場發射電子源的製備方法

2024-02-19 12:45:15

專利名稱：場發射電子源的製備方法
技術領域：
本發明涉及一種場發射電子源的製備方法，尤其涉及一種基於碳納米管 的場發射電子源的製備方法。
背景技術：
場發射電子源在低溫或者室溫下工作，與電真空器件中的熱發射電子源 相比具有能耗低、響應速度快以及低放電等優點，因此用場發射電子源替代 電真空器件中的熱發射電子源成為了人們研究的一個熱點。
碳納米管(Carbon Nanotube， CNT)是一種新型碳材料，由日本研究人員 Iijima在1991年發現，請參見"Helical Microtubules of Graphitic Carbon", S. Iijima， Nature, vol.354，p56 (1991)。碳納米管具有極優異的導電性能、良好的 化學穩定性和大的長徑比，且其具有幾乎接近理論極限的尖端表面積(尖端 表面積愈小，其局部電場愈集中)，因而碳納米管在場發射電子源領域具有 潛在的應用前景。目前的研究表明，碳納米管是已知的最好的場發射材料之 一，它的尖端尺寸只有幾納米至幾十納米，具有低的開啟電壓，可傳輸極大 的電流密度，並且電流穩定，使用壽命長，因而非常適合作為一種極佳的點 電子源，應用在掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope),透射電子顯 微鏡(Transmission Electron Microscope)等設備的電子發射部件中。
現有的碳納米管場發射電子源一般至少包括一導電基體和作為發射端 的碳納米管，該碳納米管形成於該導電基體上。目前，碳納米管形成於導電 基體上的方法主要有機械方法和原位生長法。
其中，機械方法是通過原子力顯微鏡或者電子顯微鏡操縱單根碳納米 管，將碳納米管組裝到一導電基體上，此種方法程序簡單，但由於單根碳納 米管尺寸太小且需要應用原子力顯微鏡或者電子顯微鏡這些昂貴的設備的 輔助，操作複雜，成本高。
為克服上述機械法組裝的碳納米管場發射電子源操作複雜的缺點，現有 技術提供了 一種採用原位生長的方法(請參見"Low-temperature CVDgrowth of carbon nanotubes for field emission application" ， Kuang-chung Chen, Diamond & Related Materials, Vol. 16， P566 ( 2007 ))。該方法是先在導電基 體上鍍上金屬催化劑，然後通過化學氣相沉積方法在導電基體上直接生長出 碳納米管陣列作為場發射電子源，此種方法操作簡單，碳納米管與導電基體 的電接觸良好。但是，由於該方法無法控制碳納米管的生長方向，所以存在 成功率低、可控性差的問題。
因此，確有必要提供一種場發射電子源的製備方法，該製備方法簡單， 成功率高且成本4交《氐。

發明內容
一種場發射電子源的製備方法，包括以下步驟提供一碳納米管薄膜， 該碳納米管薄膜中的碳納米管沿同一方向延伸排列；提供一第一電極和一第 二電極，將碳納米管薄膜的兩端分別固定於第一電極和第二電極上，該碳納 米管薄膜中碳納米管從第 一電極向第二電極延伸；通過使用有機溶劑處理該 碳納米管薄膜，形成多個碳納米管線；將該碳納米管線通電流加熱熔斷，得 到多個碳納米管針尖；提供一導電基體，將一碳納米管針尖設置於該導電基 體上，形成一場發射電子源。
與現有技術相比較，該場發射電子源的製備方法操作簡單，無需昂貴儀 器，成本較低且易於控制效率較高。


圖1是本技術方案實施例的場發射電子源的結構示意圖。
圖2是圖1中碳納米管針尖的結構示意圖。
圖3是本技術方案實施例的碳納米管針尖的掃描電鏡照片。
圖4是本技術方案實施例的碳納米管針尖的透射電鏡照片。
圖5是本技術方案實施例的場發射電子源的製備方法的流程圖。
圖6是本技術方案實施例的碳納米管薄膜經有機溶劑處理後的照片。
