夠與第一引出區310完全接觸，確保第一引出區310和導電接觸350之間具有較大的接觸面積，減小兩者之間的接觸電阻。
進一步的，所述第二隔離屏障330的表面和所述第一隔離屏障320的表面齊平，從而由所述第一隔離屏障320和第二隔離屏障330相交而界定出的接觸窗340中，其在各個方向上的側壁高度均一致。
此外，當所述襯底300還形成有其他引出區時，例如圖15b所示的第二引出區360，此時可將第二引出區360和第一隔離屏障320相結合，即，利用第一隔離屏障320引出所述第二引出區360；或者將第二引出區360與第二隔離屏障330相結合，即，利用第二隔離屏障330引出所述第二引出區360。如此，即能夠在確保引出第二引出區360的基礎上，界定出對應第一引出區310的接觸窗340。
具體的，當利用第二隔離屏障330將所述第二引出區360引出時，則可使第二隔離屏障330進一步包括一導體層和一絕緣層(圖中未示出，其結構可參考實施例三中的位線)，所述絕緣層覆蓋所述導體層，以使導體層與其他的導電結構隔離。其中，對應同一第二隔離屏障330排布的所述第二引出區360與同一導體層電性連接。相應的，所述第二隔離屏障330可根據第一引出310和第二引出區370的排布方式進行調整。
實施例六
結合圖15a和圖16所示，其中，圖16示出了本發明實施例六中的半導體器件的俯視圖。即，與實施例五的區別在於，本實施例中，第二隔離屏障330』的表面低於所述第一隔離屏障320的表面，從而可利用兩條相鄰的所述第一隔離屏障320界定出一凹槽321，所述凹槽321中對應有多個頂部相互連通的所述接觸窗340』，以及，導電層350』可對準地填充在所述凹槽321中，並且所述導電層350』覆蓋所述第二隔離屏障330』，使位於同一所述凹槽321中的多個所述接觸窗340』中的所述導電層350』相互連接。
本實施例中，由第一隔離屏障320和第二隔離屏障330』相交而界定出的接觸窗340』中，其對應第一隔離屏障320的側壁高於對應第二隔離屏障330』的側壁。以及，利用第一隔離屏障320界定出導電層350』的位置以及延伸方向，即，導電層350』沿著第一隔離屏障320的延伸方向延伸，以形成一連續的導電層350』。從而在後續利用所述導電層350』形成對應於第一引出區310的導電接觸時，可同時對所形成的導電接觸的延伸方向進行調整，例如，可使後續所形成的導電接觸沿著第一隔離屏障320的延伸方向延伸。
綜上所述，本發明提供的存儲器的形成方法中，利用定義字線導體的字線掩膜自對準地形成第一隔離屏障，以及利用位線溝槽自對準地形成第二隔離線，從而可結合第二隔離線和位線構成第二隔離屏障，界定出對應第二接觸區的接觸窗。可見，在定義對應第二接觸區的接觸窗時，並不需要再額外執行一道光刻工藝即能夠自對準地定義出，與傳統的利用光刻工藝直接定義出接觸窗相比，本發明提供的方法中，減少了光刻工藝的執行次數，不僅有利於節省製備成本，並且還可減少多道光刻工藝之間的對準偏差，可進一步改善第二接觸區和存儲節點接觸之間的接觸電阻。
本說明書中各個實施例採用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。
上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，並非對本發明範圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬於權利要求書的保護範圍。