聚合物基諧振器天線的製作方法

2023-10-29 11:26:07 3

聚合物基諧振器天線的製作方法
【專利摘要】介質諧振器天線適合用於小型射頻（RF）天線和裝置以及它們的製造方法。描述的是使用聚合物基材料製造的介質諧振器天線，如在集成電路和微系統的光刻製造中常用的那些材料。因此，製造時可以使用光刻製造技術。可以使用高的金屬垂直結構激發聚合物基的介質諧振器天線，其還利用適合集成電路和微系統製造的技術來製造。
【專利說明】聚合物基諧振器天線
[0001]相關申請的交叉參考
[0002]本申請要求2011年7月29日提交的美國臨時申請N0.61/513，354的權益。美國臨時申請N0.61/513，354的整體作為參考包含在這裡。
【技術領域】
[0003]本文描述的實施例涉及射頻(RF)天線及其製造方法。具體地，描述的實施例涉及介質諧振器天線。
【背景技術】
[0004]當前的集成電路天線通常基於薄金屬微帶「貼片」結構，其佔用大的側面積。微帶天線由布置在接地基板上的並且通常通過同軸探針或孔饋電的金屬帶或貼片組成。
[0005]最近，為了在微波和毫米波頻段的小型化無線和傳感器應用，介質諧振器天線(DRA)已經吸引了越來越多的關注。DRA是具有橫向尺寸的三維結構，可以比傳統的平面貼片天線小几倍，並且在輻射效率和帶寬方面其可以提供優越性能。
[0006]從軍事到醫學用途，從低頻到非常高的頻段，並且從片上到大陣列應用，在各種各樣的無線應用的設計中，DRA正變得越來越重要。相對於其它低增益或小的金屬結構的天線，DRA提供更高的輻射效率(由於沒有表面波和導體損耗)、較大的阻抗帶寬和緊湊尺寸。DRA還提供了設計靈活性和通用性。可以利用各種幾何形狀或諧振模式實現不同的輻射圖案，可以通過不同的介電常數提供寬帶或小型天線，並且可以使用各種各樣的饋電結構實現DRA的激勵。
[0007]儘管DRA的電磁性能優良，微帶天線仍廣泛用於低增益微波和毫米波應用。廣泛使用的微帶天線可能主要基於用於製造這些天線的現代印刷電路技術的相對低的製造成本考慮。通過比較，陶瓷基DRA可能涉及更複雜和昂貴的製造工藝，部分原因是其三維結構，部分原因是陶瓷材料加工的難度。
[0008]這些製造困難限制了 DRA的廣泛使用，尤其是對於大批量商業應用。
[0009]另外，雖然微帶貼片天線可以很容易地由光刻工藝製造成在各種複雜形狀，但是DRA主要限於簡單的結構(如矩形和圓形/圓柱形狀)。
[0010]事實上，已知的DRA的製造特別具有挑戰性，因為它們傳統上使用高相對介電常數的陶瓷製造，這些陶瓷是天然硬且非常難加工。批量加工製造會很困難，因為陶瓷材料的硬度要求金剛石切割工具，由於陶瓷材料的研磨性質，切割工具可能磨損相對較快。另外，陶瓷通常是在900-2000°C範圍內的高溫下燒結，製造過程更複雜並且可能限制DRA其它元件的可獲得材料的範圍。由於獨立元件放置以及與基板接合的要求，陣列結構會更加難以製造。因此，它們不能容易地用已知的自動化生產工藝製造。
[0011]另外的問題出現在毫米波頻率，其中DRA的尺寸減小到毫米或亞毫米範圍內，並且相應減小製造公差。這些製造困難迄今為止限制了 DRA的廣泛使用，尤其是用於大批量商業應用。
【發明內容】

[0012]在第一主要方面，提供一種介質諧振器天線，包括:基板，其具有至少第一平坦表面；饋線，其形成在基板的第一平坦表面上；聚合物基諧振器，其包括布置在基板的第一坦平表面上且至少部分在饋線上的至少第一本體部分，其中第一本體部分至少部分限定在基本平行於第一平坦表面的平面上延伸的腔，其中腔暴露饋線的第一饋線部分；傳導饋電結構(conductive feed structure),其布置在腔內，該饋電結構電稱合到第一饋線部分並遠離饋線延伸通過腔。
[0013]在一些實施例中，該饋電結構遠離饋線延伸通過腔的量在腔高度的10%_100%之間。
[0014]在一些實施例中，第一本體部分介質材料構成，該介質材料在製造之後保留。
[0015]在一些實施例中，聚合物基諧振器本體包括緊鄰第一本體部分提供的第二本體部分。
[0016]在一些實施例中，第二本體部分緊鄰第一本體部分的外壁，並且饋電結構合適地接合在第一本體部分和第二本體部分之間。
[0017]在一些實施例中，第二本體部分提供在腔內，並且饋電結構合適地接合在第二本體部分的外壁和第一本體部分的內壁之間。
[0018]在一些實施例中，第二本體部分由與第一本體部分不同的材料構成。
[0019]在一些實施例中，第一本體部分具有小於10的相對介電常數。
[0020]在一些實施例中，聚合物基諧振器本體由純聚合物光致抗蝕劑材料構成。
[0021 ] 在一些實施例中，聚合物基諧振器本體由複合聚合物基光致抗蝕劑材料構成。
[0022]在一些實施例中，介質諧振器天線可以進一步包括錐形饋線部分，該錐形饋線部分具有帶有第一寬度的第一側和帶有第二寬度的第二側，其中第二寬度比第一寬度寬，其中傳導饋電結構經由第二側的錐形饋線部分電耦合到饋線，並且其中饋線經由第一側的錐形饋線部分電耦合到傳導饋電結構。
[0023]在可選實施例中，提供一種介質諧振器天線，包括:基板，其具有至少第一平坦表面；饋線，其形成在基板的第一平坦表面上；聚合物基諧振器本體，其包括:第一本體部分，布置在基板的第一平坦表面上且至少部分在饋線上，其中第一本體部分限定在基本垂直於第一平坦表面的平面上延伸的第一腔和第一腔的壁與第一本體部分的外壁之間的第二腔，其中第二腔暴露饋線的第一饋線部分；和第二本體部分，其提供在第一本體部分內；和傳導饋電結構，其布置在第二腔內，該饋電結構電耦合到第一饋線部分並遠離饋線延伸通過第二腔。
[0024]在更廣泛的方面，提供一種製造介質諧振器天線的方法，該方法包括:形成具有至少第一平坦表面的基板；在基板的第一平坦表面上沉積並圖案化饋線；形成聚合物基諧振器本體，包括在基板的第一平坦表面上且至少部分在饋線上的至少第一本體部分；經由圖案掩模將聚合物基諧振器本體暴露於光刻源，其中圖案掩模限定將要形成在聚合物基諧振器本體中的腔，該腔在基本垂直於第一平坦表面的平面中延伸並至少部分暴露出饋線的第一饋線部分；顯影聚合物基諧振器本體的至少一個暴露部分並移除至少一個暴露部分以呈現出腔；在腔內沉積傳導饋電結構，該饋電結構電耦合到第一饋線部分並遠離饋線延伸通過腔。
[0025]在一些實施例中，進行多次所述形成，以逐漸增加聚合物基諧振器本體的厚度。
[0026]在一些實施例中，所述形成包括接合至少一個聚合物基材料薄片。
[0027]在一些實施例中，所述形成包括模鑄聚合物基諧振器本體並在200°C以下的溫度下烘焙。
[0028]在一些實施例中，光刻源是X射線源。
[0029]在一些實施例中，光刻光源是紫外光源。
[0030]在一些實施例中，該顯影是在250°C以下的溫度下進行的。
[0031 ] 在一些實施例中，饋電結構是用電鍍沉積的。
[0032]在一些實施例中，饋電結構遠離饋線延伸通過腔，並且饋電結構具有在腔高度的10-100%之間的高度。
[0033]在一些實施例中，該方法進一步包括通過在沉積期間控制饋電結構高度調諧介質諧振器天線。
[0034]在一些實施例中，第一主體部分由介質材料構成，該介質材料在製造之後保留。
[0035]在一些實施例中，形成聚合物基諧振器本體還包括形成鄰接第一本體部分的至少第二本體部分。
[0036]在一些實施例中，第二本體部分鄰接於第一本體部分的外壁，且饋電結構合適地接合在第一本體部分和第二本體部分之間。
[0037]在一些實施例中，該方法進一步包括在腔內形成第二本體部分，並且饋電結構合適地接合在第二本體部分的外壁和第一本體部分的內壁之間。
[0038]在一些實施例中，該方法進一步包括在形成第二本體部分後去除第一本體部分。
[0039]在一些實施例中，第二本體部分由與第一本體部分不同的材料構成。
[0040]在一些實施例中，聚合物基諧振器本體由純聚合物光致抗蝕劑材料製成。
[0041 ] 在一些實施方案中，聚合物基諧振器本體由複合聚合物基光致抗蝕劑材料製成。
[0042]在可選實施例中，提供一種製造介質諧振器天線的方法，該方法包括:形成具有至少第一平坦表面的基板；沉積並圖案化在基板的第一平坦表面上形成的饋線；形成聚合物基諧振器本體，包括:形成布置在基板的第一平坦表面上和至少部分在饋線上的第一本體部分；經由圖案掩模將聚合物基諧振器本體暴露於光刻源，其中圖案掩模限定將要形成在在基本垂直於第一平坦表面的平面中延伸的第一本體部分中的第一腔，並且該圖案掩模進一步限定將要形成在第一腔的壁和第一本體部分的外壁之間的第二腔，其中第二腔暴露饋線的第一饋線部分；和顯影聚合物基諧振器本體的至少一個暴露部分並移除至少暴露部分，以呈現出第一腔；進一步形成提供在第一腔內的第二本體部分；和沉積布置在第二腔內的傳導饋電結構，該饋電結構電稱合到第一饋線部分並遠離饋線延伸通過第二腔。
[0043]在又一個廣泛的方面，提供了一種介質諧振器天線，包括:具有至少第一平坦表面的基板；聚合物基諧振器本體；和激勵結構，其用於激勵聚合物基諧振器本體，其中聚合物基諧振器本體在大致垂直於基板的方向上包括延伸通過聚合物基諧振器本體的多個金屬內含物，並且其中以規則的圖案提供多個金屬內含物，以增強聚合物基諧振器本體的有效相對介電常數。
[0044]在一些實施例中，多個金屬內含物具有大致H形的輪廓。[0045]在又一個廣泛的方面，提供一種介質諧振器天線，包括:具有至少第一平坦表面的基板；耦合到基板的諧振器本體；在基板的第一平坦表面上的饋線，該饋線具有第一寬度；至少部分定位在基板和諧振器本體之間的傳導饋電結構，該傳導饋電結構具有比饋線的第一寬度寬的第二寬度；錐形饋線部分，該錐形饋線部分具有帶有第一寬度的第一側和帶有第二寬度的第二側，第一側電耦合到饋線，第二側電耦合到傳導饋電結構；錐形饋線部分可以具有梯形形狀。
