光刻裝置及其方法
2023-12-08 16:48:01 2
專利名稱：光刻裝置及其方法
技術領域：
本發明涉及一種光刻裝置及其方法，並尤其涉及一種通過最小化光刻工藝線的整體布局以提高產量的光刻裝置及其方法。
背景技術：
通常在製造半導體器件、平板顯示器等裝置時，採用光刻工藝對基板進行構圖。光刻工藝包括在基板上塗敷光刻膠、對塗敷在基板上的光刻膠執行曝光，以及對曝光的基板執行顯影步驟。在執行曝光時，對所塗敷的光刻膠進行選擇性的曝光。
圖1所示為現有技術光刻裝置的示意圖。
如圖1所示，現有技術光刻裝置設置有加載或者卸載基板的加載/卸載單元10、清洗基板的清洗單元20、在清洗的基板上塗敷光刻膠的塗敷線、對在基板上塗敷的光刻膠執行曝光工藝的曝光單元110、在暴露的基板上形成識別碼的打碼裝置(titler)120，以及通過打碼裝置120對基板施加顯影工藝的顯影線。
在從通過傳輸設備移動的基板盒中取出基板後，加載/卸載單元10將基板加載到清洗單元20。同樣，加載/卸載單元10從顯影線上卸載基板，然後將該基板加載到基板盒中。
清洗單元20清洗通過加載/卸載單元10加載的基板。清洗單元20設置有將基板傳輸到塗敷線的清洗傳送裝置，以及將清洗溶液噴射到傳輸的基板上以清洗該基板的清洗部件。
塗敷線具有從清洗單元20取出清洗後的基板的第一機械手30；對通過第一機械手30提供的基板進行脫水的脫水烘焙處理裝置(DHP)40；傳送脫水基板的第一傳送裝置50；在通過第一傳送裝置50傳送的基板上塗敷光刻膠的塗敷裝置60；硬化基板上所塗敷的光刻膠的真空乾燥處理裝置(VCD)70；從基板上去除溶劑的溶劑去除裝置80；臨時存放去除溶劑的基板的緩衝器90；降低從緩衝器提供的基板溫度的降溫裝置92以及將緩衝器90中的基板傳輸到降溫裝置92、將降溫後的基板加載到曝光單元110、從曝光單元110中取出曝光後的基板並將曝光後的基板加載到打碼裝置120的第二機械手100。
第一機械手30從清洗單元20取出清洗後的基板並將清洗後的基板加載到脫水烘焙處理裝置40。同樣，該第一機械手30從脫水烘焙處理裝置40中取出脫水基板並將該脫水後的基板加載到第一傳送裝置50。
脫水烘焙處理裝置40由加熱溫度介於110℃到130℃的加熱板形成。此外，脫水烘焙處理裝置40採用該加熱板對通過第一機械手30加載的基板進行脫水。
第一傳送裝置50將通過第一機械手30加載的脫水基板傳輸給塗敷單元60。
塗敷單元60設置有從第一傳送裝置50中取出基板的第三機械手62、在通過第三機械手62加載的基板上塗敷光刻膠的塗敷裝置64以及從塗敷裝置64上取出基板並將其加載到VCD 70上的第四機械手66，該第四機械手66從VCD70上取出基板並將其加載到溶劑去除裝置80。
第三機械手62從第一傳送裝置50上取出基板，並將該基板加載到塗敷裝置64上。塗敷裝置64在通過第三機械手62加載的基板上塗敷光刻膠。
在通過塗敷裝置64對基板塗敷光刻膠後，第四機械手66從塗敷裝置64上取出塗敷有光刻膠的基板，並將該基板加載到真空乾燥處理裝置70。此外，在通過真空乾燥處理裝置70對塗敷在基板上的光刻膠進行硬化後，第四機械手66從真空乾燥處理裝置70上取出硬化的基板並將該基板加載到溶劑去除裝置80。
真空乾燥處理裝置70在低真空狀態下乾燥通過第四機械手66加載的基板的光刻膠。
溶劑去除裝置80設置有從具有軟烘焙加熱板(SHP)的基板上去除溶劑的溶劑去除爐82以及從該溶劑去除爐82中取出基板並將該基板加載到緩衝器90的第五機械手84。
溶劑去除爐82從通過第四機械手66加載的基板上去除溶劑，其中該基板具有以介於110℃到130℃溫度加熱的SHP。
