陣列基板及顯示裝置製造方法
2023-12-02 06:51:01 2
陣列基板及顯示裝置製造方法
【專利摘要】本發明公開了一種陣列基板及顯示裝置，涉及液晶顯示【技術領域】，解決了現有半反透型液晶顯示器中背光源的部分能量被浪費的問題。本發明實施例中，陣列基板包括具有反射外界光的反射區和透射背光源發出光的透射區的基板，還包括設置在基板上的光電轉換器件，該光電轉換器件用於將背光源射入反射區的光能轉換為電能；顯示裝置包括上述的陣列基板。本發明實施例特別適用於如智能手錶之類的高端智能移動終端設備上。
【專利說明】陣列基板及顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及液晶顯示技術，尤其涉及陣列基板及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]液晶顯示器按照其採光方式大致分為透射型，反射型與半反透型三種。
[0003]其中，透射式顯示利用透射出背光源發射的光進行顯示，但在強光源情況下，如室外使用時，背光源的強度受外在光的幹擾，從而出現面板過亮，顯示內容不清晰情況。反射式顯示利用反射回外界光來進行顯示，因其不需要背光，與透射式顯示相比其功耗小；但在暗光環境，如室內、夜晚使用時，會出現光強度不足的情況，影響到顯示效果。半反透型顯示則綜合了前述兩種類型的優點，即每個像素被劃分為反射區和透射區，其中，透射區採用透射背光源發射的光進行顯示，反射區則採用反射外界光進行顯示，所以不管在強光或暗光環境下，都可以有良好的顯示效果。
[0004]在半反透型液晶顯示器中，背光源所發出的光是均勻地投射到整個顯示區域中，而反射區中用於對外界光進行反射的反射層是不透光的，因此，背光源投射到反射區的光並沒有發揮任何顯示作用而被浪費掉，所以半反透型液晶顯示器變相地浪費了一部分背光源電能，當顯示屏幕尺寸越大時，此部分的能量浪費情況就越嚴重。
【發明內容】
[0005]本發明的實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，解決了現有半反透型液晶顯示器中背光源的部分能量被浪費的問題。
[0006]為達到上述目的，本發明的實施例採用如下技術方案:
[0007]—種陣列基板，包括:具有反射外界光的反射區和透射背光源發出光的透射區的基板，還包括設置在所述基板上的光電轉換器件，所述光電轉換器件用於將背光源射入反射區的光能轉換為電能。
[0008]優選地，所述光電轉換器件位於所述反射區。
[0009]更優選地，所述光電轉換器件在所述基板上的水平投影與所述反射區在所述基板上的水平投影重合。
[0010]進一步地，像素驅動電路設置於所述反射區內。
[0011 ] 可選地，所述光電轉換器件與所述像素驅動電路沿垂直於所述基板表面方向上下排布。
[0012]進一步地，所述陣列基板還包括位於反射區的墊高層，所述墊高層包括所述光電轉換器件與所述像素驅動電路的各個膜層，所述墊高層沿垂直於所述基板表面方向的厚度等於所述陣列基板成盒後的液晶盒厚的一半。
[0013]進一步地，所述光電轉換器件位於所述像素驅動電路的上方。
[0014]優選地，所述光電轉換器件與所述像素驅動電路之間形成有平坦層，用於消除所述像素驅動電路各膜層形成的段差。[0015]其中，所述光電轉換器件上方依次形成有絕緣層及反射層。
[0016]優選地，所述光電轉換器件包括遠離所述像素驅動電路的上電極及靠近所述像素驅動電路的下電極，所述上電極由反射型導電材料製成，用於反射所述外界光及背光源發出的光；所述下電極由透明導電材料製成。
[0017]可選地，所述光電轉換器件還包括位於所述上電極與所述下電極之間的功能層，所述功能層具有指定厚度，用於消除所述像素驅動電路各膜層形成的段差。
[0018]進一步地，所述光電轉換器件位於所述像素驅動電路的下方。
