利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構的製作方法

2024-02-21 08:05:15

專利名稱：利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種靜電釋放結構，特別涉及一種利用陽極處理所產生的金屬 氧化物的靜電導引結構。
背景技術：
電子設備大多數處於靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)的環境中， 靜電放電因帶電荷物體所形成的電場使附近的氣體電離所產生的放電現象，靜 電的幹擾會破壞了電子組件或者電路，而其它處於靜電釋放危險的電子組件雖 沒有立即損害影響，但已造成電子設備質量降低，亦縮短電子設備使用壽命。
ESD產生的電壓相當高。當環境中的相對溼度低於50%以下時，人體上 所累積的靜電電荷的電壓可能超過3萬伏特，然而多數的靜電敏感組件所能承 受的電壓大多小於100伏特，甚至有些電子組件僅IO伏特就會遭到破壞。特 別是具有微電子組件的電子設備，其中的微電子組件對於ESD更是敏感。此 些微電子組件多是由絕緣層、導電層或半導體層等極微小的結構迭合而成，因 此瞬間的靜電放電將可能導致微電子組件內部的結構損壞。易受到ESD傷害 的微電子組件例如為處理器、特殊應用集成電路組件(ASICS)和諸如存取內 存(RAM)和只讀存儲器(ROM)等存儲組件等。
此外，ESD還會形成作業環境的幹擾。ESD所傳遞或發射出來的能量可 能會被作業系統誤認為是有效的數據，因而造成數據在傳輸過程中引發暫時性 的錯誤。
在靜電相關的法規要求下，於電子設備及其相關組件的製造過程中，通常 會採用與接地或負電壓電性連接的方式來防止靜電產生。
近幾年來，臺式計算機、移動計算機、行動電話、數字影音裝置等消費性 電子設備日趨普遍。由於金屬色澤具有較高雅的視覺效果，許多電子設備多採 用金屬殼體做為外殼。將金屬殼體直接電性連接至接地或負電壓，雖能降低靜 電放電的效應。然而，使用者於接觸外殼時，往往會感覺到觸電的現象。此狀況則是因為漏電流的關係。漏電流的產生不但會造成使用者的不適，過大時亦 有可能危害人體。

發明內容
鑑於以上的問題，本發明的目的在於提供一種利用陽極處理所產生的金屬 氧化物的靜電導引結構，以解決現有技術所存在靜電放電及漏電流的問題。
本發明所揭露的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構，適用 於電子設備。此利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構包括金屬 殼體、氧化層、系統接地層和至少一導體。
金屬殼體，並且系統接地層和導體位於金屬殼體內。金屬殼體經過陽極處 理後，於其表面上形成有氧化層。
導體電性連接至金屬殼體內惻表面上的氧化層和系統接地層，以致使形成 於金屬殼體上的靜電能被釋放到系統接地層。
其中，金屬殼體內容置有電路板，並且此電路板上設置有至少一電子組件。 此些電子組件用以執行應用本發明一實施例的電子設備的功能運作。
再者，可使用塑料殼體將執行電子設備的功能運作的各種組件(例如電 路板和電子組件)與金屬殼體隔離。
於此，塑料殼體位於金屬殼體的一側，即容置於金屬殼體內。塑料殼體相 對於金屬殼體的另一側的表面上可形成有另一系統接地層，並且此系統接地層 會與電路板上的接地接點電性相連，以致使電子設備能具有較大面積的系統接 地。
本發明所揭露的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構，適用 於用以提供電力的電子設備。以電池組件為例，在一實施例中，此利用陽極處 理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構包括塑料殼體、金屬殼體、氧化層和 至少一導體。電池組件具有至少一電池(Cdl)，且此電池用以提供電力。
塑料殼體設置於金屬殼體的容置空間內，即金屬殼體位於塑料殼體外側。
電池設置於塑料殼體內側。
金屬殼體經過陽極處理後，於其表面上形成有氧化層。
導體電性連接至金屬殼體近塑料殼體的一側的表面上的氧化層，以提供氧 化層和電子設備的系統接地之間的電性連結。