在溶劑去除爐82中從基板上去除溶劑後，第五機械手84從溶劑去除爐82中取出沒有溶劑的基板並將該基板加載到緩衝器90上。
緩衝器90臨時存放由第五機械手84加載的基板。
降溫裝置92將由第五機械手84加載的基板溫度降低到約23℃。為此，以包括冷卻板的雙層結構形成該降溫裝置92。
第二機械手100從緩衝器90中取出臨時存放的基板並將該基板加載到降溫裝置92中。此外，隨著通過降溫裝置92將基板溫度逐漸降低，第二機械手100從降溫裝置92中取出已經降溫的基板並將該基板加載到曝光單元110。而且，第二機械手100從曝光單元110中取出曝光後的基板，並將該基板加載到打碼裝置120。
曝光單元110設置由第二機械手100加載的基板，並通過向設置的基板施加光線而構圖基板上的光刻膠。
打碼裝置120在由第二機械手100加載的基板一側形成識別碼。此時，在傳輸裝置上設置該打碼裝置120，從而在傳輸的基板上形成識別碼。
顯影線具有顯影基板的顯影單元130、乾燥顯影后的基板的乾燥單元140、轉變乾燥後基板傳輸方向的轉向傳輸裝置，以及將轉向後的基板傳送到加載/卸載單元10的第二傳輸裝置160。
顯影單元130顯影通過曝光單元110曝光並具有通過打碼裝置形成的識別碼的基板。為此，顯影單元130具有與打碼裝置120連接的顯影傳輸裝置、以及用於通過向顯影傳輸裝置噴射顯影液以顯影基板的顯影部件。
乾燥單元140具有通過採用硬質加熱板(HHP)乾燥顯影基板的乾燥爐142以及從乾燥爐142中取出基板並將其加載到轉向傳輸裝置150的第六機械手144。
乾燥爐142通過HHP加熱並乾燥由顯影單元130的顯影傳輸裝置傳輸的基板，其中以介於110℃到130℃的溫度加熱HHP。
在通過乾燥爐142乾燥基板後，第六機械手144從乾燥爐142中取出基板並將該基板加載到轉向傳輸裝置150。
轉向傳輸裝置150將通過第六機械手144加載的基板的傳輸方向轉向到第二傳輸裝置。第二傳輸裝置160將通過轉向傳輸裝置150轉向的基板傳輸給加載/卸載單元160。
現有技術的光刻裝置具有按照一條線排列的清洗單元20、塗敷線、曝光單元110、打碼裝置120以及顯影線。因此，對通過加載/卸載單元10加載的基板依次進行清洗、塗敷和曝光處理，然後該基板經過打碼線和顯影線，從而完成該光刻工藝。
但是，現有技術光刻裝置及其方法存在如下缺點。
在現有技術的光刻工藝裝置中，塗敷線和與顯影線連接的曝光單元構成一條光刻線，從而增加了整體布局。同時，塗敷線、顯影線和曝光線具有不同的處理(tact)時間，導致產生等待時間，從而增加了整體處理時間。
如果在光刻裝置的任一單元中產生所述問題，則會降低整體工作速率。如果在曝光單元110中產生上述問題，則不可能對塗敷線、打碼線和顯影線進行操作。
發明內容
因此，本發明提供一種光刻裝置和方法，其能夠基本上避免由現有技術的限制和缺陷引起的一個或多個問題。
本發明的目的在於提供一種通過最小化光刻工藝線總體布局以提高產量的光刻裝置和方法。
本發明另外的優點、目的和特徵將在以下描述中加以闡述，其中部分特徵和優點對於熟悉本領域的普通技術人員來說可以從以下描述中顯而易見地看到，或者從本發明的實踐中得知。通過在本發明的說明書、權利要求書以及附圖中具體指明的結構，本發明的目的和其它優點會得到了解和實現。
為了實現這些目的和其它優點，並根據本發明的目的，這裡進行具體和廣泛描述，一種光刻裝置包括加載或者卸載基板的加載/卸載單元、在基板上塗敷光刻膠的塗敷線、對在基板上塗敷的光刻膠執行曝光工藝的曝光線、顯影曝光的基板的顯影線以及臨時存放塗敷有光刻膠的基板並將該基板加載到曝光線上並且臨時存放曝光後的基板並將該基板加載到顯影線上的傳輸線。