圖7是本技術方案實施例的碳納米管線通電流加熱裝置示意圖。
圖8是本技術方案實施例的碳納米管線的示意圖。
圖9是本技術方案實施例的碳納米管線碳納米管線熔斷後的示意圖。
5圖IO是本技術方案實施例的碳納米管線被加熱到白熾狀態時的照片。
圖11是本技術方案實施例獲得的碳納米管針尖的拉曼光語圖。
圖12是本技術方案實施例將碳納米管針尖設置於導電基體上的方法的 流程示意圖。
圖13是本技術方案實施例的塗敷有銀膠的光纖的示意圖。 圖14是本技術方案實施例採用導電膠固定碳納米管針尖的方法的流程 示意圖。
圖15是本技術方案實施例所提供的場發射電子源的場發射電壓與電流 的關係圖。
具體實施例方式
以下將結合附圖詳細說明本技術方案場發射電子源及其製備方法。
請參閱圖1、圖2、圖3及圖4，本技術方案實施例提供一種場發射電 子源10，其包括一碳納米管針尖12和一導電基體14。
所述的碳納米管針尖12包括一第一端122及與第一端122相對的第二 端124,該碳納米管針尖12的第一端122與該導電基體14電連接，碳納米 管針尖12的第二端124用於發射電子。該碳納米管針尖12的長度為0.01 毫米至1毫米，直徑為1微米至20微米。
所述碳納米管針尖12為一碳納米管束狀結構，該碳納米管束狀結構包 括多個沿碳納米管針尖12軸向定向延伸且首尾相連的-友納米管126，碳納米 管126之間通過範德華力相互緊密結合。碳納米管針尖12的第二端124為 一類圓錐形，碳納米管針尖12第二端124的直徑沿遠離第一端122的方向 逐漸減小，第二端124的頂端包括一根突出的碳納米管126，該碳納米管126 即為電子發射端128。
所述^p灰納米管126為直徑為0.5納米-50納米的單壁^f灰納米管、直徑為1 納米-50納米的雙壁碳納米管、直徑為1.5納米-50納米的多壁碳納米管或其 任意組合的混合物。碳納米管126的長度均為10微米-5000微米。該碳納米 管針尖12的第二端124的突出的碳納米管126作為場發射電子源的電子發 射端128，電子發射端128的長度為10微米-1000微米，直徑小於5糹內米， 作為電子發射端128的碳納米管126的長度與直徑均小於碳納米管針尖12中的其他碳納米管126。
該導電基體14由導電材料製成，如銅、鴒、金、鉬、鉑等。該導電基 體14可依實際需要設計成其他形狀，如錐形、細小的柱形或者圓臺形。該 導電基體14也可為表面形成有一導電薄膜的絕緣基底。
該碳納米管針尖12的第一端122通過分子間力與導電基體14電連接。 可以理解，碳納米管針尖12與導電基體14之間也可通過導電膠連接。該碳 納米管針尖12與導電基體14之間的位置關係不限，只需確保該碳納米管針 尖12的第一端122與該導電基體14電連接即可，如碳納米管針尖12與 導電基體14的夾角為銳角，碳納米管針尖12與導電基體14的夾角為直角 或者碳納米管針尖12與導電基體14的軸向相互平行。
所述場發射電子源具有以下優點其一，釆用的碳納米管針尖為由多個 碳納米管通過範德華力連接組成的一碳納米管束狀結構，其尖端只有一根碳 納米管，尖端處的碳納米管被其他周圍的碳納米管通過範德華力牢牢固定， 因此尖端的碳納米管可以承受較大的電場力；其二，由於作為場發射尖端的 碳納米管通過碳納米管束狀結構與導電基體相連，因此場發射電流加熱產生 的熱量也可以及時有效的通過其周圍的碳納米管傳導出去，故該場發射電子 源可以承載較大的場發射電流;其三，該碳納米管針尖中僅由一根突出的碳 納米管作為場發射尖端，該碳納米管的直徑小於5納米，因此該場發射電子源 形成的電子束寬度較小，解析度較高。
請參閱圖5、圖6、圖7及圖8,本技術方案實施例提供一種製備上述場 發射電子源的方法，具體包括以下步驟
步驟一提供一碳納米管薄膜，該碳納米管薄膜中的碳納米管沿同一方 向延伸排列。
該碳納米管薄膜的製備方法包括以下步驟
