RAMO4基板的製作方法

2024-04-10 12:21:05 2

本發明涉及ramo4基板。

背景技術：

scalmgo4基板被用作gan等氮化物半導體的外延生長用基板等(例如，參照專利文獻1)。圖5是示出專利文獻1中記載的以往的scalmgo4基板的製造方法的例子。如圖5所示，以往的scalmgo4基板通過將scalmgo4塊體材料劈開來製造。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-178448號公報

技術實現要素：

發明要解決的問題

如專利文獻1所示，具有劈開性的scalmgo4雖然容易利用劈開性形成基板，但是其劈開性有時對基板的堅固性造成影響。例如，在使用scalmgo4基板製造晶片、器件時，有時在基板的端部(邊緣)產生碎裂或缺損，有時對成品率造成影響等。因此，要求堅固性更高的基板。

用於解決問題的手段

本發明提供一種ramo4基板，其包含含有通式ramo4所表示的單晶體(通式中，r表示選自sc、in、y和鑭系元素中的一個或多個三價元素，a表示選自fe(iii)、ga和al中的一個或多個三價元素，m表示選自mg、mn、fe(ii)、co、cu、zn和cd中的一個或多個二價元素)的ramo4基材部，所述ramo4基材部在端部具有傾斜部。

發明效果

根據本發明，能夠實現堅固性高的ramo4基板。

附圖說明

圖1為本發明的實施方式1中的傾斜部的截面圖。

圖2的圖2a、圖2b為表示傾斜部的一例的截面圖。

圖3的圖3a、圖3b為對斜面研磨中的加工負荷進行說明的圖，圖3c、圖3d為對傾斜部的形狀與易劈開程度的關係進行說明的圖。

圖4為本發明的實施方式2中的傾斜部的截面圖。

圖5為以往的scalmgo4基板的製造工序的圖。

圖6為以往的僅通過劈開形成的外延生長面的平面度測定結果的圖。

圖7的圖7a為本實施方式的scalmgo4基板的具有多個劈開面的外延生長面的俯視圖，圖7b為該scalmgo4基板的側視圖。

圖8為使用2μm金剛石漿料對scalmgo4劈開面進行研磨加工時的平面度測定結果的圖。

圖9為測定scalmgo4基板的剪切力的方法的說明圖。

圖10為表示scalmgo4基板的偏離角與剪切力的關係的圖。

圖11為對邊冠(edgecrown)進行說明的圖。

具體實施方式

以下，對於本發明的實施方式參照附圖進行說明。實施方式中，將ramo4基板設為scalmgo4進行說明。另外，以下的實施方式中有時將scalmgo4基板與scalmgo4基材部以相同的意思使用。

(實施方式1)

首先，對至於本發明的見解進行說明。scalmgo4單晶呈巖鹽型結構(111)面的sco2層、與六方晶(0001)面的almgo2層交替地層疊的結構。六方晶(0001)面的2層與纖鋅礦型結構相比是平面的，與面內的鍵相比，上下層間的鍵達到0.03nm之長，鍵合力弱。因此，scalmgo4單晶可以以(0001)面劈開。利用該特性，能夠進行通過劈開將塊體材料分割，來準備板狀體的工序(劈開工序)。

然而，雖然上述關於scalmgo4單晶的劈開的性質能夠使劈開工序容易實施，即利用劈開從scalmgo4鑄錠加工成scalmgo4基板，但是使基於以往的加工方法的劈開面的加工難以實施。將劈開scalmgo4塊體材料時的劈開面(以下也稱「外延生長面」)的平面度測定數據示於圖6。該數據是以在φ40mm的scalmgo4基板的同一平面內正交的xy軸使用雷射反射式測長機(三鷹光器制nh-3ma)獲取的數據。如圖6中箭頭所示，通過劈開形成的劈開面存在500nm以上的凹凸部。形成scalmgo4基板時，由於劈開時的劈開方向的剝離力有偏差，因而不在同一原子層發生劈開，其結果認為產生包含500nm以上的高低差的凹凸部。