[0019]其中，所述像素驅動電路上方依次形成有平坦層及反射層，所述平坦層用於消除所述像素驅動電路各膜層形成的段差。
[0020]優選地，所述光電轉換器件包括遠離所述像素驅動電路的下電極及靠近所述像素驅動電路的上電極，所述下電極由反射型導電材料製成。
[0021]可選地，所述光電轉換器件與所述像素驅動電路沿平行於所述基板表面方向左右排布。
[0022]可選地，所述陣列基板還包括位於反射區的墊高層，所述墊高層包括所述光電轉換器件的各個膜層，所述墊高層沿垂直於所述基板表面方向的厚度等於所述陣列基板成盒後的液晶盒厚的一半。
[0023]其中，在所述光電轉換器件與所述像素驅動電路上方依次形成有平坦層及反射層，所述平坦層用於消除所述像素驅動電路各膜層形成的段差。
[0024]進一步地，所述陣列基板還包括遮光層，用於遮擋射入像素驅動電路中薄膜電晶體溝道區的光線。
[0025]進一步地，所述陣列基板還包括第一儲能器件，用於存儲所述光電轉換器件轉換的電能。
[0026]優選地，所述第一儲能器件位於所述反射區。
[0027]更優選地，所述光電轉換器件位於所述反射區，沿垂直於所述基板並遠離所述基板的方向上，所述第一儲能器件位於所述光電轉換器件上方。
[0028]進一步地，其特徵在於，所述第一儲能器件包括遠離所述光電轉換器件的存儲上電極、靠近所述光電轉換器件的存儲下電極及設於所述存儲上電極和所述存儲下電極之間的介電層，所述第一儲能器件與所述光電轉換器件共用所述第一儲能器件的存儲下電極。
[0029]可選地，所述第一儲能器件的上電極由反射型導電材料製成，用於反射所述外界光及背光源發出的光。
[0030]一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0031]本發明實施例提供的陣列基板及顯示裝置，由於陣列基板中設置了光電轉換器件，且光電轉換器件用於將接收到的背光源的光能轉換為電能以供背光源使用，因此，能將這部分光能再回收利用，從而達到避免背光源部分能量被浪費的目的。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0032]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1為包含本發明實施例提供的第一種陣列基板的半反透型顯示面板的剖視圖；
[0034]圖2為包含本發明實施例提供的第二種陣列基板的半反透型顯示面板的剖視圖；
[0035]圖3為包含本發明實施例提供的第三種陣列基板的半反透型顯示面板的剖視圖；
[0036]圖4為包含本發明實施例提供的第四種陣列基板的半反透型顯示面板的剖視圖；
[0037]圖5為包含本發明實施例提供的第五種陣列基板的半反透型顯示面板的剖視圖；
[0038]圖6為包含本發明實施例提供的第六種陣列基板的半反透型顯示面板的剖視圖；
[0039]圖7為本發明實施例提供的半反透型顯示面板的像素區中透射區/反射區/遮光區的平面示意圖；
[0040]圖8為現有半反透型顯示面板的像素區中透射區/反射區/遮光區的平面示意圖。
【具體實施方式】
[0041]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0042]本發明實施例提供了一種陣列基板，如圖1所示，該陣列基板包括具有反射外界光的反射區R和透射背光源L發出光的透射區T的基板2，以及設置在基板2上的光電轉換器件P，光電轉換器件P用於將接收到的背光源L的光能轉換為電能。該電能可以提供給背光源L使用。
[0043]本發明實施例提供的陣列基板中，由於光電轉換器件P用於將接收到的背光源L的光能轉換為電能以供背光源L使用，因此，能將這部分光能再回收利用，從而達到避免背光源L部分能量被浪費的目的。