此時，塗敷線包括加載基板的第一機械手、在通過第一機械手加載的基板上塗敷光刻膠的塗敷裝置、從所述塗敷裝置上取出塗敷後的基板的第二機械手、硬化由第二機械手加載的基板上的光刻膠的真空乾燥處理裝置、從通過真空乾燥處理裝置硬化的基板上去除溶劑的溶劑去除裝置、降低去除溶劑的基板溫度的降溫裝置，以及從所述第一降溫裝置上取出具有降低後溫度的基板並將所述基板加載到傳輸線上的第三機械手。
此外，所述傳輸線包括傳輸由塗敷線塗敷的基板的第一傳輸裝置、將曝光的基板傳輸給顯影線的第二傳輸裝置、臨時存放由所述第一傳輸裝置傳輸的塗敷基板並且臨時存放通過曝光線曝光的基板的堆棧，以及在第一和第二傳輸裝置以及堆棧之間傳送基板的傳輸單元。
在本發明的另一方面，一種光刻裝置包括多條平行設置的光刻工藝線，各條光刻工藝線包括用於加載或者卸載基板的加載/卸載單元、用於在基板上塗敷光刻膠的塗敷線、用於曝光基板上塗敷的光刻膠的曝光線，和用於顯影曝光基板的顯影線，以及根據光刻工藝線的工藝狀態在各光刻工藝線中將基板傳送給所述塗敷線、曝光線和顯影線的傳輸線。
此時，傳輸線臨時存放通過各塗敷線塗敷光刻膠的基板，並對於需要塗敷基板的光刻工藝線將塗敷有光刻膠的基板加載到曝光線，或者所述傳輸線臨時存放由曝光線曝光的基板，並對於需要曝光基板的各光刻工藝線將曝光後的基板加載到顯影線。
在本發明的另一方面，一種光刻方法包括加載基板；在加載的基板上塗敷光刻膠；臨時存放塗敷有光刻膠的基板；接收臨時存放的基板，並曝光塗敷有光刻膠的基板；臨時存放曝光後的基板；接收臨時存放的基板，並顯影該曝光的基板；以及卸載顯影后的基板。
此時，塗敷工藝包括在加載的基板上塗敷光刻膠；硬化塗敷在基板上的光刻膠；從所述硬化的基板上去除溶劑；並降低去除溶劑的基板的溫度。
在本發明的另一方面，公開了一種包括多條平行設置的光刻工藝線的光刻方法，各條光刻工藝線包括用於加載或者卸載基板的加載/卸載單元、用於在基板上塗敷光刻膠的塗敷線、用於曝光基板上塗敷的光刻膠的曝光線，以及用於顯影所述曝光後基板的顯影線，該光刻方法包括將基板加載到各塗敷線上以在各基板上塗敷光刻膠；通過採用用於將基板傳輸到塗敷線、曝光線和顯影線上的傳輸線而在各傳輸線臨時存放所述經過塗敷的基板；通過所述傳輸線將基板加載到需要塗敷基板的光刻工藝線的曝光線上以曝光塗敷基板上的光刻膠；通過採用傳輸線將曝光基板臨時存放到各曝光線上；對於需要曝光基板的各光刻工藝線通過傳輸線將曝光基板加載到顯影線上以顯影曝光後的基板；通過加載/卸載單元卸載所述基板。
此時，所述塗敷工藝包括在加載的基板上塗敷光刻膠；硬化塗敷在基板上的光刻膠；從所述硬化的基板上去除溶劑；降低去除溶劑的基板的溫度；並將降低溫度的基板提供給所述傳輸線。
所包括的附圖用於提供對本發明的進一步理解，並包含在說明書中構成說明書的一部分，附圖描述了本發明的實施方式並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在附圖中圖1所示為現有技術光刻裝置的示意圖；圖2所示為根據本發明一優選實施方式的光刻裝置的示意圖；以及圖3所示為根據本發明另一優選實施方式的光刻裝置的示意圖。
具體實施例方式
下面詳細參考本發明的優選實施方式，其實施例在附圖中示出。儘可能地，在整個附圖中使用相同的附圖標記來表示相同或者相似的部件。
以下將參照附圖描述根據本發明的光刻裝置和方法。
圖2所示為根據本發明一優選實施方式的光刻裝置的示意圖。