接著，對於向scalmgo4單晶的(0001)面(scalmgo4基板的劈開面)的外延生長進行說明。外延生長面可以由單一的(0001)面(劈開面)構成。但是，若在外延生長面存在成為缺陷、異物等偶發的結晶生長的晶種的部分，則在外延生長面利用例如mocvd法進行gan的氣相生長時，有時ga原子向偶發的結晶生長的晶種聚集，發生局部的不均勻生長。

因此，需要將上述劈開工序中得到的scalmgo4基板的外延生長面加工平坦，但如上所述，不容易除去在劈開面產生的500nm以上的凹凸。特別是在scalmgo4基板的劈開面的加工時，即使想要除去通過劈開產生的凹凸，若整體中所佔的平坦面的比例大，則對平坦面進行加工時，加工負荷也容易集中在一部分區域(凹凸)。並且，有時不在表面，而在更加深入表面的內部發生劈開導致的破裂。認為新的凹凸是由於除去破裂部分而形成的。另外，在平坦面的比例高的情況下，僅僅施加在內部不劈開那樣的載荷的話，基本不能除去劈開工序中產生的凹凸。

在此，對於利用以往的加工法使劈開面(外延生長面)平坦化的scalmgo4基板進行說明。將使用一般用於粗研磨加工的直徑2μm尺寸的金剛石漿料(磨粒)，對scalmgo4的劈開面進行磨光研磨加工後的結果示於圖8。圖8為沿x方向測定加工後的面的平坦度的結果。如圖8所示，可知若進行該加工，則在表面產生500nm以上的凹凸。磨光研磨加工中金剛石漿料在scalmgo4表面滾動，由此將經滾動的部分的材料微小地除去。但是，單晶scalmgo4為多個sco2層與almgo2層的層疊體，因此認為由於加工力的偏差而部分地在深層發生剝離。因此，如圖8所示，分析到產生了500nm以上的凹凸。也就是說，scalmgo4的劈開性對於利用劈開現象從鑄錠分割成某一厚度的基板是非常有效的，微觀來看產生上述那樣的凹凸，容易通過外力而劈開。因此，可以說劈開性對基板的表面狀態和形狀帶來影響。

對於上述現象，本發明人等經過深入研究發現，通過特殊的加工法，能夠在scalmgo4基板上形成相互憑藉高低差而分離的劈開面。利用該加工方法得到的scalmgo4基板如圖7所示，在外延生長面202具有規則分布的多個劈開面(以下，也稱「微小平面」)260。另外，該外延生長面202不具有500nm以上的凹凸。

本發明人等具體發現以下詳述的加工方法(粗凹凸形成工序和微小凹凸形成工序)。這是本發明的凹凸除去工序。具體來說，在scalmgo4基板的成為外延生長面的區域整面形成一定高度的凹凸形狀(粗凹凸形成工序)。接著，通過階段性地減小加壓力，從而減小加壓力的偏差的絕對量而防止在內部的劈開，並且緩緩減小在整面形成的一定高度的凹凸形狀(微小凹凸形成工序)。

在粗凹凸形成工序中，按照連續地表面粗糙度為500nm以下的區域(以下，也稱「平坦部」)的面積均為1mm2以下的方式，使凹凸形狀分布於成為外延生長面的區域的整面。這是由於，在粗凹凸形成工序中若形成大於1mm2的平坦部，則在微小凹凸形成工序中，由於加工負荷的集中而在內部劈開，產生大於500nm的凹凸。另外，在粗凹凸形成工序中形成的多個凹凸的凸部的高度之差優選落在±0.5μm以下的範圍內。通過在整面形成高度的偏差落入該範圍內那樣的均勻高度的凹凸，能夠通過微小凹凸形成工序緩緩降低凹凸的高度，能夠在面內形成均勻的平坦部。

