研磨液組合物的製作方法

2023-10-24 00:51:52 3

專利名稱：：研磨液組合物的製作方法
技術領域：
：本發明涉及在半導體裝置的製造過程等中進行的化學機械研磨(CMP)、或精密玻璃製品或顯示器相關產品等的製造過程等中進行的研磨處理等中使用的研磨液組合物。另外，本發明還涉及使用上述研磨液組合物的研磨方法、玻璃基板的製造方法、半導體裝置的製造方法。
背景技術：
：在構成半導體裝置的氧化膜(例如氧化矽膜)、以下例示的玻璃基板的基材、即鋁矽酸鹽玻璃基板等化學強化玻璃基板的基材、玻璃陶瓷基板等結晶化玻璃基板的基材、用作光掩模用基板的合成石英玻璃基板的基材、或液晶顯示面板的玻璃面等的研磨中，使用的是含有例如鈰和鋯的複合氧化物粒子(例如參照專利文獻1和2)。為了解決在使用含有氧化鈰粒子作為磨料的研磨劑組合物進行研磨時出現的產生劃痕和粉塵的問題，使上述專利文獻1記載的研磨液組合物含有二次粒子的平均粒徑為5pm以下的複合氧化物粒子作為磨料來代替氧化鈰粒子。該複合氧化物粒子的原料鈰化合物(例如CeC^)中的鈰的氧化值為3，氧化鋯化合物(ZrOCb)中的氧化鋯的氧化值為4。上述複合氧化物粒子如下製備。在水溶液中，使鈽化合物、鋯化合物和氨反應，生成含有鈰和鋯的非水溶性化合物，然後經過氧化處理、過濾和離心分離而獲得共沉澱物。將該共沉澱物用超純水等反覆洗滌之後乾燥，然後在氣氛溫度為30(TC以上的烘箱內進行熱處理，由此獲得複合氧化物粒子。另一方面，專利文獻2記載的研磨液組合物含有不經過燒制工序製造的複合氧化物粒子。在專利文獻2中，對於該研磨液組合物，記載了可以形成表面精密度高的表面，儘管複合氧化物粒子的粒徑小但研磨速度大，並且能夠抑制劃痕等損傷的產生。該複合氧化物粒子的原料鈰化合物中的鈰的氧化值為3或4，鋯化合物中鋯的氧化值為4。專利文獻1:日本特開2001-348563號公報專利文獻2:日本專利第3782771號公報但是，使用這些研磨液組合物的研磨並不能充分地確保研磨速度，也不能減少劃痕。
發明內容根據本發明，提供可以以更高速度對研磨對象物進行研磨的研磨液組合物、使用該研磨液組合物的研磨方法、玻璃基板的製造方法以及半導體裝置的製造方法。本發明的研磨液組合物是含有包含鈰和鋯的複合氧化物粒子、分散劑和水系介質的研磨液組合物，在通過照射CuKal射線a=0.154050nm)而獲得的上述複合氧化物粒子的粉末X射線衍射光譜中，分別存在下述峰頂點在衍射角26(0為布拉格角(Braggangle))為28.6129.67°的範圍內的峰(第l峰)、頂點在衍射角20為33.1434.53°的範圍內的峰(第2峰)、頂點在衍射角29為47.5749.63。的範圍內的峰(第3峰)、以及頂點在衍射角20為56.4558.91。的範圍內的峰(第4峰)，上述第1峰的半峰寬為0.8°以下，在上述粉末X射線衍射光譜中，當存在由氧化鈰產生的峰^和由氧化鋯產生的峰a2中的至少一個峰時，上述峰&、a2的頂點的高度為上述第1峰的頂點高度的6.0%以下。其中，上述峰ai的頂點存在於衍射角29為28.4028.59°的範圍內，上述峰a2的頂點存在於衍射角20為29.6931.60。的範圍內。另外，本發明的研磨液組合物含有包含鈰和鋯的複合氧化物粒子、分散劑和水系介質，上述複合氧化物粒子是通過下述方法獲得的複合氧化物粒子:將含有氧化值為4的鈰化合物和氧化值為4的鋯化合物的溶液與沉澱劑混合，從而使上述鈰化合物和上述鋯化合物水解，將水解生成的沉澱物分離之後進行燒制，並將得到的燒制物進行粉碎，從而獲得複合氧化物粒子。本發明的研磨方法包含研磨工序，在該研磨工序中，將本發明的研磨液組合物供給至研磨對象物和研磨墊之間，在上述研磨對象物與上述研磨墊相接觸的狀態下，使上述研磨墊相對於上述研磨對象物進行相對運動，從而對上述研磨對象物進行研磨。本發明的玻璃基板的製造方法包含研磨工序，在該研磨工序中，使用本6發明的研磨液組合物對玻璃基板的基材的兩個主面中的至少一個主面進行研磨。本發明的半導體裝置的製造方法包含在半導體基板上的一個主面側上形成薄膜的薄膜形成工序；和使用本發明的研磨液組合物對上述薄膜進行研磨的研磨工序。圖1A為說明本發明的半導體裝置的製造方法的一個例子、或本發明的研磨方法的一個例子的工序截面圖。圖1B為說明本發明的半導體裝置的製造方法的一個例子、或本發明的研磨方法的一個例子的工序截面圖。圖1C為說明本發明的半導體裝置的製造方法的一個例子、或本發明的研磨方法的一個例子的工序截面圖。圖1D為說明本發明的半導體裝置的製造方法的一個例子、或本發明的研磨方法的一個例子的工序截面圖。圖2A為說明本發明的半導體裝置的製造方法的一個例子、或本發明的研磨方法的一個例子的工序截面圖。圖2B為說明本發明的半導體裝置的製造方法的一個例子、或本發明的研磨方法的一個例子的工序截面圖。圖3A為說明本發明的半導體裝置的製造方法的一個例子、或本發明的研磨方法的一個例子的工序截面圖。圖3B為說明本發明的半導體裝置的製造方法的一個例子、或本發明的研磨方法的一個例子的工序截面圖。圖4A為本發明的實施例中使用的評價用樣品的局部放大截面圖。圖4B為本發明的實施例中使用的評價用樣品的俯視圖。圖4C為圖4B的局部放大圖。圖5A為本發明的實施例中使用的評價用樣品的局部放大截面圖。圖5B為本發明的實施例中使用的評價用樣品的局部放大截面圖。圖5C為本發明的實施例中使用的評價用樣品的局部放大截面圖。圖5D為本發明的實施例中使用的評價用樣品的局部放大截面圖。圖6為研磨後的評價用樣品的概念圖。圖7為表示平臺驅動電流值隨時間變化的曲線圖。具體實施方式(實施方式1)用實施方式1說明一例本發明的研磨液組合物。構成實施方式1的研磨液組合物的複合氧化物粒子用例如下述的組成式表示。CexZrvx02其中，x為滿足條件式0〈x〈1、優選0.50<x<0.97、更優選0.55〈x〈0.95、進一步優選0.60<x<0.93、更進一步優選0.65xO.卯、再進一步優選0.70x0.90的數。在複合氧化物粒子中，氧化鈰和氧化鋯處於均勻烙合而形成一個固相的狀態，在用X射線(Cu-Kal射線，X二0.154050nm)衍射法分析該複合氧化物粒子而獲得的光譜中，觀察到下述的峰。艮P，在該光譜中，至少觀察到..頂點在衍射角26為28.6129.67。的範圍內的峰(第1峰)、頂點在衍射角20為33.1434.53。的範圍內的峰(第2峰)、頂點在衍射角20為47.5749.63。的範圍內的峰(第3峰)、以及頂點在衍射角2e為56.4558.91。的範圍內的峰(第4峰)。從提高研磨速度的觀點出發，複合氧化物粒子優選在光譜中至少觀察到頂點在衍射角2e為28.6129.39。的範圍內的峰(第1峰)、頂點在衍射角29為33.1434.16。的範圍內的峰(第2峰)、頂點在衍射角20為47.5749.08°的範圍內的峰(第3峰)、以及頂點在衍射角26為56.4558.25。的範圍內的峰(第4峰)，更優選至少觀察到頂點在衍射角26為28.6129.25°的範圍內的峰(第l峰)、頂點在衍射角2e為33.1434.04。的範圍內的峰(第2峰)、頂點在衍射角20為47.5748.90。的範圍內的峰(第3峰)、以及頂點在衍射角20為56.4558.O2。的範圍內的峰(第4峰)，進一步優選至少觀察到頂點在衍射角26為28.6129.11°的範圍內的峰(第1峰)、頂點在衍射角20為33.2333.79。的範圍內的峰(第2峰)、頂點在衍射角20為47.7148.53°的範圍內的峰(第3峰)、以及頂點在衍射角26為56.6157.60。的範圍內的峰8(第4峰)。優選第2峰的面積為第1峰的面積的1050%，第3峰的面積為第1峰的面積的3575%，第4峰的面積為第1峰的面積的2065%。從提高研磨速度的觀點出發，更優選第2峰的面積為第1峰的面積的1545%，第3峰的面積為第1峰的面積的4070%，第4峰的面積為第1峰的面積的2560%,進一步優選第2峰的面積為第1峰的面積的2040%，第3峰的面積為第1峰的面積的4565%，第4峰的面積為第1峰的面積的3055%。在光譜中，有時也會存在由氧化鈰產生的峰a,和由氧化鋯產生的峰&2中的至少1個峰。在這種情況下，從減少劃痕的觀點出發，峰a，、32的頂點的高度均為第1峰頂點的高度的6.0%以下，優選為3.0%以下，更優選為1.0%以下，更進一步優選為0%。峰a，的頂點所在的衍射角20的範圍為28.40°28.59°，峰a2的頂點所在的衍射角2e的範圍為29.69。31.60。。在本說明書中，有關這些29範圍的值是依據國際衍射數據中心ICDD(InternationalCenterforDiffractionData)中的涉及氧化鈰和氧化鋯的值。具體來說，峰a,的頂點所在的衍射角2e的範圍28.40。28.59。是涉及立方晶系的氧化鈰的值。峰a2的頂點所在的衍射角20的範圍29.69。31.6O。是依據正方晶系氧化鋯的20(29.69°)和單斜晶系氧化鋯的29(31.60°)。第1峰的半峰寬為0.8。以下，從提高研磨速度的觀點出發，優選0.7°以下，更優選0.6。以下，進一步優選0.5°以下，更進一步優選0.45。以下。如Scherrer公式所示，該半峰寬與微晶的大小相關。通過結晶成長，微晶尺寸變大，則半峰寬減小。本實施方式的研磨液組合物中含有的複合氧化物粒子中，如後所述，由於氧化鈰由氧化值為4的鈰化合物得到，且氧化鋯由氧化值為4的鋯化合物得到，從而氧化鈰和氧化鋯均勻熔合而形成一個固相，由此能觀察到上述X射線衍射光譜。如專利文獻1記載的研磨液組合物中含有的複合氧化物粒子那樣，複合氧化物粒子中的氧化鈰由氧化值為3的鈰化合物得到的情況下，氧化鈰和氧化鋯均勻熔合的一個固相的形成不能充分地進行，觀察到的是由氧化鈽產生的峰ai和由氧化鋯產生的峰a2中的至少1個峰。另外，本實施方式的研磨液組合物中含有的複合氧化物粒子的X射線衍射光譜中，第1峰的半峰寬小，第1峰非常尖銳。這是由於，如後所述，通過在其製造過程中進行充分的燒制，因而上述固相的微晶尺寸增大，即結晶性提高。專利文獻2中記載的研磨液組合物中含有的複合氧化物粒子的製造過程中不經過充分的燒制，因而上述固相的結晶性是不充分的。因此，X射線衍射光譜中的第l峰的半峰寬大，第1峰較寬。如此，本實施方式的研磨液組合物由於含有具有氧化鈰和氧化鋯均勻熔合形成的一個固相、且結晶性高的複合氧化物粒子，因而與以往的研磨液組合物相比，能夠以更高的速度對研磨對象物進行研磨。在複合氧化物粒子中，從提高研磨速度的觀點出發，原子的摩爾比(Ce/Zr)優選為(99/1)(5/95)，更優選為(97/3)(16/84)，進一步優選為(95/5)(40/60)，更進一步優選為(94/6)(50/50)，再進一步優選為(93/7)(60/40)。在複合氧化物(CexZi^—x02)粒子中，從減少劃痕的觀點出發，Ce相對於Zr的原子比例x優選為0.600.93，更優選為0.650.90，進一步優選為0.700.90。從提高研磨速度的觀點出發，複合氧化物粒子的體積中值粒徑(D50)優選為30nm以上，更優選為40nm以上，進一步優選為50nm以上。另外，從提高複合氧化物粒子在研磨液組合物中的分散穩定性的觀點出發，D50優選為1000nm以下，更優選為500nm以下，進一步優選為250nm以下。因此，複合氧化物粒子的體積中值粒徑(D50)優選為301000nm，更優選為40500nm，進一步優選為50250nm。在本說明書中，體積中值粒徑(D50)是指從粒徑較小的一側開始計算用體積比率計算的累積體積頻率達到50%的粒徑。體積中值粒徑(D50)是作為用雷射衍射/散射式粒度分布計(商品名LA-920，堀場製作所製造)測定的體積基準的中值粒徑而獲得的。從提高研磨速度的觀點出發，複合氧化物粒子的平均一次粒徑優選為10nm以上，更優選為20nm以上，進一步優選為30nm以上。另外，從提高通過對研磨對象物進行研磨而獲得的研磨表面的鏡面狀態的觀點出發，複合氧化物粒子的平均一次粒徑優選為200nm以下，更優選為150nm以下，進一步優選為100nm以下。因此，複合氧化物粒子的平均一次粒徑優選為10200nm，更優選為20150nm，進一步優選為30100nm。