參照圖2，根據本發明優選實施方式的光刻裝置設置有加載或者卸載基板的加載/卸載單元300、清洗基板的清洗線400、在清洗的基板上塗敷光刻膠的塗敷線500、曝光塗敷在基板上的光刻膠的曝光線700、在曝光的基板上形成識別碼的打碼線800，臨時存放塗敷有光刻膠的基板並將所述基板傳輸到曝光線700或者臨時存放曝光後的基板並將其傳輸到打碼線800的傳輸線600，以及顯影經由打碼線800的基板並且將顯影的基板加載到加載/卸載單元300的顯影線900。
在從通過傳輸設備移動的基板盒中取出基板後，加載/卸載單元300將基板加載到清洗線400。同樣，加載/卸載單元300從顯影線900上取出基板，然後將該基板加載到基板盒中。在這種情況下，儘管未示出，加載/卸載單元300包括至少一個用於加載以及卸載基板的機械手。
同時，加載/卸載單元300可以包括具有用於將基板加載到清洗線400的機械手的加載部件，以及具有用於從顯影線900上卸載曝光基板的機械手的卸載部件。由於提供了包括加載部件和卸載部件的加載/卸載單元300，因此可以降低用於加載和卸載基板的處理時間。
清洗線400清洗從加載/卸載單元300卸載的基板。清洗線400設置有將基板傳輸給塗敷線500的清洗傳送裝置410，以及通過向基板噴射清洗溶液以清洗該基板的清洗單元420。
塗敷線500具有從清洗傳送裝置410取出清洗後的基板的第一機械手510、對通過第一機械手510加載的基板塗敷光刻膠的塗敷裝置520、從塗敷裝置520中取出塗敷有光刻膠的基板的第二機械手530、硬化通過第二機械手530加載的基板上所塗敷的光刻膠的真空乾燥處理裝置(VCD)540、從光刻膠得到硬化的基板上去除溶劑的溶劑去除裝置550、降低去除溶劑的基板溫度的第一溫度控制器560以及從第一溫度控制器560取出具有降低的溫度的基板的第三機械手570。
第一機械手510從清洗傳送裝置410取出清洗後的基板，並將清洗後的基板加載到塗敷裝置520。塗敷裝置520採用旋轉或者非旋轉的方法，將光刻膠塗敷在通過第一機械手510加載的基板上。
在通過塗敷裝置520在基板上塗敷光刻膠以後，第二機械手530從塗敷裝置520中取出塗敷後的基板，並將該基板加載到真空乾燥處理裝置540。
真空乾燥處理裝置540在低真空狀態下乾燥通過第二機械手530加載的基板的光刻膠，從而固化該基板的光刻膠。
溶劑去除裝置550包括從真空乾燥處理裝置540中取出光刻膠得到硬化的基板的第四機械手552以及通過使用軟烘焙加熱板(SHP)從基板上去除溶劑的溶劑去除爐554。
第四機械手552從真空乾燥處理裝置540中取出光刻膠經過硬化的基板，並將基板加載到溶劑去除爐554中。此外，第四機械手552從溶劑去除爐554中取出去除溶劑的基板，並將該基板加載到第一溫度控制器560中。
溶劑去除爐554通過採用SHP以介於110℃到130℃的溫度加熱由第四機械手552加載的基板，從而從基板上去除溶劑。
第一溫度控制器560加熱或者冷卻由第四機械手552加載的基板，從而使得基板溫度為約23℃。為此，第一溫度控制器560由雙層結構形成。
在通過第一溫度控制器560降低基板溫度後，第三機械手570從第一溫度控制器560中取出基板，並且將基板加載到傳輸線600中。
傳輸線600具有傳輸由第三機械手570加載的基板的第一傳輸裝置610、將曝光的基板傳輸給打碼線800的第二傳輸裝置640、臨時存放由第一傳輸裝置610傳輸的塗敷基板並且臨時存放在曝光線700中曝光的基板的堆棧630，以及在第一、第二傳輸裝置610、640和堆棧630之間傳輸基板的傳輸單元620(AGV)。
第一傳輸裝置610將通過第三機械手570加載的塗敷基板傳輸給圖中未示出的基板盒。