[0044]圖1中示出了光電轉換器件P位於反射區R內，且光電轉換器件P在基板2上的水平投影與反射區R在基板上的水平投影重合的一種情況，這樣設置使得光電轉換器件P能吸收整個反射區中的背光，對這部分不能起顯示作用的光線的能量充分地加以回收利用。當然，本發明提出的光電轉換器件P的尺寸和設置位置並不限於圖1所示，光電轉換器件P也可以位於反射區R外，這時，如果要達到光電轉換器件P將射入反射區R的背光進行轉換的目的，就需要設置額外的組件將這部分背光透射到光電轉換器件P的受光面上。另外，也可以將圖1所示的光電轉換器件P的橫向尺寸增大，使其一部分延伸至透射區T內，雖然尺寸增大能帶來所接收光能的增加，但由於延伸至透射區T的部分會遮擋穿過透射區T的背光，從而會使得透射區T開口率下降。還有一種情況，也可以將圖1所示的光電轉換器件P的橫向尺寸減小，使其完全位於反射區R內，這樣雖然不會發生透射區T開口率下降的問題，但是由於光電轉換器件P受光面積減少，使得其不能充分利用射入反射區R的背光。
[0045]上述的實施方式均能達到避免背光源L部分能量被浪費的目的，但圖1所示的為優選實施方式，不僅能充分利用射入反射區R的背光，且能防止透射區T開口率的下降。
[0046]光電轉換器件P可以為常見的薄膜型半導體太陽能電池結構，也可以為有機染料型太陽能電池結構。圖1示出的光電轉換器件P為薄膜型半導體太陽能電池結構，包括:位於下電極6上的N型矽層9，位於N型矽層9上的I型矽層10，位於I型矽層10上的P型矽層11，以及位於P型矽層11上的上電極12。其中，P、1、N型矽層可以稱之為功能層，用來將光能轉換成電子的運動，它們的次序不限，從上至下可以為N型矽層/I型矽層/P型矽層，也可以為P型矽層/I型矽層/N型矽層。本領域技術人員可以根據實際需要選擇其它結構的光電轉換器件。如圖1所示，由形成在基板2上的多個相互平行的膜層構成的光電轉換器件P，形成了平行於基板2的受光面，從而能有效地吸收背光源L射出的背光。
[0047]圖1中還示出了基板I及形成在基板I上的膜層la，基板I和膜層Ia構成了對盒基板，在基板2的透射區T形成有膜層2a，基板2及形成在基板2上的膜層2a、光電轉換器件P等構成了陣列基板，且在陣列基板和對盒基板之間填充有液晶層O。
[0048]陣列基板上設置有像素驅動電路，其中包括薄膜電晶體4、柵線(圖1中未示出)及數據線(圖1中未示出)，用於控制施加在每個像素電極上電壓信號。圖1所示的半反透型液晶顯示器中，陣列基板與對盒基板成盒後，兩個基板之間填充了液晶層0，從而形成了液晶盒，透射區T的液晶盒厚(即液晶層O的厚度)d是反射區R液晶盒厚(即液晶層O的厚度)d/2的一倍，目的是使穿過透射區T的光與反射區R反射的光的相位相同。現有技術中，像素驅動電路通常設置於透射區，通過在反射區的基板填充絕緣材料形成墊高層，來使反射區的液晶盒厚減小至透射區液晶盒厚的一半，也就是說保證反射區液晶層的厚度減小至透射區液晶層厚度的一半。
[0049]現有技術中，設置在透射區的像素驅動電路中的數據線在工作中通電會產生寄生電容，該寄生電容使數據線上方的液晶分子偏轉受到影響，從而導致漏光，為了解決該問題，現有技術會在對盒基板上對應像素驅動電路的位置設置圖8所示的黑矩陣17，將漏光部分的光線遮擋住，從而避免顯示不良的發生。但設置黑矩陣17會使像素的開口率減少。圖8還示出了未被黑矩陣覆蓋的透射區15及反射區16。
[0050]本發明實施例提供的陣列基板中，如圖7所示，像素驅動電路設置於反射區R內，由於反射區R內設置了墊高層，使得數據線與液晶層O之間可以間隔較厚的絕緣層，從而可以減小寄生電容對液晶分子的影響，進而避免漏光現象的發生，因為不存在漏光現象，所以就不需要在對盒基板上對應像素驅動電路的位置設置黑矩陣，從而提高了像素區的開口率。另外，將像素驅動電路設置於反射區R，可以將現有技術中黑矩陣所遮擋的光通過上述實施方式中提供的光電轉換器件P轉換為電能供背光源使用，達到節能效果。而且通過將像素驅動電路和光電轉換器件P都設置在反射區R內，可以充分利用陣列基板上的空閒區域，在不增加陣列基板結構尺寸的前提下，提高了能源利用率。