[0046]在又一個廣泛的方面，提供一種介質諧振器天線，包括:具有至少第一平坦表面的基板；耦合到該基板的諧振器本體；至少部分在諧振器本體和基板之間延伸的微帶饋線，其中饋線離在距基板表面第一距離處鄰接諧振器本體，並且其中饋線具有被選擇來提供預定阻抗的寬度和厚度。
[0047]饋線的厚度可以基本上超過平面金屬波導厚度。在一些情況下，該厚度在100 μ m和1000 μ m之間。
[0048]天線可以進一步包括布置在饋線和基板之間的介質支撐。該介質支撐可以具有低的相對介電常數，例如小於10。
[0049]在一些情況下，饋線的寬度對應於介質支撐的寬度。在一些情況下，第一距離等於饋線的厚度和介質支撐的厚度。
[0050]該預定阻抗可以是50 Ω。
[0051]在又一個廣泛的方面，提供一種介質諧振器天線，包括:具有至少第一平坦表面的基板；形成於基板的第一平坦表面上的饋線；包括布置在基板的第一平表面上和至少部分饋線上的至少第一本體部分的諧振器本體；其中第一本體部分至少部分地限定在基本上垂直於第一平坦表面的平面內延伸的腔，其中該腔暴露出饋線的第一饋線部分；設置在腔內的饋電結構，該饋電結構電耦合到第一饋線部分並遠離饋線延伸通過腔；具有內壁、外壁、頂壁和底壁的介質饋電部分，底壁與頂壁相對，介質饋電部分沿著其底壁至少部分布置在饋線上並沿著內壁鄰接諧振器本體；和沿著介質饋電部分的外壁布置的外部帶，外部帶基本垂直於第一平坦表面從介質饋線部分的頂壁向底壁延伸。
[0052]在一些情況下，饋電結構遠離饋線延伸通過該腔的量在腔高度的10-100%之間。
[0053]在一些情況下，外部帶遠離頂壁延伸的量在介質饋電部分高度的10-100%之間。
[0054]介質饋電部分可以由與諧振器本體不同的材料構成。諧振器本體可以具有小於10的相對介電常數。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0055]為了更好地理解本文描述的實施例以及更清楚地示出它們可以如何實現，現在將僅藉助實例參考其中示出了至少一個示例性實施例的附圖，並且其中:
[0056]圖1A示出了用深X射線光刻製造的第三階科赫島分形結構的聚合物基天線元件；
[0057]圖1B示出了以更高的放大倍數顯示側壁細節的圖1A的天線元件；
[0058]圖2A和2B示出了純PMMA的相對介電常數和介質損耗角正切作為頻率的函數的示例性圖；
[0059]圖3A和3B示出了 SU_8的相對介電常數和介質損耗角正切作為頻率的函數的示例性圖；
[0060]圖4A和4B示出了基於具有包括48% (重量)複合材料的氧化鋁微粉末的PMMA的複合材料的相對介電常數和介質損耗角正切作為頻率的函數的示例性圖；
[0061]圖5A和5B示出了基於具有包括48% (重量)複合材料的氧化鋁微粉末的SU_8的複合材料的相對介電常數和介質損耗角正切作為頻率的函數的示例性圖；
[0062]圖6A示出了示例性的PRA ；
[0063]圖6B示出了圖6A的PRA的反射係數作為頻率的函數；
[0064]圖6C示出了對應於圖6A的PRA的E面圖案；
[0065]圖6D和6E示出了帶饋電的PRA的反射係數的圖；
[0066]圖7A至7C示出了具有嵌入式垂直金屬帶的示例性PRA ；
[0067]圖7D示出了圖7A至7C的PRA的反射係數的圖；
[0068]圖8A示出了具有嵌入式高金屬垂直饋電結構的另一示例性PRA的分解立體圖；
[0069]圖8B示出了圖8A的PRA的反射係數的圖；
[0070]圖9A示出了具有嵌入式高金屬垂直饋電結構的另一示例性PRA的分解立體圖；
[0071]圖9B示出了圖9A的PRA的備選框架的等距視圖；
[0072]圖9C示出了圖9A的PRA的反射係數的圖；
[0073]圖1OA示出了具有嵌入式高金屬垂直饋電結構的另一示例性PRA的分解立體圖；
[0074]圖1OB示出了圖1OA的PRA的反射係數的圖；
[0075]圖1OC和IOD示出了圖1OA的PRA的輻射圖案的圖；
[0076]圖1lA示出了具有嵌入式垂直金屬元件陣列的示例性諧振器本體的分解立體圖；
[0077]圖1lB示出了具有嵌入式金屬增強諧振器的另一示例性PRA的圖；
[0078]圖1lC示出了圖1lB的PRA的反射係數的圖；
[0079]圖1lD示出了具有包括嵌入式垂直金屬元件陣列的諧振器本體的另一示例性PRA的等距視圖；
[0080]圖12示出了示例性的光刻製造工藝；
[0081]圖13示出了具有改進的饋線的示例性介質諧振器天線的等距視圖；
[0082]圖14A示出了比較圖13的DRA和常規DRA的反射係數的極坐標中的史密斯圓圖；
[0083]圖14B示出了對應於圖14A的史密斯圓圖的反射係數的圖；
[0084]圖14C和14D示出了圖14A和14B的示例性實施例的諧振器本體內部的電近場分布；
[0085]圖14E和14F分別示出了在圖14A至14D的示例性實施例中天線的歸一化輻射圖案在25GHz的E面和H面；
[0086]圖14G示出了在圖14A的示例性實施例的反射係數的圖上改變諧振器側寬度的效果;
[0087]圖14H示出了對於各種饋線形狀的反射係數的圖；
[0088]圖15A和15B分別示出了雙垂直饋電結構的示例性實施例的等距視圖和平面圖；
[0089]圖16A示出了對於圖15A和15B的示例性實施例的對於變化長度Li的反射係數變化的圖；
[0090]圖16B示出了圖15A和15B的示例性實施例的對於變化長度Le的反射係數變化的圖；
[0091]圖17A至17F示出了圖15A的DRA的一個結構的E面和H面切割中的輻射圖案；
[0092]圖18示出了在一個結構中沒有外部帶的DRA的E面切割中的輻射圖案；
[0093]圖19示出了在一個結構中沒有外部帶的DRA的H面切割中的輻射圖案；
[0094]圖20A示出了具有改進的饋線的示例性DRA實施例的側視圖；
[0095]圖20B示出了圖20A的DRA的平面圖；
[0096]圖20C示出了對於各個饋線厚度的反射係數的圖；
[0097]圖21A示出了具有改進的饋線和介質支撐的示例性DRA實施例的側視圖；
[0098]圖21B示出了圖21A的DRA的平面圖；和
[0099]圖21C示出了對於各種介質支撐厚度的反射係數的圖。
[0100]本領域技術人員將理解，下面描述的附圖是僅用於說明目的。將意識到，為了說明簡單和清楚，附圖中示出的元件不一定按比例繪製。例如，為了清楚起見，可以相對於其它元件誇大一些元件的尺寸。此外，在認為適當時，可以在多個圖中重複附圖標記以指示相應或類似的元件。
【具體實施方式】
[0101]使用聚合物基的材料製造DRA可能有助於在商業應用中更多地使用這類天線。聚合物的自然柔軟性可以大大簡化製造並且它們的低的相對介電常數可以進一步增強DRA的阻抗帶寬。
[0102]本文描述的是小型射頻(RF)天線和使用非傳統的聚合物基材料的裝置及其製造方法。所描述的小型RF天線能夠實現對於各種出現的無線通信和傳感器裝置(例如，微型接收器/發送器、個人/耐磨/嵌入式無線設備等)、汽車雷達系統、小衛星、RFID、傳感器和傳感器陣列網絡、生物相容的無線裝置和生物傳感器)的提高的性能和增加的功能。尤其是，這些聚合物基的天線裝置可以稱為聚合物或聚合物基的諧振器天線(PRA)。
[0103]目前，對RF無線裝置的持續小型化的最大障礙之一是天線結構，該結構佔總器件尺寸的很大一部分。近來，陶瓷基介質諧振器天線(DRA)已吸引了對小型化無線和在微波和毫米波頻率的傳感器應用的增加的關注。DRA是具有橫向尺寸的三維結構，其可以比傳統的天線小几倍並且其可以提供優良的性能。儘管陶瓷基的DRA有優良的性能，但由於關係到它們的三維結構引起的複雜的和昂貴的製造工藝以及製造並成形硬質陶瓷材料的困難，它們沒有被廣泛用於商業無線應用。
[0104]與此相反，本文描述的聚合物基的DRA會促進更容易製造，同時保留陶瓷基DRA的很多好處。尤其是，例如，聚合物的固有的柔軟性可以通過使用光刻批量製造或其它3D印刷或微機械加工工藝顯著簡化介質元件的製造。然而，必須有效地激發聚合物基的DRA以在微波和暈米波頻率共振和福射。
[0105]由於聚合物基材料的固有的柔軟性，使用這些材料可以顯著地簡化製造。在一些情況下，可以使用純的光致抗蝕劑的聚合物用於直接曝光。在其它情況下，複合的光致抗蝕劑的聚合物(例如，混合有例如陶瓷粉末或其它材料的聚合物)用於直接接觸。也可以使用例如本文參考圖9A和9B所描述的其它材料。而且，假如使用的聚合物材料有非常低的相對介電常數，使用聚合物基的材料可以提供寬的阻抗帶寬。尤其是，可以使用具有所選參數的各種不同的聚合物類型來滿足特定應用的要求或達到所希望的性能特性。例如，使用光刻工藝，光致抗蝕劑的聚合物(例如PMMA)可以有利於DRA的製造並且可以使用彈性聚合物(例如聚二甲基矽氧烷(PDMS))來製得柔韌的低輪廓的PRA。
[0106]聚合物材料還可以與各種填充材料混合以製造複合材料。如果適當地混合，工程複合材料可以提供非凡的性能。可以使用的複合材料包括自供電複合材料、鐵電的複合材料和鐵磁的複合材料。
[0107]自供電複合材料是能夠將太陽能轉換為電能的材料，從而提供電力以供微波電路使用。這類材料的例子包括碳納米管和CdS納米棒或納米線。
[0108]鐵電複合材料是可以響應於所施加的(例如DC)電壓改變天線特性的材料，從而在微波電路的設計和操作方面引入靈活性。這種材料的例子是BST (鈦酸鍶鋇)，其是一種類型的陶瓷材料。
[0109]鐵磁複合材料與鐵電材料類似，不同之處在於它們通常響應於施加的磁場改變天線特性。這種材料的例子包括聚合物-金屬(鐵和鎳)納米複合材料。
[0110]也可以使用高相對介電常數的陶瓷來提供特定的性能特徵。
[0111]這種填料可以允許設計可以動態適應的(例如，頻率或極化靈活，或者具有可重新配置的輻射圖案)「智能」的PRA。這種PRA例如在適應的無線系統中是特別有用的。