隨著傳輸單元620沿著第一傳輸裝置610和堆棧630之間的預定路徑移動，傳輸單元620在堆棧630中存放容納多個基板的基板盒。在傳輸單元620沿著第二傳輸裝置640和堆棧630之間的預定路徑移動時，傳輸單元620向第二傳輸裝置640提供位於堆棧630中容納多個暴露在堆棧中的基板的基板盒。
堆棧630臨時存放容納多個塗敷有光刻膠的基板並通過傳輸單元620傳輸的基板盒。同樣，堆棧630還臨時存放容納多個由曝光線700曝光的基板的基板盒。
第二傳輸裝置640從通過傳輸單元620傳輸的基板盒中取出曝光的基板，並將該曝光的基板傳輸給打碼線800。
曝光線700具有從堆棧630接收包括多個基板的基板盒的第二溫度控制器710，並保持適於曝光工藝的基板溫度；從第二溫度控制器710取出基板的第五機械手720，以及曝光通過第五機械手720加載的基板的曝光單元730。
第二溫度控制器710加熱或者冷卻容納在基板盒中的基板，從而使基板溫度為約23℃。為此，第二溫度控制器710由雙層結構形成。同時，第二溫度控制器710包括為了從基板上去除顆粒而向基板噴射高壓氣體的顆粒去除單元。
第五機械手720從第二溫度控制器710上取出基板，並將該基板加載到曝光單元730。此外，在完成曝光工藝後，第五機械手720從曝光單元730上取出曝光後的基板，並將曝光後的基板加載到設置在堆棧630中的基板盒中。
曝光單元730對通過第五機械手720加載的基板進行排列，並向排列的基板上施加光束以在其上構圖光刻膠。
打碼線800包括從第二傳輸裝置640上取出基板的第六機械手810，以及在通過第六機械手810加載的基板中形成識別碼的打碼裝置820。第六機械手810從第二傳輸裝置640上取出曝光後的基板，並將該曝光基板加載到打碼裝置820。打碼裝置820在通過第六機械手810加載的基板一側形成識別碼。此時，在傳輸裝置上安裝打碼裝置820，從而形成該基板的識別碼。
顯影線900設置有傳輸具有識別碼的基板的顯影傳輸裝置910，以及通過向基板噴射顯影液而顯影該基板的顯影單元920。
顯影傳輸裝置910將具有識別碼的基板從打碼裝置820傳輸給加載/卸載單元300。
顯影單元920向通過顯影傳輸裝置910傳輸的基板噴射顯影液。因此，通過從顯影單元920噴射的顯影液而顯影由曝光單元730曝光和打碼裝置820打碼的基板。
在根據本發明的光刻裝置和方法中，沿一條線設置清洗線400和塗敷線500，從而在傳輸線600中臨時存放塗敷有光刻膠的基板，並且將存放在傳輸線600中的基板提供給曝光線700，從而執行曝光工藝。然後，在傳輸線600中臨時存放由曝光線700曝光的基板，並且將存放在傳輸線600中的基板提供給打碼線800，從而執行打碼工藝。此後，將基板提供給顯影線900，從而執行顯影工藝，然後將基板卸載到外部。
在根據本發明的光刻裝置和方法中，將塗敷線500、曝光線700和顯影線900彼此分隔開排列。在該狀態下，設置傳輸線600以在塗敷線500、曝光線700和顯影線900之間傳輸基板，從而減小光刻工藝線的總體布局。此外，儘管塗敷線500、顯影線900和曝光線700彼此具有不同的處理時間，但是可以通過由傳輸線600臨時存放基板而降低光刻線的整體處理時間。儘管在任一條線中會存在問題，但是對總體工藝線沒有很壞的影響，從而可以提供工作速率。
如圖3所示，根據本發明的光刻裝置包括並行排列的多個光刻工藝線(2001-200n)。
