索尼美光攜手ReRAM新成果 可取代內存

2025-04-29 09:55:24

    泡泡網內存頻道12月29日 目前業界正在研製一種新型的存儲晶片，就是被命名為ReRAM的電阻式內存，這種存儲晶片既擁有DRAM水平的讀寫速度，又可以像NAND快閃記憶體那樣在斷電後也能保存數據，可以說是整合了兩者的優點於一身。現在ReRAM晶片的研製已經初見成效，日前索尼和Micron就聯手公布了他們的最新研究成果，稱他們試製的產品在性能上已經非常接近理論數據。

    索尼和Micron聯手公布的是一款容量為16Gb（2GB）的ReRAM晶片，據稱這款晶片基於27nm CMOS工藝打造，可以用於替換現有的DDR SDRAM晶片，可用於行動裝置或者是PC上。按照公布的信息稱，這顆晶片的實際性能是讀取900MB/s，寫入180MB/s，和它讀取1000MB/s、寫入200MB/s的理論性能已經非常接近，進入量產、商品化的可能性很高。

    另外根據兩者公布的成品來看，這款ReRAM晶片應該是索尼早前研究成果的延續，畢竟索尼早在2011年就公布了小容量型的樣品，而Micron早前的研發精力則放在相變存儲晶片PRAM，現在的ReRAM產品應該是「索尼研製」和「Micron製造」的共同成果。■