高生產量加熱的離子注入系統和方法與流程
2024-03-31 16:00:05 1
本發明整體涉及用於處理工件的工件處理系統和方法，並且更具體地，涉及一種用於工件的加熱離子注入的系統和方法，其中生產量被最大化。
背景技術：
在半導體處理中，許多操作可以在單個工件或半導體晶片上執行。通常，工件上的每一個處理操作通常以特定的順序執行，其中每個操作等待直到前一個操作完成為止，因此影響工件將變得可用於隨後的處理步驟的時間。如果引導到處理位置的處理流程被與這種處理相關聯的順序事件中斷，則在真空下進行的相對較短的過程(例如，離子注入)的工具生產率或生產量可能被嚴重受到限制。例如，運輸載體或存儲盒與處理系統之間的工件的交換、工件從大氣環境到處理系統的注入室的真空環境中的傳輸以及真空環境內的工件的取向(例如，凹口對準)對工具生產率會具有顯著影響。
例如，工件的處理，例如離子注入，通常在注入室內在減小的壓力下執行，其中離子通常沿著束線加速，並且其中離子進入被抽真空的注入室並以預定方式(例如，預定劑量、能量等)撞擊工件。多個操作被通常執行而引導到注入，以便將工件引入注入室中，並且相對於注入室內的離子束適當地定位和定向工件。例如，工件通過機器人被從大氣盒或存儲裝置傳輸到負載鎖定室中，其中負載鎖定室隨後被抽真空，以便使工件進入離子注入器的真空處理環境。所述盒或存儲裝置例如可以通過輸送系統或其他類型的輸送設備被輸送到離子注入器。
由於離子注入處理技術進步，因此熱離子注入工藝變得越來越普遍，其中工件在300℃-800℃範圍內的處理溫度下被加熱並注入離子。該處理溫度通常通過靜電卡盤(ESC)獲得，所述靜電卡盤在注入期間夾持工件。在離子注入室的真空環境中通過靜電卡盤進行的這種加熱會是耗時的且對工件生產量造成顯著影響。另外，當室溫下相對冷的工件被靜電卡盤夾緊並加熱到這種高處理溫度時，工件的熱膨脹可能導致工件相對於ESC的有害移動，從而導致顆粒和夾緊表面和/或ESC電極的過早磨損。
技術實現要素：
本發明通過提供一種用於在高溫離子注入系統的大氣環境與真空環境之間傳輸工件的系統、設備和方法來克服現有技術的局限性，同時最大化生產量並最小化與系統相關聯的所有權成本。
因此，下面呈現本發明的簡要概述，以便提供本發明的一些方面的基本理解。本發明內容不是本發明的廣泛概述。本發明內容不旨在確定本發明的關鍵或重要元素，也不描述本發明的保護範圍。其目的是為了以簡化形式呈現本發明的一些概念，作為稍後呈現的更詳細說明的前序。
本發明整體涉及一種具有離子注入設備的離子注入系統。離子注入設備被構造為朝向處理室引導離子束，其中處理室具有與其相關聯的真空環境。設置第一雙負載鎖定組件和第二雙負載鎖定組件，其中第一雙負責鎖定組件和第二雙負載鎖定組件中的每一個分別包括第一室和第二室。
每一個第一室和第二室的相應內部空間通過共用壁基本上彼此隔離，其中第一室和第二室中的每一個都具有相應的真空門和大氣門。每一個相應的真空門被構造為在相應的第一室和第二室與真空環境之間提供選擇性的流體連通。每一個相應的大氣門被構造為在相應的第一室和第二室與大氣環境之間提供選擇性的流體連通。
根據一個示例性方面，每一個第一室具有與其相關聯的預熱設備，其中所述預熱設備被構造為將設置在第一室內的工件加熱到第一溫度。根據另一個方面，每一個第二室具有後冷卻設備，所述後冷卻設備被構造成當工件被設置在相應的第二室內時將工件冷卻到第二溫度。第一和第二雙負載鎖定組件中的每一個的第一室和第二室之間的共用壁分離第一室和第二室，並且還在相應的第一室和第二室之間大致限定熱屏障。熱屏障例如包括板，所述板具有穿過該板的第一冷卻通道，其中通過第一冷卻通道的第一冷卻流體基本上使第一室和第二室彼此熱隔離。根據一個示例，所述板整體限定構造為將工件支撐在第二室內的冷板，並且其中通過第一冷卻通道的第一冷卻流體將工件大致冷卻到第二溫度。
熱卡盤例如被進一步構造成選擇性地將其上的工件保持在處理室內。熱卡盤被進一步構造為將工件加熱到高於第一溫度的第三溫度，並且其中熱卡盤在離子束撞擊工件的同時將工件保持該熱卡盤上。熱卡盤例如包括被加熱的靜電卡盤。