各光刻工藝線(2001-200n)與圖2所示的光刻裝置具有相同的結構。在塗敷線500、曝光線700和顯影線900中，塗敷線500具有最大的工藝時間周期，而顯影線900具有最短的工藝時間周期。因此，為了對每條線最大化處理時間，可以控制線的數量。例如，如果曝光線700設置為12條線，則沿一條線設置的清洗線400和塗敷線500形成為9條，並且沿一條線設置的打碼線800顯影線900為6條，從而可以最大化各條線的工作速率。
傳輸線600包括至少一個傳輸單元620，其中傳輸單元620在各光刻工藝線(2001-200n)中將基板傳輸給塗敷線500、曝光線700和打碼線800。
參照與圖2相關的圖3，至少一個傳輸單元620將在各塗敷線500中塗敷有光刻膠的基板存放在堆棧630中。基於在各曝光線700中的工藝執行狀態，傳輸單元620從堆棧630中取出塗敷有光刻膠的基板，並將該塗敷有光刻膠的基板加載到光刻工藝線(2001-200n)的曝光線700中。
此外，至少一個傳輸單元620將在各曝光線700中曝光的基板存放在堆棧630中。基於在各顯影線900中的工藝執行狀態，至少一個傳輸單元620從堆棧630中取出曝光的基板，並將曝光的基板加載到光刻工藝線(2001-200n)的打碼線800中。
在根據本發明的另一實施方式的光刻裝置中，通過單獨設置塗敷線500、曝光線700和顯影線900的方式排列多個光刻工藝線(2001-200n)。在該狀態下，採用傳輸線600將基板傳輸到各光刻工藝線(2001-200n)，從而減小總體布局。此外，基於各光刻工藝線(2001-200n)的工藝執行狀態傳輸基板，從而可以降低總體處理時間。儘管在任一線中可能存在問題，但是由於其他光刻工藝線(2001-200n)可以替換存在問題的線，因此這不會影響到整體的工藝線，從而可以提高工作速率。
如上所述，依照本發明的光刻裝置和方法具有如下優點。
首先，單獨排列塗敷線、曝光線和顯影線。在這種狀態下，採用傳輸線在塗敷線、曝光線和顯影線之間傳輸基板，從而減小了光刻工藝線的總體布局。
即使塗敷線、曝光線和顯影線具有不同的處理時間，但是由於通過傳輸線可以臨時存放基板，因此可以降低光刻工藝的總體處理時間。
如果在各條線中的任一條線中產生任何問題，不會對其他工藝線產生很大的影響，從而提高了工作速率。
基於各條光刻工藝線的工藝執行狀態，傳輸基板，從而降低了光刻工藝的總體處理時間。
即使各條光刻工藝線中的任一條線產生任何問題，都可以由其他工藝線進行替代，從而可以提高工作速率。
顯然在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，本領域的普通技術人員可以對本發明做出各種改進和變型。因此，本發明意圖覆蓋所有落入所附權利要求及其等效物的範圍之內的改進和變型。
權利要求
1.一種光刻裝置，包括加載或者卸載基板的加載/卸載單元；在基板上塗敷光刻膠的塗敷線；曝光基板上塗敷的光刻膠的曝光線；顯影曝光的基板的顯影線；以及臨時存放塗敷有光刻膠的基板並將該基板加載到曝光線上並且臨時存放曝光後的基板並將該基板加載到顯影線上的傳輸線。
2.根據權利要求1所述的光刻裝置，其特徵在於，所述塗敷線包括加載基板的第一機械手；在通過第一機械手加載的基板上塗敷光刻膠的塗敷裝置；從所述塗敷裝置上取出塗敷有光刻膠的基板的第二機械手；硬化由第二機械手加載的基板上的光刻膠的真空乾燥處理裝置；從通過所述真空乾燥處理裝置硬化的基板上去除溶劑的溶劑去除裝置；降低去除溶劑的基板溫度的第一降溫裝置；以及從所述第一降溫裝置上取出具有降低溫度的基板並將所述基板加載到傳輸線上的第三機械手。
3.根據權利要求2所述的光刻裝置，其特徵在於，所述溶劑去除裝置包括從所述真空乾燥處理裝置中取出沒有溶劑的基板的第四機械手；從所述基板上去除溶劑的溶劑去除爐。