在本說明書中，平均一次粒徑(nm)是指使用按照BET(氮吸附)法計算出的比表面積S(m2/g)、依照下述公式計算出的粒徑(換算為正球體)。平均一次粒徑(nm)二820/S從提高研磨速度的觀點出發，研磨液組合物中的複合氧化物粒子的含量優選為0.1重量％以上，更優選為0.2重量％以上，進一步優選為0.4重量％以上，再進一步優選為0.5重量％以上。另外，從提高分散穩定性的觀點以及降低成本的觀點出發，複合氧化物粒子的含量優選為8重量％以下，更優選為5重量％以下，進一步優選為4重量％以下，再進一步優選為3重量°/。以下。因此，複合氧化物粒子的含量優選為0.18重量％，更優選為0.25重量％，進一步優選為0.44重量％，再進一步優選為0.53重量％。複合氧化物粒子可以是市售品，也可以是自己製備的。以下，說明複合氧化物粒子的製造方法的一例。複合氧化物粒子可以如下獲得將含有氧化值為4的鈰化合物(以下也稱為鈰(IV)化合物)和氧化值為4的鋯化合物(以下也稱為鋯(IV)化合物)的溶液與沉澱劑混合，從而使鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物水解，分離水解生成的沉澱物之後進行燒制，並將得到的燒制物進行粉碎，從而得到複合氧化物粒子。含有鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物的溶液如下製備即可例如將硝酸鈰等水溶性的鈰(IV)化合物和硝酸鋯等水溶性的鋯(IV)化合物分別溶解於水等溶劑中，然後混合。如果在含有上述鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物的溶液中添加沉澱劑(鹼溶液)，則鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物被水解，生成沉澱物。優選一邊攪拌含有鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物的溶液一邊添加沉澱劑。作為沉澱劑，可以使用氨溶液、氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液等氫氧化鹼溶液、鈉、鉀或氨的碳酸鹽溶液、碳酸氫鹽溶液等。沉澱劑中優選氨、氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液，更優選為氨水溶液。沉澱劑的當量濃度優選為約15N，更優選為約23N。從獲得氧化鈰和氧化鋯呈高度固溶狀態的複合氧化物粒子的觀點出發，向含有鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物的溶液中添加沉澱劑後獲得的上清液的pH優選為711，更優選為7.59.5。ii含有鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物的溶液與沉澱劑的混合時間沒有特別的限定，優選為15分鐘以上，更優選為30分鐘以上。含有鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物的溶液與沉澱劑的反應可以在室溫等任意的合適的溫度下進行。通過將含有鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物的溶液與沉澱劑混合而生成的沉澱物可以通過傾析、乾燥、過濾和/或離心分離之類的常規的固體/液體分離技術從母液中分離。獲得的沉澱物接著用水等洗滌。溶液中的鈰(IV)化合物優選以僅將鈰(IV)化合物添加到水系介質中的狀態含有，但也可以將含有氧化值為3的鈰的鈰化合物在水系介質中電解氧化，從而使3價的鈰轉化為4價的鈰。鈰(IV)化合物優選在鈰化合物總量中含有85重量％以上，更優選含有87重量％以上，進一步優選含有90重量％以上，再進一步優選含有95重量％以上。作為鈰(IV)化合物，具體地可以列舉出硫酸鈰(IV)、硫酸四銨鈰(IV)、硝酸二銨鈰(IV)等水溶性的鹽。之所以使用氧化值為4的鈰鹽，是由於從易於水解以及水解速度的觀點出發，與氧化值為3的鈰鹽相比，氧化值為4的鈰鹽更適於與鋯(IV)化合物(例如氧化值為4的鋯鹽)同時並行的水解。作為溶液中含有的鋯(IV)化合物，可以列舉出氧氯化鋯(氯化氧化鋯)、氧硫酸鋯(硫酸氧化鋯)、氧醋酸鋯(醋酸氧化鋯)、氧硝酸鋯(硝酸氧化鋯)、氯化鋯、硝酸鋯、醋酸鋯、硫酸鋯等水溶性的鋯(IV)鹽。如此，溶液中的鈰和鋯的氧化值均為4，如果通過將作為沉澱劑的鹼溶液添加到溶液中而使溶液的pH上升，則鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物在幾乎相同的pH範圍內水解，氫氧化鈰和氫氧化鋯幾乎同時沉澱，從而獲得相互高度混合狀態下的沉澱物。通過將該沉澱物進行熱處理，沉澱物中產生氧化鈰和氧化鋯均勻熔合而形成一個固相的部分。若鈰的氧化值為3，則由於鈰(III)化合物和鋯(IV)化合物水解而產生氫氧化物沉澱的pH範圍不同，因而獲得兩者的混合狀態不充分的沉澱物。若將該沉澱物進行熱處理，則產生氧化鈰或氧化鋯分離的部分。若以含有鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物的溶液中所含有的鈰元素的氧化物換算量和鋯元素的氧化物換算量的合計為100重量％，則鈰元素的氧化物換算量優選為799重量％，更優選為2098重量％，進一步優選為5096重量％。鋯元素的氧化物換算量優選為193重量％，更優選為280重量％，進一步優選為450重量％。從提高氧化鈰和氧化鋯均勻熔合形成的固相的結晶性、並確保良好的研磨速度的觀點出發，沉澱物的燒制溫度優選為9001500°C，更優選為10001400°C，進一步優選為11001300°C。加熱時間通常優選為110小時，更優選為28小時，進一步優選為37小時。燒制可以使用例如連續式燒制爐等加熱手段來進行。.上述燒制溫度是粒子表面的溫度，其與連續式燒制爐內的氣氛溫度相等。粉碎燒制物的手段沒有特別的限定，例如可以列舉出球磨、珠粒磨、振動磨等粉碎裝置。粉碎手段的設定條件可以以形成所需要的平均粒徑範圍的粒子或所需要的體積粒徑範圍的粒子為目的來適當設定。作為粉碎介質，可以列舉出二氧化鋯球等。作為本實施方式的研磨液組合物中含有的水系介質，可以列舉出水、或水和溶劑的混合介質等，作為上述溶劑，優選為可以與水混合的溶劑(例如乙醇等醇)。作為水系介質，優選為水，更優選為離子交換水。本實施方式的研磨液組合物中含有的分散劑優選為水溶性的。作為水溶性的分散劑，優選為選自陽離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑、非離子性表面活性劑和丙烯酸系聚合物的至少1種。上述分散劑更優選為選自陰離子性表面活性劑、非離子性表面活性劑和丙烯酸系聚合物的至少1種。.上述分散劑進一步優選為丙烯酸系聚合物。分散劑可以在與水系介質混合之前物理吸附在複合氧化物粒子的表面上或化學鍵合在複合氧化物粒子的表面上。作為陽離子性表面活性劑，例如可以列舉出脂肪族胺鹽、脂肪族銨鹽等。作為陰離子性表面活性劑，例如可以列舉出脂肪酸皂、垸基醚羧酸鹽等羧酸鹽、垸基苯磺酸鹽、烷基萘磺酸鹽等磺酸鹽、高級醇硫酸酯鹽、烷基醚硫酸鹽等硫酸酯鹽、烷基磷酸酯等磷酸酯鹽等。作為非離子性表面活性劑，例如可以列舉出聚氧乙烯垸基醚等醚型、甘油酯的聚氧乙烯醚等醚酯型、聚乙二醇脂肪酸酯、甘油酯、山梨糖醇酐酯等酯型等。丙烯酸系聚合物可以是均聚物、共聚物的任意一種。作為均聚物，優選地可以列舉出含有由丙烯酸、丙烯酸非金屬鹽、或丙烯酸酯等單體(a)衍生的構成單元(A)的均聚物。作為共聚物，優選地可以列舉出含有由選自丙烯酸、丙烯酸非金屬鹽、或丙烯酸酯中的至少一種單體(a)衍生的構成單元(A)和由下列單體(b)衍生的構成單元(B)的共聚物；含有由選自丙烯酸、丙烯酸非金屬鹽、丙烯酸酯中的至少2種單體(a)衍生的各構成單元(A)的共聚物。作為丙烯酸非金屬鹽，例如可以列舉出丙烯酸銨鹽、丙烯酸胺鹽等。丙烯酸系聚合物可以含有1種由這些丙烯酸非金屬鹽衍生的構成單元，也可以含有2種以上由這些丙烯酸非金屬鹽衍生的構成單元。當丙烯酸系聚合物為共聚物時，構成單元(A)在全部構成單元中含有超過50摩爾％，優選含有超過70摩爾％，更優選含有超過80摩爾％，進一步優選含有超過90摩爾％。單體(b)為具有羧酸(鹽)基且具有可聚合的雙鍵的單體，例如可以列舉出衣康酸、衣康酸酐、甲基丙烯酸、馬來酸、馬來酸酐、富馬酸、富馬酸酐、檸康酸、檸康酸酐、戊烯二酸、乙酸乙烯基酯、乙酸烯丙基酯、膦基羧酸、a-滷代丙烯酸、P-羧酸或這些酸的鹽、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸辛酯等甲基丙烯酸烷基酯等。當丙烯酸系聚合物為鹽時，例如可以將酸型的丙烯酸單體單獨聚合或與單體(b)共聚、之後用規定的鹼中和來獲得。作為上述的鹽，例如可以列舉出丙烯酸和2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸的共聚物的銨鹽等。從提高分散穩定性的觀點出發，丙烯酸系聚合物優選為選自聚丙烯酸和聚丙烯酸銨中的至少l種，更優選為聚丙烯酸銨。從提高分散穩定性的觀點出發，丙烯酸系聚合物的重均分子量優選為50050000，更優選為50010000,進一步優選為100010000。在本說明書中，上述重均分子量為根據用凝膠滲透色譜(GPC)法以下述條件獲得的色譜圖中的峰計算出的值。色譜柱G4000PWXL+G2500PWXL(Tosoh株式會社)洗脫液(0.2M磷酸緩衝液)/(CH3CN)=9/1(體積比)流量1.0mL/min柱溫40°C檢測器RI檢測器14標準物質聚丙烯酸換算從提高分散穩定性的觀點出發，研磨液組合物中的分散劑的含量優選為0.0005重量°/。以上，更優選為0.001重量％以上，進一步優選為0.002重量％以上。另夕卜，研磨液組合物中的分散劑的含量優選為0.5重量％以下，更優選為0.1重量％以下，進一步優選為0.05重量％以下。因此，分散劑的含量優選為0.00050.5重量％，更優選為0.0010.1重量％，進一步優選為0.0020.05重量％。上述說明的各個成分的含量為使用時的含量，本實施方式的研磨液組合物也可以在不影響其穩定性的範圍內以濃縮的狀態保存和供給。這種情況在能夠降低生產、運輸成本的方面是優選的。濃縮液根據需要用上述的水系溶劑適當稀釋後使用即可。當本實施方式的發明的研磨液組合物為上述濃縮液時，從降低生產、運輸成本的觀點出發，複合氧化物粒子的含量優選為2重量％以上，更優選為3重量％以上，進一步優選為5重量％以上，再進一步優選為10重量％以上。另外，從提高分散穩定性的觀點出發，複合氧化物粒子的含量優選為50重量%以下，更優選為40重量％以下，進一步優選為30重量％以下。因此，複合氧化物粒子的含量優選為250重量％，更優選為340重量％，進一步優選為530重量％，再進一步優選為1030重量％。在不妨礙本發明的效果的範圍內，本實施方式的研磨液組合物中也可以進一步含有選自pH調節劑、防腐劑和氧化劑中的至少1種任意成分。作為pH調節劑，可以列舉出鹼性化合物或酸性化合物等。作為鹼性化合物，可以列舉出氨、氫氧化鉀、水溶性有機胺和氫氧化季銨等。作為酸性化合物，可以列舉出硫酸、鹽酸、硝酸或磷酸等無機酸、醋酸、草酸、琥珀酸、乙醇酸、蘋果酸、枸櫞酸或苯甲酸等有機酸等。作為防腐劑，可以列舉出苯扎氯銨、苄索氯銨(benzethoniumchloride)、1,2-苯並異噻唑啉-3-酮、(5-氯-)2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮、過氧化氫或次氯酸鹽等。作為氧化劑，可以列舉出高錳酸、過氧酸等過氧化物、鉻酸或硝酸以及這些酸的鹽等。本實施方式的研磨液組合物在25X:下的pH沒有特別的限定，但從能夠進一步提高研磨速度的角度出發，上述pH優選為210，更優選為39，進一步優選為48，再進一步優選為4.57。此處，25'C下的pH可以用pH計(東亞電波工業株式會社，HM-30G)測定，是電極在研磨液組合物中浸漬1分鐘後的數值。以下說明本實施方式的研磨液組合物的配製方法的一例。