泵被進一步設置成與相應的第一和第二雙負載鎖定組件的第一室和第二室選擇性地流體連通，並且通風口被進一步設置成與相應的第一和第二雙負載鎖定組件的第一室和第二室選擇性地流體連通。
根據另一個示例性方面，控制器被設置並構造為在大氣環境下通過預熱設備將工件加熱到第一溫度，然後通過熱卡盤將工件加熱到第三溫度以用於加熱的離子注入。控制器可以被構造成通過離子注入設備將離子注入工件中，並通過後冷卻設備將工件冷卻到第二溫度。控制器被構造為通過泵、通風口、以及相應的第一和第二雙負載鎖定組件的相應的大氣門和真空門的控制在大氣環境與真空環境之間選擇性地傳輸工件。
為了實現前述和相關的目的，本發明包括下文中充分說明並在權利要求書中明確指出的特徵。以下說明和附圖在本發明的詳細的特定說明性實施例中闡述。然而，這些實施例表示可以採用本發明的原理的各種方式中的一些。本發明的其他目的、優點和新穎性特徵將從結合附圖考慮的下面詳細說明中變得清楚。
附圖說明
圖1示出根據本公開的一個方面的示例性加熱離子注入系統的方框圖；
圖2示出根據本公開的另一個方面的示例性雙負載鎖定組件的立體圖；
圖3示出根據本公開的另一個方面的示例性雙負載鎖定組件的另一個立體圖；
圖4示出根據本公開的另一個方面的示例性雙負載鎖定組件的局部橫截面圖；
圖5示出根據本公開的另一個方面的示例性雙負載鎖定組件的第一室的平面圖；
圖6示出根據本公開的另一個方面的示例性雙負載鎖定組件的第一室的立體圖；
圖7示出根據本公開的另一個方面的示例性雙負載鎖定組件的共用壁的立體圖；
圖8示出根據本公開的另一個方面的示例性輻射熱源；
圖9示出根據本公開的另一個方面的另一個示例性受熱離子注入系統；以及
圖10是示出根據本發明的另一個示例性方面的用於工件的加熱離子注入的示例性方法的方框圖。
具體實施方式
本發明整體涉及離子注入系統，並且更具體地，涉及一種具有高的工件生產能力的受熱離子注入系統。因此，本發明現在將參照附圖來說明，其中相同的附圖標記可以用於在通篇之中表示相同的元件。將會理解的是這些方面的說明僅是說明性的而不應該被解釋為限制含義。在以下的說明中，出於說明的目的，說明多個具體細節，以便提供本發明的全面理解。然而，對於本領域的技術人員顯而易見的是本發明可以在沒有這些特定細節的情況下來實施。
根據本公開的一個方面，圖1示出示例性離子注入系統100。本示例中的離子注入系統100包括示例性離子注入設備101，然而也可以想到各種其他類型的基於真空的半導體處理系統，例如等離子體處理系統或其他半導體處理系統。離子注入設備101例如包括終端102、束線組件104和終端站106。
通常來說，終端102中的離子源108被連接到電源110，以將摻雜氣體離子化成多個離子並形成離子束112。本示例中的離子束112被引導通過質量分析設備114並朝向終端站106引導到孔116外。在終端站106中，離子束112轟擊工件118(例如，諸如矽晶片的襯底、顯示器面板等)，所述工件被選擇性地夾緊或安裝到卡盤120(例如，靜電卡盤或ESC)。一旦嵌入工件118的晶格中，注入的離子改變工件的物理和/或化學特性。正因為如此，離子注入用於半導體裝置製造、金屬精整以及材料科學研究中的各種應用中。
本公開的離子束112可以採取任何形式，例如鉛筆或點束、帶狀束、掃描束或離子被朝向終端站108引導的任何其它形式，並且所有這些形式都落入本公開的保護範圍內。
根據一個示例性方面，終端站106包括處理室122，例如真空室124，其中處理環境126與處理室相關聯。處理環境126通常存在於處理室122中，並且在一個示例中包括由連接到處理室並被構造為基本上將處理室抽成真空的真空源128(例如，真空泵)所產生的真空。
在一個示例中，離子注入設備101被構造為提供高溫離子注入，其中工件118被加熱到處理溫度(例如，大約600℃)。因此，在本示例中，卡盤120包括熱卡盤130，其中熱卡盤被構造為支撐並保持工件118，同時在工件暴露給離子束112之前、期間和/或之後在處理室122內進一步加熱工件118。