4.根據權利要求1所述的光刻裝置，其特徵在於，所述傳輸線包括傳輸由塗敷線塗敷的基板的第一傳輸裝置；將曝光的基板傳輸到顯影線的第二傳輸裝置；臨時存放由所述第一傳輸裝置傳輸的塗敷基板並且臨時存放通過曝光線曝光的基板的堆棧；以及在第一和第二傳輸裝置以及堆棧之間傳送基板的傳輸單元。
5.根據權利要求4所述的光刻裝置，其特徵在於，還包括在從所述第二傳輸裝置傳輸的曝光基板上形成識別碼並且將所述具有識別碼的基板傳輸給顯影線的打碼線。
6.根據權利要求5所述的光刻裝置，其特徵在於，所述打碼線包括從所述第二傳輸裝置取出曝光基板的第六機械手；以及在通過第六機械手加載的基板上形成識別碼的打碼裝置。
7.根據權利要求1所述的光刻裝置，其特徵在於，所述曝光線包括將通過所述傳輸線傳輸的基板溫度保持為適於曝光工藝的第二溫度控制器；從第二溫度控制器中取出基板的第五機械手；以及曝光通過第五機械手加載的基板的曝光單元。
8.根據權利要求1所述的光刻裝置，其特徵在於，還包括清洗通過加載/卸載單元加載的基板並向所述塗敷線提供清洗基板的清洗線。
9.根據權利要求8所述的光刻裝置，其特徵在於，所述加載/卸載單元包括設置與清洗線連接以向所述清洗線提供基板的加載部件；以及設置與顯影線連接以向外部傳輸來自所述顯影線的基板的卸載部件。
10.一種光刻裝置，包括多條平行設置的光刻工藝線，各條光刻工藝線包括用於加載或者卸載基板的加載/卸載單元、用於在基板上塗敷光刻膠的塗敷線、用於曝光基板上塗敷的光刻膠的曝光線，和用於顯影曝光基板的顯影線；以及根據光刻工藝線的處理狀態在各光刻工藝線中將基板傳送給所述塗敷線、曝光線和顯影線的傳輸線。
11.根據權利要求10所述的光刻裝置，其特徵在於，所述傳輸線臨時存放通過各塗敷線塗敷有光刻膠的基板，並對於各需要塗敷基板的光刻工藝線將塗敷有光刻膠的基板加載到曝光線，或者所述傳輸線臨時存放由曝光線曝光的基板，並對於需要曝光基板的各光刻工藝線將曝光後的基板加載到顯影線。
12.根據權利要求11所述的光刻裝置，其特徵在於，所述傳輸線包括傳輸通過塗敷線塗敷的基板的第一傳輸裝置；將曝光基板傳輸給顯影線的第二傳輸裝置；臨時存放由所述第一傳輸裝置傳輸的塗敷基板並且臨時存放通過曝光線曝光的基板的堆棧；以及在第一和第二傳輸裝置以及堆棧之間傳送基板的傳輸單元。
13.根據權利要求12所述的光刻裝置，其特徵在於，還包括在從所述第二傳輸裝置傳輸的曝光基板上形成識別碼並且將所述具有識別碼的基板傳輸給顯影線的打碼線。
14.根據權利要求13所述的光刻裝置，其特徵在於，所述各打碼線包括從所述第二傳輸裝置取出曝光基板的第六機械手；以及在通過第六機械手加載的基板上形成識別碼的打碼裝置。
15.根據權利要求10所述的光刻裝置，其特徵在於，所述各塗敷線包括加載基板的第一機械手；在通過第一機械手加載的基板上塗敷光刻膠的塗敷裝置；從所述塗敷裝置上取出塗敷後的基板的第二機械手；硬化由第二機械手加載的基板上的光刻膠的真空乾燥處理裝置；從通過所述真空乾燥處理裝置硬化的基板上去除溶劑的溶劑去除裝置；降低去除溶劑的基板溫度的第一降溫裝置；以及從所述第一降溫裝置上取出具有降低溫度的基板並將所述基板加載到傳輸線上的第三機械手。
16.根據權利要15所述的光刻裝置，其特徵在於，所述各溶劑去除裝置包括從所述真空乾燥處理裝置中取出沒有溶劑的基板的第四機械手；從所述基板上去除溶劑的溶劑去除爐。
17.根據權利要求10所述的光刻裝置，其特徵在於，所示各曝光線包括將通過所述傳輸線傳輸的基板溫度保持為適於曝光工藝的第二溫度控制器；從第二溫度控制器中取出基板的第五機械手；以及曝光通過第五機械手加載的基板的曝光單元。