本實施方式的研磨液組合物的配製方法的一例沒有任何限制，例如可以通過將複合氧化物粒子、分散劑、水系介質以及根據需要添加的任意成分進行混合來配製。複合氧化物粒子在水系介質中的分散例如可以使用高速攪拌機(homomixer)、勻漿機、超聲波分散機、溼式球磨或珠粒磨等攪拌機等來進行。在將複合氧化物粒子分散到水系介質中後，在水系介質中含有複合氧化物粒子凝集等形成的粗大粒子的情況下，優選通過離心分離或濾器過濾等除去該粗大粒子。優選在分散劑的存在下使複合氧化物粒子分散於水系介質中。以下說明使用本實施方式的研磨液組合物的研磨方法。在使用本實施方式的研磨液組合物進行的研磨方法的一個例子中，將研磨液組合物供給到研磨對象物和構成研磨裝置的研磨墊之間，在研磨對象物和研磨墊接觸的狀態下，使研磨墊相對於研磨對象物進行相對運動，由此對研磨對象物進行研磨。研磨墊例如可以粘帖在旋轉臺等研磨平臺上。研磨對象物用託架等保持。研磨裝置可以是能夠同時研磨板狀的研磨對象物的兩個主面的兩面研磨裝置，也可以是僅能研磨一面的單面研磨裝置。(玻璃基板的基材的研磨)關於玻璃基板的基材的研磨中使用的研磨墊的材質，沒有特別的限制，可以使用以往公知的材質的研磨墊。作為研磨對象的上述基材的材質，例如可以列舉出石英玻璃、鹼石灰玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、無鹼玻璃、結晶化玻璃、玻璃狀碳等。其中，本實施方式的研磨液組合物適用於作為強化玻璃基板用的一個例子的鋁矽酸鹽玻璃基板的基材、通過研磨而形成玻璃陶瓷基板(結晶化玻璃基板)的基材、通過研磨而成為合成石英玻璃基板的基材等的研磨。鋁矽酸鹽玻璃基板的基材的化學耐久性良好，不易產生研磨後以除去殘留在基板上的微粒為目的進行的鹼洗滌所導致的損傷(凹陷缺陷等)，因而從可以提供更高表面質量的玻璃基板的方面來說是優選的。另外，合成石英玻璃基板從透射率等光學特性優異的方面來說是優選的。對於玻璃基板的基材的形狀，沒有特別的限制，例如可以列舉出圓盤狀、板狀、板坯狀、稜鏡狀等具有平坦部分的形狀、透鏡等具有曲面部分的形狀等。本實施方式的研磨液組合物尤其適用於圓盤狀或板狀的玻璃基板的基材的研磨。從提高研磨速度的觀點出發，通過研磨裝置施加在玻璃基板的基材上的研磨負荷優選為3kPa以上，更優選為4kPa以上，進一步優選為5kPa以上，再進一步優選為5.5kPa以上。另外，從提高研磨表面的質量、並緩和研磨表面的殘留應力的觀點出發，研磨負荷優選為12kPa以下，更優選為llkPa以下，進一步優選為10kPa以下，再進一步優選為9kPa以下。因此，研磨負荷優選為312kPa，更優選為4llkPa，進一步優選為510kPa，再進一步優選為5.59kPa。研磨液組合物的供給速度根據研磨墊面向研磨對象物的面的面積和玻璃基板基材的研磨對象表面的面積的總和、以及研磨液組合物的組成的不同而不同，但從提高研磨速度的觀點出發，相對於研磨對象表面每lcm2，供給速度優選為0.065ml/分鐘，更優選為0.084ml/分鐘，進一步優選為(U3ml/分鐘。石開磨墊的轉速優選為10200rpm，更優選為20150rpm，進一步優選為3060rpm。另外，研磨對象物的轉速優選為10200rpm，更優選為20150rpm，進一步優選為3060rpm。(半導體裝置的製造過程中進行的薄膜的研磨)本實施方式的研磨液組合物例如也可以用於半導體基板的一個主面側上配置的薄膜的研磨。作為半導體基板的材料，例如可以列舉出Si或Ge等元素半導體、GaAs、InP或CdS等化合物半導體、InGaAs、HgCdTe等混晶半導體等。作為薄膜的材料，可以列舉出鋁、鎳、鎢、銅、鉅或鈦等金屬；矽等半金屬；以上述金屬為主要成分的合金；玻璃、玻璃狀碳或無定形碳等玻璃狀物質；氧化鋁、二氧化矽、氮化矽、氮化鉅或氮化鈦等陶瓷材料；聚醯亞胺樹脂等樹脂等構成半導體裝置的材料、其中，從能以較大速度進行研磨的觀點出發，薄膜優選含有矽，更優選含有選自氧化矽、氮化矽和聚矽氧烷中的至少1種。作為氧化矽，可以列舉出二氧化矽、四乙氧基矽垸(TEOS)等。在含有氧化矽的薄膜中也可以摻雜磷、硼等元素，作為這樣的薄膜的具體例子，可以列舉出BPSG(硼-磷-矽酸鹽玻璃)膜、PSG(磷-矽酸鹽玻璃)膜等。薄膜形成法可以根據構成薄膜的材料來適當選擇，例如可以列舉出CVD法、PVD法、塗布法或鍍覆法。在研磨薄膜時，從提高研磨速度的觀點出發，通過研磨裝置施加在薄膜上的研磨負荷優選為5kPa以上，更優選為10kPa以上。另外，從提高研磨表面的質量、並緩和研磨表面的殘留應力的觀點出發，研磨負荷優選為100kPa以下，更優選為70kPa以下，進一步優選為50kPa以下。因此，研磨負荷優選為5100kPa，更優選為1070kPa，進一步優選為1050kPa。研磨液組合物的供給速度根據研磨墊面向研磨對象物的面的面積和薄膜的研磨對象表面的面積的總和、以及研磨液組合物的組成的不同而不同，但從提高研磨速度的觀點出發，相對於研磨對象物的表面每lcm2，供給速度優選為O.Olml/分鐘以上，更優選為0.1ml/分鐘以上。另外，從降低成本和廢液處理更容易的觀點出發，研磨液組合物的供給速度優選相對於研磨對象表面每lcr^為10ml/分鐘以下，更優選為5ml/分鐘以下。因此，研磨液組合物的供給速度優選相對於研磨對象表面每lcr^為0.0110ml/分鐘，更優選為0，15ml/分鐘。研磨工序中使用的研磨墊的材質等沒有特別的限制，可以使用以往公知的材質。作為研磨墊的材質，例如可以列舉出硬質發泡聚氨酯等有機高分子發泡體或無機發泡體等，其中優選硬質發泡聚氨酯。研磨墊的轉速優選為30200rpm，更優選為45150rpm，進一步優選為60100rpm。薄膜可以是具有凹凸表面的薄膜。具有凹凸表面的薄膜例如可以通過在半導體基板上的一個主面側上形成薄膜的薄膜形成工序、和在該薄膜的與半導體基板側的面相反的面上形成凹凸圖案的凹凸面形成工序來獲得。凹凸圖案的形成可以使用以往公知的平版印刷法等來進行。另外，在與具有薄膜的半導體基板側的面相反的面也可以形成與下層的凹凸相對應的凹凸。在具有凹凸表面的薄膜的研磨中，研磨負荷、研磨液組合物的供給速度、研磨墊的材質以及研磨墊的轉速等優選分別和上述薄膜研磨時相同。本實施方式的薄膜的研磨適用於相鄰的凸部和凹部的高度差(H)(參照圖1C或圖3A)優選為502000nm、更優選為1001500nm的情況。"高度差(H)"是指從凸部的頂點到凹部的最低點之間的距離，可以用剖面測定裝置(商品名HRP-IOO，KLATencor公司製造)來測定。本實施方式的研磨液組合物可以用於半導體裝置的製造過程中所有的研磨。作為具體例子，例如可以列舉出(1)在形成埋入元件分離膜的工序中進行的研磨；(2)在將層間絕緣膜平坦化的工序中進行的研磨；(3)在形成埋入金屬配線(例如金屬鑲嵌(damascene)配線等)的工序中進行的研磨；(4)在形成埋入電容器的工序中進行的研磨等。作為上述半導體裝置，例如可以列舉出存儲IC(IntegratedCircuit,集成電路)、邏輯IC以及系統LSI(Large-ScaleIntegration,大規模集成)等。本實施方式的研磨液組合物除了可以用於構成硬碟等的玻璃基板用基材或構成半導體裝置的絕緣層的研磨之外，還可以適用於玻璃陶瓷基板等結晶化玻璃基板的基材、用作光掩模用基板等的合成石英玻璃基板的基材、或液晶顯示面板的玻璃面等的研磨。以下，使用附圖來說明半導體裝置的製造過程中形成埋入元件分離膜的工序中進行的研磨。如圖1A所示，在通過將半導體基板1在氧化爐內暴露於氧下而形成的二氧化矽氧化膜(未圖示)上，用例如CVD法(化學氣相沉積法)形成氮化矽(SiN4)膜2。然後，如圖1B所示，利用光刻法技術形成淺溝道。然後，如圖1C所示，通過例如使用矽垸氣體和氧氣的CVD法，形成溝道包埋用的氧化膜(Si02膜)3。在如此形成的氧化膜3的與半導體基板1側的面相反的面上具有對應於下層的凸凹而形成的具有高度差H的凸凹。然後，通過CMP法研磨氧化膜3，直至氮化矽膜2表面和氧化膜3的表面基本齊平(參照圖1D)。本實施方式的研磨液組合物可以在利用該CMP法進行研磨時使用。以下，使用附圖來說明半導體裝置的製造過程中將層間絕緣膜平坦化的工序中進行的研磨。如圖2A所示，在半導體基板11的一個主面側上用例如濺射法形成金屬19薄膜19(例如A1薄膜)。在圖2A所示的例子中，在半導體基板ll上形成源極12和漏極13作為摻雜了雜質的雜質擴散區域。在該圖中，在金屬薄膜19的下層還設有表面被矽化的柵電極15、配置在柵電極15的兩端部的側壁14、由Si02等形成的絕緣層16、17、貫穿絕緣層16、17將金屬薄膜19和柵電極15進行層間連接的鎢插塞18。然後，如圖2B所示，利用光刻法技術和乾式蝕刻技術將金屬薄膜19進行布圖，形成引出電極20。由此完成CMOS結構。然後，如圖3A所示，通過例如使用矽垸氣體和氧氣的CVD法來形成氧化膜(SiCy莫)21。該氧化膜21的與面向半導體基板11的面相反的面上具有對應於下層的凸凹而形成的具有高度差H的凸凹。然後，通過CMP法研磨氧化膜21(參照圖3B)。本實施方式的研磨液組合物可以在利用該CMP法進行研磨時使用。如上所述，根據本發明，可以提供能以更高速度對研磨對象物進行研磨的研磨液組合物、使用該研磨液組合物的研磨方法、玻璃基板的製造方法以及半導體裝置的製造方法。(實施方式2)在實施方式2中說明本發明的研磨液組合物的其它例子。本實施方式的研磨液組合物除了前述的複合氧化物粒子之外，還含有有助於形成具有高度表面平坦性的研磨表面的水溶性有機化合物。在本實施方式的研磨液組合物中，通過含有水溶性有機化合物作為添加劑，能夠形成平坦性高的研磨表面，並且，通過將含有鈰和鋯的以往沒有的複合氧化物粒子作為磨粒使用，可以提高研磨速度。推論其理由如下。本實施方式的研磨液組合物中含有的含鈰和鋯的複合氧化物粒子如後所述，可以作為能以高速對研磨對象物進行研磨的磨粒來使用。在將本實施方式的研磨液組合物供給到研磨對象表面時，水溶性有機化合物吸附在複合氧化物粒子表面和/或研磨對象表面上而形成被膜。該被膜阻礙複合氧化物粒子作用於研磨對象表面。當較高的研磨負荷開始施加在研磨對象表面時，上述被膜被破壞，從而可以利用複合氧化物粒子進行研磨對象表面的研磨。在研磨作為研磨對象表面的一個例子的凹凸表面時，若從微觀的觀點推測研磨的進行狀況，則在初期階段，凸部承受了比研磨裝置設定的設定負荷更高的研磨負荷，被膜被破壞而進行研磨。另一方面，凹部承受較低的負荷，凹部被被膜保護而難以被研磨。也就是說，凸部被選擇性地研磨，凹凸高度差減小，從而平坦化得以進行。如此，如果使用本實施方式的研磨液組合物，與使用能夠高速研磨的複合氧化物粒子而獲得的效果相輔相成，可以在短時間內獲得平坦性優異的研磨表面。但是，本發明並不限定於這些推測。如果將研磨裝置設定的設定負荷設定為對平坦表面幾乎不進行研磨的值，則在凹凸高度差消除之後，研磨就幾乎不再進行了。這種情況能夠容易地防止不必要的研磨，因而是優選的。作為水溶性有機化合物，可以列舉出具有-S03H基、-S03Na基(Na為可以和H原子置換而形成鹽的原子或原子團)、-COOH基、-COONb基(Nb為可以和H原子置換而形成鹽的原子或原子團)中的至少1個基團的水溶性有機化合物。當水溶性有機化合物為鹽時，水溶性有機化合物優選為不含鹼金屬的非金屬鹽。研磨液組合物中含有的水溶性有機化合物不僅可以是1禾中，而且也可以是2種以上。作為水溶性有機化合物，例如可以列舉出選自水溶性丙烯酸系聚合物、有機酸、其鹽、酸性胺基酸、其鹽、中性或鹼性胺基酸以及兩性離子型的水溶性低分子有機化合物(以下也僅稱為低分子有機化合物)中的至少1禾中。從能夠確保研磨液組合物的穩定性的觀點出發，低分子有機化合物的分子量優選為1000以下，更優選為500以下，進一步優選為300以下。作為水溶性有機化合物的一個例子的本實施方式的研磨液組合物中含有的水溶性丙烯酸系聚合物，可以列舉出聚丙烯酸和丙烯酸系共聚物。聚丙烯酸包括由衍生於選自丙烯酸、丙烯酸非金屬鹽中的至少l種單體(a)的構成單元(A)構成的聚合物。另外，作為水溶性丙烯酸系聚合物，可以列舉出含有上述構成單元(A)和由下述單體(b)衍生的構成單元(B)的共聚物。