[0051]當像素驅動電路及光電轉換器件P均設置與反射區R內時，光電轉換器件P可以與像素驅動電路沿垂直於基板表面方向上下排布，如圖1所示(僅示出了像素驅動電路中的薄膜電晶體4);光電轉換器件P也可以與像素驅動電路沿平行於基板表面方向左右排布，如圖2所示(僅示出了像素驅動電路中的薄膜電晶體4 )。
[0052]當光電轉換器件P與像素驅動電路沿垂直於基板表面方向上下排布時，可以產生兩種排布方式，第一種排布方式如圖1所不:光電轉換器件P位於像素驅動電路的上方；另一種排布方式如圖3所示:光電轉換器件P位於像素驅動電路的下方。當光電轉換器件P位於像素驅動電路下方時，像素驅動電路各膜層不會對背光源射入反射區R的光線遮擋，從而使光電轉換器件P能更多地吸收反射區的背光，進而得到更多的光生電能。當光電轉換器件P位於像素驅動電路上方時，由於像素驅動電路與液晶層O之間間隔較多的膜層，使得數據線上寄生電容對液晶分子的影響被大大削弱。
[0053]由於光電轉換材料，PN結構，受光面積，厚度等直接影響到光電轉換效率，所以可以根據預設厚度，受光面積與所需的光電轉換效率對光電轉換材料、結構進行調節，在滿足液晶盒厚的條件下，以達到最大的光電轉換效率，實現最有效的節能效果。
[0054]如上述實施例所述，陣列基板還包括位於反射區的墊高層，當光電轉換器件P與像素驅動電路沿垂直於基板表面方向上下排布時(如圖1和圖3所示)，該墊高層包括光電轉換器件P與像素驅動電路的各個膜層，當然，當反射區R的基板2上還設置有其它膜層時，該墊高層也包括這些膜層。為了使反射區R反射的光與透射區T透射的光的相位相同，墊高層沿垂直於基板2表面方向的厚度須等於陣列基板成盒後的液晶盒厚d的一半。也就是說，當光電轉換器件P與像素驅動電路沿垂直於基板表面方向上下排布時，光電轉換器件P的各個膜層、像素驅動電路的各個膜層及其它膜層疊加在一起構成了墊高層，當墊高層沿垂直於基板2表面方向的厚度等於d/2時，可以保證反射區R反射的光與透射區T透射的光的相位相同。
[0055]當光電轉換器件P與像素驅動電路沿平行於基板2表面方向左右排布時(如圖2所示)，墊高層包括光電轉換器件P的各個膜層，也可能包括像素驅動電路中未與光電轉換器件P共用的膜層，以及設置在反射區R基板2上的其它膜層，由這些膜層構成的墊高層沿垂直於基板2表面方向的厚度須等於陣列基板成盒後的液晶盒厚d的一半，以保證反射區R反射的光與透射區T透射的光的相位相同。
[0056]為了實現反射區R反射外界光線的功能，當光電轉換器件P在像素驅動電路上方時，在光電轉換器件P上方依次形成有圖1所示的絕緣層5及反射層3 ;當光電轉換器件P在像素驅動電路下方時，像素驅動電路上方依次形成有圖3所示的平坦層13及反射層3。
[0057]通常光電轉換器件包括上下兩個電極，其上產生的電能通過電極輸送至與電極連接的電路，圖1中，光電轉換器件P位於像素驅動電路的上方，其中所示的光電轉換器件P包括遠離像素驅動電路的上電極12及靠近像素驅動電路的下電極6，當上電極12由反射型導電材料製成時，就形成了圖4所示的反射型電極14，用於反射外界光及背光源L發出的光，從而可以省掉製備圖3中反射層3的步驟，節約了材料和工藝成本，此時，下電極6須由透明導電材料製成，從而使背光能射入光電轉換器件P的上電極12和下電極6之間的功能層。
[0058]圖3中，光電轉換器件P位於像素驅動電路的下方，其中所示的光電轉換器件P包括遠離像素驅動電路的下電極6及靠近像素驅動電路的上電極12，下電極6由透明導電材料製成，從而使背光能射入光電轉換器件P的上電極12和下電極6之間的功能層。上電極12所使用的材料在此不做限制。