18.根據權利要求10所述的光刻裝置，其特徵在於，各光刻工藝線還包括對於各光刻工藝線清洗通過所述加載/卸載單元加載的基板並向所述塗敷線提供清洗基板的清洗線。
19.根據權利要求18所述的光刻裝置，其特徵在於，所述各加載/卸載單元包括設置與清洗線連接以向所述清洗線提供基板的加載部件；以及設置與顯影線連接以向外部傳輸來自所述顯影線的基板的卸載部件。
20.一種光刻方法，包括加載基板；在加載的基板上塗敷光刻膠；臨時存放塗敷有光刻膠的基板；接收臨時存放的基板，並曝光塗敷有光刻膠的基板；臨時存放曝光的基板；接收臨時存放的基板，並顯影該曝光的基板；以及卸載顯影的基板。
21.根據權利要求20所述的光刻方法，其特徵在於，所述塗敷工藝包括在加載的基板上塗敷光刻膠；硬化塗敷在基板上的光刻膠；從所述硬化的基板上去除溶劑；以及降低去除溶劑的基板的溫度。
22.根據權利要求20所述的光刻方法，其特徵在於，還包括在顯影工藝前並且收到臨時存放的基板後在曝光的基板上形成識別碼。
23.根據權利要求20所述的光刻方法，其特徵在於，所述曝光工藝包括接收臨時存放的基板，並將塗敷基板保持在適於曝光工藝的溫度；以及曝光保持在適於曝光工藝溫度的基板。
24.根據權利要求20所述的光刻方法，其特徵在於，還包括在基板上塗敷光刻膠以前清洗所加載的基板。
25.一種包括多條平行設置的光刻工藝線的光刻方法，各條光刻工藝線包括用於加載或者卸載基板的加載/卸載單元、用於在基板上塗敷光刻膠的塗敷線、用於曝光基板上塗敷的光刻膠的曝光線，和用於顯影曝光基板的顯影線，該方法包括向各塗敷線加載基板以在各基板上塗敷光刻膠；通過採用用於將在各塗覆線中塗覆的基板傳輸給塗敷線、曝光線和顯影線的傳輸線而臨時存儲所述基板；對於需要塗敷基板的各光刻工藝線，通過傳輸線將基板加載到曝光線上而曝光所述基板上塗敷的光刻膠；通過採用傳輸線而臨時將曝光的基板存放到各曝光線；對於需要曝光基板的各光刻工藝線，通過傳輸線將曝光的基板加載到顯影線上而顯影所述曝光基板；以及通過所述加載/卸載單元卸載所述基板。
26.根據權利要求25所述的光刻方法，其特徵在於，所述塗敷工藝包括在加載的基板上塗敷光刻膠；硬化塗敷在基板上的光刻膠；從所述硬化的基板上去除溶劑；降低去除溶劑的基板的溫度；以及將所述降低溫度的基板提供給所述傳輸線。
27.根據權利要求25所述的光刻方法，其特徵在於，還包括在通過所述傳輸線提供的曝光基板上形成識別碼並將具有識別碼的基板提供給所述顯影線。
28.根據權利要求25所述的光刻方法，其特徵在於，所述曝光工藝包括將通過所述傳輸線提供的所述塗敷基板保持在適於曝光工藝的溫度；以及曝光保持在適於曝光工藝溫度的基板。
29.根據權利要求25所述的光刻方法，其特徵在於，還包括清洗通過加載/卸載單元加載的基板，並將所述清洗的基板提供給塗敷線。
全文摘要
本發明公開了一種光刻裝置和方法以通過最小化光刻工藝線的總體布局而提高產量，其中光刻裝置包括加載或者卸載基板的加載/卸載單元；在基板上塗敷光刻膠的塗敷線；曝光基板上塗敷的光刻膠的曝光線；顯影曝光的基板的顯影線；以及臨時存放塗敷有光刻膠的基板並將該基板加載到曝光線上的傳輸線，並且所述傳輸線還臨時存放曝光後的基板並將該基板加載到顯影線上。
文檔編號H01L21/00GK101086625SQ20061012782
公開日2007年12月12日 申請日期2006年9月20日 優先權日2006年6月5日
發明者金龍勳, 徐真愚 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社