作為丙烯酸非金屬鹽，例如可以列舉出丙烯酸銨鹽、丙烯酸胺鹽、丙烯酸四垸基銨鹽等。水溶性丙烯酸系聚合物可以含有1種由這些丙烯酸鹽衍生的構成單元，也可以含有2種以上由這些丙烯酸鹽衍生的構成單元。丙烯酸系共聚物在全部構成單元中含有超過50摩爾％的構成單元(A)，優選含有超過70摩爾％，更優選含有超過80摩爾％，進一步優選含有超過90摩爾％。單體(b)為具有可聚合的雙鍵的單體，例如可以列舉出衣康酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸、檸康酸、戊烯二酸、乙酸乙烯基酯、乙酸烯丙基酯、膦基羧酸、(x-滷代丙烯酸、(3-羧酸等羧酸系單體類或其鹽；2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、苯乙烯磺酸、乙烯磺酸、烯丙基磺酸、甲基丙烯磺酸等磺酸系單體類或其鹽；酸性膦氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、酸性膦氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-(甲基)丙烯醯氧基丙磺酸等磷酸系單體類或其鹽；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸垸基酯系單體類；N，N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺等N-垸基取代(甲基)丙烯醯胺系單體類；苯乙烯等芳香族乙烯基系單體類；異丁烯、二異丁烯等ot-烯烴系單體類；乙烯基甲基醚、乙烯基乙基醚等乙烯基醚系單體類；(甲基)丙烯腈等腈系單體類；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系單體類。水溶性丙烯酸系聚合物可以是游離酸或鹽的形態。通常，水溶性丙烯酸系聚合物是以游離酸或鹽的形態用於研磨液組合物的製造，但對水系介質的溶解性高的鹽在研磨液組合物的製造中是優選使用的。水溶性丙烯酸系聚合物的鹽例如可以通過將酸型的丙烯酸單體單獨聚合、或與單體(b)共聚之後、用規定的鹼中和至規定的比例來獲得。作為上述鹽的優選的具體例子，可以列舉出銨化合物鹽、鋰鹽、鈉鹽、鉀鹽、銫鹽等，但從能獲得LSI優選的電特性的觀點出發，更優選銨化合物鹽。作為構成銨化合物鹽的胺類的優選例子，可以列舉出氨、具有碳原子數為110的直鏈狀或支鏈狀的飽和或不飽和烷基的伯胺、仲胺、叔胺、或具有碳原子數為610的至少1個芳香環的伯胺、仲胺、叔胺、以及具有哌啶、哌嗪等環式結構的胺、四甲基銨等四垸基銨化合物。從對水系介質的溶解性的觀點和分散穩定性的觀點出發，水溶性丙烯酸系聚合物的鹽優選根據水溶性丙烯酸系聚合物的種類以規定的比例進行中和。從抑制過剩研磨引起的凹陷現象、獲得平坦性優異的研磨表面的觀點出22發，優選為下述的水溶性丙烯酸系聚合物。凹陷現象是指由於在凹凸面的研磨中凹部被過剩研磨，從而在通過研磨獲得的研磨麵中、特別是對應於凹部的部位凹陷成皿狀的現象。這種凹陷現象在相鄰的凸部間的距離更大時，也就是說，在俯視凹凸面時可見的凹部的總面積的比例較大時(凹部面密度較大時)會顯著發生。作為上述優選的水溶性丙烯酸系聚合物，可以列舉出聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸銨、異甲基丙烯酸銨、聚丙烯酸銨鹽、丙烯酸和馬來酸的共聚物的銨鹽、丙烯酸和2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸的共聚物的銨鹽、丙烯酸和(甲基)丙烯酸甲酯的共聚物的銨鹽等，其中更優選聚丙烯酸的銨鹽。從抑制過剩的研磨產生的凹陷現象、獲得平坦性優異的研磨表面的觀點以及磨粒的分散穩定性的觀點出發，水溶性丙烯酸系聚合物的重均分子量優選為300100000，更優選為50050000，進一步優選為100030000，再進一步優選為200010000。根據同樣的理由，水溶性丙烯酸系聚合物的鹽的重均分子量也優選在上述範圍內。當水溶性丙烯酸系聚合物為聚丙烯酸銨時，其重均分子量優選為100020000，更優選為200010000。另外，在含有聚丙烯酸銨作為水溶性丙烯酸聚合物的研磨液組合物的情況下，從獲得平坦性更優異的研磨表面的觀點出發，研磨液組合物中含有的聚丙烯酸銨的含量優選為0.115重量％，更優選為0.210重量％，進一步優選為0.5~8重量％，再進一步優選為1.06重量％。本實施方式的研磨液組合物中，從有效地抑制凹陷的發生的觀點出發，聚丙烯酸銨和複合氧化物粒子的重量比(聚丙烯酸銨/複合氧化物粒子)優選為1/5以上，更優選為1/4以上，進一步優選為1/3以上。另外，從進一步提高研磨速度的觀點出發，重量比(聚丙烯酸銨/複合氧化物粒子)優選為15/1以下，更優選為12/1以下，進一步優選為10/1以上。因此，上述重量比優選為1/515/1，更優選為1/412/1，進一步優選為1/310/1。作為本實施方式的研磨液組合物中含有的水溶性有機化合物的一個例子的有機酸及其鹽的優選的具體例子，可以列舉出蘋果酸、乳酸、酒石酸、葡糖酸、枸櫞酸一水合物、琥珀酸、己二酸、富馬酸或這些酸的銨鹽等。作為本實施方式的研磨液組合物中含有的水溶性有機化合物的一個例子的中性或鹼性的胺基酸的優選的具體例子，可以列舉出甘氨酸、4-氨基丁酸、6-氨基己酸、12-氨基月桂酸、精氨酸、甘氨醯替甘氨酸等。作為本實施方式的研磨液組合物中含有的水溶性有機化合物的一個例子的低分子有機化合物的優選的具體例子，可以列舉出二羥乙基甘氨酸(DHEG)、乙二胺四乙酸(EDTA)、環己二胺四乙酸(CyDTA)、三乙酸胺(NTA)、羥乙基乙二胺三乙酸(HEDTA)、二乙三胺五乙酸(DTPA)、三乙四胺六乙酸(TTHA)、L-穀氨酸二乙酸(GLDA)、氨基三(亞甲基膦酸)、1-羥基乙叉l，l-二膦酸(HEDP)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、二乙三胺五(亞甲基膦酸)、P-丙氨酸二乙酸(P-ADA)、a-丙氨酸二乙酸(a-ADA)、天冬氨酸二乙酸(ASDA)、乙二胺二琥珀酸(EDDS)、亞氨基二醋酸(IDA)、羥乙基亞氨基二乙酸(HEIDA)、1，3-丙二胺四乙酸(1,3-PDTA)、天冬氨酸、絲氨酸、半胱氨酸、重氮乙醯絲氨酸、天冬醯胺、2-氨基丁酸、4-氨基丁酸、丙氨酸、|3-丙氨酸、精氨酸、別異白氨酸、別蘇氨酸、異白氨酸、乙硫氨酸、麥角硫因、鳥氨酸、刀豆氨酸、S-(羧甲基)-半胱氨酸、犬尿素、甘氨酸、穀氨醯胺、穀氨酸、肌酸、肌氨酸、胱硫醚、胱氨酸、磺基丙氨酸、瓜氨酸、卩-(3,4-二羥基苯基)-丙氨酸、3,5-二碘酪氨酸、牛磺酸、甲狀腺素、酪氨酸、色氨酸、蘇氨酸、戊氨酸、己氨酸、纈氨酸、組氨酸、4-羥基脯氨酸、S-羥基賴氨酸、苯基丙氨酸、脯氨酸、同型絲氨酸、蛋氨酸、1-甲基組氨酸、3-甲基組氨酸、羊毛硫氨酸、賴氨酸、白氨酸、間氨基苯甲酸、對氨基苯甲酸、(3-氨基異戊酸、3-氨基巴豆酸、鄰氨基肉桂酸、間氨基氨基苯磺酸、對氨基苯磺酸、2-氨基戊酸、4-氨基戊酸、5-氨基戊酸、2-氨基-2-甲基丁酸、3-氨基丁酸、靛紅酸、2-喹啉羧酸、3-喹啉羧酸、4-喹啉羧酸、5-喹啉羧酸、2,3-喹啉二羧酸、2，4-喹啉二羧酸、胍基乙酸、2,3-二氨基苯甲酸、2,4-二氨基苯甲酸、2，5-二氨基苯甲酸、3.4-二氨基苯甲酸、3，5-二氨基苯甲酸、2,4-二氨基苯酚、3,4-二氨基苯酚、2，4，6-三氨基苯酚、2-吡啶羧酸、煙酸、異煙酸、2，3-吡啶二羧酸、2，4-吡啶二羧酸、2.5-吡啶二羧酸、2，6-吡啶二羧酸、3,4-吡啶二羧酸、3,5-吡啶二羧酸、2,4,5-吡啶三羧酸、2,4,5-吡啶三羧酸、3，4，5-吡啶三羧酸、N-苯基甘氨酸、N-苯基甘氨酸鄰羧酸、苯酚-2,4-二磺酸、鄰苯酚磺酸、間苯酚磺酸、對苯酚磺酸、鄰苯二甲酸一縮苯胺、鄰(甲基氨基)苯酚、間(甲基氨基)苯酚、對(甲基氨基)苯酚、羧基甜菜鹼、磺基甜菜鹼、咪唑鎗甜菜鹼、卵磷脂等。另外，可以列舉出這些化合物的質子中的1個或2個以上被F、Cl、Br和I等原子、或OH、CN以及N02等原子團取代的衍生物等。其中，從抑制過剩研磨導致的凹陷現象、獲得平坦性優異的研磨表面的觀點出發，更優選下述螯合劑。作為上述螯合劑，可以列舉出DHEG、EDTA、CyDTA、NTA、HEDTA、DTPA、TTHA、GLDA、氨基三(亞甲基膦酸)、HEDP、乙二胺四(亞甲基膦酸)、二乙三胺五(亞甲基膦酸)、(3-ADA、a-ADA、ASDA、EDDS、IDA、HEIDA、1，3-PDTA、天冬氨酸、絲氨酸、半胱氨酸等。其中，更優選DHEG、EDTA、NTA、卩-ADA、a-ADA、ASDA、EDDS、HEIDA、天冬氨酸、絲氨酸、半胱氨酸。另外，在螯合劑中，從可以確保濃縮時的研磨液組合物的穩定性的觀點出發，更優選DHEG。在兩性離子型的水溶性的低分子有機化合物中，特別是DHEG，由於分子內平衡性良好地存在陰離子基團、陽離子基團、非離子基團，因此即使吸附在複合氧化物粒子上也不會導致粒子的；電位和親水性的大幅降低，而且不易影響到分散劑的效果。另外，DHEG可以充分抑制複合氧化物粒子的凝集等，即使在複合氧化物粒子的濃度高的情況下，也可以確保複合氧化物粒子的分散穩定性。因此，含有DHEG的本實施方式的研磨液組合物能夠提供質量穩定的高濃度的研磨液組合物。低分子有機化合物通常以游離酸或鹽的形態用於研磨液組合物的製造，但對水系介質溶解性高的鹽優選在研磨液組合物的製造中使用。作為上述鹽的優選的具體例子，可以列舉出銨化合物鹽、鋰鹽、鈉鹽、鉀鹽、銫鹽等，但從能獲得LSI優選的電特性的觀點出發，更優選銨化合物±卜作為構成銨化合物鹽的胺類的優選例子，可以列舉出氨、具有碳原子數為110的直鏈狀或支鏈狀的飽和或不飽和垸基的伯胺、仲胺、叔胺、或者具有碳原子數為610的至少1個芳香環的伯胺、仲胺、叔胺、以及哌啶、哌嗪等具有環狀結構的胺、四甲基銨等四垸基銨化合物。從獲得平坦性優異的研磨表面的觀點出發，本實施方式的研磨液組合物中含有的水溶性有機化合物的含量優選為0.0215重量％，更優選為0.0510重量％，進一步優選為0.18重量％，再進一步優選為0.26重量％。在本發明的研磨液組合物中，不僅有作為水溶性有機化合物添加的物質與後述的作為分散劑添加的物質相互不同的情況，也有相同的情況。當作為水溶性有機化合物添加的物質與後述的作為分散劑添加的物質相同時，為了能實現良好的分散性和研磨表面的良好的平坦性，可以在水溶性有機化合物的優選含量(例如0.0215重量％)和分散劑的優選含量(例如0.00050.5重量％)的合計量的範圍內選擇水溶性有機化合物和分散劑的合計量。在本實施方式的研磨液組合物中，從形成具有高度表面平坦性的研磨表面的觀點出發，水溶性有機化合物和複合氧化物粒子的重量比(水溶性有機化合物/複合氧化物粒子)優選為1/30以上，更優選為1/20以上，進一步優選為1/10以上。從進一步提高研磨速度的觀點出發，上述重量比優選為15/1以下，更優選為12/1以下，進一步優選為10/1以下。因此，上述重量比優選為1/3015/1，更優選為1/2012/1，進一步優選為1/1010/1。另外，對於含有DHEG作為水溶性有機化合物的研磨液組合物，從獲得平坦性更優異的研磨表面的觀點出發，研磨液組合物中含有的DHEG的含量優選為0.115重量％，更優選為0.210重量％，進一步優選為0.58重量%，再進一步優選為1.06重量％。在本實施方式的研磨液組合物中，從有效地抑制凹陷的發生的觀點出發，DHEG和複合氧化物粒子的重量比(DHEG/複合氧化物粒子)優選為1/5以上，更優選為1/4以上，進一步優選為1/3以上。另外，從進一步提高研磨速度的觀點出發，重量比(DHEG/複合氧化物粒子)優選為15/1以下，更優選為12/1以下，進一步優選為10/1以下。因此，上述重量比優選為1/515/1，更優選為1/412/1,進一步優選為1/310/1。作為本實施方式的研磨液組合物中含有的水系介質，可以與實施方式1的研磨液組合物中含有的水系介質相同。