具體來說，在粗凹凸形成工序中，使用第1磨粒形成高度500nm以上的凹凸，在微小凹凸形成工序中，使用硬度低於上述第1磨粒的第2磨粒形成高度低於500nm的凹凸。

更詳細而言，在對一定高度的凹凸形狀進行加工的粗凹凸形成工序中，使用磨粒尺寸大的金剛石固定磨粒進行磨削加工。作為磨粒尺寸使用#300以上且#20000以下(優選為#600)的金剛石磨粒。通過使用該範圍的尺寸的金剛石磨粒的加工，可以使加工面的凹凸的高度之差落入±5μm以下的範圍內。另外，粗凹凸形成工序中的加工條件優選設為：磨石轉速500min-1以上且50000min-1以下(優選為1800min-1)、scalmgo4基板轉速10min-1以上且300min-1以下(優選為100min-1)、加工速度0.01μm/秒以上且1μm/秒以下(優選為0.3μm/秒)、加工除去量1μm以上且300μm以下(優選為20μm)。例如，若使用#600的金剛石磨粒，以磨石轉速1800min-1、scalmgo4基板轉速100min-1、加工速度0.3μm/秒、加工除去量20μm進行加工，則在成為外延生長面的區域不產生1mm2以上的平坦部(凹凸的高度為500nm以下區域連續1mm2以上的部位)，能夠形成規則的凹凸形狀。

接著對將粗凹凸形成工序中形成的凹凸緩緩除去的微小凹凸形成工序進行說明。在微小凹凸形成工序中，將上述高度500nm以上的凹凸除去，並且通過階段性地減弱了加壓力的研磨而形成高度低於500nm的凹凸。在微小凹凸形成工序中，優選：使用以膠態二氧化矽為主成分的漿料作為磨粒，轉速10min-1以上且1000min-1以下(優選為60min-1)、漿料供給量0.02ml/分鐘以上且2ml/分鐘以下(優選為0.5ml/分鐘)、研磨墊為無紡布墊。漿料供給量根據基板面積而改變量。具體來說，優選基板面積越大越增加漿料供給量。凹凸多的情況下，加工力容易選擇性地集中在凸部。因此，加壓量優選在微小凹凸形成工序的初期設為10000pa以上且20000pa以下的範圍，隨著凸部變得平坦而設為5000pa以上且小於10000pa，最終設為1000pa以上且5000pa以下的範圍。通過像這樣階段性地降低加壓力，從而能夠不發生內部的劈開地從成為外延生長面的區域除去高度500nm以上的凹凸。

實際上，在微小凹凸形成工序中，最初將加壓力設為15000pa進行3分鐘研磨加工，接著將加壓力降至8000pa進行5分鐘研磨加工，最後將加壓力降至1000pa進行10分鐘研磨加工，將結果示於以下。對於所得到的外延生長面的10μm見方的範圍，通過afm(原子力顯微鏡)進行表面形狀測定，結果在10μm見方的範圍內沒有高度500nm以上的凹凸，表示最大高度的rmax為6.42nm。也就是說，連高度50nm以上的凹凸也沒有觀察到。需要說明的是，表示均方根粗糙度的rq為0.179nm。進一步對該外延生長面詳細地進行形狀分析的結果是，在100μm2的微小的區域中，表面粗糙度ra為0.139nm，能夠形成沒有50nm以上的凹凸的極平滑面。在此，所得到的外延生長面的表面粗糙度ra為0.08nm以上且0.5nm以下。需要說明的是，表面粗糙度ra等是利用bruker公司的dimensionicon，依照iso13565-1測定的。

根據以上說明那樣的加工方法(粗凹凸形成工序和微小凹凸形成工序)，準備具有包含相互憑藉高低差而分離的劈開面的外延生長面的、scalmgo4基板。

對利用上述的特殊加工法準備的scalmgo4基板1的結構進行更具體的說明。如圖7所示，scalmgo4基板1具備具有多個微小平面260的外延生長面202。圖7a是scalmgo4基板的一部分外延生長面202的俯視圖，圖7b是從scalmgo4基板的側面觀察的示意圖。如圖7a所示，scalmgo4基板中，外延生長面202由多個微小平面260構成。微小平面260呈長條狀的形狀，相互平行地規則排列。本發明中，將微小平面260的x方向的寬度設為微小平面寬度261，將鄰接的微小平面間的高低差高度設為微小平面高度262。