首先，提供一碳納米管陣列形成於一基底，優選地，該陣列為超順排碳 納米管陣列。
本實施例中，碳納米管陣列的製備方法採用化學氣相沉積法，其具體步 驟包括(a)提供一平整基底，該基底可選用P型或N型矽基底，或選用形 成有氧化層的矽基底，本實施例優選為採用4英寸的矽基底；(b)在基底表 面均勻形成一催化劑層，該催化劑層材料可選用鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)或其任意組合的合金之一；(c)將上述形成有催化劑層的基底在700°C~900 。C的空氣中退火約30分鐘 90分鐘；(d)將處理過的基底置於反應爐中，在 保護氣體環境下加熱到500°C~740°C，然後通入碳源氣體反應約5分鐘 30 分鐘，生長得到碳納米管陣列，其高度大於IOO微米。該碳納米管陣列為多 個彼此平行且垂直於基底生長的碳納米管形成的純碳納米管陣列。該碳納米 管陣列與上述基底面積基本相同。通過上述控制生長條件，該超順排碳納米 管陣列中基本不含有雜質，如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。
本實施例中碳源氣可選用乙炔、乙烯、曱烷等化學性質較活潑的碳氬化 合物，本實施例優選的碳源氣為乙炔；保護氣體為氮氣或惰性氣體，本實施 例優選的保護氣體為氬氣。
可以理解，本實施例提供的碳納米管陣列不限於上述製備方法。本實施 例提供的碳納米管陣列為單壁碳納米管陣列、雙壁碳納米管陣列及多壁碳納 米管陣列中的一種。
其次，採用一拉伸工具從碳納米管陣列中拉取碳納米管獲得一碳納米管 薄膜。
該碳納米管薄膜製備具體包括以下步驟(a)從上述碳納米管陣列中選 定一定寬度的多個碳納米管片斷，本實施例優選為釆用具有一定寬度的膠帶 接觸碳納米管陣列以選定一定寬度的多個碳納米管片斷；(b)以一定速度沿 基本垂直於碳納米管陣列生長方向拉伸多個該碳納米管片斷，以形成一連續 的碳納米管薄膜。
在上述拉伸過程中，該多個碳納米管片斷在拉力作用下沿拉伸方向逐漸 脫離基底的同時，由於範德華力作用，該選定的多個碳納米管片斷分別與其 他碳納米管片斷首尾相連地連續地被拉出，從而形成一碳納米管薄膜。該碳 納米管薄膜包括多個首尾相連且定向延伸的碳納米管片斷。該碳納米管薄膜 中碳納米管的延伸方向基本平行於碳納米管薄膜的拉伸方向。
步驟二，提供一第一電極22和一第二電極24，將上述碳納米管薄膜的 兩端分別固定於第一電極22和第二電極24上，該碳納米管薄膜中碳納米管 從第一電極22向第二電極24延伸。
第一電極22與第二電極24之間保持一定的距離，且相互絕緣。將碳納 米管薄膜的沿其拉伸方向的一端平鋪粘附於第一電極22上且與第一電極22電性連接，碳納米管薄膜的沿其拉伸方向的另一端平鋪粘附於第二電極24 上且與第二電極24電性連接，使碳納米管薄膜中間懸空並處於拉伸狀態。 由於碳納米管薄膜本身具有一定的粘性，因此可將碳納米管薄膜的兩端分別 直接粘附於第一電極22和第二電極24上，也可以通過導電膠如銀膠將碳納 米管薄膜的兩端分別粘附於第 一電極22和第二電極24上。該第一電極22和第二電極24由導電材料製成，如銅、鴒、金、鉬、柏、 ITO玻璃等。該第一電極22和第二電極24的形狀不限，只需確保第一電極 22和第二電極24具有一平面可以使碳納米管薄膜的兩端分別平鋪粘附即 可。本實施例中第一電極22與第二電極24的形狀為一長方體。所述第一電 極22和第二電極24之間的距離為50微米-2毫米，本實施例優選為320微 米。步驟三，通過使用有機溶劑處理該碳納米管薄膜，形成多個碳納米管線28。通過試管將有機溶劑滴落在碳納米管薄膜表面從而浸潤整個碳納米管 薄膜。也可以將上述碳納米管薄膜連同第一電極22和第二電極24—起浸入 盛有有機溶劑的容器中浸潤。該有機溶劑為揮發性有機溶劑，如乙醇、曱醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本實施例中優選採用乙醇。