[0059]圖1中，光電轉換器件P位於像素驅動電路的上方，其中，像素驅動電路中薄膜電晶體的每個膜層具有不同的圖案，不同圖案的各個膜層交疊在一起，使得頂層的膜層表面凸凹不平，形成了段差，為了使液晶盒厚均勻，光電轉換器件P與像素驅動電路之間可以形成平坦層13，該平坦層13由絕緣材料製成，用於消除像素驅動電路各膜層形成的段差。也可以通過設置光電轉換器件P的上電極12與下電極6之間功能層的厚度為指定厚度，從而消除像素驅動電路各膜層形成的段差。[0060]圖3中，光電轉換器件P位於像素驅動電路的下方，像素驅動電路上方依次形成有平坦層13及反射層3，該平坦層13用於消除像素驅動電路各膜層形成的段差。
[0061 ] 當光電轉換器件P與像素驅動電路如圖2所示沿平行於基板表面方向排布時，在光電轉換器件P與像素驅動電路上方依次形成有平坦層13及反射層3。反射層3可實現反射區R反射外界光的功能，而平坦層13用於消除像素驅動電路各膜層形成的段差。
[0062]在上述實施例提供的陣列基板中，由於像素驅動電路設置在反射區R，背光源發出的光線經過反射區R，並且在反射區R的各膜層間被反射和散射，這些反射和散射的光線照射到像素驅動電路中薄膜電晶體的溝道區後，會使薄膜電晶體產生光生漏電流，從而引起顯示不良現象。為了防止光生漏電流的產生，陣列基板上還可以設置遮光層(圖中未示出)，用於遮擋射入像素驅動電路中薄膜電晶體溝道區的光線。遮光層具體的設置位置需要根據薄膜電晶體溝道區的受光位置來確定。
[0063]例如，圖1中示出的薄膜電晶體為底柵型電晶體，溝道區上方僅覆蓋有透明的絕緣層，光線容易從上方射入溝道區，為了防止光線進入溝道區，可以在溝道區的上方設置遮光層。當薄膜電晶體為頂柵型電晶體時，溝道區下方容易受到光線的影響，因此，為了防止光線進入溝道區，可以在溝道區的下方設置遮光層。當然，不同形式的薄膜電晶體，其溝道區的受光位置不同，因此設置的遮光層的位置也不同，只要遮光層的設置位置能達到防止光線進入溝道區的目的即可。
[0064]在上述實施例提供的陣列基板中，還可以包括圖5所示的第一儲能器件C，用於存儲光電轉換器件P轉換的電能。通過設置儲能器件，可以將光電轉換器件轉換的電能存儲起來，以在背光源的供電設備不能提供電能時，向背光源提供持續穩定的電能。儲能器件可以設置在陣列基板上，也可以如下面的實施例所述，設置在對盒基板上。為了在文字描述上區別設置在不同位置的儲能器件，此處將設置在陣列基板上的儲能器件稱為「第一儲能器件」，下面將設置在對盒基板上的儲能器件稱為「第二儲能器件」。
[0065]第一儲能器件C優選位於反射區R，因為將第一儲能器件C設置在透射區T時，第一儲能器件C會遮擋穿過透射區T的背光，從而會使得透射區T開口率下降。
[0066]另外，當光電轉換器件P與第一儲能器件C均位於反射區內時，沿垂直於基板2並遠離基板2的方向上,第一儲能器件C優選位於光電轉換器件P的上方，以防止第一儲能器件C遮擋將進入光電轉換器件P的背光，從而使光電轉換器件P能充分利用背光源L射入反射區R的光線。當然，第一儲能器件C與光電轉換器件P也可以沿平行於基板2的方向排布，雖然這種情況下，第一儲能器件C也不會遮擋將進入光電轉換器件P的背光，但由於第一儲能器件C與光電轉換器件P尺寸較小，儲能和光電轉換的能力相對於圖5所示的排布方式減小了，因此不屬於優選的實施方式。
[0067]圖5示出了第一儲能器件C位於光電轉換器件P上方的情況，該第一儲能器件C為電容。當然，儲能器件也可以選用本領域技術人員所知的其它能儲存電能的器件。
[0068]圖5中，第一儲能器件C包括遠離光電轉換器件P的存儲上電極19、靠近光電轉換器件P的存儲下電極8及設於兩個電極之間的介電層7，第一儲能器件C與光電轉換器件P優選共用存儲下電極8。這樣不僅可以省掉一個形成電極的步驟，也可以省掉將第一儲能器件C的一個電極與光電轉換器件P的一個電極電連接的步驟。
[0069]因此，當第一儲能器件C位於光電轉換器件P的上方時，光電轉換器件P通過共用第一儲能器件C存儲下電極8，只需要形成該存儲下電極8，就可以實現將第一儲能器件C與光電轉換器件P的電連接。