[0112]正如上面提到的，光致抗蝕劑和/或光敏聚合物可以與光刻製備工藝組合使用來實現具有精確特徵的天線結構。尤其是，發展已知的光刻技術能夠實現具有小特徵的無源器件的製造。
[0113]然而，延長這些光刻技術來製造高性能的無源微波部件-其通常佔超過無線收發器中的電路元件的75% -以前已經受到阻礙，因為UV光的滲透深度對於圖案化高層結構通常是不夠的，常見的是厚的光致抗蝕`劑材料。通常，厚的結構可以提高各種金屬部件(例如，通過製作高的、低損耗的小型結構)的性能，由於沒有表面電流和金屬損耗，並且還由於製造微小的三維結構的難度，特別希望厚結構的製造用於合適在毫米波頻率使用的介質元件。
[0114]在一些實施例中，發現X射線光刻是用合適的精度和批量製造能力在厚材料中實現高結構的圖案化的合適的製造技術。
[0115]X射線光刻是一種可以利用同步加速器輻射來製造三維結構的技術。結構可以被製造為具有高度可達數毫米(例如，目前的技術典型地最多為3至4_)，以及在微米或亞微米範圍內具有最小的橫向結構特徵(即，布局圖案)。相對於諸如UV光刻的其它製造技術，X射線光刻可以產生具有更好側壁垂直度和更精細特徵的高得多的結構(可達數毫米)。
[0116]現在參考圖1A和1B，示出了聚合物基天線元件100的示例性掃描電子顯微鏡(SEM)圖像，在聞品質微型結構的製造中顯不出X射線光刻技術的能力。圖1Atj^出了用深X射線光刻製造的第三階科赫島分形結構的聚合物基天線元件100。如所示的，天線元件100的厚度為1.8mm，優良的側壁垂直度大於89.7°，粗糙度為26± 12nm量級。圖1B示出了以較高的放大倍數示出側壁細節的相同的天線元件100。
[0117]X射線光刻技術也可以用於製造高的金屬結構(例如，電容器、濾波器、傳輸線、腔諧振器和耦合器等)，因此可以允許在一個共用基板上製造集成的PRA電路(例如，陣列結構、饋電網絡和其它微波部件)。[0118]X射線光刻技術可以使用比傳統的光學光刻技術更多能量和更高頻率的輻射，以產生具有最小尺寸大小小於I微米的非常高的結構。X射線光刻製造包括在基板上塗覆光致抗蝕劑材料，通過掩模曝光同步加速器輻射，並使用合適的溶劑或顯影劑顯影該材料的步驟。
[0119]X射線光刻技術也可以是所謂的LIGA工藝的初始階段，其中LIGA是LithographiesGalvanoformung和Abformung (光刻、電沉積和模塑)的德文縮寫。LIGA工藝還可以包括金屬的電鑄和塑料的模塑，其沒有嚴格要求生產介電結構。
[0120]可以修改和優化X射線光刻製造，用於不同的材料和結構要求。可以選擇X射線光刻製造中使用的材料，以滿足X射線光刻製造本身所需的光刻性能和所製造的天線的隨之產生的電性能。
[0121]尤其是，將被選擇用於合適材料的電氣特性包括相對介電常數和介電損耗。在介質天線的應用中，可以選擇的材料具有低的介電損耗(例如，損耗角正切高達約0.05，或可能更高，這取決於應用)。例如，值小於約0.03的損耗角正切會導致天線的大於90%的輻射效率。
[0122]在一些實施例中，材料的相對介電常數可以選擇為在8和100之間。在其它實施例中，相對介電常數可以小於約10。在一些具體實施例中，相對介電常數可以為約4或更低。
[0123]可以選擇用於X射線光刻微細加工的合適的聚合物基材料，使得簡化沉積工藝，並且顯示出對X射線的靈敏性以便於圖案化。因此，在一些實施例中，使用純的光致抗蝕劑材料。在一些其它實施例中，也可以使用光致抗蝕劑的複合材料。
[0124]純光致抗蝕劑的聚合物材料可以最有效地促進X射線光刻製造，但也可以在天線性能方面不太理想。適於X射線光刻的光致抗蝕劑材料的例子包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和 Epon SU-8。
[0125]PMMA是常用在電子束和X射線光刻中的單組分正抗蝕劑。它可能表現出相對差的敏感性，因此要求高曝光劑量進行構圖。然而，用專用顯影劑實現的選擇性(即對比度)可以非常高，從而導致優良的結構質量。有時通過膠將非常厚的PMMA層塗布在基板上。然而，圖案化厚層可能需要非常深的X射線和用於光束線反射鏡和過濾器的特殊調整。
[0126]PMMA在紫外線光譜表現出相對較小的吸收，這使得它作為光學光刻的候選不太理想。然而，PMMA在可見光範圍內表現出優良的光學透明性，這使得它在微光學應用中是有用的。
[0127]現在參考圖2A和圖2B，示出了純PMMA的相對介電常數和介質損耗角正切作為頻率的函數的圖。PMMA的這些電特性是用兩層微帶環形諧振器的技術測定的。在IOGHz時，相對介電常數和介質損耗角正切經測定分別為2.65和0.005。相對介電常數隨著頻率的增加而減小，在40GHz達到2.45。相反，介質損耗角正切隨著頻率的增加而增加，在40GHz達到 0.02。
[0128]純PMMA的低的相對介電常數可能使得其不太適合某些介質天線的應用。
[0129]Epon SU-8是一種適合於紫外線和X射線光刻的三組分負抗蝕劑。SU-8在350-400nm之間的波長表現出最大的靈敏度。然而，使用化學放大允許非常低的曝光劑量。因此，其它波長，包括0.0l-1Onm之間的X射線波長，也可以使用SU-8。[0130]SU-8的高粘度允許在多個步驟模鑄或旋塗非常厚的層。然而，副作用，如T型套圈，可能會導致諸如不想要的劑量貢獻於抗蝕劑頂部、交聯過程中由收縮引起的應力和與電鍍的不兼容的缺陷。
[0131]在已知的技術中已經報導了用於SU-8的介電特性的各種數值。例如，SU-8的介電常數已被報告為在2.8和4之間。這些報導的電性能的變化可能是由於多種因素，包括使用不同的商業類型的SU-8 (例如SU-8 (5)、SU-8 (10)、SU_8 (100)等等)、預烘焙和後烘焙條件(例如時間和溫度)以及曝光劑量。因此，使用SU-8可能需要仔細的表徵特別選定類型的SU-8的電性能和製造步驟的相應調整。
[0132]現在參考圖3A和3B，示出了 SU_8的相對介電常數和介質損耗角正切作為頻率的函數的圖。SU-8的這些電性能是使用兩層微帶環形諧振器的技術獨立測量的。在IOGHz時，相對介電常數和介質損耗角正切分別測定為3.3和0.012。相對介電常數隨著頻率的增加而減小，在40GHz達到3.1。相反，介質損耗角正切隨著頻率的增加而增加，在40GHz達到
0.04。
[0133]如本文所示，純的光致抗蝕劑材料對於微波和天線應用不是最佳的。因此，希望改善它們的電性能。在一些實施例中，增強毫米波和微波波長的期望性質的材料，如陶瓷粉末和微粉末，可以被加入到低粘度的光致抗蝕劑材料。其它填料可以包括碳納米管和CdS納米線，活性鐵電材料和高相對介電常數的陶瓷，它們可以被選擇以形成具有所需性能的材料，如增強的可調諧性或自供電能力。所得到的光致抗蝕劑的複合材料可以提供適合於介質天線應用的更寬組的可實施材料。在某些情況下，使用這樣的複合材料會改變光致抗蝕劑性能，需要調整光刻加工或製造過程中的附加步驟。
[0134]這種光致抗蝕劑的複合材料的例子包括併入氧化鋁微粉末的PMMA複合物，以及還併入氧化鋁微粉末的SU-8複合物。
[0135]現在參考圖4A和4B，示出了基於具有含複合物的48% (重量)的氧化鋁微粉末的PMMA的複合物的相對介電常數和介質損耗角正切作為頻率的函數的圖。PMMA複合物的這些電特性是用兩層微帶環形諧振器的技術測定的。
[0136]與純PMMA的相對介電常數和損耗角正切相比，可觀察到有改善，而複合物仍然適合用於光刻製造中。例如，相比純PMMA在30GHz約2.5的相對介電常數，PMMA複合物的相對介電常數在30GHz為約3.9。類似地，相比純PMMA在30GHz約0.015的損耗角正切，複合物的損耗角正切在30GHz為約0.01。
[0137]現在參考圖5A和5B，示出了基於具有含複合物的48% (重量)的氧化鋁微粉末的SU-8的複合物的相對介電常數和介質損耗角正切作為頻率的函數的圖。SU-8複合物的這些電特性是用兩層微帶環形諧振器的技術測定的。
[0138]再有，可以觀察到SU-8複合物的電性能的改進。例如，相比純SU-8在30GHz約
3.2的相對介電常數，SU-8複合物的相對介電常數在30GHz為約5。類似地，相比純SU-8在30GHz約0.03的損耗角正切，複合物的損耗角正切在30GHz為約0.02。
[0139]可以使用各種複合物，其可以包括其它基的光致抗蝕劑材料或增強填料的其它電特性。光致抗蝕劑材料和增強填料的電特性可以以各種比例組合，這取決於所需的電性能和製造工藝。
[0140]因此，將意識到，該描述的實施例不限於光致抗蝕劑基的聚合物材料(例如，純光致抗蝕劑材料，如SU-8和PMMA，和光致抗蝕劑的複合材料，如混合有陶瓷或其它填料的SU-8和PMMA)。然而，光致抗蝕劑基的材料適合於在厚層中具有精確特徵的天線結構的光刻製造，尤其是如果它們便於使用深穿透光刻技術，如厚抗蝕劑UV光刻或深X射線光刻(XRL)0
[0141]非常低的相對介電常數的PRA的激發會存在問題，但是在某些情況下仍然可以使用已知的方法來實現。例如，可以使用縫隙饋電機構或微帶饋線機構。在這種布置中，諧振器本體是從下方供給的，例如沿基板的表面。
[0142]然而，可以使用高金屬垂直結構實現更有效的耦合，其中該垂直結構通常垂直延伸遠離底座或基板。這樣高的金屬垂直結構可以利用深X射線光刻製造技術圖案化並製造。在這樣的布置中，縫隙饋電或微帶饋送激勵機制可以用垂直結構激勵機制替換。
[0143]具有高金屬垂直結構的天線的一個例子是垂直開放端的帶狀結構，如圖6A所示。現在參考圖6A，示出了包括聚合物諧振器605的PRA600，其是由金屬垂直帶610饋送的。垂直帶610具有約2mmX 1.4mm的尺寸，並且電稱合到微帶饋線620。