該有機溶劑揮發後，在 揮發性有機溶劑的表面張力的作用下，碳納米管薄膜中的首尾相連的碳納米 管片斷會部分聚集成多個碳納米管線28。所述碳納米管線28包括多個沿碳 納米管線28軸向定向延伸且首尾相連的^ 灰納米管126, ^碳納米管線28的兩 端分別與第一電極22和第二電極28垂直連接。碳納米管線28的直徑為1 微米-20微米，長度為0.05毫米-2毫米。步驟四將該碳納米管線28通電流加熱熔斷，得到多個碳納米管針尖12。該步驟可以在真空環境下或惰性氣體保護的環境下進行，其具體包括以 下步驟首先，請參見圖7、圖8及圖9，將第一電極22、第二電極24和與兩電 極相連接的^友納米管線28置於一反應室20內，該反應室20包括一可3見窗 口 (圖中未標出)，該反應室20內部壓強為1'氐於1x10"帕的真空狀態，本實 施例反應室20的內部的真空度優選為優選為2xl(T5帕。該反應室20內部可充滿惰性氣體取代真空環境，如氦氣或氬氣等，以 免碳納米管線28在熔斷過程中因為氧化而引起結構破壞。其次，在第一電極22和第二電極24之間施加一電壓，通入電流加熱熔 斷碳納米管線28。本技術領域人員應當明白，第一電極22與第二電極24之間施加的電壓 與碳納米管線28的直徑和長度有關。本實施例中，碳納米管線28的直徑為 2微米，長度為300微米，在第一電極22與第二電極24之間施加一40伏特 的直流電壓。碳納米管線28在焦耳熱的作用下加熱到溫度為2000K至 2400K，加熱時間小於l小時。在真空直流加熱過程中，通過-友納米管線28 的電流會逐漸上升，但很快電流就開始下降，直到碳納米管線28被熔斷。 請參閱圖10，在熔斷前，每個碳納米管線28的中間位置會出現亮點，這是 由於焦耳熱的作用使碳納米管線28的溫度逐漸升高，同時碳納米管線28內 部產生的熱量要通過》友納米管線28本身分別向第一電極22或第二電極24 的方向傳導，碳納米管線28的中間位置離第一電極22或第二電極24的距 離最遠，使該處的溫度最高，因此出現亮點，故碳納米管線28的中間位置 最易斷開。當每個碳納米管線28從該亮點處熔斷後，形成了兩個正對的碳 納米管針尖12，該碳納米管針尖12包括一第一端122及與第一端122相對 的第二端124，其中，第一端122固定於第一電極22或第二電極124上，第 二端124為懸空狀態。碳納米管針尖12包括多個沿碳納米管針尖12軸向定 向延伸且首尾相連的碳納米管126，碳納米管126之間通過範德華力相互緊 密結合。碳納米管針尖12的第二端124為一類圓錐形，第二端124的直徑 沿遠離第一端122的方向逐漸減小，第二端124的頂端為一根突出的碳納米 管126，該碳納米管126即為電子發射端128。該碳納米管針尖12的長度為 0.01毫米至1毫米，直徑為l孩i:米至2(M鼓米。本實施例採用的真空熔斷法，避免了機械法切割碳納米管線28時埠 的汙染，而且，加熱過程中碳納米管線28的機械強度會有一定提高，使之 具備更優良的機械性 育b。請參閱圖ll，為碳納米管針尖12的第二端124的拉曼光譜圖。由圖可 見，經過熱處理後，碳納米管針尖12的第二端124的缺陷峰相對於未經熱 處理的碳納米管線28的缺陷峰有明顯的降低。也就是說，碳納米管針尖12在熔斷的過程中，其第二端124處的碳納米管126品質得到了極大的提高。 這一方面是由於碳納米管經過熱處理後缺陷減少，另一方面是因為富含缺陷 的石墨層容易在高溫下崩潰，剩下一些品質較高的石墨層，這一結果導致作 為電子發射端128的碳納米管126的直徑小於碳納米管針尖12中的其他碳 納米管126。
步驟五將碳納米管針尖12轉移設置於導電基體14上即得到場發射電 子源10。
請參閱圖12，將碳納米管針尖12轉移設置於導電基體14上的方法具體 包括以下步驟
首先，固定導電基體14於一三維移動^L構上。