另外，該scalmgo4基板1中，scalmgo4基板1的主面相對於微小平面(劈開面)260具有偏離角θ。本發明中，scalmgo4基板1的主面是指，宏觀地觀察scalmgo4基板1時的scalmgo4基板1的外延生長面202的表面。本實施方式的scalmgo4基板1的外延生長面202的表面宏觀上是平坦的，scalmgo4基板1的主面可以設為包含多個微小平面(劈開面)260的表面側的稜線在內的平面。另一方面，本實施方式中，偏離角θ是指，scalmgo4基板1的主面與相互分離的微小平面(劈開面)260所成的角度。即，外延生長面202的主面的面方位相對於scalmgo4的劈開面傾斜θ。另外，偏離角θ還可以換言為，scalmgo4基板1的主面與scalmgo4的(0001)面所成的角度。

需要說明的是，在成為種基板的scalmgo4基板1(scalmgo4基材部)上使iii族氮化物的c面等極性面生長的情況下，偏離角θ也是種基板(scalmgo4基板1)的主面與外延生長面的c面等極性面所成的角度。在此，將相對於種基板的主面具有偏離角的面、即微小平面260作為scalmgo4的單晶的c面(極性面)進行了說明，在微小平面260為scalmgo4的單晶的m面(非極性面)的情況下、或微小平面260為scalmgo4的單晶的a面(半極性面)的情況下，偏離角的定位也相同。設有偏離角的scalmgo4基板1微觀來看，如圖7b所示，多個微小平面260階段狀地連續。

接著，對scalmgo4基板的端部的形狀進行說明。對於具有上述那樣的外延生長面的scalmgo4基板而言，其易劈開程度也對基板的邊緣形狀產生影響。邊緣形狀是指，scalmgo4基板的端部的形狀，即比外延生長面202更外周側的基板的形狀。本實施方式中，該端部按照相對於scalmgo4基板成角度的方式形成，本發明中，將該區域稱為傾斜部。製作基板的邊緣形狀的目的是，防止晶片或器件製造時的碎裂、缺口，防止外延生長時在周邊部發生異常生長而隆起成環狀的冠等。另外，有時還將識別正反作為目的。但是，在使傾斜部成為易劈開的形狀的情況下，通過劈開而其形狀發生變化，或傾斜部的劈開遍及外延生長面，產生外延生長面的有效面積減少的問題。因此，在本發明中，目的在於，通過設置下述所示的形狀的傾斜部，從而提高具有劈開性的scalmgo4基板(ramo4)基板的堅固性，防止其破壞。

圖1中示出本發明的實施方式1涉及的、在scalmgo4基板1(基材部)的外延生長面更外周設置的傾斜部的形狀。傾斜部包括：其表面相對於scalmgo4基板1的主面具有角度θ1的第1區域、和位於比第1區域更外周側且其表面相對於scalmgo4基板1的主面具有角度θ2的第2區域。在第1區域與第2區域中，斜面的角度(相對於scalmgo4基板1的主面的傾斜角度)不同，在二者的邊界存在拐點a。另外圖1中，w1是在斜面區域中從第1區域的起點到角度變化的拐點a為止的距離，w2是從拐點a到第2區域的終點、即基板1的側面為止的距離。更正確來說，w1是與scalmgo4基板1的主面平行的方向上的第1區域的長度，w2是與scalmgo4基板1的主面平行的方向上的第2區域的長度。

另外，圖1中，θ表示scalmgo4基板1的偏離角。如上所述，偏離角是scalmgo4基板1的主面與外延生長面中的scalmgo4的劈開面所成的角度。另一方面，θ1是scalmgo4基板1的主面與第1區域的表面所成的角度，θ2是scalmgo4基板1的主面與第2區域的表面所成的角度。更正確來說，傾斜部的各區域與scalmgo4基板1的主面所成的角度(θ1和θ2)是平行於主面的面與傾斜部的各區域的表面所成的角。傾斜部的各區域的角度可以由scalmgo4基板的截面形狀等導出。