本實施方式的研磨液組合物中含有的分散劑的種類、含量、重均分子量等可以與(實施方式l)的研磨液組合物中含有的分散劑相同。在本實施方式的研磨液組合物中，在不妨礙本發明的效果的範圍內，還可以進一步含有選自pH調節劑、防腐劑以及氧化劑中的至少1種任意成分。這些任意成分的具體例子可以與(實施方式l)中記載的相同。研磨液組合物在25"C下的優選的pH也與(實施方式1)中記載的研磨液組合物的pH相同。另外，上述說明的各個成分的含量是使用時的含量，本實施方式的研磨26液組合物也可以以在不影響其穩定性的範圍內以濃縮的狀態保存及供給。這種情況從進一步降低製造、運輸成本的方面來說是優選的。濃縮液根據需要用上述的水系介質適當稀釋後使用即可。當本實施方式的研磨液組合物為上述濃縮液時，從進一步降低製造、運輸成本的觀點出發，複合氧化物粒子的含量優選為1重量％以上，更優選為2重量％以上，進一步優選為3重量％以上，再進一步優選為4重量％以上。另外，從進一步提高分散穩定性的觀點出發，濃縮液中的複合氧化物粒子的含量優選為20重量％以下，更優選為15重量％以下，進一步優選為10重量％以下，再進一步優選為8重量％以上。因此，濃縮液中的複合氧化物粒子的含量優選為120重量％，更優選為215重量％，進一步優選為310重量％，再進一步優選為48重量％。當本實施方式的研磨液組合物為上述濃縮液時，從進一步降低製造、運輸成本的觀點出發，水溶性有機化合物的含量優選為0.08重量％以上，更優選為0.2重量％以上，進一步優選為0.5重量％以上，再進一步優選為1重量%以上。另夕卜，從進一步提高分散穩定性的觀點出發，濃縮液中的水溶性有機化合物的含量優選為40重量％以下，更優選為20重量％以下，進一步優選為15重量％以下，再進一步優選為12重量％以上。因此，濃縮液中的水溶性有機化合物的含量優選為0.0840重量％，更優選為0.220重量％，進一步優選為0.515重量％，再進一步優選為112重量％。當含有DHEG作為低分子有機化合物的研磨液組合物為上述濃縮液時，從進一步降低製造、運輸成本的觀點出發，DHEG的含量優選為0.4重量％以上，更優選為1重量％以上，進一步優選為2重量％以上，再進一步優選為3重量％以上。另外，從進一步提高分散穩定性的觀點出發，濃縮液中的DHEG的含量優選為40重量％以下，更優選為20重量％以下，進一步優選為15重量％以下，再進一步優選為12重量％以上。因此，濃縮液中的DHEG的含量優選為0.440重量％，更優選為120重量％，進一步優選為215重量％，再進一步優選為312重量％。當本實施方式的研磨液組合物為上述濃縮液時，從進一步降低製造、運輸成本的觀點出發，分散劑的含量優選為0.001重量％以上，更優選為0.003重量％以上，進一步優選為0.005重量％以上，再進一步優選為0.01重量％以上。另外，從進一步提高分散穩定性的觀點出發，濃縮液中的分散劑的含量優選為1.0重量％以下，更優選為0.3重量％以下，進一步優選為0.2重量％以下，再進一步優選為0.1重量％以下。因此，濃縮液中的分散劑的含量優選為0.0011.0重量％，更優選為0.0030.3重量％，進一步優選為0.0050.2重量％，再進一步優選為0.010.1重量％。以下說明本實施方式的研磨液組合物的製造方法的一個例子。本實施方式的研磨液組合物的製造方法的一個例子並沒有任何限制，例如可以通過將複合氧化物粒子、分散劑、水溶性有機化合物(例如DHEG、聚丙烯酸銨等)、水系介質以及根據需要添加的任意成分進行混合來製備。這些各個成分的混合順序沒有特別的限制，可以將全部成分同時混合，也可以使複合氧化物粒子分散在預先溶解了分散劑的水系介質中來配製複合氧化物粒子料漿，然後在該料漿中加入含有水溶性有機化合物和剩餘的水系介質的混合物。從充分防止複合氧化物粒子的凝集等的觀點出發，優選為後者。複合氧化物粒子在水系介質中的分散例如可以使用高速攪拌機、勻漿機、超聲波分散機、溼式球磨或珠粒磨等攪拌機等來進行。在水系介質中含有複合氧化物粒子凝集等形成的粗大粒子的情況下，優選通過離心分離或濾器過濾等除去該粗大粒子。優選在分散劑的存在下進行複合氧化物粒子在水系介質中的分散。以下說明使用本實施方式的半導體裝置的製造方法。本實施方式的半導體基板的製造方法包含在半導體基板上的一個主面側上形成薄膜的薄膜形成工序、在薄膜的與半導體基板側的面相反的面上形成凹凸圖案的凹凸面形成工序、以及使用本實施方式的研磨液組合物對凹凸面進行研磨的研磨工序。薄膜形成工序可以根據需要進行多次。另外，本實施方式的半導體基板的製造方法包含在半導體基板上的一個主面側上形成具有凹凸面的薄膜的薄膜形成工序、和使用本實施方式的研磨液組合物對凹凸面進行研磨的研磨工序。薄膜形成工序可以根據需要進行多次。作為在薄膜形成工序中形成的薄膜，例如可以列舉出絕緣層、金屬層或半導體層等導體層。作為上述絕緣層中含有的材料，例如可以列舉出氧化矽、氮化矽或聚矽氧垸等。薄膜形成法可以根據構成薄膜的材料來適當選擇，例如可以列舉出CVD法、PVD法、塗布法或鍍覆法等。凹凸面的形成方法可以列舉出以往公知的平版印刷法等。使用平版印刷法，依次進行光致抗蝕劑的塗布、曝光、顯影、蝕刻以及光致抗蝕劑的除去等。另外，凹凸面也可以對應於下層的凹凸來形成。凹凸表面的研磨可以如下進行在凹凸表面和/或研磨墊表面供給本實施方式的研磨液組合物，例如使研磨墊與凹凸表面接觸，向凹凸面施加規定的壓力(負荷)，同時使具有凹凸面的薄膜和研磨墊中的至少一方進行相對運動，從而進行研磨。研磨處理可以使用以往公知的研磨裝置來進行。研磨液組合物可以直接使用，若是濃縮液，可以稀釋後使用。在稀釋濃縮液時，其稀釋倍數沒有特別的限制，可以根據濃縮液中各個成分的濃度或研磨條件等來適當選定。作為稀釋倍數的具體例子，優選為1.5倍以上，更優選為2倍以上，進一步優選為3倍以上，再進一步優選為4倍以上。優選為20倍以下，更優選為15倍以下，進一步優選為10倍以下，再進一步優選為8倍以下。因此，稀釋倍數優選為L520倍，更優選為215倍，進一步優選為310倍，再進一步優選為48倍。作為半導體基板的材料，例如可以列舉出Si或Ge等元素半導體、GaAs、InP或CdS等化合物半導體、InGaAs、HgCdTe等混晶半導體等。作為更加適用本實施方式的研磨液組合物的薄膜的材質或材料，可以列舉出鋁、鎳、鎢、銅、鉭或鈦等金屬；矽等半金屬；以上述金屬為主要成分的合金；玻璃、玻璃狀碳或無定形碳等玻璃狀物質；氧化鋁、二氧化矽、氮化矽、氮化鉭或氮化鈦等陶瓷材料；聚醯亞胺樹脂等樹脂等作為構成半導體裝置的材料而一直公知的材料。其中，從使利用本實施方式的研磨液組合物進行的研磨能良好地發揮作用的理由出發，薄膜優選含有矽，更優選含有選自氧化矽、氮化矽和聚矽氧烷中的至少1種，進一步優選含有氧化矽。作為氧化矽，可以列舉出石英、玻璃、二氧化矽、四乙氧基矽烷(TEOS)等。在含有氧化矽的薄膜中也可以摻雜磷、硼等元素，作為這樣的薄膜的具體例子，可以列舉出BPSG(硼-磷-矽酸鹽玻璃)膜、PSG(磷-矽酸鹽玻璃)膜等。與29未摻雜元素的氧化矽膜相比，摻雜了元素的氧化矽膜更易於被研磨，因而，為了促進平坦化，有必要使研磨液組合物中含有更多量的水溶性有機化合物。但是，含有較多水溶性有機化合物的研磨液組合物存在複合氧化物粒子凝集、沉降的問題。作為含有DHEG作為水溶性有機化合物的本實施方式的研磨液組合物的一個例子，即使DHEG的含量例如為0.220重量。/。，複合氧化物粒子的凝集也能被充分抑制，分散穩定性極高。因此，該研磨液組合物的一個例子特別適用於BPSG膜、PSG膜等的研磨。從能夠快速地研磨凸部、可以形成平坦性更高的研磨表面的觀點出發，本實施方式的半導體裝置的製造方法在凹凸表面的全部面由相同材料形成的情況下是有用的。相鄰的凸部和凹部的高度差(H)(例如參照圖4A)優選為502000nm，更優選為1001500nm。"高度差(H)"是指從凸部的頂點到凹部的最低點之間的距離，可以用剖面測定裝置(商品名HRP-IOO，KLATencor公司製造)來測定。研磨工序中使用的研磨墊的材質等沒有特別的限制，可以使用以往公知的材質。作為研磨墊的材質，例如可以列舉出無紡布、硬質發泡聚氨酯等有機高分子發泡體或無機發泡體等，其中優選硬質發泡聚氨酯。從進一步提高研磨速度的觀點出發，研磨液組合物的供給速度優選相對於研磨對象表面每lcn^為O.Olg/分鐘以上，更優選為0.05g/分鐘以上，進一步優選為O.lg/分鐘以上。另外，從低成本化和廢液處理的容易化的觀點出發，研磨液組合物的供給速度優選相對於凹凸表面每1112為10g/分鐘以下，更優選為5g/分鐘以下，進一步優選為3g/分鐘以下。因此，研磨液組合物的供給速度優選為相對於研磨對象表面每lcri^為0.0110g/分鐘，更優選為0.055g/分鐘，進一步優選為0.13g/分鐘。本實施方式的研磨液組合物並不限定於以全部成分預先混合的狀態下供給至市場的單組分型，也可以是使用時混合的雙組分型。雙組分型的研磨液組合物中，上述水系介質分為第1水系介質和第2水系介質，研磨液組合物由含有複合氧化物粒子、分散劑和第1水系介質的水系介質組合物(I)和含有水溶性有機化合物和第2水系介質的水系介質組合物(II)構成。水系介質組合物(I)除了複合氧化物粒子、分散劑之外也可以含有一部分水溶性有機化合物。水系介質組合物(II)除了水溶性有機化合物之外也可以含有一部分複合氧化物粒子和一部分分散劑。當水溶性有機化合物為水溶性丙烯酸系聚合物時，從使用時易於混合的觀點出發，優選水系介質組合物(I)中不含水溶性丙烯酸系聚合物，水系介質組合物(II)中不含複合氧化物粒子。水系介質組合物(I)和水系介質組合物(II)的混合可以在供給到凹凸表面之前進行，也可以分別供給後在凹凸表面上混合。與水系介質組合物(I)一起使用的、含有水溶性有機化合物和第2水系介質的水系介質組合物(n)(添加劑水溶液)在研磨進行過程中作為平坦化促進劑發揮作用。以下，說明雙組分型研磨液組合物的一個例子的各個成分的含量等。在該例子中，水系介質組合物(i)不含有水溶性有機化合物，水系介質組合物(n)不含有複合氧化物粒子和分散劑。在上述雙組分型的研磨液組合物中，各個成分的含量可以與將水系介質組合物(i)和水系介質組合物(n)混合時的單組分型研磨液組合物中各個成分的含量相同，但水系介質組合物(i)中的複合氧化物粒子的含量、水系介質組合物(i)中的分散劑的含量、水系介質組合物(n)中的水溶性有機化合物的含量例如優選為如下所述。從進一步提高研磨速度的觀點出發，水系介質組合物(i)中的複合氧化物粒子的含量優選為0.1重量％以上，更優選為0.2重量％以上，進一步優選為0.4重量％以上，再進一步優選為0.5重量％以上。另夕卜，從進一步提高分散穩定性和降低成本的觀點出發，水系介質組合物(I)中的複合氧化物粒子的含量優選為8重量％以下，更優選為5重量％以下，進一步優選為4重量％以下，再進一步優選為3重量％以下。因此，複合氧化物粒子的含量優選為0.18重量％，更優選為0.25重量％，進一步優選為0.44重量％，再進一步優選為0.53重量％。從進一步提高分散穩定性的觀點出發，水系介質組合物(I)中的分散劑的含量優選為0.0005重量％以上，更優選為0.001重量％以上，進一步優選為0.002重量％以上。另外，水系介質組合物(I)中的分散劑的含量優選為0.5重量％以下，更優選為0.1重量％以下，進一步優選為0.05重量％以下。因此，複合氧化物粒子的含量優選為0.00050.5重量％，更優選為0.0010.1重量°/0，進一步優選為0.0020.05重量％。從獲得平坦性優異的研磨表面的觀點出發，水系介質組合物(II)(添加劑水溶液)中的水溶性有機化合物的含量優選為0.0460重量％，更優選為0.150重量％，進一步優選為0.240重量％，再進一步優選為0.430重量%。另外，從溶液的供給精度的觀點和獲得均勻的混合液的觀點出發，水系介質組合物(I)和水系介質組合物(II)(添加劑水溶液)的混合比(水系介質組合物(I)的重量/水系介質組合物(II)的重量)優選為1/250/1，更優選為2/140/1，進一步優選為5/130/1，再進一步優選為10/120/1。從進一步提高分散穩定性的觀點出發，水系介質組合物(I)在25'C下的pH優選為211，更優選為310，進一步優選為410，再進一步優選為59。