5其中，電池組件上可設置有第一接地接腳。此第一接地接腳會對應於設置 於電子設備上的第二接地接腳。第一接地接腳電性連接導體。且第二接地接腳 電性連接電子設備的系統接地。
當電池組件與電子設備結合時，第一接地接腳會與第二接地接腳接觸而電 性導通，以形成氧化層和電子設備的系統接地之間的電性連結。
導體可單純由連接單元(例如導電片和導線等組件)實現。連接單元具 有導電性，能提供系統接地(即系統接地層)和金屬殼體內側表面上的氧化層 之間的電性連接。
此外，導體亦可由連接單元和金屬膜實現。金屬膜具有導電性，能提供氧 化層和連接單元之間的電性連結。連接單元具有導電性，能提供系統接地和金 屬膜之間的電性連結。換言之，系統接地和氧化層可由金屬膜和連接單元而電 性導通。
金屬膜可為諸如鋁箔或銅箔等金屬箔、利用諸如濺鍍或蒸鍍等技術所形成 的金屬鍍膜、導電布或導電泡棉。
本發明所揭露的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構，包 括塑料殼體、金屬殼體、氧化層和至少一導體。塑料殼體的表面上具有一系 統接地層。金屬殼體位於塑料殼體外側，且氧化層形成於金屬殼體的表面上。
其中，氧化層的厚度介於約6 )im (微米)到約50pm之間，且導體電性連接
氧化層和系統接地層。
於此，氧化層可提供高阻抗，以抑制漏電流。其中，氧化層的厚度較佳介
於約6 jim到約50 jam之間。
除了通過控制氧化層的厚度來達到有效地排除靜電之外，另外可再加入控 制封孔的程度以加速電荷的傳導，進而有利於排除靜電。
綜上所述，應用根據本發明的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導 引結構，均能有效地排除形成於金屬殼體上的靜電，且有效的抑制於金屬殼體 上的漏電流現象。
以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的 限定。


圖1為根據本發明第一實施例的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜
電導引結構的示意圖2為根據本發明第二實施例的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜 電導引結構的示意圖3為根據本發明第三實施例的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜 電導引結構的示意圖4為根據本發明第四實施例的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜 電導引結構的示意圖5為根據本發明第五實施例的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜 電導引結構的示意圖6為根據本發明第六實施例的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜 電導引結構的概要結構圖7為根據本發明第七實施例的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜 電導引結構的示意圖8為根據本發明第八實施例的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜 電導引結構的示意圖；以及
圖9為根據本發明的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構 的靜電放電的排除測試和漏電流測試結果。
其中，附圖標記
10計算機
20電子設備
22第二接地接腳
110金屬層
112金屬殼體
114容置空間
120氧化層
130導體
132連接單元
134金屬膜
136第一接地接腳140系統接地層
142接地接點
150電路板
160電子組件
170塑料殼體
172容置空間
180鎖固組件
190電池
GND系統接地
說明書第5/ll頁
具體實施例方式
以下敘述的關於本發明的詳細特徵以及優點，其內容足以使任何本領域技 術人員了解本發明的技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露的內容、權 利要求範圍及附圖，任何本領域技術人員可輕易地理解本發明相關的目的及優 點。