熱卡盤130例如包括靜電卡盤(ESC)，所述靜電卡盤被構造為將工件118加熱到處理溫度，所述處理溫度顯著高於周圍或外部環境132(例如，也稱為「大氣環境」)的周圍溫度或大氣溫度。可以進一步設置加熱系統134，其中加熱系統被構造為加熱熱卡盤130，並進而將位於所述熱卡盤上的工件118加熱到期望的處理溫度。
本發明人意識到將工件118加熱到這樣的高處理溫度可能會有害地影響通過離子注入系統100的循環時間，其中傳統地，工件被允許在處理環境126的真空中「吸」在卡盤120上，直至達到期望溫度為止。為了增加處理生產量，本公開因此提供了可操作地連接到處理室122的第一雙負載鎖定組件138A和第二雙負載鎖定組件136B。
圖2以更詳細的細節示出根據本公開的幾個方面的示例性雙負載鎖定組件138。應當指出，圖2-7中所示的雙負載鎖定組件136及其部件可以被認為圖1的第一雙負載鎖定組件136A和第二雙負載鎖定組件138B兩者的代表，其中相似的特徵可以存在於第一雙負載鎖定組件和第二雙負載鎖定組件中。
如圖2-4中所示，例如，雙負載鎖定組件138包括垂直堆疊的結構，其中第一室138和第二室140基本上在彼此之上對準，並且其中與第一室和第二室中的每一個相關聯的相應的內部空間142和144通常通過共用壁148彼此隔離，所述共用壁在第一室與第二室之間被共享。第一室138和第二室140中的每一個都具有各自的真空門148和大氣門150(例如，每一個真空門和大氣門中的一個被顯示於圖1和圖5中)。每個相應的真空門148被構造為提供相應的第一室138或第二室138與真空環境126之間選擇性的流體連通。此外，每個相應的大氣門150被構造為提供相應的第一室138或第二室140與大氣環境132之間選擇性的流體連通。
要提及的是在本示例中，第一室138和第二室140中的每一個都設置有單獨的真空門148和大氣門150，從而為每個雙負載鎖定組件138提供總共兩個真空門和兩個大氣門。然而，還可以想到的是雙負載鎖定組件138可以僅由一個真空門148和一個大氣門150提供服務，從而為第一室138和第二室140兩者提供服務。更進一步地，圖1中所示的真空泵和通風口151可以被進一步設置成與圖2中所示的每一個雙負載鎖定組件的第一室138和140選擇性的流體連通。圖1的真空泵和通風口151選擇性地提供真空到圖2的相應的第一室138和第二室140或者使相應的第一室和第二室的內部通向大氣。
根據本發明的一個示例性方面，第一室138包括預熱設備152，如圖2-6所示。預熱設備152例如被構造為將設置在第一室138內的工件(未示出)加熱到第一溫度，所述第一溫度可以是大約300℃-700℃的數量級。第一溫度例如可以等於、低於或者高於處理溫度，所述處理溫度在一個示例中可以基本上在約400℃到600℃之間的範圍內。低於處理溫度的第一溫度可以提高生產量，同時在隨後的工件118到處理室122的運輸期間允許進一步的熱量損失。高於處理溫度的第一溫度可以限制熱卡盤130上的另外需要的加熱，而熱卡盤可以僅將工件保持到期望的溫度。因此，熱量損失在工件118在第一室138和熱卡盤130之間的轉移期間可以被最小化。
根據基於工具架構、處理和期望的生產量的工作流，工件118可以通過預熱設備152被預先加熱到第一溫度，其中第一溫度等於或低於處理溫度，從而在圖1的真空室124內允許熱卡盤130上的最終熱平衡。這種情況允許工件118在轉移到處理室122期間失去一些熱量，其中最終加熱至處理溫度過程是在熱卡盤130上執行的。可選地，工件118可以通過預熱設備152被預先加熱到高於處理溫度的第一溫度。因此，第一溫度將被優化，使得工件118在轉移到處理室122期間的冷卻剛好足以使工件在其被夾緊在熱卡盤130上時處於處理溫度。