水系介質組合物(II)在25'C下優選的pH根據水溶性有機化合物的種類的不同而不同，但水系介質組合物(II)與水系介質組合物(I)混合後獲得的研磨液組合物的pH按照達到上述的優選pH的方式來確定。例如，當水溶性有機化合物為DHEG或聚丙烯酸銨時，從進一步提高複合氧化物粒子的分散穩定性的觀點出發，水系介質組合物(II)在25'C下的pH優選為38，更優選為47，進一步優選為46。無論研磨液組合物為單組分型或雙組分型，從抑制負荷過大導致發生的對平坦化的不良影響和發生劃痕的觀點出發，裝備有研磨墊的研磨裝置設定的研磨負荷優選為100kPa以下，更優選為70kPa以下，進一步優選為50kPa以下。另外，從縮短研磨時間的觀點出發，設定的研磨負荷優選為5kPa以上，更優選為10kPa以上。因此，設定的研磨負荷優選為5100kPa，更優選為1070kPa，進一步優選為1050kPa。當研磨墊為旋轉式時，研磨墊的轉速優選為30200rpm，更優選為45150rpm，進一步優選為60100rpm。另外，研磨對象物的轉速優選為30200rpm，更優選為45150rpm，進一步優選為60100rpm。上述研磨工序可以用於半導體裝置的製造過程中所有的研磨。作為具體例子，例如可以列舉出(l)在形成埋入元件分離膜的工序中進行的研磨；(2)在使層間絕緣膜平坦化的工序中進行的研磨；(3)在形成埋入金屬配線(例如金屬鑲嵌配線等)的工序中進行的研磨；(4)在形成埋入電容器的工序中進行的研磨等。其中，本實施方式的半導體裝置的製造方法中進行的研磨工序優選適用於(1)和(2)。本實施方式的半導體裝置的製造方法還可以根據需要含有洗滌工序、熱處理工序以及雜質擴散工序等。作為上述半導體裝置，例如可以列舉出存儲IC(IntegratedCircuit,集成電路)、邏輯IC和系統LSI(Large-ScaleIntegration,大規模集成)等。本實施方式的研磨液組合物可以在例如(實施方式1)中使用圖1A圖ID說明的、半導體裝置的製造過程中形成埋入元件分離膜的工序中研磨氧化膜3時使用。另外，本實施方式的研磨液組合物可以在例如(實施方式l)中使用圖2A圖3B說明的、半導體裝置的製造過程中使層間絕緣層平坦化的工序中研磨氧化膜21時使用。如上所述，根據本實施方式，可以提供以短時間的研磨就能形成具有高度表面平坦性的研磨表面的研磨液組合物、以及使用該研磨液組合物的研磨方法、半導體裝置的製造方法。實施例1.硬碟用鋁矽酸鹽制玻璃基板的基材準備硬碟用鋁矽酸鹽制玻璃基板的基材(以下簡稱為"玻璃基材")。該玻璃基材預先使用含有氧化鈰粒子作為研磨劑的研磨液組合物進行了研磨，其表面粗糙度為0.3nm(AFM-Ra)，厚度為0.635mm，外徑為65mm，內徑為20mm。2.合成石英晶片準備兩個主面經研磨加工、直徑為5.08cm(2英寸)、厚度為l.Omm的合成石英晶片(Optostar株式會社製造)。3.帶有TEOS(四乙氧基矽垸)膜的矽晶片準備在直徑為20.32cm(8英寸)的矽晶片上用平行平板型等離子體化學氣相沉積法(p-CVD法)形成的厚度為2000nm的TEOS膜。4.帶有熱氧化膜的矽晶片準備在直徑為20.32cm(8英寸)的矽晶片上形成的厚度為2000nm的二氧化矽膜。二氧化矽膜可以通過將矽晶片放入氧化爐內暴露於氧氣或蒸汽下、使矽晶片中的矽和氧發生反應來形成。5.帶有HDP膜的矽晶片準備在直徑為2032cm(8英寸)的矽晶片上用高密度等離子體化學氣相沉積成長法(HDP-CVD法)形成的厚度為1000nm的氧化矽膜。.1.玻璃基板或合成石英晶片的研磨研磨試驗機Musashino電子公司製造，MA-300單面研磨機，平臺直徑為300mm研磨墊IC1000(硬質聚氨酯墊)和suba400(無紡布型墊)的層疊墊(NittaHaas株式會社製造)或NP025(麂皮絨型墊，Filwd株式會社製造)平臺轉速90r/min託架轉速90r/min，強制驅動式研磨液組合物供給速度50g/min(約1.5mL/min/cm2)研磨時間15min研磨負荷300g/cm2(用砝碼施加的恆定負荷)修整(dress)條件研磨前向刷子供給離子交換水1分鐘，將刷子進行了修整。2.TE0S膜、熱氧化膜或HDP膜的研磨研磨試驗機單面研磨機(型號LP-541，LapmasterSFT株式會社製造，平臺直徑為540mm)研磨墊IC1000(硬質聚氨酯墊)和suba400(無紡布型墊)的層疊墊(NittaHaas株式會社製造)平臺轉速100rpm墊轉速110rpm(旋轉方向與平臺相同)研磨時間lmin研磨負荷30kPa(設定值)研磨液組合物供給量200ml/min使用實施例120、比較例114的研磨液組合物(參照表1表3)對研磨對象物進行研磨後，用離子交換水流水洗滌，然後，在浸漬在離子交換水中的狀態下進行超聲波洗滌(100kHz，3min)，再用離子交換水流水洗滌，最後通過旋轉乾燥法使其乾燥。(磨粒料漿的配製)(1)CeQ.75Zra2502粒子料漿準備在添加了分散劑(聚丙烯酸銨，重均分子量為6000)的水中用珠粒磨將燒制物A(Ce。.75Zra2502粒子)進行溼式粉碎而獲得的、體積中值粒徑為150nm的CeQ.75Zro,2502粒子料漿(Cea75ZrQ.2502粒子25重量％)。燒制物A是將未燒制€6。.7521"0.2502粒子(商品名Actalys9320，Rhodia公司製造)在連續式燒制爐中、於116(TC下燒制6小時而獲得的。另夕卜，燒制物A也可以使用鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物作為原料來獲得。(2)Ce02粒子料漿準備在添加了分散劑(聚丙烯酸銨，重均分子量為6000)的水中用珠粒磨將燒制物Ce02粒子(Baikowski公司製造，純度為99.9%)進行溼式粉碎而獲得的、體積中值粒徑為130nm的Ce02粒子料漿(002粒子40重量％)。另外，Ce02粒子也可以使用鈰(IV)化合物為原料來獲得。(3)Ceo.87Zrcu302粒子料漿準備在添加了分散劑(聚丙烯酸銨，重均分子量為6000)的水中用珠粒磨將燒制物B(Ceo.87Zl"(U302粒子)進行溼式粉碎而獲得的、體積中值粒徑為150nm的Ce,Zr(U3O2粒子料漿(060.872^1302粒子25重量％)。上述燒制物B是將未燒制Cea87Zrai302粒子(Rhodia公司製造)在連續式燒制爐中、於110(TC下燒制6小時而獲得的。另外，燒制物B也可以使用鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物為原料來獲得。(4)Cea8QZrQ.202粒子料漿準備在添加了分散劑(聚丙烯酸銨，重均分子量為6000)的水中用珠粒磨將燒制物C(Ceo.8oZro.2o02粒子)進行溼式粉碎而獲得的、體積中值粒徑為150nm的Cea8oZro.2o02粒子料漿(Ce,Zr。.202粒子25重量％)。上述燒制物C是將未燒制Ceo.8oZro.2o02粒子(商品名Actalys9315，Rhodia公司製造)在連續式燒制爐中、於116(TC下燒制6小時而獲得的。另外，燒制物C也可以使用鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物為原料來獲得。35(5)Ce。.62ZrQ.3802粒子料漿準備在添加了分散劑(聚丙烯酸銨，重均分子量為6000)的水中用珠粒磨將燒制物D(Ce(K62Zr(U802粒子)進行溼式粉碎而獲得的、體積中值粒徑為150nrn的Ce,Zra3802粒子料漿(Cea62Zro.3802粒子25重量°/。)。上述燒制物D是將未燒制Ceo.62Zr(U802粒子(商品名Actalys9330，Rhodia公司製造)在連續式燒制爐中、於1240'C下燒制6小時而獲得的。另外，燒制物D也可以使用鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物為原料來獲得。(6)未燒制Ce。.8。Zro.2。02粒子料漿準備在添加了分散劑(聚丙烯酸銨，重均分子量為6000)的水中用珠粒磨將未燒制Ce,Zr,02粒子(商品名Actalys9315,Rhodia公司製造)進行溼式粉碎而獲得的、體積中值粒徑為150nm的未燒制Cea8Zra202粒子料漿(Ceo.8oZro,2o02粒子25重量％)。另外，未燒制Ce,Zro.2(A粒子也可以使用鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物為原料來獲得。(7)未燒制Ce。，62Zra3802粒子料漿準備在添加了分散劑(聚丙烯酸銨，重均分子量為6000)的水中用珠粒磨將未燒制€6。.6221"0.3802粒子(商品名Actalys9330，Rhodia公司製造)進行溼式粉碎而獲得的、體積中值粒徑為150nrn的未燒制CeQ.62Zr.3802粒子料漿(Ceo.62Zro,3802粒子25重量％)。另外，未燒制Ceo.62Zra3802粒子也可以使用鈰(IV)化合物和鋯(IV)化合物為原料來獲得。(8)Cea74Zr,02粒子料漿準備在添加了分散劑(聚丙烯酸銨，重均分子量為6000)的水中用珠粒磨將燒制物E(Ce。.74Zro.2602粒子)進行溼式粉碎而獲得的、體積中值粒徑為150nm的Ce。.74Zra26O2粒子料漿(Ce,Zr。.2602粒子25重量％)。另夕卜，燒制物E可以使用鈰(III)化合物和鋯(IV)化合物為原料來獲得。另外，cea74zr.26o2粒子料漿的詳細的配製方法如下所述。首先，在30L的反應容器中，將37.7重量％的硝酸鈰(III)鹽溶液4280g和54.8重量％的硝酸鋯(IV)鹽溶液1070g攪拌混合。獲得的混合液的pH為1.26。然後，向上述混合液中加入10L的脫離子水。然後，在加入了脫離子水的上述混合液中以1.7L/hr的供給速度連續地加入3.8mol/L的氨水。當由此獲得的混合液的pH達到7.2時，加入5.8mol/L的過氧化氫水溶液1148ml,再連續地加入氨水以使pH穩定，從而獲得氫氧化鈰和氫氧化鋯的共沉澱物。氨水的添加量共計2420ml，過氧化氫水溶液(5.8M)的添加量共計U48ml。然後，將共沉澱物用濾紙過濾之後，用脫離子水洗滌。將獲得的洗滌物在113(TC下燒制2小時後，用60目的濾器從燒制物中除去粗大粒子。然後，將通過篩分除去了粗大粒子的燒制物E進行溼式粉碎，然後用過濾精度為2^m的褶皺濾紙過濾，從而獲得(^。.7421"。.2602粒子料漿。(研磨液組合物的配製)將如上所述配製而成的各個料漿、水和作為pH調節劑的硝酸混合，使磨粒、分散劑、水和pH調節劑的濃度分別達到表l表3記載的濃度，從而獲得研磨液組合物。表1料漿No.研磨液組成物的組成重量％研磨對象PH研磨速度nm/min研磨墊實施例1Ce0.75Zr0.25O21(1)分散劑0.00251006.3454水和pH調節劑剩餘量比較例1Ce021(2)分散劑0.00251006.0344水和PH調節劑剩餘量玻璃層疊實施例2Ceo.75Zro.25O25基材墊※(1)分散劑0.01251006.31688水和pH調節劑剩餘量比較例2Ce02(2)分散劑0.01251006.3834水和pH調節劑剩餘量實施例Ceo.75Zro.25O21(1)分散劑0.00251006.3237水和pH調節劑剩餘量比較例Ce021(2)分散劑0麓51006.0155水和pH調節劑剩餘量實施例4Ce0.87Zr0.i3O25(3)分散劑0.01251006.1196水和pH調節劑剩餘量實施例Ceo肌Zro.20C)2玻璃基材(4)分散劑0.01251006.2216NP025水和pH調節劑剩餘量實施例6Ceo.75Zro.25O25(1)分散劑0.01251006.2207水和pH調節劑剩餘量實施例Ceo62Zro.38C)25(5)分散劑0.01251006.3172水和pH調節劑剩餘量比較例4Ce025(2)分散劑0.01251006.3167水和pH調節劑剩餘量實施例8Ceo.75Zro.25O21(1)分散劑0.00251006.388水和pH調節劑剩餘量比較例Ce021(2)分散劑0.0025100合成石英晶片6.034水和pH調節劑剩餘量層疊實施例9Ceo.75Zro.25O25墊※(1)分散劑0.01251006.31472水和pH調節劑剩餘量比較例6Ce02(2)分散劑0.01251006.3320水和pH調節劑剩餘量※ICIOOO和suba400的層疊墊38表2tableseeoriginaldocumentpage39表3tableseeoriginaldocumentpage40※IC1000和suba400的層疊墊將各個料漿20g在ll(TC的氣氛內乾燥12小時後，將獲得的乾燥物在研缽中粉碎，從而獲得粉末X射線衍射用的樣品。