[0144]現在參考圖6B，示出了 PRA600的反射係數作為頻率的函數。將意識到，超寬帶操作可以使用PRA600實現。
[0145]然而，現在參考圖6C，示出了對應於PRA600的E面圖案。E面圖案由於在諧振器605的側壁上存在金屬結構(例如垂直帶610)而傾斜。因此，存在相對於y-ζ面在E面圖案結構中可觀察到的不對稱性。在更高的頻率更容易觀察到這種不對稱的效果。
[0146]通過比較縫隙饋電天線，主模的共振可以從對於對應的縫隙饋電天線的約
32.5GHz降低到對於天線600的23GHz。因此，天線尺寸可以由於使用金屬帶而小型化。
[0147]可以在接近主模的諧振頻率的頻率處激勵具有類似輻射圖案的PRA的高階模式(例如在37GHz的TE131和在更高頻率的TE151 )。結果是，超寬帶天線的操作可以由於在不同頻率存在多種模式來實現。
[0148]也可以使用帶饋電結構(如天線600)來饋送具有相對介電常數小於4的純SU-8結構。現在參考圖6D和6E，示出了帶饋電的PRA的反射係數的圖。圖6D示出了具有相對介電常數為3.5的PRA的反射係數。圖6E示出了相對介電常數為3.2的PRA的反射係數。
[0149]因此，可以觀察到，即使是對於相對介電常數為3.2的天線，主模的諧振頻率為
25.5GHz並且保持天線的-1OdB的超寬帶寬。
[0150]雖然希望垂直帶饋電機構提供上面描述的超寬帶寬性能，但在實踐中很難有效地激發這種低相對介電常數的聚合物基DRA。甚至金屬帶和光致抗蝕劑聚合物之間的相對小的間隙也會對PRA的性能產生嚴重的負面影響。而且，外部的垂直帶難以製造。例如，由於材料的差的粘合性能，將垂直的金屬帶永久性地粘貼到光致抗蝕劑聚合物材料是有挑戰性的。
[0151]因此，為了緩解這一問題，在本文中描述了嵌入在PRA的聚合物諧振器內的高垂直金屬結構。可以製造這種嵌入式高垂直金屬結構以避免需要將該帶粘貼於聚合物諧振器的外表面。有利的是，相比具有粘貼於外部側壁的帶的PRA，以上述方式製造的PRA的反射係數顯示出良好的性能。
[0152]通過併入高的垂直嵌入式金屬饋電結構，PRA可以設計成相比傳統的DRA具有約50%的縮小尺寸。另外，具有嵌入式高的金屬饋電結構的PRA能夠實現提供附加的控制帶寬和頻率響應的模式。
[0153]現在參考圖7A至7C，示出了具有嵌入式垂直金屬帶的示例性PRA700的三個不同視圖。圖7A示出了 PRA700的等距視圖，其包括具有嵌入孔710的諧振器本體705。諧振器本體705位於基板790和饋線780的頂上。
[0154]圖7B示出了 PRA700的等距剖視圖，揭示了嵌入在孔710內的高的垂直金屬結構720。最後，圖7C示出了 PRA700的平面圖。
[0155]高的金屬垂直結構720可以是例如在100-200之間微米厚，並且可以在聚合物諧振器內形成的孔中製造幾毫米的寬和高。另外，高的金屬垂直結構可以定位在距離側壁100-200微米之間。高的金屬垂直結構的精確定位可以通過仿真和試驗來確定，特別是通過分析該聚合物結構內部的電磁場圖案來確定。
[0156]嵌入式高金屬饋電結構的高度可以被確定為PRA諧振器本體高度的一小部分，並且基於該本體材料的相對介電常數。典型地，金屬饋電結構具有在PRA諧振器本體高度的10-100%的高度，並且對於較高相對介電常數的PRA通常是較短的。可以使用具有各種橫向拓撲結構(例如，矩形、正方形、圓形或任意複雜的橫向形狀)的饋電元件，並且可以使用PRA內的各種布置位置來實現期望的天線和耦合性能。
[0157]也可以選擇嵌入式高金屬饋電結構的高度，以控制PRA中的高階諧振模式的諧振頻率。這些模式可以通過嵌入式垂直金屬饋電結構的大小及成形小心控制，以實現超寬帶天線的性能。尤其是，這些模式的諧振頻率可以通過改變嵌入式垂直金屬饋電結構的高度(例如，PRA諧振器本體高度的10-100%之間)來調節。
[0158]現在參考圖7D，示出了 PRA700的反射係數的圖，其中聚合物諧振器本體705的相對介電常數為3.2。反射係數可以與圖6E的外部帶饋電的PRA作比較。
[0159]嵌入式饋電的PRA如PRA700，包括饋電結構，可以使用光刻技術來製造。
[0160]在用光致抗蝕劑模板電鍍的常見應用中，在形成金屬體之後移除模板或框架。然而，在本文描述的至少一些實施例中，可以在電鍍之後保持聚合物或聚合物基的模板(例如光致抗蝕劑)，以用作包圍金屬饋電結構的功能性介質材料。
[0161]因此，在一些實施例中，可以使用聚合物材料作為電鍍模板，並且另外形成PRA(例如諧振器本體)的實際結構。然而，在變形的實施例中，可以移除至少一些電鍍模板。
[0162]例如，為了製造PRA700，可以使用UV光刻技術在微波基板上製造饋線。聚合物基光致抗蝕劑可以被模鑄或形成(如果需要的話，多次)並且在250°C (如95°C)以下的溫度下烘焙。在一些備選實施例中，光致抗蝕劑可以通過例如粘合或膠合多個預鑄造的聚合物基材料片形成。接下來可以使用X射線或超深UV曝光圖案化天線邊緣附近的窄間隙或孔並顯影，通常在室溫下進行。最後，將得到的間隙隨後填充金屬(通過電鍍或其它方式)到所要求的高度，以產生嵌入式垂直帶。
[0163]明顯地，這些製造工藝可以在相對低的溫度下進行並且沒有燒結，這將限制可使用的聚合物材料的範圍以及特徵尺寸。
[0164]當使用金屬電鍍時，可以使用微帶線780作為電鍍基底來啟動電鍍工藝。在LIGA工藝中證明了微觀結構的電鍍用於具有幾個毫米高度的複雜結構。
[0165]對於2mm高的結構，垂直於最小橫向尺寸的縱橫比在10_20的範圍內，從而很好的在已知的製造技術的能力範圍內。[0166]增加的表面粗糙度可以對應於增加的金屬損失。然而，使用X射線光刻工藝，金屬帶的側壁可以製造為非常光滑，具有幾十納米量級的粗糙度。這允許在毫米波頻率增加天線的效率，其對於高頻陣列的應用特別有吸引力的，其中損耗的主要部分可以歸因於饋電網絡。
[0167]製造複雜形狀的PRA的能力允許諧振器本體和其它元件根據需要成形。例如，PRA元件的橫向形狀可以是正方形、矩形、圓形或具有任意的橫向幾何形狀，包括不規則碎片形狀。因此，諧振器本體可以具有對應於立方體(對於正方形橫向幾何形狀)、圓柱體(用於圓形的橫向幾何形狀)等的三維結構。
[0168]如上所述，利用深穿透光刻技術，如厚抗蝕劑的UV光刻或深X射線光刻(XRL)，可以用厚的聚合物或聚合物複合層製造PRA元件，可達數毫米的厚度。在一些備選實施例中，可以使用其它3D列印或微機械加工工藝。
[0169]也可以使用多種製造方法，包括直接製造、或者通過將介質材料注入到由光致抗蝕劑材料形成的光刻製造的框架或模板中。使用這種框架能夠使用具有寬範圍介質材料的複雜形狀，否則使用其它製造技術製造可能是非常困難的。
[0170]現在參考圖8A，示出了具有嵌入式高的金屬垂直饋電結構的例子PRA的分解立體圖。PRA800包括接地層810、基板825、饋線815、高的金屬垂直饋電結構820和諧振器本體830。
[0171]基板825可以是微波或毫米波基板材料，接地層810可以粘附到該基板材料。
[0172]根據所使用的製造工藝，例如，基板825可以是根據工藝要求摻雜的一層氧化鋁、玻璃或矽。
[0173]諧振器本體830可以由如本文描述的聚合物或聚合物基材料形成，並且具有在其中限定的孔或腔840。在一些實施例中，諧振器本體830可以具有方形或矩形的拓撲結構。在其它實施例中，可以使用不同的形狀，如圓形、不規則碎片或其它複雜的形狀。
[0174]例如，使用如本文所述的X射線或深UV光刻，可以將孔840形成為與饋電結構820緊密接合。在一些實施例中，可以使用孔840作為模具(例如使用電鍍等)製造饋電結構820，以保證金屬緊密接合到孔壁。
[0175]饋電結構820和孔840可以具有基本平坦的矩形形狀，並且通常布置為接近諧振器本體830的外壁，使得該細長邊緣基本平行於該外壁。在一個實施例中，饋電結構820和孔840可以被布置有距離諧振器本體830的外壁在100-300微米的細長邊緣。
[0176]在一些其它實施例中，饋電結構820和孔840可以具有不同的橫向形狀的拓撲結構，例如，圓形、不規則碎片或其它複雜的形狀。
[0177]饋電結構820由導電材料(例如金屬)製成，並且基本垂直地從基板825的表面延伸進入孔840。優選地，饋電結構820具有對應於諧振器本體830的厚度的10-100%之間的高度。也就是說，饋電結構820可以是孔840的高度的10-100%。
[0178]饋電結構820被電耦合到饋線815，並且在矩形形狀的情況下，可以具有通常對應饋線815的寬度的寬度。饋線815的寬度可以基於基板的厚度和相對介電常數，並且通常可以被設計用於典型的系統阻抗(即:50歐姆)。
[0179]在第一個具體實施例中，諧振器本體830具有正方形橫向拓撲結構(6mmX 6mm的頂視圖尺寸)和2mm的高度。在本實施例中，饋電結構820具有細長邊為2.4mm寬、短邊為200微米和饋電結構的高度為1.4_ (即，諧振器本體厚度的70%)的矩形橫向拓撲結構。饋電結構820被布置為距離諧振器本體830的邊緣300微米。
[0180]在本實施例中，諧振器本體830由相對介電常數為5的聚合物基材料形成。在圖SB中示出了用於該特定實施例的反射係數的圖。
[0181]現在參考圖8B，示出了當饋電結構的高度被製造成分別為1.1mm、1.4mm和1.7mm時用於上述第一特定實施例的反射係數的圖。可以觀察到，PRA800可以被有效地激發並且能夠實現16.5GHz至29.5GHz的範圍內的寬帶性能。
[0182]也可以觀察到改變饋電結構高度的影響。尤其是，兩種諧振模式之間的頻率距離可以隨著不同的饋電結構的高度而改變，從而產生不同的阻抗帶寬和雙或寬頻帶工作。