[0070]同理，當第一儲能器件位於光電轉換器件的下方時，光電轉換器件通過共用第一儲能器件上的上電極，只需要形成該上電極，也可以實現將第一儲能器件與光電轉換器件的電連接。
[0071]另外，當第一儲能器件位於光電轉換器件的上方時，第一儲能器件的背離光電轉換器件的電極(即存儲上電極19)優選由反射型導電材料製成。這樣，可以省掉在第一儲能器件上方的反射區R內形成反射層3的步驟，從而可以節約材料和工藝成本。
[0072]如圖5所示，當第一儲能器件C位於光電轉換器件P的上方時，為了使反射區R具備反射外界光的功能，需要在第一儲能器件C上方的反射區R內形成絕緣層5和反射層3。如果將第一儲能器件C的存儲上電極19用反射型導電材料製作，就形成了圖6所示的反射型電極14，這樣，就可以省掉在第一儲能器件C上方的反射區內形成反射層的步驟，節約了材料和工藝成本。
[0073]本發明實施例還提供了一種顯示面板，包括對盒基板及上述實施例描述的陣列基板。
[0074]本發明實施例提供的顯示面板中，由於採用了上述實施例描述的陣列基板，其中的光電轉換器件用於將接收到的背光源的光能轉換為電能以供背光源使用，因此，能將這部分光能再回收利用，從而達到避免背光源部分能量被浪費的目的，進而提高了顯示面板的能效。
[0075]上述實施例提供的顯示面板中，還可以包括設置於對盒基板上的第二儲能器件，用於存儲陣列基板上光電轉換器件轉換的電能。當然形成的第二儲能器件需要通過導線與位於陣列基板上的光電轉換器件電連接。另外，設置在對盒基板上的第二儲能器件，會遮擋一部分由反射區R反射回來的外界光，為了避免顯示不良，就需要在設置第二儲能器件的位置增設遮光層，這樣就會使像素的開口率下降，因此，儲能器件優選設置在陣列基板的反射區內。
[0076]本發明實施例又提供了一種顯示裝置，其中包括上述實施例描述的陣列基板。由於顯示裝置採用了上述實施例描述的陣列基板，因此，能避免背光源部分能量被浪費，提高液晶顯示器的能效。
[0077]本發明實施例特別適用於如智能手錶之類的高端智能移動終端設備上。
[0078]以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此，本發明的保護範圍應以所述權利要求的保護範圍為準。
【權利要求】
1.一種陣列基板，包括具有反射外界光的反射區和透射背光源發出光的透射區的基板，其特徵在於，還包括設置在所述基板上的光電轉換器件，所述光電轉換器件用於將背光源射入反射區的光能轉換為電能。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件位於所述反射區。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件在所述基板上的水平投影與所述反射區在所述基板上的水平投影重合。
4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特徵在於，像素驅動電路設置於所述反射區內。
5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件與所述像素驅動電路沿垂直於所述基板表面方向上下排布。
6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特徵在於，還包括位於反射區的墊高層，所述墊高層包括所述光電轉換器件與所述像素驅動電路的各個膜層，所述墊高層沿垂直於所述基板表面方向的厚度等於所述陣列基板成盒後的液晶盒厚的一半。
7.根據權利要求 5述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件位於所述像素驅動電路的上方。