各個樣品用粉末X射線衍射法進行分析而獲得的結果如表4所示。粉末X射線衍射法的測定條件如下所述。(測定條件)裝置Rigaku株式會社製造，粉末X射線分析裝置RINT2500VCX射線產生電壓40kV放射線Cu-Kctl射線a二0.154050nm)電流120mA掃描速度10度/min測定梯級0.02度/mintableseeoriginaldocumentpage41根據獲得的粉末X射線衍射光譜，使用附屬於粉末X射線衍射裝置的粉末X射線衍射圖案綜合分析軟體JADE(MDI公司)，計算出各個峰的頂點的高度、第1峰的半峰寬以及各個峰的面積。使用上述軟體進行的計算處理是基於上述軟體的操作說明書(Jade(Ver.5)軟體、操作說明書ManualNo.MJ13133E02，理學電機株式會社)進行的。當由氧化鈰產生的峰和/或由氧化鋯產生的峰作為由複合氧化物產生的峰的肩峰存在於光譜中時，例如可以用上述軟體將峰分離，然後求出各個峰的頂點的高度、各個峰的面積。1.玻璃基材和合成石英晶片用研磨前後的研磨對象物的重量差(g)除以該研磨對象物的密度(玻璃基材為2.46g/cm3，合成石英晶片為2.20g/cm3)、該研磨對象物的研磨對象表面的面積(玻璃基材為30.04cm2，合成石英晶片為19.63cm2)以及研磨時間(min)，計算每單位時間的研磨量，從而計算出研磨速度(nm/min)。2.TEOS膜、熱氧化膜以及HDP膜使用光幹涉式膜厚計(商品名VM-IOOO，大日本Screen製造株式會社製造)測定研磨前後的TEOS膜的厚度，根據這些值，如下計算研磨速度。熱氧化膜或HDP膜的研磨速度也用相同方法計算。研磨速度(nm/min)=(研磨前的膜的厚度)一(研磨後的膜的厚度)研磨對象物帶有熱氧化膜的矽晶片準備在直徑5cm(2英寸)的矽晶片上形成的、厚度為1000nm的二氧化矽膜。二氧化矽膜可以通過將矽晶片放入氧化爐內暴露於氧氣或蒸汽下、使矽晶片中的矽與氧發生反應來形成。研磨條件研磨試驗機Musashino電子公司製造，MA-300單面ff磨機，平臺直徑為300mm研磨墊IC1000(硬質聚氨酯墊)和suba400(無紡布型墊)的層疊墊(NittaHaas株式會社製造)平臺轉速90r/min託架轉速90r/min，強制驅動式研磨液組合物供給速度50g/min(約1.5mL/min/cm2)研磨時間lmin研磨負荷300g/cm2(用砝碼施加的恆定負荷)修整條件研磨前供給離子交換水1分鐘，用金剛石環進行了修整。對使用各研磨液組合物依照上述研磨條件進行了研磨的上述研磨對象物，用下述的測定方法測定劃痕數量(條)。n數設為3，觀察到的各研磨對象物上的劃痕數量(條)的平均值如表3所示。另外，劃痕是指可以用MicroMaxVMX-2100觀察到的大約寬度為20nm以上、長度為50pm以上、深度為3nm以上的傷痕。測定儀器VISIONPSYTEC製造，MicroMaxVMX-2100(MicroMax的測定條件)光源2SX(250W)和3PX(250W)，光量均為100%傾斜角一9°倍率最大(視野範圍被研磨的表面的總面積的1/35)觀察區域被研磨的面的總面積(2英寸熱氧化膜晶片基板)光圈凹槽(notch)表1表3中示出了使用實施例120、比較例114的研磨液組合物進行的研磨的研磨速度。如表1表3所示，將磨粒濃度相同的實施例和比較例之間進行比較，可以確認無論研磨玻璃基材、合成石英晶片、TEOS膜、熱氧化膜、HDP膜中的任意一種，與使用比較例的研磨液組合物進行研磨相比，使用實施例的研磨液組合物進行的研磨的研磨速度更快。另外，如表3和表4所示，可以確認在使用研磨液組合物研磨熱氧化膜時，與使用含有(峰a,的頂點高度/第1峰的頂點高度)xl00和(峰32的頂點高度/第1峰的頂點高度)xl00中的至少一方超過6.0%的複合氧化物粒子的研磨液組合物時相比，使用含有(峰ai的頂點高度/第l峰的頂點高度)xl00和(峰32的頂點高度/第1峰的頂點高度)xl00均為6.0n/。以下的複合氧化物粒子的研磨液組合物時，劃痕數量能夠大幅降低。(實施例21)如下所示配製研磨液組合物，使其組成如下述表5所示。首先，將DHEG(商品名ChelestGA，Chelest株式會社製造)與離子交換水混合。一邊攪拌該混合液，一邊向獲得的混合液中加入Cea87Zr(u302粒子料漿，然後用10%氨水溶液調節至pH6.2，從而配製了研磨液組合物。(實施例2224)使用Ce,Zr,02粒子料漿、Ce0.75Zr0.25O2粒子料漿或者Ce0.62Zr0.38O2粒子料漿來代替(^。.872^302粒子料漿，除此以外與實施例21同樣地配製研磨液組合物，使其組成如下述表5所示。(實施例25)如下所示配製研磨液組合物，使其組成如下述表5所示。首先，將EDTA'2NH4(株式會社同仁化學研究所製造)與離子交換水混合。一邊攪拌該混合液，一邊向獲得的混合液中加入Cea75Zra2502粒子料漿，然後用10%氨水溶液調節至pH6.2，從而配製了研磨液組合物。(實施例26)如下所示配製研磨液組合物，使其組成如下述表5所示。首先，將L-天冬氨酸(和工純藥工業株式會社製造)與離子交換水混合。一邊攪拌該混合液，一邊向獲得的混合液中加入10%氨水以溶解L-天冬氨酸，然後加入Ceo.75Zro,2502粒子料漿，然後用10%氨水調節至pH6.0，從而配製了研磨液組合物。(比較例15)使用Ce02粒子料漿來代替Ceo.87Zr(U302粒子料漿，並改變DHEG(商品名ChelestGA，Chelest株式會社製造)的含量，除此以外與實施例21同樣地配製如下述表5所示的研磨液組合物。(參考例1)與實施例21同樣地配製如下述表5所示組成的研磨液組合物。g卩，一邊攪拌離子交換水，一邊在該離子交換水中加入Ceo.75Zro.2502粒子料漿，然後用lQ/。硝酸調整至pH6.2，從而配製了研磨液組合物。表5tableseeoriginaldocumentpage45※l:配製複合氧化物粒子料漿時加入的聚丙烯酸銨(評價用樣品)準備市售的CMP特性評價用晶片(商品名STIMIT864、直徑為200mm)作為評價用樣品。使用圖4A圖4C和圖5A圖5D說明該評價用樣品。圖4A和圖5A圖5D分別為評價用樣品的局部放大剖面圖，圖4B為評價用樣品的俯視圖，圖4C為圖4B的局部放大圖。如圖4A所示，評價用樣品具有矽基板和配置在其上的厚度為150nm的氮化矽膜(以下稱"Si3Nj莫")。Si3N4膜用CVD法形成。在該層疊體上形成有深度為500nm(150nm+350nm)的槽。在SbN4膜上配製有厚度為600nm的氧化矽膜(以下稱"HDP膜")。HDP膜用HDP-CVD(高密度等離子體化學氣相沉積法)形成。如圖4B所示，該HDP膜的平面被分為61個區域(20mmx20mm)，各個區域又進一步被分割為25個小區域(4mmx4mm)(圖4C)。在圖4B中，塗黑的區域(以下稱"中心")是如後所述進行厚度測定的區域。圖4C中的D20、D50、D90和D100的20、50、90和IOO分別表示俯視觀察小區域時可見的凸部的總面積在小區域中所佔的比例(凸部面密度)。各個小區域的局部放大剖面圖分別如圖5A圖5D所示。如這些圖所示，在D20(圖5A)上形成了凸部寬度為20Mm、凹部寬度為80pm的線條凹凸圖案，在D50(圖5B)上形成了凸部寬度為50pm、凹部寬度為50pm的線條凹凸圖案，在D90(圖5C)上形成了凸部寬度為90pm、凹部寬度為10pm的線條凹凸圖案。D100(圖5D)整體由凸部構成，未形成凹凸圖案。(研磨條件)研磨試驗機單面研磨機(型號LP-541,LapmasterSFT株式會社製造，平臺直徑為540mm)研磨墊型號IC-1000/suba400(NittaHaas株式會社製造)平臺轉速100rpm墊轉速llOrpm(旋轉方向與平臺相同)硏磨負荷30kPa(設定值)研磨液供給量200mL/min(0.6g/(cm2'min))使用表5所示的研磨液組合物，在上述研磨條件下研磨評價用樣品。對研磨對象物進行研磨後，用離子交換水流水洗滌，然後在浸漬在離子交換水中的狀態下進行超聲波洗滌(100kHz，3min)。然後用離子交換水流水洗滌，46最後用旋轉乾燥法使其乾燥。另外，利用轉矩測量法來決定研磨的結束。這種方式是利用研磨對象表面和研磨墊之間的摩擦係數的變化來決定研磨的結束。實際上，並不是測定摩擦係數，而是利用配製研磨對象的平臺的驅動電流值的變化來決定研磨的結束。在研磨初期，僅HDP膜與研磨墊接觸，但到了研磨的最後階段，氮化膜Si3N4露出，摩擦係數發生變化，因而平臺的驅動電流值也發生變化。如果氮化膜Si3N4露出，則上述電流值飽和。以到達該飽和狀態的時間點作為研磨的終點(EP)，再進行30秒的研磨後結束研磨(參照圖7)。因此，研磨時間為(從開始研磨時至到達EP的時間+30)秒。圖7中表示了平臺驅動電流值隨時間變化的一個例子。實施例21的研磨時間為72秒，實施例22的研磨時間為93秒，實施例23的研磨時間為105秒，實施例24的研磨時間為131秒，實施例25的研磨時間為85秒，實施例26的研磨時間為87秒，比較例15的研磨時間為150秒，參考例1的研磨時間為85秒。對研磨後的評價用樣品，用光幹涉式膜厚計(商品名VM-IOOO，大日本Screen製造株式會社製造)測定中心處的殘留膜厚。圖6中表示了研磨後的評價用樣品的概念圖。如圖6所示，測定的殘留膜厚有3種，即凸部的HDP膜的膜厚(tl)，Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)。根據獲得的測定結果，基於下述表7所示的判定基準進行平坦性的評價。評價結果如表6所示。表6中的記號(O和X)基於表7的判定基準。另外，表7和表6中的"階梯高度"是指研磨後的凸部的膜厚和凹部的膜厚之差，可以使用上述凸部的HDP膜的膜厚(tl)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)的值，根據下式計算得出(參照圖6)。下述式中的厚度的單位均為"nm"。階梯高度二(Si3Nj莫厚(凸部)xHDP膜厚(凸部)+350)—HDP膜厚(凹部)=(t2+tl+350)—t3一般來說，凸部面密度越大(凹部面密度越小)則凸部的殘留膜的厚度越厚，凸部面密度越小(凹部面密度越大)則凹部越容易被切削，越容易引起凹陷現象。因此，研磨是否充分進行的評價是根據D90和D100(無凹部)的測定結果進行的，而抑制凹陷的效果的評價是根據D20的測定結果進行的。tableseeoriginaldocumentpage48表7tableseeoriginaldocumentpage49如表6所示，對於使用實施例2126的研磨液組合物進行了研磨的評價用樣品，在全部的區域中，凸部的HDP膜的膜厚(tl)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)、階梯高度均滿足表7所示的判定基準0。因此，可以確認使用實施例2126的研磨液組合物進行的研磨能夠抑制凹陷的發生，研磨也能充分進行，能夠獲得研磨表面平坦性高的研磨表面。另外，與使用比較例15的研磨液組合物的情況相比，研磨時間也短。對於使用比較例15的研磨液組合物進行了研磨的評價用樣品，在全部的區域中，凸部的HDP膜的膜厚(tl)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)、階梯高度均滿足表7所示的判定基準0。