本技術在於排除形成於金屬殼體的靜電。於此，通過電性連結的方式，將 金屬殼體與內部系統接地電性結合，以致將金屬殼體上的靜電引導至系統接 地。
參照圖1 ，為根據本發明-一實施例的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的 靜電導引結構。此靜電導引結構可應用於一電子設備或一電子組件。
此靜電導引結構包括一金屬層110、 一氧化層120和一導體130。此金屬 層110可用以做為電子設備或電子組件的金屬殼體(或金屬外殼)。
氧化層120形成於金屬層110的表面上。此氧化層120為在金屬層110 進行陽極處理後，於金屬層110的表面形成的氧化金屬。舉例來說，假若金屬 層110的材質為鋁時，在金屬層IIO進行陽極處理之後，會於金屬層110的表 面生成的氧化鋁的薄層，此即為氧化層120。
由於金屬層IIO長時間暴露於空氣中，容易因為溼度、溫度等環境因素而 發生氧化或變色的情況。故先行將金屬層110進行陽極處理，以於金屬層IIO 形成氧化層120，以避免日後非必要的氧化或變色的情況發生。
於此，氧化層120可局部形成於金屬層110的表面上。此外，氧化層120面，如圖2所示。
導體130電性連接至金屬層110和應用的電子設備的內部的系統接地 GND或相關於電子組件的系統接地GND，以致使形成於金屬殼體(即上述金 屬層IIO)上的靜電能被釋放到系統接地GND。
再者，氧化層120可提供高達數十MQ (奧姆)到數百MQ (奧姆)的阻 抗，可視為內部接地(系統接地)和外部接地(金屬層)各自獨立，以抑制漏 電流。此時，若靜電由金屬層110的一側(以下稱外側)打到金屬層110上， 靜電可跳過金屬層IIO外側表面上的氧化層120到達金屬層110的內部。然後 再經由金屬層110的另一側(以下稱內側)表面上的氧化層120跳到導體130 上，進而被導引至系統接地GND。如此一來，即可達成排除金屬殼體(即上 述金屬層110)上的靜電。
其中，導體130與氧化層120之間的接觸可為點接觸亦可為面接觸。並且， 當金屬層110的面積較大時，可利用二個或二個以上的導體130來提供氧化層 120與系統接地GND之間的電性連結，以致使能更有效地將金屬層110上的 靜電引導至系統接地GND。
參照圖3，其中，導體130可包括連接單元132，例如導電片和導線等 組件。連接單元132連接至系統接地層140 (即前述的系統接地GND)和金 屬層110表面的氧化層120，換言之，連接單元132接觸系統接地層140和氧 化層120，以提供系統接地層140和氧化層120之間的電性連結。
參照圖4 ，再者，導體130可還包括金屬膜134。金屬膜134位於金屬層 110表面的氧化層120上。即金屬膜134電性連接氧化層120。
於此，連接單元132的一端接觸金屬膜134，而連接單元132的另一端則 接觸系統接地層140，以提供系統接地層140和金屬膜134之間的電性連結。 換言之，系統接地層140和氧化層120可由金屬膜134和連接單元132而電性 導通。其中，連接單元132可通過焊錫焊接於金屬膜134和/或系統接地層140 上。
於此，金屬膜134可局部或完全覆蓋金屬層110內側表面上的氧化層120。 金屬膜134可為諸如鋁箔或銅箔等金屬箔、利用諸如濺鍍或蒸鍍等技術所形成 的金屬鍍膜、導電布或導電泡棉。
以應用於電子設備為例，參照圖5及圖6，為根據本發明一實施例的利用
9陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構。此利用陽極處理所產生的金屬
氧化物的靜電導引結構包括金屬殼體112、氧化層120、系統接地層140和 至少一導體130。
金屬殼體112 (即前述的金屬層110)提供有一容置空間114。金屬殼體 112經過陽極處理後，於其表面上形成有氧化層120。
系統接地層140 (即前述的系統接地GND)和導體130位於容置空間114內。
導體130電性連接至金屬殼體112內側表面上的氧化層120和系統接地層 140。換言之，導體130具有導電性，並且接觸氧化層120和系統接地層140。
於此，導體130可由連接單元132實現(請合併參照圖3 。連接單元132 (即導體130)連接至系統接地層140和金屬殼體112 (即前述的金屬層110) 內側表面上的氧化層120。換言之，連接單元132具有導電性，並且接觸氧化 層120和系統接地層140。