[0183]現在參考圖9A，示出了具有嵌入式高的金屬垂直饋電結構的另一例子PRA的分解立體圖。PRA900的一些元件通常可以與PRA800類似。例如，接地層910、基板925和饋線915通常可以分別與接地層810、基板825和饋線815類似，並且對於進一步的細節，讀者可參考關於圖8A的前面的描述。
[0184]框架950可以是第一主體部分，可以由光致抗蝕劑材料形成並且可以在其中定義孔或腔952。孔952可以填充有諧振器本體932或第二主體部分，其可以由聚合物或聚合物基介質材料組成。優選地，諧振器本體932具有比框架950高的相對介電常數。在一些備選實施例中，諧振器本體932可以由其它介質材料組成。與PRA800相反，孔952基本上可以比孔840大。
[0185]在一些實施例中，框架950可以在製造的較後階段去除。
[0186]諧振器本體932可以具有方形或矩形的拓撲結構。在其它實施例中，可以使用不同的形狀，如圓形、不規則碎片或其它複雜的形狀。由於使用了框架950和用於形成諧振器本體932的填充技術，也可以使用複合的非光致抗蝕劑聚合物來形成諧振器本體932，另外或備選地，純的光致抗蝕劑聚合物和複合的光致抗蝕劑聚合物。
[0187]在一些實施例中，可以在諧振器本體932和框架950的一個內壁之間形成對應於饋電結構920的形狀的窄間隙。因此，饋電結構920可以緊緊且適合地接合在諧振腔體932和框架950的一個壁之間的該窄間隙中。因此，饋電結構920可以緊緊且適合地接合在框架950的壁內部的該窄間隙中。
[0188]現在參考圖9B，示出了備選框架950』的等距視圖。在框架950』中，可以在框架950』的一個內壁內部形成對應於饋電結構920的形狀的孔940或第二腔。孔940可以以與孔840類似的方式形成。同樣地，饋電結構920可以通過電鍍來製造。
[0189]孔952或940可以使用例如如本文所述的X射線或深紫外線光刻來形成。孔940被示出具有矩形的拓撲結構，但是也可以使用其它的橫向形狀(例如，梯形、橢圓形等)。在某些情況下，孔940可以包括多個孔。
[0190]饋電結構920可以具有基本平坦的矩形形狀並且被定位得接近諧振器本體932的外壁，以及框架950內壁的外部或內部，使得饋電結構920的細長邊緣基本上平行於外壁。在一些備選實施例中，饋電結構920可以具有其它的橫向形狀和定位，如本文所述。
[0191]框架950』不一定有如圖9B所述的「瘦」或「窄」的壁結構，並且在一些實施例中框架950』的壁可以是相對厚的，在一個或多個方向上延伸大的距離。在某些情況下，框架950』可以包括較大片的光致抗蝕劑材料(例如「孔模板」)，其中「孔模板」可以填充聚合物複合材料(並且，其中低介電常數的光致抗蝕劑的模板片可以保持下面的製造)。
[0192]饋電結構920由導電材料(例如金屬)形成，並且基本垂直地從基板925的表面延伸。優選地，饋電結構920具有對應於諧振器本體932和框架950的厚度的10-100%之間的高度。也就是，饋電結構920可以是框架950的高度的10-100%。
[0193]饋電結構920被電耦合到饋線915，並且可以具有通常對應於饋線915的寬度的寬度。
[0194]在第二個特定實施例中，諧振器本體932具有矩形橫向拓撲(4mmX6m的頂視圖尺寸)和2mm的高度，並且框架950具有500微米厚度的壁。在本實施例中，諧振器本體932由相對介電常數為4的聚合物基材料形成，並且框架950由相對介電常數為2.3的光致抗蝕劑聚合物材料形成。在圖9B中示出了用於該特定實施例的反射係數的圖。
[0195]在本實施例中，饋電結構920具有細長邊緣為4mm寬、短邊緣為50微米和饋電結構的高度為1.5mm (即，諧振器本體厚度的75%)的橫向帶狀拓撲結構。
[0196]現在參考圖9C，示出了上面提到的第二個具體實施例的反射係數的圖。可以觀察至lj，PRA900可以被有效地激發並且也能夠實現寬帶性能。
[0197]現在參考圖10A，示出了具有高的金屬垂直饋電結構的另一個例子PRA的分解等距視圖。PRA1000的一些元件通常與PRA800的類似。例如，接地層1010、基板1025和饋線1015通常分別與接地層810、基板825和饋線815類似，並且對於進一步的細節，讀者可參考關於圖8A的前面的描述。
[0198]第一諧振器本體1032可以由如本文所述的聚合物或聚合物基的材料形成。在一些實施例中，諧振器本體1032可以具有方形或矩形的拓撲結構。在其它實施例中，可以使用不同的形狀，如圓形、不規則碎片或其它複雜的形狀。
[0199]類似地，第二諧振器本體1034還可以由如本文所述的聚合物或聚合物基材料形成。在一些實施例中，聚合物材料可以與用於第一諧振器本體1032的材料相同。在其它實施例中，可以使用不同的聚合物或聚合物基材料。
[0200]在一些實施例中，第二諧振器本體1032可以是一側上具有金屬層的聚合物或聚合物基的基板，並且在該側上饋電結構1022是通過機械加工或光刻金屬層製造的。
[0201]饋電結構1022由導電材料(例如金屬)形成,並且基本垂直地從基板1025的表面以及在第一和第二諧振器本體1032和1034之間延伸。優選地，饋電結構1022具有對應於一個或兩個諧振器本體的厚度的10-100%之間的高度。也就是，饋電結構1022可以是第一諧振器本體1032或第二諧振器本體1034的高度的10-100%。
[0202]饋電結構1022電耦合到饋線1015，並且可以具有通常對應於饋線1015的寬度的覽度。
[0203]在第三個具體實施例中，第一諧振器本體1032具有矩形橫向拓撲(2.8mmX7mm頂視圖尺寸)和2mm的高度,第二諧振器本體1034具有矩形橫向拓撲結構(2.8mmX 0.4mm的頂視圖尺寸)和2mm的高度。在本實施例中，第一諧振器本體1032和第二諧振器本體1034由相對介電常數為10的聚合物基材料形成。饋電結構1022具有2mm的高度(即，諧振器本體厚度的100 % )，並且是20微米厚和150mm寬。因此，在這種配置中，第一和第二諧振器本體1032和1034可以被認為是形成具有嵌入饋電結構1022的PRA。在圖1OB中示出了用於該特定實施例的反射係數的圖，以及在圖1OC和IOD中示出了該具體實施例的輻射圖案。[0204]現在參考圖10B，示出了上面提到的第三個具體實施例的反射係數的圖。可以觀察至lj，PRA1000可以被有效地激發並且也能夠實現寬帶性能。
[0205]現在參考圖1OC和10D，示出了上面提到的第三個具體實施例的輻射圖案的圖。在圖1OC中可以觀察到天線在第一共振模式中的輻射圖案，在圖1OD中可以觀察天線在第二諧振模式中的輻射圖案。為清楚起見，用粗線表示E面圖。尤其是，對於第一和第二諧振模式，最大增益分別為5.95和7.75dB。如圖所示，第二模式具有比第一共振模式的增益大接近2分貝。
[0206]也可以使用嵌入在諧振器本體中的垂直金屬結構，用於除了供給PRA外的其它目的。例如，H形垂直金屬元件的陣列可以嵌入在PRA諧振器本體中以提供本體的有效相對介電常數的增加。
[0207]現在參考圖11A，示出了具有嵌入式垂直金屬元件的陣列的示例性諧振器本體1100的分解立體圖。
[0208]諧振器本體1132可以具有方形或矩形的拓撲結構。在其它實施例中，可以使用不同的形狀，如圓形、不規則碎片或其它複雜的形狀。
[0209]可以使用本文描述的技術製造垂直金屬嵌入式元件1128並以陣列將其布置在諧振器本體1132中。在一些實施例中，嵌入式元件1128具有從上方觀察時的「H」(或I柱)形。
[0210]元件1128可以由導電材料(例如金屬)形成並且通過諧振器本體1132基本垂直地從基板的表面延伸。
[0211]現在參考圖11B，示出了具有嵌入式金屬增強的諧振器的PRA的第四具體實施例。PRA1100具有諧振器本體1132，其具有H形嵌入式金屬元件1128的3X5陣列，如在圖1lA所示的。諧振器本體1132由SU-8聚合物材料形成並且具有2.2mmX2.4mm的橫向尺寸、其高度為0.6mm。H形的嵌入式金屬兀件1128具有0.6mmX 0.4mm的橫向尺寸和0.5mm的高度。金屬元件1128的厚度為0.05mm。
[0212]與PRA800、900和1000相反，可以使用常用的縫隙饋電結構，如圖所示。諧振器本體1132提供在8mmX 8mm基板1174上，在其相對側上具有微帶饋線1172。基板1176具有面向諧振器本體1132的0.6mmX 2.4mm的稱合縫。
[0213]現在參考圖11C，示出了與其中諧振器本體1132已被相對介電常數為17、具有相同的尺寸、但沒有任何金屬內含物的簡單矩形介電體替換的類似的PRA相比的PRA1100的反射係數的圖。
[0214]可以觀察到，PRA1100具有與常規的DRA非常相似的阻抗特性。PRA1100也具有相似的輻射特性，如增益和輻射效率。因此，嵌入式金屬元件可以用作相對介電常數放大器，並且可以實現高相對介電常數超材料的合成，而不需要併入陶瓷粉末。因此，諧振器本體的尺寸-並且因此PRA的尺寸可以減小，同時保持相似的輻射特性。
[0215]現在參考圖11D，示出了具有包括嵌入式垂直金屬元件陣列的諧振器本體的變形PRAllOO'的等距視圖。PRA1100』與PRA1100大致類似，除了其可以經由微帶饋線1191而不是縫隙激發。
[0216]正如本文所提到的，通過改變陣列中的嵌入式金屬內含物的數量、大小和間距，可以控制和改變PRA諧振器本體的有效相對介電常數。可控的相對介電常數的範圍可以從純聚合物或聚合物基材料(例如，約2或3)達17或更多。
[0217]類似地，通過採用這種可控制性，具有不同特性的多個PRA可以在單個工藝中一起製造，甚至在單個晶片或晶片上。這可能尤其希望用於多頻帶應用或反射陣列。
[0218]如本文所提到的，可以使用深光刻製造工藝，如X射線光刻，來製造嵌入式垂直金屬結構。可以使用聚合物和聚合物基材料作為電鍍的模板以及還作為最終的PRA結構。