該三維移動機構可通過電腦精確控制其移動方向和移動距離，使導電基 體14在三維空間中精確移動。
其次，移動導電基體14，使導電基體14與一個碳納米管針尖12接觸， 將碳納米管針尖12壓彎，以在碳納米管針尖12的彎折處形成一定的應力。
上述步驟在光學顯微鏡輔助的情況下進行，以便清楚的觀察碳納米管針 尖12和導電基體14之間的距離，以及碳納米管針尖12的狀態。
最後，施加一電流於導電基體14和碳納米管針尖12之間，將碳納米管 針尖12熔斷，熔斷的碳納米管針尖12固定於導電基體14上形成場發射電 子源。
所述電流可以為直流電流也可以為交流電流，其大小為5-30毫安，可 以理解，電流的大小與碳納米管針尖12的直徑有關，本實施例中，碳納米 管針尖12的直徑為3微米，電流為10毫安。
經過上述步驟後，碳納米管針尖12與導電基體14之間通過分子間力結 合，形成一場發射電子源10。
由於碳納米管針尖12的尺寸較小，如採用機械方法將碳納米管針尖12 從電極上取下，然後再將碳納米管針尖12粘附於導電基體14上，很容易將 碳納米管針尖12損壞，且難以操作。本技術方案所採用的真空電流熔斷的 方法不會對碳納米管針尖12造成損壞，且可以一步完成將碳納米管針尖12 從電極上取下並粘附於導電基體14上過程，操作筒單。
請參閱圖13及圖14,上述場發射電子源10的製備方法在步驟六之後還可進一步通過導電膠固定碳納米管針尖12和導電基體14,其具體包括以下 步驟
首先，提供一支撐體16，塗敷一定厚度的導電膠18於該支撐體16的一端。
所述支撐體16用於支撐導電膠18,其為一線狀結構，直徑為50-200微 米，該支撐體16的材料為一硬質材料，優選地，支撐體16為一直徑為125 微米的光纖。
所述導電膠18塗敷於支撐體16的一端，其厚度為5-50微米，優選地， 該導電膠18厚度為20微米的銀膠。
其次，固定支撐體16的未塗敷導電膠18的另一端於一三維移動機構(圖 未示)上。
該三維移動機構可通過電腦精確控制其移動方向和移動距離，使支撐體 16在三維空間中精確移動。
再次，使場發射電子源IO與支撐體16塗敷有導電膠的一端相接觸，粘 附部分導電膠18於碳納米管針尖12與導電基體14相接觸的部位。
上述步驟在光學顯微鏡下進行。由於導電膠18處於漿料狀態，碳納米 管針尖12和部分導電基體14陷入導電膠18中，而後，緩慢移動支撐體16 或場發射電子源10,使支撐體16與場發射電子源IO分離，此時，由於導電 膠18處於漿料狀態，在分離支撐體16與場發射電子源10時，導電膠18呈 現拉絲狀，直至該絲狀導電膠18被拉斷，部分導電膠18粘附於場發射電子 源10中的碳納米管針尖12與導電基體14的接觸處。在上述分離導電膠18 與場發射電子源10的過程中，由於碳納米管針尖12與導電基體14之間存 在一定的分子間力，碳納米管針尖12不會從導電基體14上脫落。
最後，烘乾上述粘附有導電膠18的場發射電子源10，而後在一定溫度 下燒結場發射電子源IO—段時間。
本實施例中，將粘附有銀膠的場發射電子源IO置於一加熱爐中，在氮 氣、惰性氣體或真空狀態下，80-120。C的溫度下烘乾30分鐘-2小時，然後 將溫度升至350-500°C,燒結20分鐘-l小時後，冷卻至室溫。
在上述燒結過程中，4艮膠中的有機成分在高溫下淨皮除去，4艮膠凝固，佳_ 碳納米管針尖12固定在導電基體14上，使碳納米管針尖12與導電基體14牢固的結合，使場發射電子源IO可以承受較大電場力。請參見圖l5，本實 施例所製備的場發射電子源10可以發射20微安以上的電流。另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化，當然，這些依 據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。
權利要求