此外，導體130可由連接單元132和金屬膜134實現(請合併參照圖4 )。 金屬膜134位於金屬殼體112(即前述的金屬層110)內側表面上的氧化層120 上。連接單元132的一端接觸金屬膜134，而連接單元132的另一端則接觸系 統接地層140，以系統接地層140和金屬膜134之間的電性連結。換言之，金 屬膜B4提供該氧化層和連接單元132之間的電性連結。
當根據本發明的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構應用 於電子設備時，金屬殼體112可由電子設備的金屬殼體實現，而系統接地層 140則可由電子設備的系統接地實現。其中，金屬殼體112內容置有電路板150， 並且於電路板150上設置有至少一電子組件160 (例如集成電路(IC)、處 理器、電容、電阻、電晶體等組件)。此些電子組件160可用以執行此電子設 備的功能運作。舉例來說，若此電子設備為一計算機10，此些電子組件160 則可實現計算機10的信息處理功能。
參照圖7，於此，可設置一塑料殼體170，並將電子設備的電路板150設 置在塑料殼體170內。換言之，可使用塑料殼體170將執行電子設備的功能運 作的各種組件(例如電路板150和電子組件160)與金屬殼體112隔離。舉 例來說，可於金屬殼體112的內側表面上設置塑料殼體170，且電路板150則 固定於塑料殼體170相對於金屬殼體112的另一側的表面上。其中，塑料殼體170可由電子設備的塑料殼體實現。
於此，塑料殼體170相對於金屬殼體112的另一側的表面上可形成有系統 接地層140 (即前述的系統接地GND)。而導體130電性連接至金屬殼體112 內側表面上的氧化層120和塑料殼體170表面上的系統接地層140。換言之， 導體130具有導電性，並且接觸氧化層120和系統接地層140。
此外，電路板150表面上的接地接點142可電性連接至塑料殼體170表面 上的系統接地層140，致使電子設備具有較大面積的系統接地。其中，電路板 150表面上的接地接點142和塑料殼體170表面上的系統接地層140的電性連 結可通過具導電性的鎖固組件180實現，並且同時可將電路板150固定於塑料 殼體170上。舉例來說，鎖固組件180可為金屬螺絲，此金屬螺絲貫穿電路板 150而鎖固於表面具有系統接地層140的塑料殼體170上。
其中，金屬殼體112可為形成封閉式容置空間的殼體結構或開放式容置空 間的殼體結構。塑料殼體170亦可為形成封閉式容置空間的殼體結構或開放式 容置空間的殼體結構。
再以應用於電池組件為例，參照圖8，為根據本發明一實施例的利用陽極 處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構。此利用陽極處理所產生的金屬氧化 物的靜電導引結構適用於一電池組件。此電池組件具有至少一電池190，以提 供電力給電子設備20。此利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構 包括金屬殼體112、氧化層120、至少一導體130和塑料殼體170。
金屬殼體112具有開放式的容置空間114。塑料殼體170設置於金屬殼體 112的內側，即設置於容置空間U4內。塑料殼體170亦具有容置空間172， 以容置執行此電池組件的功能運作的功能組件，例如電池190。
電池l卯設置於塑料殼體170的內側，即設置於容置空間172內。電池 190用以執行此利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構的功能運 作，換言之，電池190儲存有電力，當電池組件與電子設備20結合(即電池 組件裝設於電子設備20上)時，可通過電池組件與電子設備20的電性結合處 將電池l卯儲存的電力提供給電子設備20。
金屬殼體112經過陽極處理後，於其表面上形成有氧化層120。並且，金 屬殼體112與塑料殼體170之間可由氧化層120而彼此隔離。
導體130電性連接至金屬殼體112近塑料殼體170的一側的表面上的氧化層120。於此，導體130可部份夾設於金屬殼體112和塑料殼體170之間。
當電池組件與電子設備20結合時，導體130可將金屬殼體112表面上的 氧化層120電性連接至電子設備20的系統接地GND。換言之，導體130可提 供氧化層120和電子設備20的系統接地GND之間的電性連結。