[0219]現在參考圖12，示出了示例性的光刻製造工藝1200。
[0220]工藝1200開始於1210，形成微波基板層1212和微帶線或饋線1214。接著，在1220將聚合物層1222(例如，SU-8氧化鋁複合物)建立在基板和饋線上。可以在低溫下(如95°C)模鑄並烘焙聚合物層1222多次，以建立所需厚度的層。
[0221]在1230，經由圖案掩模1232將聚合物層1222暴露於準直的X射線源。在一些其它實施例中，可以使用其它光刻源，如深UV光刻。
[0222]在1240，隨後顯影(例如，在室溫)聚合物層1222的暴露部分並去除暴露的部分，僅留下具有嵌入孔1244的最終的諧振器本體結構。
[0223]最後，在1250，孔1244填充有金屬直至預定的高度，以產生垂直的嵌入式金屬饋電結構1252。這可以使用受控的金屬電鍍來進行，饋線用作電鍍基體以啟動電鍍工藝。
[0224]實驗證實使用深X射線光刻工藝可使微結構的電鍍用於具有幾毫米高度的複雜結構。
[0225]除了製造方便和熟悉，可以通過具有嵌入式垂直金屬饋電結構的PRA提供多個性能優點。
[0226]例如，嵌入式垂直金屬結構可以有效地饋電具有相對介電常數小於4的PRA，能夠使用純的聚合物和光致抗蝕劑(如PMMA和SU-8)。
[0227]嵌入式垂直金屬饋電結構提供了 PRA的諧振頻率的顯著降低，在一些例子中，能夠使諧振器本體小型化約50%。
[0228]嵌入式垂直金屬結構可能會在PRA中建立更高階諧振模式，同時保持相似的輻射圖案(例如，在更高頻率的TE131和TE151)。這些模式的諧振頻率可以通過嵌入式垂直金屬饋電結構的大小和成形而被小心地控制，以實現超寬帶天線的性能。尤其是，這些模式的諧振頻率可以通過改變嵌入式垂直金屬饋電結構的高度進行調諧，提供一種有效方式來控制PRA的頻率響應。
[0229]另一個有用的特性是PRA的高階諧振模式可以表現出較高的天線增益。這個特性可以被利用來增加PRA天線的增益，而無需使用陣列結構。
[0230]最後，如上面提到的，高的嵌入式金屬結構可以分布在聚合物基的諧振器本體內，以增加有效天線的相對介電常數並顯著小型化天線結構。
[0231]饋線形狀
[0232]直接的微帶饋線是用於激發DRA (和PRA)的有吸引力的備選方案，因為它便於天線與其它微波電路集成，並提供平面饋電分布網絡陣列用於陣列配置。從微帶饋線耦合至DRA的電磁能的量取決於許多參數，包括基板特性和介質諧振器相對於微帶饋線的位置。然而，對於低介電常數介質諧振器(例如，介電常數ε/12)，即使調整這些參數，耦合一般也是很低的。
[0233]這種低介電常數的介質諧振器一般是希望用於寬帶應用。傳統上，為了提高耦合，可以在低介電常數的介質諧振器和微帶饋線之間插入具有預定特性(例如，介電常數和厚度)的高介電常數材料的薄層，以增加電磁能的耦合。
[0234]本文描述的是可以使用改進的饋線，例如，具有低和非常低的介電常數的寬帶DRA0改進的饋線可能尤其適合於供圓柱形諧振器本體使用。現在參考圖13，示出了具有改進的饋線的示例性介質諧振器天線的等距視圖。
[0235]DRA1300包括接地層1310、基板1325、饋線1315、錐形饋線部分1317、饋電結構1320和諧振器本體1330 (在一些實施例中，其可以是圓柱形的)。DRA1300 (包括接地層1310、基板1325、饋線1315和諧振器本體1330) —般與本文所描述的其它DRA和的PRA類似，例如，PRA800或PRA900，在這種情況下DRA1300可以進一步結合這些實施例中的附加元件(例如，饋電結構820和孔840)，儘管這些沒有示於圖13中。以免使錐形饋線部分1317的說明變得難理解。
[0236]饋線1315可以具有用於其長度的大致寬度《I。類似地，饋電結構1320，其可以是水平或垂直的饋電結構，具有大致寬度w2。
[0237]錐形饋線部分1317的厚度一般可與饋線1315相比，並且具有基本的梯形形狀，其中面向饋線側(即，饋線側)，具有耦合到饋線1315的長度《I。錐形饋線部分1317的相對側(即，諧振器側)，具有寬度w2，被耦合到饋電結構1320。錐形饋線部分1317具有長度(SP，其平行邊之間的距離)11。
[0238]現在參考圖14A，示出了對於DRA1300和傳統DRA的示例性實施例的比較反射係數的極坐標中的史密斯圓圖。在該示例性實施例中，DRA1300被設計成在25GHz在厚度為0.79mm和介電常數為2.2的介質基板上諧振。選擇介質諧振器具有~=5的介電常數和tan δ =0.02的損耗角正切值，以及具有5mmX5mmX 1.5mm的尺寸。DRA由錐形饋線部分饋電，該錐形饋線部分寬度wl=2.4mm, Il=Imm,以在寬帶配置中有效地激發DRA的主模(TElll)0錐形饋線部分1317在匹配阻抗中的效果可以從圖14A的反射係數觀察到。
[0239]對於傳統的50 Ω微帶線饋電的DRA的反射係數是由主線1410示出的，而對於DRA1300的示例性實施例的反射係數是由主線1420示出的。可以觀察到，傳統的DRA的諧振迴路布置在圖14A的上側。錐形饋線部分1317的引入使得反射係數的軌跡向史密斯圓圖的中心移動。
[0240]現在參考圖14B，示出了對應於圖14A的史密斯圓圖的反射係數的圖。可以觀察至丨J，獲得了優良的阻抗匹配，並且從約21GHz到30GHz獲得了 35%的-1OdB寬阻抗帶寬。因此，通過增加阻抗匹配傳輸線(《2)的寬度，增加了耦合的量。
[0241]現在參考圖14C和14D，示出了在圖14A和14B的示例性實施例中的諧振器本體1330內的電近場分布。低介電常數DRA的主模是用適當的極化和方位激發的，並且在DRA內產生了強電場。
[0242]現在參考圖14E和14F，分別示出了在圖14A至14D的示例性實施例中的天線在25GHz的歸一化輻射圖案的E面和H面。雖然介質諧振器具有低介電常數(介電常數、=5)，但實現了相對低的交叉極化水平(例如，小於約-20dB)並且輻射模式在35%的阻抗帶寬上是穩定的。實現DRA增益的峰值在25GHz為約7.5dB。具有tan δ =0.02的DRA的輻射效率在天線的頻帶內的90%以上。因此，該饋電機構對於PRA的使用是有吸引力的。
[0243]現在參考圖14G，示出了在對於圖14Α的示例性實施例的反射係數的圖上改變饋線的諧振器側的寬度的效果。可以觀察到，耦合量隨著饋線的諧振器側的寬度《2的增加而增加。
[0244]現在參考圖14H，示出了對於包括傳統微帶饋線、階梯形饋線和帶錐形饋線部分的饋線的各種饋線形狀的反射係數的圖。在階梯形狀和錐形形狀配置的諧振頻率處實現了強耦合。然而，在階梯形微帶線的情況下，阻抗帶寬顯著降低至20%，並且諧振頻率降低了幾個百分比。相反，具有錐形饋線部分的DRA顯示出較好的性能。
[0245]平行的標準帶饋電結構
[0246]近年來，已經試圖通過考慮設計過程中的高階模來提高DRA特性。例如，激發矩形和圓形DRA的高階模來實現具有增強增益的寬邊輻射圖案。為了減輕製造在毫米波頻率使用的天線的難度，天線的尺寸通常非常小，較大的DRA已被設計成在較高階模下工作。與主模和較高階模相關的共振頻帶以不同的方式合併，並使用不同的激發方法來設計具有較大阻抗帶寬的DRA。例如，瓦片形狀的矩形DRA能夠產生具有密切諧振頻率的多種模式，從而產生寬帶操作。然而，這種方法會導致不同於所希望模式(例如，TExl21和TExll2)的非輻射模式的激發，這可能會導致具有高交叉極化水平的不穩定的輻射圖案和在阻抗帶寬方面增加的增益變化。
[0247]通常，隨著天線共振數目增加，提高和保持介質諧振器天線在延長的阻抗帶寬方面的性能可能會變難。也可以激發非輻射模式，甚至輻射模式不能用適當的極化和方向(例如傾斜的)激發，導致遠場性能的退化。傳統的尺寸減小方法可能對多模的DRA無效。增加介質諧振器的介電常數以小型化天線通常會導致減小用於單個模式的阻抗帶寬，從而降低了總的天線帶寬。因此，消除不必要的模式、調整各個模式之間的頻率距離、減小天線尺寸和交叉極化以及保留寬帶寬內的輻射圖案的有效機制是可取的。
[0248]本文描述的是通過使用平行的垂直帶來改善DRA在延長的阻抗帶寬上的性能的方法。使用平行的垂直帶可以提供設計工序中的若干個自由度，這可以用來增強DRA性能。
[0249]該垂直定向帶可以為設計者調整天線特性提供相當大的靈活性。在所描述的方法中，「內部」垂直帶內部可以連接到該微帶線和與內部帶平行提供的第二帶。可以選擇平行垂直帶的長度以及它們之間的材料的介電常數和厚度來提高天線特性。包括高階TE133模式的四個輻射模式可以使用這種方法來激發和操縱，以實現雙頻段或寬帶天線。激發模式的輻射圖通常是相似的，因此不會降低天線在阻抗帶寬上的性能。
[0250]調整天線的縱橫比允許多個共振被激發，這可以增加具有簡單形狀的DRA的可實現帶寬，而不會影響設計(例如，無需使用複雜的形狀、多個DRA、混合設計等)。雖然任一種天線特性的改善經常會導致其它的降級，但可以控制其它天線參數，如交叉極化、大小和與各個模式的臨界耦合。因此，在設計過程中的更多自由度可能有助於滿足所有的設計約束。
[0251]現在參考圖15A和15B，分別示出了雙垂直饋電結構的示例性實施例的等距視圖和平面圖。在該示例性實施例中，兩個相對且垂直定向的帶(即內部的高垂直饋電結構1572和外部的帶1574)被製造在薄介質饋電部1570的相對側上，其具有介電常數ε r和厚度t。
[0252]饋電結構1572由導電材料(如金屬)形成，並且基本垂直地從基板1525或饋線1515的表面延伸入孔1540中。優選地，饋電結構1572具有對應於諧振器本體1530的厚度的10-100%之間的高度。即，饋電結構1572可以是孔1540的高度的10-100% 0