8.根據權利要求7述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件與所述像素驅動電路之間形成有平坦層，用於消除所述像素驅動電路各膜層形成的段差。
9.根據權利要求7所述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件上方依次形成有絕緣層及反射層。
10.根據權利要求7所述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件包括遠離所述像素驅動電路的上電極及靠近所述像素驅動電路的下電極，所述上電極由反射型導電材料製成，用於反射所述外界光及背光源發出的光；所述下電極由透明導電材料製成。
11.根據權利要求7所述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件還包括位於所述上電極與所述下電極之間的功能層，所述功能層具有指定厚度，用於消除所述像素驅動電路各膜層形成的段差。
12.根據權利要求5所述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件位於所述像素驅動電路的下方。
13.根據權利要求12所述的陣列基板，其特徵在於，所述像素驅動電路上方依次形成有平坦層及反射層，所述平坦層用於消除所述像素驅動電路各膜層形成的段差。
14.根據權利要求12所述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件包括遠離所述像素驅動電路的下電極及靠近所述像素驅動電路的上電極，所述下電極由透明導電材料製成。
15.根據權利要求4所述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件與所述像素驅動電路沿平行於所述基板表面方向左右排布。
16.根據權利要求15所述的陣列基板，其特徵在於，還包括位於反射區的墊高層，所述墊高層包括所述光電轉換器件的各個膜層，所述墊高層沿垂直於所述基板表面方向的厚度等於所述陣列基板成盒後的液晶盒厚的一半。
17.根據權利要求15所述的陣列基板，其特徵在於，在所述光電轉換器件與所述像素驅動電路上方依次形成有平坦層及反射層，所述平坦層用於消除所述像素驅動電路各膜層形成的段差。
18.根據權利要求1-17任一項所述的陣列基板，其特徵在於，還包括遮光層，用於遮擋射入像素驅動電路中薄膜電晶體溝道區的光線。
19.根據權利要求1所述的陣列基板，其特徵在於，還包括第一儲能器件，用於存儲所述光電轉換器件轉換的電能。
20.根據權利要求19所述的陣列基板，其特徵在於，所述第一儲能器件位於所述反射區。
21.根據權利要求20所述的陣列基板，其特徵在於，所述光電轉換器件位於所述反射區，沿垂直於所述基板並遠離所述基板的方向上，所述第一儲能器件位於所述光電轉換器件上方。
22.根據權利要求21所述的陣列基板，其特徵在於，所述第一儲能器件包括遠離所述光電轉換器件的存儲上電極、靠近所述光電轉換器件的存儲下電極及設於所述存儲上電極和所述存儲下電極之間的介電層，所述第一儲能器件與所述光電轉換器件共用所述第一儲能器件的存儲下電極。
23.根據權利要求22所述的陣列基板，其特徵在於，所述第一儲能器件的上電極由反射型導電材料製成，用於反射所述外界光及背光源發出的光。
24.一種顯示 裝置，其特徵在於，包括權利要求1至23任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1333GK103941452SQ201410099167
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年3月17日 優先權日:2014年3月17日
【發明者】李坤, 白峰, 高永益, 張智欽 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司