像本實施方式那樣，在scalmgo4基板1的主面具有偏離角θ的情況下，傾斜部優選具有：相對於主面的角度為小於偏離角θ的角度θ1的第1區域、和相對於主面的角度為大於偏離角θ的角度θ2的第2區域。即，θ、θ1和θ2優選滿足θ＜θ＜θ2的關係。若在傾斜部形成有這樣的第1區域和第2區域，則能夠進一步防止傾斜部的劈開的發生，能夠改善scalmgo4基板的堅固性。以下，對其理由進行說明。

首先，對於偏離角θ為14deg以上、傾斜部的形狀為不具有拐點a(角度變化的點)的直線狀的情況，利用圖2進行說明。圖2a是傾斜部的表面與scalmgo4基板1的主面所成的角度大於偏離角θ的情況。該情況下，若向傾斜部的表面施加負荷，則scalmgo4非常容易劈開，因此在傾斜部的內周側的區域(圖2a中的區域b)，傾斜部的表面(以下也稱「傾斜面」)有時沿劈開方向被破壞。另一方面，圖2b是傾斜部的表面與scalmgo4基板1的主面所成的角度小於偏離角θ的情況。該情況下，若向傾斜面施加負荷，則在傾斜部的外周側的區域(圖2b中的區域c)，有時傾斜面沿劈開方向被破壞。

接著，利用圖3，對傾斜部的形成時產生的負荷、和傾斜部的易劈開程度進行說明。圖3a是用於說明在形成的傾斜部的表面與scalmgo4基板1的主面形成角度θ2的情況下，傾斜面的形成時產生的負荷的圖。在此，θ2設為大於偏離角θ。如後所述，傾斜部利用研磨磨石、研磨帶等形成，在任一方法中，都對用於形成傾斜部的面如圖3a所示那樣沿水平方向施加加工負荷f。並且，對傾斜面施加f·cosθ2的力。另外，對傾斜面施加的力的劈開方向的分力f1可以由下述(1)式表示。

f1＝f·cosθ2·cos(θ2-θ)···(1)

也就是說，認為劈開方向最容易劈開的情況下，形成的傾斜面相對於劈開面的角度越大，越難以劈開。即，可以說θ2越大，上述(1)式中的f1越小，越難以劈開。將該難劈開程度當做與剪切應力同樣的特性的情況下，成為sin(2×(45deg-(θ2-θ))。因此，易劈開程度可以由下述(2)式表示。

易劈開程度＝cosθ2·cos(θ2-θ)·sin(2×(45deg-(θ2-θ)))···(2)

另一方面，圖3b所示的圖為θ大於θ1時的斜面形狀。對加工斜面的面如圖3b所示那樣沿水平方向施加加工負荷f。對斜面形狀的面施加f·cosθ1的力。對該斜面形狀的面施加的力的劈開方向的分力f2可以由下述(3)式表示。

f2＝f·cosθ1·cos(θ-θ1)···(3)

認為劈開方向最容易劈開的情況下，形成的傾斜面相對於劈開面的角度越大越難以劈開。將該難劈開程度當做與剪斷應力同樣的特性的情況下，成為sin(2×(45deg-(θ-θ1)))。因此，易劈開程度可以由下述(4)式表示。

易劈開程度＝cosθ1·cos(θ-θ1)·sin(2×(45deg-(θ-θ1)))···(4)

在此，圖3c和圖3d為表示易劈開程度的圖，是基於上述(3)式和(4)式製作的圖。圖3c為將偏離角θ設為30deg時的圖，圖3d為將偏離角θ設為14deg時的圖。另外，這些圖中，值越大，表示在傾斜部越難以發生劈開。

若參照圖3c和圖3d，則θ1越小、θ2越大，則越難以在傾斜部發生劈開。也就是說，通過在傾斜部形成前述的第1區域(相對於scalmgo4基板1的主面具有角度θ1的區域)、和前述的第2區域(相對於scalmgo4基板1的主面具有角度θ2的區域)，並適當設定角度θ1和θ2，從而能夠實現具有難以劈開的傾斜部、確保了強度的scalmgo4基板。