1.一種場發射電子源的製備方法，包括以下步驟提供一碳納米管薄膜，該碳納米管薄膜中的碳納米管沿同一方向延伸排列；提供一第一電極和一第二電極，將碳納米管薄膜的兩端分別固定於第一電極和第二電極上，該碳納米管薄膜中的碳納米管從第一電極向第二電極延伸；使用有機溶劑處理該碳納米管薄膜，形成多個碳納米管線，該碳納米管線的兩端分別固定於第一電極和第二電極上；將該碳納米管線通電流加熱熔斷，形成多個碳納米管針尖於第一電極或第二電極上；提供一導電基體，將一碳納米管針尖轉移設置於該導電基體上，形成一場發射電子源。
2. 如權利要求1所述的場發射電子源的製備方法，其特徵在於，上述碳納米管 薄膜的製備方法包括以下步驟提供一碳納米管陣列；從上述碳納米管陣列中選定一定寬度的碳納米管片斷；以及 以一定速度沿基本垂直於碳納米管陣列生長方向拉伸該碳納米管片斷，以形 成一連續的碳納米管薄膜。
3. 如權利要求1所述的場發射電子源的製備方法，其特徵在於，所述的有機溶 劑為乙醇、曱醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿。
4. 如權利要求1所述的場發射電子源的製備方法，其特徵在於，所述的使用有 機溶劑處理碳納米管薄膜的方法為通過試管將有機溶劑滴落在碳納米管薄 膜表面浸潤整個碳納米管薄膜或將第一電極、第二電極和碳納米管薄膜浸入 盛有有機溶劑的容器中。
5. 如權利要求1所述的場發射電子源的製備方法，其特徵在於，所述第一電極 和第二電極材料為銅、鴒、金、鉬、鉑或ITO玻璃。
6. 如權利要求1所述的場發射電子源的製備方法，其特徵在於，所述第一電極 和第二電極之間的距離為5(H效米-2毫米。
7. 如權利要求1所述的場發射電子源的製備方法，其特徵在於，所述的將該碳 納米管線通電流加熱熔斷的過程具體包括以下步驟將碳納米管薄膜連同第一電極和第二電極設置於一充滿惰性氣體的反應室內或者真空度低於lxlO"帕的反應室內；以及在第一電極和第二電才及兩端施加一電壓，將石灰納米管線加熱至2000K至 2400K,保溫小於l小時的時間，熔斷石灰納米管線。
8. 如權利要求1所述的場發射電子源的製備方法，其特徵在於，所述的將碳納 米管針尖轉移設置於該導電基體上的方法具體包括以下步驟 固定導電基體於一三維移動機構上；移動導電基體，使導電基體與固定在第一電極或第二電極的一個碳納米管針 尖接觸，並將碳納米管針尖壓彎；以及施加5毫安-30毫安的電流於導電基體和第一電極或第二電極之間，使碳納 米管針尖熔斷，熔斷的碳納米管針尖固定於導電基體上形成場發射電子源。
9. 如權利要求1所述的場發射電子源的製備方法，其特徵在於，進一步通過導 電膠固定碳納米管針尖和導電基體，其包括以下步驟提供一支撐體，塗敷一定厚度的導電膠於該支撐體的一端； 將支撐體的未塗敷有導電膠的另一端固定於一三維移動機構上； 控制三維移動機構，使支撐體與場發射電子源相接觸，塗敷部分導電膠於碳 納米管針尖與導電基體相接觸的部位；在80-120。C的溫度下烘乾粘附有導電膠的場發射電子源，並在350-500。C溫 度下燒結場發射電子源20分鐘-1小時。
全文摘要
一種場發射電子源的製備方法，包括以下步驟提供一碳納米管薄膜，該碳納米管薄膜中的碳納米管沿同一方向延伸排列；提供一第一電極和一第二電極，將碳納米管薄膜的兩端分別固定於第一電極和第二電極上，該碳納米管薄膜中碳納米管從第一電極向第二電極延伸；通過使用有機溶劑處理該碳納米管薄膜，形成多個碳納米管線；將該碳納米管線通電流加熱熔斷，得到多個碳納米管針尖；提供一導電基體，將一碳納米管針尖設置於該導電基體上，形成一場發射電子源。
文檔編號H01J9/02GK101540253SQ20081006612
公開日2009年9月23日 申請日期2008年3月19日 優先權日2008年3月19日
發明者亮 劉, 範守善, 洋 魏 申請人:清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司