因此，與雙負載鎖定組件136的第一室138相關聯的預熱設備152可以有利地在使工件進入處理室120的處理環境126的真空之前在外部環境132的大氣壓力下加熱工件118。例如，在高真空環境中熱傳遞至工件118中，例如在處理室120內，在很大程度上是由輻射控制的。在300℃和500℃之間的溫度下的晶體矽的總半球釋放性例如在約0.2和0.6之間的範圍內，因此由於工件118的低輻射熱量吸收率而本身不足以很好地引起快速的晶片熱瞬變。
為了加速熱上升並有額外機構用於熱傳遞，工件118的背面側與熱卡盤130進行傳導連通。該傳導連通通過熱卡盤130和工件118之間的壓力受控的氣體界面(也稱為「背側氣體」)而獲得。背側氣體的壓力例如通常由熱卡盤130的靜電力限制，並且可以基本上保持在5-20託的範圍內。背側氣體界面厚度(例如，工件118和熱卡盤130之間的距離)被控制在微米(通常為5-20μm)的數量級，同樣地，在該壓力狀態中的分子平均自由程變得使界面厚度大到足以將系統推入過渡和分子氣體狀態。
在此使用的系統例如可以具有在Kn＝1與Kn＝5之間的範圍內的努森數(Knudsen)。到分子氣體流狀態的過渡例如由大於單數的努森數描述(Kn＝λ/d＞1)，其中λ是平均氣體平均自由程，d是系統特徵長度-在這種情況下是界面層厚度。雖然在粘性氣體狀態(Kn＜＜1)下，但熱導率不是氣體壓力和密度的基本函數。在過渡到分子流狀態中，Kn＞1的稀薄氣體條件下，氣體的熱導率變為氣體壓力和系統特徵長度的強函數。
例如通過增加熱傳導來增加該界面層中的壓力可以基本上降低工件118和熱卡盤130之間的熱傳遞的熱阻。然後，較低的熱阻允許熱卡盤130和工件118之間相對較低的熱梯度以及允許工件的加速的熱上升以達到其穩態溫度。工件118的更快的熱平衡有助於獲得更好的總的系統工件生產量。
因此，本公開呈現的益處是為工件預熱提供高壓力環境，以便在工件118和熱源之間在界面層中具有粘性流動狀態，其中所述熱源在該情況下為預熱設備152。因此，工件118和預熱設備152之間的氣體界面層的最大熱導率在大氣環境132的大氣壓力下獲得且傳熱性能被最大化。
可選地，預熱設備152可以在處理環境128的真空壓力下加熱工件118。在另一個可選例中，預熱設備152可以在與第一室138被抽空而從大氣壓力過渡到真空壓力的相同時間範圍期間加熱工件118。
預熱設備152例如包括定位在第一室138內的熱板154，如圖2所示。熱板154例如包括電阻加熱器，所述電阻加熱器可以包括嵌入熱板的加熱元件、熱泵或者用於將熱能從熱板傳遞到工件118的其他加熱機構。根據一個示例，提升機構156被進一步提供並構造成選擇性地將工件(未示出)移動到預熱設備152的表面158以及從表面158提升工件。提升機構158例如包括多個提升銷180(也示於圖5中)，所述多個提升銷選擇性地延伸通過熱板154的表面158。可選地，如圖4所示，提升機構158包括一個或多個支撐件182，所述支撐件被構造為選擇性地接合和提升工件的周邊(未示出)。
根據另一個方面，圖5中所示的預熱設備152例如說明了限定在熱板154的表面158中的排氣通道162，其中氣體(未示出)在工件118內與熱板之間設置在界面層內。例如，氣體被允許在第一室138的抽空期間通過排氣通道182被排出，而不會移動工件118，否則所述工件可能會由於來自橫跨工件的壓力差的提升力而被引起移動。
根據另一個示例，圖1的預熱設備152包括輻射熱源179。例如，輻射熱源179包括一個或多個滷素燈、發光二極體和紅外線熱裝置。在一個示例中，第一室138包括窗口(未示出)，其中輻射熱源設置在第一室的外部，並且其中輻射熱源被構造成將輻射能量朝向設置在第一室內的工件引導通過窗口。根據另一個示例，圖1的輻射熱源179包括具有陶瓷蓋196的大致中空盤195，如圖8所示。例如，基於合金的加熱元件197(例如，Ni-Cr、鉻鎳鐵合金等)被設置在大致中控盤195中，其中加熱元件被構造為選擇性地提供輻射能量到陶瓷蓋198。還設置具有低發射率的輻射防護罩198(例如，鉬、鎳等)。陶瓷蓋196例如基本上是平坦的且由碳化矽或其他合適的材料構成。因此，陶瓷蓋196被構造成在工件位於陶瓷蓋的表面199上時選擇性地加熱工件118。