在此，圖3c和圖3d中，對於偏離角θ(30deg或14deg)下的易劈開程度，將易劈開程度降低10％時的角度設定為θ1和θ2。具體來說，圖3c的方案中，可以將θ1設為13deg，將θ2設為37deg。另一方面，圖3d中，可以將θ1設為1deg，將θ2設為23deg。需要說明的是，本實施方式中示出，以偏離角θ(30deg或14deg)下的易劈開程度為基準，將易劈開程度從該基準值降低10％時的角度設為θ1或θ2的例子，可以基於在形成傾斜部的工序以後對傾斜部施加的力，來決定θ1和θ2。作為在傾斜部的形成工序以後對傾斜部施加的力，有在研磨工序中從研磨墊對傾斜部施加的力、在基板傳送時對傾斜部施加的力等。因此，可以斟酌這些力的大小，來決定θ1和θ2。

另一方面，對於偏離角θ與易劈開程度的關係進行說明。測定scalmgo4基板1的偏離角、與沿scalmgo4基板1的主面的平行方向施加的力(以下，也稱「剪切力」)的關係。首先，如圖9所示，在scalmgo4基板1上用以氰基丙烯酸酯為主成分的粘接劑52粘接φ2mm、長度4mm的鋁製的鉚釘51。然後，與scalmgo4基板1的主面平行地對鉚釘附加負荷，測定鉚釘剝離時的負荷，對scalmgo4基板1的易劈開程度進行評價。對於scalmgo4基板1的主面與劈開面所成的角度(偏離角)θ為0deg、5deg、10deg、45deg的基板，分別將進行測定的結果示於圖10。如圖10所示，可以說偏離角θ越大，則直到鉚釘剝離為止的力、即剪切力越大，偏離角θ越大，則越難以劈開。需要說明的是，粘接劑52使用不會在鉚釘51與粘接劑52的界面剝離、不會在粘接劑52與scalmgo4基板1的界面剝離的、粘接力充分強的粘接劑。

以上那樣的發明人的深入研究的結果發現了偏離角θ與傾斜部的第1區域的角度θ1和第2區域的角度θ2的優選關係。即，特別優選偏離角θ為0.09deg以上且45deg以下，θ1大於0deg且小於θdeg，且θ2大於θ且小於θ+45deg。

需要說明的是，使用scalmgo4基板的外延生長面進行外延生長的情況下，對於不具有傾斜部的基板而言，如圖11所示，有時在外延生長膜53的周邊部發生異常生長，發生隆起成環狀的、被稱為邊冠的現象。另外，光致抗蝕劑塗布時也同樣有時在光致抗蝕劑54的周邊部發生異常堆積。形成傾斜部的目的不僅在於如前所述防止受到外力時的劈開，而且還在於防止邊冠。因此，在傾斜部設置第1區域和第2區域的情況下，優選考慮邊冠的影響，來決定各區域的沿scalmgo4基板的主面平行的方向的長度(在圖1中，w1和w2所示的長度)。具體來說，在傾斜部的第1區域側、即scalmgo4基板的內周側，邊冠的傾斜容易變緩，在傾斜部的第2區域側、即scalmgo4基板的外周側，傾斜容易變急。因此，考慮到這些，優選如上所述圖1所示的傾斜部的第2區域與scalmgo4基板的主面所成的角度θ2比第1區域與scalmgo4基板的主面所成的角度θ1更急地設定。另外，第1區域的與scalmgo4基板的主面平行的方向的長度w1優選為0.1mm以上且5mm以下，第2區域的與scalmgo4基板的主面平行的方向的長度w2優選為0.1mm以上且5mm以下。需要說明的是，傾斜部產生的邊冠的形狀根據外延生長工序的條件、光致抗蝕劑塗布的條件而不同。因此，可以根據邊冠的形狀，來選擇w1＜w2、w1＝w2、w1＞w2中的任一條件。

上文中，對在第1區域與第2區域之間具有拐點a的傾斜部進行了說明，也可以對於外延生長面與傾斜部的第1區域的邊界部分、傾斜部的第1區域與第2區域的邊界部分，實施磨削、研磨、倒角，成為它們圓滑地保持連續性的形狀。