但是，與使用實施例21和參考例1的研磨液組合物的情況相比，使用比較例15的研磨液組合物進行的研磨的研磨時間長。使用參考例1的研磨液組合物時，雖然與使用實施例22、23、24、26的研磨液組合物時相比，研磨時間更短，但在大部分的區域中發生了過剩研磨引起的凹陷，研磨表面的平坦性存在問題。根據以上結果可以確認，若使用含有包含鈰和鋯的規定的複合氧化物粒子、分散劑、水溶性有機化合物和水系介質的研磨液組合物來進行凹凸表面的研磨，則可以在短時間內形成平坦性優異的研磨表面。(實施例27)如下所示配製研磨液組合物，使其組成如下述表8所示。首先，將聚丙烯酸銨(中和度為65摩爾％，重均分子量為6000)的30重量％水溶液與離子交換水混合。一邊攪拌該混合液，一邊向獲得的混合液中加入(^。.8721"0.1302粒子料漿，再用10。/。氨水溶液調節至pH6.2，從而配製了研磨液組合物。(實施例2830)使用Ce,Zro,2o02粒子料槳、Cea75Zr.2502粒子料漿或者Ce。.62ZrQ.3802粒子料漿來代替Ceo.87Zran02粒子料漿，除此以外與實施例27同樣地配製研磨液組合物，使其組成如下述表8所示。(實施例31)如下所示配製研磨液組合物，使其組成如下述表8所示。首先，將聚丙烯酸銨(中和度為20摩爾％，重均分子量為2000)的40重量％水溶液與離子交換水混合。一邊攪拌該混合液，一邊向獲得的混合液中加入Ceo.75Zro.2502粒子料漿，再用10。/。氨水溶液調節至pH5.0,從而配製了研磨液組合物。(實施例32)如下所示配製研磨液組合物，使其組成如下述表8所示。首先，將丙烯酸和AMPS(2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸)的共聚物的鈉鹽的43重量％水溶液(商品名AronA-6017，東亞合成株式會社製造，重均分子量為6000)與離子交換水混合。一邊攪拌該混合液，一邊向獲得的混合液中加入Ceo.87Zro"02粒子料漿，再用1。/。硝酸調節至pH6.5，從而配製了研磨液組合物。(實施例33)如下所示配製研磨液組合物，使其組成如下述表8所示。首先，將丙烯酸和馬來酸的共聚物的銨鹽(中和度為卯摩爾％，重均分子量為6000)與離子交換水混合。一邊攪拌該混合液，一邊向獲得的混合液中加入Ceo.75Zfo.2502粒子料漿，再用P/。硝酸調節至pH6.0，從而配製了研磨液組合物。(比較例16)使用Ce02粒子料漿來代替Ceo.87Zrcu302粒子料漿，除此以外與實施例27同樣地配製如下述表8所示組成的研磨液組合物。(參考例2)與實施例27同樣地配製如下述表8所示組成的研磨液組合物。即，一邊攪拌離子交換水，一邊在該離子交換水中加入Ce。.7sZro.2502粒子料漿，再用P/。硝酸調整至pH6.2，從而配製了研磨液組合物。(比較例17)使用Ce02粒子料漿來代替Ceo.75Zro.2s02粒子料漿，並改變水溶性丙烯酸系聚合物的含量，除此以外與實施例31同樣地配製如下述表8所示組成的研磨液組合物。(比較例18)使用Ce02粒子料漿來代替Ceo.87Zre」302粒子料漿，並改變複合氧化物粒子和水溶性丙烯酸系聚合物的含量，除此以外與實施例32同樣地配製如下述表8所示組成的研磨液組合物。tableseeoriginaldocumentpage52(評價用樣品)準備在實施例2126、比較例15、參考例1的評價中使用的市售的CMP特性評價用晶片(商品名STIMIT864，直徑為200mm)作為評價用樣品。(研磨條件)研磨條件與實施例2126、比較例15、參考例1的評價時的研磨條件相同。研磨的結束利用轉矩測量法來決定。研磨後的評價樣品的洗滌、乾燥也與實施例2126、比較例15、參考例1的評價時同樣地進行。實施例27的研磨時間為78秒，實施例28的研磨時間為76秒，實施例29的研磨時間為82秒，實施例30的研磨時間為90秒，實施例31的研磨時間為72秒，實施例32的研磨時間為93秒，實施例33的研磨時間為99秒，比較例16的研磨時間為102秒，參考例2的研磨時間為85秒，比較例17的研磨時間為105秒，比較例18的研磨時間為128秒。對研磨後的評價用樣品，用光幹涉式膜厚計(商品名VM-1000，大日本Screen製造株式會社製造)測定中心處的殘留膜厚。圖6中表示了研磨後的評價用樣品的概念圖。如圖6所示，測定的殘留膜厚有3種，即凸部的HDP膜的膜厚(tl)，Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)。根據獲得的測定結果，基於下述表7所示的判定基準來進行平坦性的評價。評價結果如表9所示。另夕卜，表9中的記號(O和X)基於表7的判定基準。tableseeoriginaldocumentpage54※hD100D20的右側欄中記載的數值單位均為"nm"。※2:階梯高度為通過計算得出的凸HDP+凸SiN+350—凹HDP如上述表9所示，對於使用實施例2733的研磨液組合物進行了研磨的評價用樣品，在全部的區域中，凸部的HDP膜的膜厚(tl)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)、階梯高度均滿足表7所示的判定基準0。因此，可以確認使用實施例2733的研磨液組合物進行的研磨能夠抑制凹陷的發生，研磨也能充分進行，能夠獲得研磨表面的平坦性高的研磨表面。另夕卜，與使用比較例16、17、18的研磨液組合物的情況相比，研磨時間更短。對於使用比較例16的研磨液組合物進行了研磨的評價用樣品，除了D20凸部的Si3N4膜的膜厚(t2)以外，凸部的HDP膜的膜厚(tl)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)、階梯高度均滿足上述表7所示的判定基準O。使用比較例17、18的研磨液組合物進行了研磨的評價用樣品，在全部的區域中，凸部的HDP膜的膜厚(tl)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)、階梯高度均滿足上述表7所示的判定基準0。但是，與使用實施例2733和參考例2的研磨液組合物的情況相比，使用比較例16、17、18的研磨液組合物進行的研磨的研磨時間長。使用參考例2的研磨液組合物時，與使用實施例30、32、33的研磨液組合物時相比，研磨時間更短。但是，如上述表8所示，在大部分的區域中發生了過剩研磨引起的凹陷，研磨表面的平坦性存在問題。根據以上結果可以確認，若使用含有包含鈰和鋯的規定的複合氧化物粒子、分散劑、水溶性丙烯酸系聚合物和水系介質的研磨液組合物進行凹凸表面的研磨，則可以在短時間內形成平坦性優異的研磨表面。若使用一例本實施方式的研磨液組合物進行研磨，能夠以更高的速度對^f磨對象物進行研磨，並能減少劃痕，因而本實施方式的研磨液組合物適用於構成半導體裝置的氧化膜(例如氧化矽膜)、鋁矽酸鹽玻璃基板等化學強化玻璃基板的基材、玻璃陶瓷基板等結晶化玻璃基板的基材、作為光掩模用基板和步進曝光裝置用透鏡材料等使用的合成石英玻璃基板的基材、或者液晶顯示面板的玻璃面等的研磨。若使用一例本發明的研磨液組合物進行研磨，可以在短時間內形成平坦性優異的研磨表面。因此，本發明的研磨液組合物作為在各種半導體裝置的製造過程中使用的研磨液組合物是有用的，尤其在IC和LSI的製造中有用。權利要求1.一種研磨液組合物，其含有包含鈰和鋯的複合氧化物粒子、分散劑和水系介質，其中，在通過照射λ為0.154050nm的CuKα1射線而獲得的所述複合氧化物粒子的粉末X射線衍射光譜中，分別存在下述峰頂點在衍射角2θ為28.61～29.67°的範圍內的第1峰；頂點在衍射角2θ為33.14～34.53°的範圍內的第2峰；頂點在衍射角2θ為47.57～49.63°的範圍內的第3峰；以及，頂點在衍射角2θ為56.45～58.91°的範圍內的第4峰，其中，所述θ為布拉格角，所述第1峰的半峰寬為0.8°以下，在所述粉末X射線衍射光譜中，當存在由氧化鈰產生的峰a1和由氧化鋯產生的峰a2中的至少一個峰時，所述峰a1、a2的頂點的高度為所述第1峰的頂點高度的6.0％以下；並且，所述峰a1的頂點存在於衍射角2θ為28.40～28.59°的範圍內，所述峰a2的頂點存在於衍射角2θ為29.69～31.60°的範圍內。2.—種研磨液組合物，其含有包含鈰和鋯的複合氧化物粒子、分散劑和水系介質，其中，所述複合氧化物粒子是通過下述方法獲得的複合氧化物粒子將含有氧化值為4的鈰化合物和氧化值為4的鋯化合物的溶液與沉澱劑混合，從而使所述鈰化合物和所述鋯化合物水解，此後，將水解生成的沉澱物分離之後進行燒制，並將得到的燒制物進行粉碎，從而獲得複合氧化物粒子。3.根據權利要求1中記載的研磨液組合物，其中，所述第2峰的面積為所述第1峰的面積的1050%;所述第3峰的面積為所述第1峰的面積的3575%;所述第4峰的面積為所述第1峰的面積的2065%。4.根據權利要求13的任意一項記載的研磨液組合物，其中，所述複合氧化物粒子的體積中值粒徑為301000nm。5.根據權利要求14的任意一項記載的研磨液組合物，其中進一步含有水溶性有機化合物。6.根據權利要求5中記載的研磨液組合物，其中，所述水溶性有機化合物含有兩性離子型的水溶性的低分子有機化合物。7.根據權利要求5中記載的研磨液組合物，其中，所述水溶性有機化合物含有水溶性丙烯酸系聚合物。8.根據權利要求7中記載的研磨液組合物，其中，所述水溶性丙烯酸系聚合物是由衍生自至少1種單體的構成單元構成的聚丙烯酸，其中所述至少1種單體選自於丙烯酸和丙烯酸的非金屬鹽。9.根據權利要求58的任意一項記載的研磨液組合物，其中，在所述研磨液組合物總量中，所述複合氧化物粒子的含量為0.18重量％，所述分散劑的含量為0.00050.5重量％，所述水溶性有機化合物的含量為0.0215重10.根據權利要求58的任意一項記載的研磨液組合物，其中，在所述研磨液組合物總量中，所述複合氧化物粒子的含量為120重量％，所述分散劑的含量為0.0011.0重量％，所述水溶性有機化合物的含量為0.0840重11.根據權利要求58的任意一項記載的研磨液組合物，其中，所述水系介質含有第1水系介質和第2水系介質，所述研磨液組合物為含有水系介質組合物(I)和水系介質組合物(II)的雙組分型研磨液組合物，所述水系介質組合物(I)含有所述複合氧化物粒子、所述分散劑和所述第1水系介質，所述水系介質組合物(II)含有所述水溶性有機化合物和所述第2水系介質。12.—種添加劑水溶液，其與構成權利要求11中記載的研磨液組合物的所述水系介質組合物(I)一起使用，該添加劑水溶液含有所述水溶性有機化合物和所述第2水系介質。13.—種研磨方法，其包含研磨工序，在該研磨工序中，將權利要求111的任意一項記載的研磨液組合物供給至研磨對象物和研磨墊之間，在所述研磨對象物與所述研磨墊相接觸的狀態下，使所述研磨墊相對於所述研磨對象物進行相對運動，從而對所述研磨對象物進行研磨。14.一種玻璃基板的製造方法，其包含研磨工序，在該研磨工序中，使用權利要求111的任意一項記載的研磨液組合物對玻璃基板的基材的兩個主面中的至少一個主面進行研磨。15.—種半導體裝置的製造方法，其包含在半導體基板上的一個主面側上形成薄膜的薄膜形成工序；和使用權利要求111的任意一項記載的研磨液組合物對所述薄膜進行研磨的研磨工序。全文摘要本發明提供一種研磨液組合物，其含有包含鈰和鋯的複合氧化物粒子、分散劑和水系介質，其中，在通過照射CuKα1射線(λ＝0.154050nm)而獲得的所述複合氧化物粒子的粉末X射線衍射光譜中，分別存在下述峰頂點在衍射角2θ(θ為布拉格角)為28.61～29.67°的範圍內的峰(第1峰)；頂點在衍射角2θ為33.14～34.53°的範圍內的峰(第2峰)；頂點在衍射角2θ為47.57～49.63°的範圍內的峰(第3峰)；以及頂點在衍射角2θ為56.45～58.91°的範圍內的峰(第4峰)，並且，所述第1峰的半峰寬為0.8°以下。文檔編號H01L21/304GK101568615SQ200780047959公開日2009年10月28日申請日期2007年12月28日優先權日2006年12月28日發明者代田真美,米田康洋申請人:花王株式會社