其中，電池組件上可設置有第一接地接腳136。此第一接地接腳136會對 應於設置於電子設備20上的第二接地接腳22。
第一接地接腳136電性連接導體130。且第二接地接腳22電性連接電子 設備20的系統接地GND。
當電池組件與電子設備20結合時，第一接地接腳136會與第二接地接腳 22接觸而電性導通，以形成氧化層120和電子設備20的系統接地GND之間 的電性連結。
於此，以不同厚度的氧化層120進行靜電放電的排除測試和漏電流測試， 結果如圖9所示。於此，以15KV (千伏特)的ESD (靜電放電)進行測試。 通過陽極處理分別形成厚度約為Onm(微米)、4|im、 6pm、 8pm、 15pm、 25|im、 50jim、 75|am和100(xm的氧化層。
於靜電放電的排除測試上，氧化層的厚度在約50pm以內都能有效地排除 靜電放電(Y)，而氧化層的厚度在大於約50pm (如，約75pm和約100pm) 則不容易排除靜電放電(N)。
由於氧化層的厚度越厚對電荷傳導會越不容易，因此無法有效地排除靜 電。若要達到靜電排除效果，則需要累積一定程度的靜電荷，以提供較大的能 量使電荷足以傳導穿過氧化層。舉例來說，就50pm以上厚度的氧化層在施加 好幾十下ESD或更高KV值的ESD (例如25KV或35KV)時， 一樣會有放 電的情況產生。但法規只測試到8KV，而在特定電子儀器(例如筆記型計 算機等)上則要求到15KV。
然而，經過特殊處理的氧化層產生表面的阻抗會影響靜電消除的效果；舉 例來說，當氧化層的阻抗低的時候，由於氧化層阻抗較小，因此在靜電打到表 面時，電子電洞的移動速度較快，使得能量能快速進入設備接地端，造成數字 信號幹擾而影響電子設備的正常運作，換言之，於此情況下，靜電將造成設備 幹擾或損壞；但當氧化層的阻抗高的時候，由於氧化層的阻抗較大，因此在靜 電打到表面時，電子電洞的移動速度較緩慢造成能量耗損，接著在靜電能量越過另一端氧化層，因表面阻抗較大的緣故，使電子電洞緩慢移動而減少能量直接大量進入到設備接地端來幹擾數位訊號，進而達到靜電消除效果。
此外，上述試驗都是在封孔程度100%下進行。然而，搭配適當地封孔處理能夠有效改善電荷傳導的速度，舉例來說，降低封孔的程度有利於改善電荷傳導的速度，進而加速靜電排除。因此，除了通過控制氧化層的厚度來達到有效地排除靜電之外，另外可再加入控制封孔的程度以加速電荷的傳導，進而有利於排除靜電。
再者，當氧化層過薄(例如約6^im以下)時，雖然仍然可以排除靜電。但氧化層過薄時，氧化層的表面阻抗會降低。按照奧姆定律V=IR (電壓等於電流與阻抗的乘積)，因而在相同的電壓下，氧化層的表面阻抗變低，會使得流經氧化層的電流變大，然而在瞬間使大量的能量引導到接地(ground)容易使接地電位產生跳動，進而使電子信號的參考接地電位無法判讀，甚至產生機器故障的風險。此時，亦可通過結合陽極處理封孔來達到與6pm以上厚度的氧化層相同排除靜電的效果，即可避免靜電對周圍或人體造成傷害。
在陽極處理封孔的過程中，封孔的程度會決定電荷在氧化層中傳導的能力。在另一個實驗中，在陽極處理過程中，形成厚度在6pm以下的氧化層對靜電排除方式，並進行封孔的處理。實驗證實，封孔程度在50%正負20%的內，氧化層厚度約在4~6pm對靜電能夠有效排除，且不會對周圍或人體造成傷害。
於此，氧化層的膜厚和封孔程度的控制可以因應不同領域的規範要求而做調整及搭配。而涵蓋領域可包括各種工業的應用，如航天、軍工業或電子電機工業等。即，氧化層的膜厚和封孔程度會根據所應用的領域的相關法規、規範或規格所需達到的靜電排除效果而有不同有效使用範圍。
於來自系統端(電子設備)的漏電流測試上，氧化層的厚度在約15pm左右所量測到的電壓皆低於10-20mV (毫伏)(L)，而氧化層的厚度在約4,所量測到的電壓則高於20mV (H)以上。
綜上所述，應用根據本發明的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構的電子設備和電池組件，能有效地排除形成於金屬殼體上的靜電，且有效的抑制於金屬殼體上的漏電流現象。
當然，本發明還可有其它多種實施例，在不背離本發明精神及其實質的情