另外，scalmgo4基板可以在背面(與外延生長面相反的面)也具有傾斜部。該情況下，產生與表面(外延生長面)側同樣的課題的情況下，可以將背面側的傾斜部的形狀設為與圖1所示的傾斜部同樣的形狀。通過在背面設置傾斜部，不僅對碎裂、缺口的防止有效地發揮作用，而且對正反的識別、使用鑷子操作基板時的容易性也有效地發揮作用。

接著，對形成具有上述那樣的形狀的傾斜部的方法進行說明。傾斜部可以通過例如使用旋轉磨石進行研磨的方法、使用研磨帶進行研磨的方法而形成。使用磨石的斜面研磨方法中，使旋轉的磨石接觸旋轉的晶片，使晶片或磨石一邊根據斜面形狀改變高度和角度一邊接觸。使磨石接觸的角度、高度、轉速等利用nc(數值演算)裝置任意設定，能夠根據程序運作而任意地運作，因此能夠將傾斜部形成所期望的形狀。另外，使用研磨帶的斜面研磨裝置由能夠控制使研磨帶抵在晶片的傾斜部的壓力和研磨角度的研磨頭、和研磨帶的送出卷取機構部構成，能夠根據斜面的形狀任意地規劃研磨頭角度。由此對存在各種形狀的斜面實施確實的研磨，能夠實現目標形狀。但是，如上所述，scalmgo4基板具有高的劈開性。因此，傾斜部也優選利用與外延生長面同樣的方法、即本發明的特殊的加工方法形成。

(實施方式2)

圖4中示出本發明的實施方式2涉及的、scalmgo4基板的傾斜部的形狀。對於本發明的實施方式2的scalmgo4基板1的傾斜部而言，其表面與scalmgo4基板1的主面所成的角度小於偏離角θ的區域、即實施方式的相當於第1區域的區域為極短區間或幾乎不存在，主要具有其表面與scalmgo4基板1的主面所成的角度大於偏離角θ的區域、即實施方式的相當於第2區域的區域。對於該傾斜部而言，其表面與scalmgo4基板1的主面所成的角度按照角度從θ21到θ2n變大的方式設定。也就是說，傾斜部的表面與scalmgo4基板1的主面所成的角度階段地變化。θ2n時的n為傾斜部表面與scalmgo4基板1的主面所成的角度的變化次數、即傾斜部的形成時設定的2以上的自然數，若增加n，則傾斜部成為光滑的形狀。

需要說明的是，實施方式2中按照相當於實施方式1的第2區域的區域的角度為2個以上的角度的方式設定，也可以按照相當於實施方式1的第1區域的區域的角度為2個以上的角度的方式設定。另外，這些區域中，可以對角度變化的邊界部分進一步實施磨削、研磨、倒角，成為圓滑地保持連續性的形狀。

(其他實施方式)

需要說明的是，上述的實施方式1和2中，對於包含通式ramo4所表示的單晶體的基板之中由scalmgo4的單晶體得到的基板進行了說明，但本發明不限於此。具體來說，本發明的基板由通式ramo4所表示的大致單一結晶材料構成。上述通式中，r表示選自sc、in、y和鑭系元素(原子序號67-71)中的一個或多個三價元素，a表示選自fe(iii)、ga和al中的一個或多個三價元素，m表示選自mg、mn、fe(ii)、co、cu、zn、cd中的一個或多個二價元素。需要說明的是，大致單一結晶材料是指，構成外延生長面的ramo4包含90atm％以上，且關注於任意的結晶軸時，在外延生長面的任何部分其方向都相同那樣的結晶質固體。但是，結晶軸的方向局部地變化的結晶、包含局部的晶格缺陷的結晶也被當作單晶。需要說明的是，o為氧。但是如上所述，期望r為sc、a為al、m為mg。

產業上的可利用性

在向基板上進行mocvc氣相生長時使led發光層生長而製造led元件時，通過利用本發明涉及的基板，能夠提高生產成品率，並且抑制作為led元件發生發光不均，進而防止亮度的降低。

符號說明

1scalmgo4基板

51鉚釘

52粘接劑

53外延生長膜

54光致抗蝕劑

202外延生長面

260微小平面

261微小平面寬度

262微小平面高度