[0253]饋電結構1572和孔1540可以具有大致平坦的矩形形狀，並且通常布置得接近諧振器本體1530的外壁，使得細長邊緣基本平行於該外壁。
[0254]饋電結構1572耦合到饋線1515的底端(即，基板側)。
[0255]外部帶1574具有大致平坦的矩形形狀，並且通常可以布置得接近介質饋電部1570的外壁。介質饋電部1570的內壁大致定位得接近諧振器本體1530的外壁。在一些變形實施例中，外部帶1574可以具有不同於矩形的形狀(例如，梯形、拋物線等)。在一些另外的實施例中，外部帶1574可以包括多個帶。
[0256]外部帶1574具有長度Le，饋電結構1572具有長度Li。天線性能對於外部帶1574和饋電結構1572的寬度比對於它們的長度敏感差些。
[0257]介質諧振器本體1530可以使用介質波導模型(DWM)方程進行設計，使得可以在它們的密切附近潛在地激發多個共振。這樣的例子公布在A.Rashidian和D.M Klymyshyn的 「On the two segmented and high aspect ratio dielectric resonator antennafor bandwidth enhancement and miniaturization，，中，IEEE 天線與傳播匯幹丨J (IEEETransactions on Antennas and Propagation),第 57 卷第 9 期，第 2775-2780 頁，2009 年9月。
[0258]因此，可以調整饋電結構1572、外部帶1574和介質饋電部1570的特性(例如Le、L1、ε r和t)，以提供設計過程中的一些附加自由度，因此可以允許控制各個模式之間的耦合量和頻率距離、天線的大小、輻射圖案和交叉極化，如本文所描述的。
[0259]模擬時，選擇介質諧振器本體1530以具有AXB=4.6X9.0mm的橫截面、高度H=10.8mm、介電常數為9.8和損耗角正切為0.001。該天線由20 X 30mm的地平面(在8GHz，
0.53λ0ΧΟ,8λ0)支持，基板厚度為0.8mm，介電常數為2.2和損耗角正切為0.001。由於天線性能一般對帶寬度的變化不敏感，它們的寬度被選擇為2.4mm，其是基板上的50 Ω微帶饋線1515的寬度。
[0260]現在參考圖16A，示出了對於改變長度Li的反射係數的變化的圖。在圖16A中，當Li從2變化到3mm時，長度Le保持在10.5mm不變。厚度t為1mm，並且介質饋電部1570具有介電常數ε r=lo
[0261]三個諧振模式被非常好地激發，並且通過改變Li調整與每個單模的耦合量。第一和第二共振停留主要固定在同一頻率，而第三共振的頻率隨著Li的增加而向下移動。尤其是，第三諧振模式對於Li=Zmm在13.8GHz，並且對於Lpmm下降到12.7GHz。
[0262]現在參考圖16B，示出了對於變化長度Le的反射係數的變化的圖。在圖16B中，當LiWO (B卩，不存在外部帶1574)變到10.5mm時，長度Li保持在3mm不變。厚度t為1mm，並且介質饋電部1570具有介電常數er=:L。
[0263]與圖16A相反，第三諧振停留主要固定在同一頻率，而第一和第二諧振頻率隨著外部帶長度Le增加而顯著降低。尤其是，第一和第二諧振頻率對於沒有外部帶的情況(即，Le=Omm)在7.9和IOGHz，當Le=I0.5mm時諧振頻率偏移到7和9.5GHz。
[0264]現在參考圖17A至17F，示出了在最小反射係數具有Le=I0.5mm和Li=Smm的圖15A的DRA的E面和H面中的輻射圖案。圖17A示出了在7GHz頻率的E面。圖17B示出了在7GHz頻率的H面。圖17C示出了在9.5GHz頻率的E面。圖17D示出了在9.5GHz頻率的H面。圖17E示出了在12.7GHz頻率的E面。圖17F示出了在12.7GHz頻率的H面。
[0265]在圖17A至17F中，所有的輻射圖案是相對對稱的，在寬邊方向具有最大值，並且具有小的交叉極化水平。
[0266]相反，在圖18和19中不出了在最後的最小反射係數，對於沒有外部帶(即Le=O暈米，Li=3毫米)的DRA分別在E面和H面切割中的輻射圖案。雖然H面輻射圖案相對於寬面仍然是對稱的，但相比圖17A至17F交叉極化電平顯著增加。而且，E面圖案在-45°變形為空，並且還從寬邊方向傾斜。由於存在不希望的高階模式，由垂直電流(例如，探針)激發的許多寬帶的DRA傾向於在頻帶的上側具有已變形的寬邊輻射圖案。
[0267]當介質饋電部的介電常數增大到較高的值時，只有主模的諧振頻率向下移動(SP，其它模式的諧振頻率不變)。因此，當在兩個帶之間使用較高介電常數的材料時，可以增加厚度t以統一具有較高階模式的主模的阻抗帶寬。
[0268]通過優化介質饋電部的介電常數和厚度，可以實現或增強DRA的期望的性質(例如，最大帶寬、最小尺寸等)。
[0269]通常，在改進輻射圖案時為了使外部帶1574的有益效果最大化，介質饋電部1570的厚度應限制到較小的值，例如λ /10或更小。
[0270]為了確保介質饋電部本身不產生共振，其介電常數應保持為低(例如，低於 =10)ο電介質板的自諧振會使天線的輻射圖案和效率降級。較高的介電常數(例如，ε ^10)會在外部帶上產生增加的電流強度，表明在錯誤方向上的能量耦合(B卩，朝著介質饋電部)。因此，這可以增加饋電部中的電阻損耗和減小天線的輻射效率。
[0271]在一些實施例中，垂直帶可以以宏觀尺度製造(即，不能在半導體製造工藝中)，甚至可能適合於現有的DRA。例如具有垂直帶的介質饋電部可以通過蝕刻具有所希望厚度的低介電常數材料(例如聚合物片)的正面和背面並用金屬填充被蝕刻的量來製造。該材料可以被切割成一定的尺寸並且耦合(例如，膠合或以其它方式緊固)到介質諧振器的側壁。為了減少缺口頻帶和統一阻抗帶寬，一般可以在較厚的基板上實現帶。然而，在寬帶系統中帶缺口的功能可能是有利的，以減少來自其它應用的幹擾。
[0272]高的微帶傳輸線
[0273]在一些情況下，低介電常數的DRA利用傳統的微帶饋線可能很難有效地激發。本文描述的是高的微帶傳輸線(TML)，它可以減少損失，提高使用DRA時的效率，特別是在毫米波應用中。通常，TML可以通過增加金屬饋線(例如銅)的厚度或通過在饋線和諧振器本體之間插入窄介電支撐來形成。
[0274]可以使用TML來改善微波和毫米波電路的性能。三維(3-D)平面傳輸線中可利用的增加的傳導表面允許高功率單片電路發展。而且，TML的垂直尺寸允許幾乎不可能用傳統傳輸線實現的非常高的耦合水平。通過使用第三(垂直)尺寸，相比傳統的平面結構，該橫向尺寸可以被製造得相對較小。
[0275]TML可以顯著降低介電損耗，因為電磁波的主要部分穿過空氣而不是基板。通過調整TML的參數(例如，介電常數和尺寸)，可以提高DRA的阻抗帶寬。
[0276]通常，使用較高的介電常數基板可能表明應該使用更高的TML。
[0277]現在參考圖20Α，示出了具有TML饋線的示例性DRA實施例的側視圖。DRA2000 —般包括接地層2010、基板2025、TML饋線2015和諧振器本體2030。TML饋線2015是全金屬的饋線。圖20Β示出了 DRA2000的平面圖。
[0278]圖20C示出了對於不同TML饋線厚度的反射係數的圖表。將反射係數繪製為17 μ m、100 μ m、200 μ m和500 μ m的饋線厚度(高度)。在每種情況下，調整TML饋線的寬度以保持饋線的50 Ω阻抗。對於厚17 μ m厚度的微帶線發生與DRA的弱耦合，其對應於平面金屬波導(即，沉積在基板上的傳統金屬導體)。然而，由於TML饋線厚度增加至500 μ m，顯著提高了耦合的量。
[0279]現在參考圖21A，示出了具有TML饋線和介質支撐的示例性DRA實施例的側視圖。DRA2100通常與DRA2000類似，並且包括接地層2110、基板2125、諧振器本體2130和TML饋線2190。TML饋線2190是聚合物-金屬饋線，其包括饋線2192和介質支撐2194。圖21B示出了 DRA2100的平面圖。
[0280]圖21C示出了對於各種介質支撐厚度的反射係數的圖。饋線2192的厚度保持在17 μ m不變。對於O μ m、100 μ m、200 μ m和300 μ m的介質支撐厚度(高度)繪製反射係數。在每種情況下，保持介質支撐的寬度等於金屬饋線寬度，並且調整饋線寬度以保持50Ω的饋線阻抗。對於具有t=17ym的(平坦)微帶線發生與DRA的弱耦合。然而，當TML饋線厚度增加到t=500ym時顯著提高了耦合的量。介質支撐的介電常數是ε rt=2.2。
[0281]相較於平面微帶線(即無介質支撐)，當提供介質支撐時顯著提高了耦合。對於300 μ m的支撐厚度實現了優於25dB的回波損耗。
[0282]在平坦的微帶線激發時，電磁能量通常被限制在基板中。然而，在所有的金屬TML的情況下，將電磁能量耦合到低介電常數DRA中，而只有一小部分留在基板中。使用介質-金屬TML，這種效應甚至更顯著。
[0283]本文中提出許多具體細節，以提供本文描述的示例性實施例的透徹理解。然而，本領域普通技術人員將明白，在沒有這些具體細節的情況下可以實施這些實施例。在其它情況下，沒有詳細地描述眾所周知的方法、工序和部件，以便不混淆實施例的描述。可以對這些示例性實施例進行各種修改和變化，而不脫離本發明的範圍，本發明的範圍僅由所附的權利要求限定。
【權利要求】
1.一種介質諧振器天線，包括: 具有至少第一平坦表面的基板； 形成在基板的第一平坦表面上的饋線； 聚合物基諧振器本體，其包括布置在基板的第一平坦表面上和至少部分在饋線上的至少第一本體部分，其中第一本體部分至少部分限定在基本垂直於第一平坦表面的平面上延伸的腔，其中該腔暴露饋線的第一饋線部分； 布置在腔內的傳導饋電結構，該饋電結構電耦合到第一饋線部分並且遠離饋線延伸通過腔。