根據本公開的另一個方面，雙負載鎖定組件138的第二室140包括構造成在工件設置在第二室內隨後在離子注入期間被注入離子時將工件冷卻到第二溫度的後冷卻設備180。第二溫度例如基本上低於第一溫度和/或處理溫度。
例如，圖2所示的共用壁148提供物理和熱屏障182，所述屏障被定位在雙負載鎖定組件138的第一室138和第二室140之間。共用壁146例如進一步隔離第一室138與第二室140，並且可以提供對雙負載鎖定組件136的外表面的冷卻，同時還提供對第二室140的冷卻。共用壁146例如還可以提供第一室138的冷卻。熱屏障182例如包括板184，所述板具有通過該板的冷卻通道186。通過冷卻通道186的冷卻流體(例如，水)基本上熱隔離第一室138與第二室140。板184例如可以進一步整體限定冷板186，所述冷板被構造成將工件支撐在第二室140內，其中通過冷卻通道的冷卻流體基本上進一步將工件冷卻到第二溫度。
可選地，後冷卻設備180包括與熱屏障182分離的冷卻工件支撐件(未示出)，其中冷卻工件支撐件被構造成通過熱傳導主動冷卻在其上的工件。冷卻工件支撐件例如包括冷板，所述冷板具有通過該冷板的第二冷卻通道，其中通過第二冷卻通道的第二冷卻流體基本上冷卻位於冷板表面上的工件。
如圖1所示，控制器188被進一步設置和構造為啟動每一個相應的預熱設備152，以在大氣壓力下將熱能傳送到相應的工件118，其中各個工件的溫度升高到第一預定溫度。控制器188例如進一步被構造為啟動每一個相應的後冷卻設備180，以將各個工件118冷卻至第二預定溫度。控制器188可以被進一步構造成經由預熱設備152在第一室138中將工件118加熱到第一溫度，通過熱卡盤130在處理室122中將工件加熱到處理溫度，通過離子注入設備101將離子注入工件中，通過後冷卻設備180在第二室140中將工件冷卻到第二溫度，以及通過泵和通風口151的控制選擇性地在大氣環境132和真空環境126之間、以及各自的第一和第二雙負載鎖定組件136A、136B的相應的大氣門150與真空門148之間轉移工件。
圖9更詳細地顯示了根據本發明的圖1的示例性受熱離子注入系統100，其中應理解的是圖1和9中所示的離子注入系統的架構與在此詳細說明的垂直堆疊的雙負載鎖定組件138A、138B相結合，能夠獲得可以有利地被修改為能夠通過系統獲得工件的最高生產量的多個過程流。應當指出的是本領域技術人員將會理解下面示例中的工件118的流程可以被顛倒。例如，在第一實施例中，工件118(例如，通常為晶片的形式)可以被運送到處理室122和從所述處理室運送，使得工件首先通過第一「在空中」機器人190A被從選定的前開式統集盒(front opening unified pod，FOUR)192A、192B運送到選定的雙負載鎖定組件136A的第一室138A。
工件118在第一室138內在大氣壓力下被加熱，然後第一室被抽空以使該第一室的內部環境達到真空壓力。該加熱和加壓可以順序、同時或並存地進行。然而，本公開呈現出在大氣壓力下加熱工件118提供各種優點，例如相當快速的熱上升速度，所述速度可以在與較低的真空壓力相比更高的大氣壓力下獲得。另外，值得注意的是由於工件118不是固定地保持在第一室138內(例如，除了重力之外沒有被夾持或受到限制)，因此工件在加熱期間自由膨脹，因而最小化由於工件的熱膨脹造成的破裂、破損或者顆粒形成的可能。
例如，當相對冷的工件118被帶入第一室138中時，所述工件經歷大幅溫度升高。這樣，工件118中增加的能量驅動工件的材料體積膨脹。如果工件118受到外部的約束(例如，受到卡盤的夾緊力)，則工件的膨脹會由於這些外部約束而在工件內引起內應力。因此，由於摩擦可能會在工件118上產生背面側顆粒和劃痕。最終，這樣的過度限制的夾緊力與工件中的熱梯度和熱衝擊相結合可能會導致工件破損。因此，理想的是具有不受限制的系統，其中有利地在沒有外力的情況下提供工件的熱平衡。由於整個預熱的熱循環可以在大氣壓力下進行，因此圖1的系統100不需要夾緊以將工件118保持在預熱設備152上的正向力，其中僅作用在工件上的外力為重力和摩擦。因此，工件118相對自由地獲得其體積熱膨脹而沒有上述的過度限制外力。