13況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本發明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬於本發明所附的權利要求的保護範圍。
權利要求
1、一種利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構，其特徵在於，包括一金屬殼體；一氧化層，形成於該金屬殼體的表面；一系統接地層，位於該金屬殼體內；以及至少一導體，電性連接至該金屬殼體內側表面上的該氧化層和該系統接地層，以提供該氧化層和該系統接地層之間的電性連結。
2、 根據權利要求1所述的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引 結構，其特徵在於，該導體包括至少一連接單元，連接至該系統接地層和該金屬殼體內側表面上的該氧化 層，用以提供該氧化層與該系統接地層之間的電性連結。
3、 根據權利要求1所述的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引 結構，其特徵在於，該導體包括至少一連接單元，電性連接至該系統接地層；以及至少一金屬膜，位於該金屬殼體內側表面上的該氧化層上，與該連接單元 連接，以提供該氧化層和該連接單元之間的電性連結。
4、 根據權利要求1所述的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引 結構，其特徵在於，還包括-.一塑料殼體，位於該金屬殼體的一側，該塑料殼體相對該金屬殼體的另一 側的表面上形成有該系統接地層；以及 一電路板，位於該塑料殼體內。
5、 根據權利要求1所述的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引 結構，其特徵在於，該氧化層的厚度介於6pm至5(^m之間。
6、 一種利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構，適用於一電 池組件，該電池組件具有至少一電池，該電池用以提供電力給一電子設備，其特徵在於，包括一塑料殼體，用以容設該電池； 一金屬殼體，位於該塑料殼體外側；一氧化層，形成於該金屬殼體的表面上；以及至少一導體，電性連接至該金屬殼體近塑料殼體的一側的表面上的該氧化 層，以提供該氧化層和該電子設備的一系統接地之間的電性連結。
7、 根據權利要求6所述的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引 結構，其特徵在於，該導體包括至少一連接單元，連接至該氧化層，以提供該氧化層和該電子設備的該系 統接地之間的電性連結。
8、 根據權利要求6所述的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引 結構，其特徵在於，該導體包括至少一金屬膜，位於該金屬殼體內側表面上的該氧化層上，以電性連接該 氧化層；以及至少一連接單元，連接至該金屬膜，以提供該金屬膜和該電子設備的該系 統接地之間的電性連結。
9、 根據權利要求6所述的利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引 結構，其特徵在於，該氧化層的厚度介於6pm至50^im之間。
10、 一種利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構，其特徵在於， 包括一塑料殼體，該塑料殼體的表面上具有一系統接地層； 一金屬殼體，位於該塑料殼體外側；一氧化層，形成於該金屬殼體的表面上，該氧化層的厚度介於6|am到50pm 之間；以及至少一導體，電性連接該氧化層和該系統接地層。
全文摘要
一種利用陽極處理所產生的金屬氧化物的靜電導引結構，其包括金屬殼體、氧化層、系統接地層和至少一導體。金屬殼體提供有一容置空間，並且系統接地層和導體位於容置空間內。金屬殼體經過陽極處理後，於其表面上形成有氧化層。導體電性連接至金屬殼體內側表面上的氧化層和系統接地層，以致使形成於金屬殼體上的靜電能被釋放到系統接地層。
文檔編號H05F3/02GK101640968SQ20081013123
公開日2010年2月3日 申請日期2008年8月1日 優先權日2008年8月1日
發明者陳昱宏 申請人:英業達股份有限公司