2.根據權利要求1所述的介質諧振器天線，其中該饋電結構遠離饋線延伸通過腔的量在腔高度的10-100%之間。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的介質諧振器天線，其中第一本體部分由介質材料構成，該介質材料在製造之後保留。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的介質諧振器天線，其中聚合物基諧振器本體包括鄰接第一本體部分提供的第二本體部分。
5.根據權利要 求4所述的介質諧振器天線，其中第二本體部分鄰接第一本體部分的外壁，並且其中饋電結構合適地接合在第一本體部分和第二本體部分之間。
6.根據權利要求4所述的介質諧振器天線，其中第二本體部分提供在腔內，並且饋電結構合適地接合在第二本體部分的外壁和第一本體部分的內壁之間。
7.根據權利要求4至6中任一項所述的介質諧振器天線，其中第二本體部分由與第一本體部分不同的材料構成。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的介質諧振器天線，其中第一本體部分具有小於10的相對介電常數。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的介質諧振器天線，其中聚合物基諧振器本體由純聚合物光致抗蝕劑材料構成。
10.根據權利要求1至8中任一項所述的介質諧振器天線，其中聚合物基諧振器本體由複合聚合物基光致抗蝕劑材料構成。
11.根據權利要求1至10中任一項所述的介質諧振器天線，進一步包括錐形饋線部分，該錐形饋線部分具有帶有第一寬度的第一側和帶有第二寬度的第二側，其中第二寬度比第一寬度寬，其中傳導饋電結構經由第二側的錐形饋線部分電耦合到饋線，並且其中饋線經由第一側的錐形饋線部分電耦合到傳導饋電結構。
12.—種介質諧振器天線，包括: 基板，其具有至少第一平坦表面； 反饋線，其形成在基板的第一平坦表面上； 聚合物基諧振器本體，其包括: 第一本體部分，其布置在基板的第一平坦表面上且至少部分在饋線上，其中第一本體部分限定在基本垂直於第一平坦表面的平面上延伸的第一腔和第一腔的壁與第一本體部分的外壁之間的第二腔，其中第二腔暴露饋線的第一饋線部分；和 第二本體部分，其提供在第一本體部分內；和 傳導饋電結構，其布置在第二腔內，該饋電結構電耦合到第一饋線部分並遠離饋線延伸通過第二腔。
13.—種製造介質諧振器天線的方法，該方法包括: 形成具有至少第一平坦表面的基板； 在基板的第一平坦表面上沉積並圖案化饋線； 形成聚合物基諧振器本體，其包括在基板的第一平坦表面上和至少部分在饋線上的至少第一本體部分； 經由圖案掩模將聚合物基諧振器本體暴露於光刻源，其中圖案掩模限定將要形成在聚合物基諧振器本體中的腔，該腔在基本垂直於第一平坦表面的平面中延伸並至少部分暴露饋線的第一饋線部分； 顯影聚合物基諧振器本體的至少一個暴露部分，並移除該至少一個暴露部分以呈現出腔； 在腔內沉積傳導饋電結構，該饋電結構電稱合到第一饋線部分並遠離饋線延伸通過腔。
14.根據權利要求13所述的方法，其中進行多次所述形成，以逐漸增加聚合物基諧振器本體的厚度。
15.根據權利要求13或權利要求14所述的方法，其中所述形成包括接合至少一個聚合物基材料薄片。
16.根據權利要求13所述的方法，其中所述形成包括模鑄聚合物基諧振器本體並在200°C以下的溫度下烘焙。
17.根據權利要求13至16中任一項所述的方法，其中光刻源是X射線源。
18.根據權利要求13至17中任一項所述的方法，其中光刻源是紫外光源。
19.根據權利要求13至18中任一項所述的方法，其中顯影是在250°C以下的溫度下進行的。
20.根據權利要求13至19中任一項所述的方法，其中該饋電結構是用電鍍沉積的。
21.根據權利要求13至20中任一項所述的方法，其中該饋電結構遠離饋線延伸通過腔，並且其中饋電結構具有在腔的高度的10-100%之間的高度。
22.根據權利要求13至21中任一項所述的方法，進一步包括通過在沉積期間控制饋電結構高度來調諧介質諧振器天線。
23.根據權利要求13至22中任一項所述的方法，其中第一主體部分由介質材料構成，該介質材料在製造之後保留。
24.根據權利要求13至23中任一項所述的方法，其中形成聚合物基諧振器本體還包括形成鄰接第一本體部分的至少第二本體部分。
25.根據權利要求24所述的方法，其中第二本體部分鄰接於第一本體部分的外壁，並且其中饋電結構合適地接合在第一本體部分和第二本體部分之間。
26.根據權利要求24所述的方法，進一步包括在腔內形成第二本體部分，並且其中饋電結構合適地接合在第二本體部分的外壁和第一本體部分的內壁之間。
27.根據權利要求26所述的方法，進一步包括在形成第二本體部分後去除第一本體部分。
28.根據權利要求24至27中任一項所述的方法，其中第二本體部分由與第一本體部分不同的材料構成。
29.根據權利要求13至28中任一項所述的方法，其中聚合物基諧振器本體由純聚合物光致抗蝕劑材料構成。
30.根據權利要求13至28中任一項所述的方法，其中聚合物基諧振器本體由複合聚合物基光致抗蝕劑材料構成。
31.一種製造介質諧振器天線的方法，該方法包括: 形成具有至少第一平坦表面的基板； 沉積並圖案化在基板的第一平坦表面上形成的饋線； 形成聚合物基諧振器本體，包括: 形成布置在基板的第一平坦表面上和至少部分在饋線上的第一本體部分； 經由圖案掩模將聚合物基諧振器本體暴露於光刻源，其中圖案掩模限定將要形成在基本垂直於第一平坦表面的平面中延伸的第一本體部分中的第一腔，並且其中圖案掩模進一步限定將要形成在第一腔的壁和第一本體部分的外壁之間的第二腔，其中第二腔暴露饋線的第一饋線部分；和 顯影聚合物基諧振器本體的至少一個暴露部分，並移除該至少一個暴露部分，以呈現出第一腔； 進一步形成提供在第一腔內的第二本體部分； 沉積布置在第二腔內的傳導饋電結構，該饋電結構電耦合到第一饋線部分並遠離饋線延伸通過第二腔。
32.—種介質諧振器天線，包括: 具有至少第一平坦表面的基板； 聚合物基諧振器本體；和 激髮結構，其用於激發聚合物基諧振器本體， 其中聚合物基諧振器本體在大致垂直於基板的方向上包括延伸通過聚合物基諧振器本體的多個金屬內含物， 以及其中以規則的圖案提供多個金屬內含物，以增強聚合物基諧振器本體的有效相對介電常數。
33.根據權利要求32所述的介質諧振器天線，其中多個金屬內含物具有大致H形的輪廓。
34.一種介質諧振器天線，包括: 具有至少第一平坦表面的基板； 耦合到基板的諧振器本體； 在基板的第一平坦表面上的饋線，該饋線具有第一寬度； 至少部分定位在基板和諧振器本體之間的傳導饋電結構，該傳導饋電結構具有比饋線的第一寬度寬的第二寬度； 錐形饋線部分，該錐形饋線部分具有帶有第一寬度的第一側和帶有第二寬度的第二側，第一側電耦合到饋線，第二側電耦合到傳導饋電結構。
35.根據權利要求34所述的介質諧振器天線，其中錐形饋線部分具有梯形形狀。
36.一種介質諧振器天線，包括:具有至少第一平坦表面的基板； 耦合到該基板的諧振器本體； 至少部分在諧振器本體和基板之間延伸的微帶饋線，其中饋線在距基板表面第一距離處鄰接諧振器本體，並且其中饋線具有被選擇來提供預定阻抗的寬度和厚度。
37.根據權利要求36所述的介質諧振器天線，其中饋線的厚度基本上超過平面金屬波導厚度。
38.根據權利要求37所述的介質諧振器天線，其中該厚度在IOOym和1000ym之間。
39.根據權利要求36所述的介質諧振器天線，進一步包括位於饋線和基板之間的介質支撐。
40.根據權利要求39所述的介質諧振器天線，其中介質支撐具有低的相對介電常數。
41.根據權利要求40所述的介質諧振器天線，其中介質支撐具有小於10的相對介電常數。
42.根據權利要求39至41中任一項所述的介質諧振器天線，其中饋線的寬度對應於介質支撐的寬度。
43.根據權利要求39至42中任一項所述的介質諧振器天線，其中第一距離等於饋線的厚度和介質支撐的厚度。
44.根據權利要求36至43中任一項所述的介質諧振器天線，其中預定阻抗是50Ω。
45.一種介質諧振器天線，包括: 具有至少第一平坦表面的基板； 形成於基板的第一平坦表面上的饋線； 包括布置在基板的第一平坦表面上和至少部分在饋線上的至少第一本體部分的諧振器本體，其中第一本體部分至少部分地限定在基本上垂直於第一平坦表面的平面內延伸的腔，其中該腔暴露饋線的第一饋線部分； 設置在腔內的饋電結構，該饋電結構電耦合到第一饋線部分並遠離饋線延伸通過腔；具有內壁、外壁、頂壁和底壁的介質饋電部分，該底壁與頂壁相對，介質饋電部分沿著其底壁至少部分布置在饋線上並沿著內壁鄰接諧振器本體；和 沿著介質饋電部分的外壁布置的外部帶，外部帶基本垂直於第一平坦表面從介質饋線部分的頂壁向底壁延伸。
46.根據 權利要求45所述的介質諧振器天線，其中饋電結構遠離饋線延伸通過該腔的量在腔的高度的10-100%之間。
47.根據權利要求45或權利要求46所述的介質諧振器天線，其中外部帶遠離頂壁延伸的量在介質饋電部分高度的10-100%之間。
48.根據權利要求45至47中任一項所述的介質諧振器天線，其中介質饋電部分由與諧振器本體不同的材料構成。
49.根據權利要求45至48中任一項所述的介質諧振器天線，其中諧振器本體具有小於10的相對介電常數。
【文檔編號】G03F7/20GK103843198SQ201280047692
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年6月11日 優先權日:2011年7月29日
【發明者】A·拉什黛安, D·克萊邁施恩, M·塔菲阿里戈達爾茲, S·C·阿亨巴赫, M·W·博納 申請人:薩斯喀徹溫大學, 卡爾斯魯厄技術研究所