根據本示例，一旦工件118通過預熱設備152被預先加熱，則工件被與所選擇的雙負載鎖定組件(在本示例中為第一雙負載鎖定組件136A)相關聯的第一真空機器人194A從第一室138A運送到處理室122以用於離子注入。當高溫離子注入處理完成之後，工件118可以通過與雙負載鎖定組件(例如，在本示例中為第二雙負載鎖定組件138B)相關聯的第二真空機器人194B被運送到其第二室140B。在這一點上，工件118接著被冷卻且第二室140被通風以使其內部環境返回到大氣壓力。然後，工件118通過第二「在空中」機器人190B被運回POUP 192C、192D。
可選地，在第二實施例中，工件118可以通過將工件從所選擇的FOUP 192運送到選擇的雙負載鎖定組件136(在本示例中為雙負載鎖定組件136A)的第一室138A而被運送到處理室122以及從處理室122運送，其中工件被加熱，並且第一室隨後被抽空以使其內部環境達到真空壓力，以用於隨後通過與所選擇的雙負載鎖定組件相關聯的第一真空機器人194A運送到處理室122。此後，工件118可以通過與相同的雙負載鎖定組件136A相關聯的相同的真空機器人194A被運送到其第二室140A，使得工件可以被冷卻且第二室被通風以允許工件通過第一「在空中」機器人190A被運回FOUP 192A、192B。應當理解的是各種可選的工作流程可以有助於在FOUR 192、機器人190，194、雙負載鎖定組件138、其第一和第二負載鎖定室138，140以及處理室122之間並行地促進多個處理步驟。
圖10示出了根據本發明的用於提高受熱離子注入過程中的生產量的一個示例性方法200。應當注意的是雖然示例性方法被示出和描述為一系列動作或事件，但是將會理解的是本發明不受到這種動作或事件的所示順序的限制，這是因為根據本發明，一些步驟可以以不同的順序進行和/或與除了在此所示和說明之外的其它步驟同時進行。此外，可以不是所有說明的步驟都需要實現根據本發明的方法。此外，可以理解的是所述方法可以根據在此所述和顯示的系統以及沒有說明的其他系統相關聯地實施。
如圖10所示，方法200開始於動作202，其中工件被從FOUP移除。工件在動作204中在大氣狀態下被放置在雙負載鎖定組件的第一室中。在動作206中，工件在第一室中在大氣壓力下被加熱到第一溫度。在動作208中，第一室的大氣門被關閉，並且第一室基本上被抽空。根據動作203的時序，可以在從大氣壓力到真空壓力的轉移期間在大氣壓力下或者在真空壓力下全部或部分地執行動作206的加熱。在動作210中，第一室的真空門被打開，並且工件被從第一室中移除並放置在加熱的卡盤上。在動作212中，工件通過加熱的卡盤被加熱到處理溫度，並且加熱的工件通過受熱離子注入被注入有離子。
在動作214中，一旦加熱離子注入完成，則將工件放置在雙負載鎖定組件的第二室中且第二室的真空門被關閉。在動作216中，工件在與第一室共享壁的冷卻板上被冷卻到第二溫度。在動作218中，第二室的大氣門打開，並且工件被從第二室移除。再一次，根據動作218的時序，可以在從真空壓力到大氣壓力的轉移期間在真空壓力下或者在大氣壓力下全部或部分地執行動作216的冷卻。
雖然本發明已經關於特定的一個或多個優選實施例示出和說明，但是顯而易見的是本領域技術人員在對本說明書的閱讀和理解以及附圖的基礎上將會想到等效的改變和修改。特別是對於由上述部件(組件、裝置、電路等)執行的各種功能，用於說明這種部件的術語(包括對「裝置」的引用)除非另有指明否則旨在對應於執行所述部件的指定功能(即，功能上等同)的任何部件，即使結構上不等效於執行本發明的在此所述的示例性實施例中的功能的所公開的結構。另外，雖然本發明的特定特徵已經僅關於幾個實施例中的一個被公開，但這種特徵在對於任何給定的或者特定的應用是需要以及有利的時可以與其他實施例的一個或多個其它特徵相結合。