稀釋劑組分及用其除去光刻膠的方法
2024-02-29 22:08:15
專利名稱：稀釋劑組分及用其除去光刻膠的方法
技術領域：
本發明總體上涉及稀釋劑組分及使用該稀釋劑組分除去光刻膠的方法。更具體，本發明總體上涉及具有改進的溶解度性能的稀釋劑組分及使用該稀釋劑組分有效地除去與各種光刻膠或抗反射材料有關的邊緣珠(bead)的方法。
本申請要求2004年2月10日申請的韓國專利申請號2004-8678的優先權，其內容被全部引入作為參考。
背景技術：
具有高集成度和快速反應速度的半導體器件有希望繼續發展成為信息處理設備。因此，用於製造半導體器件的技術發展為提高半導體器件的集成度、可靠性和反應速度。
為了製造常規微電路，例如，雜質被精確地注入矽襯底上的區域，然後使雜質區互相電連接，以形成超大規模集成電路(VLSI)電路。使用光刻工藝形成限定雜質區的圖形。在襯底上形成光刻膠膜之後，光刻膠膜被暴露於光如紫外射線、電子束或X射線。光刻膠膜被顯影，然後襯底上的露出部分被除去。
通常，在旋轉襯底的同時塗敷光刻膠，如旋塗工序；光刻膠被均勻地塗敷在襯底的邊緣和背部。但是，塗敷在襯底的邊緣或背部的光刻膠產生被稱為邊緣珠的微粒，該邊緣珠在後續工序如刻蝕工序或離子注入工序中可能導致工序失敗。因此，通常需要使用稀釋劑組分的邊緣珠去除(EBR)工序從襯底除去不想要的顆粒。
有時，在光刻工序過程中可能發生光刻膠圖形的損壞。當光刻膠圖形的損壞發生時，為了從襯底除去損壞的光刻膠圖形，執行再加工工序。再加工工序用於挽救襯底。
隨著半導體器件上的圖形變得更精細，光刻膠組分被I線射線或G線射線顯影。光刻膠組分通常包括作為主原料的酚醛清漆樹脂。此外，使用對準分子雷射或遠紫外線敏感的放大光刻膠來製造半導體器件。因此，需要與這種類型的光刻膠有關的具有良好溶解度的稀釋劑組分。
例如，美國專利號5,866,305公開了一種包含乳酸乙酯和乙基3-乙氧基丙酸酯的稀釋劑組分，以及還公開了包含乳酸乙酯、乙基3乙氧基丙酸酯和伽馬(gamma)-丁內酯的另一種稀釋劑組分。儘管廣泛地使用的上述稀釋劑組分相對於某些光刻膠如放大的光刻膠具有差的溶解度。此外，由於乙基3-乙氧基丙酸酯用作主原料，因此稀釋劑組分比較昂貴。此外，該稀釋劑組分相對於使用氟化氬(ArF)雷射的光刻膠具有差的溶解度和EBR性能。
美國專利號6,159,646公開了一種包含乳酸乙酯和伽馬-丁內酯的另一常規的稀釋劑組分；一種包含乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯和伽馬-丁內酯的稀釋劑組分；以及一種包含乳酸乙酯和乙基3-乙氧基丙酸酯鹽的稀釋劑組分。製備包含乙基3-乙氧基丙酸酯和伽馬-丁內酯的稀釋劑組分的成本相當高。這些稀釋劑組分相對於使用ArF雷射的光刻膠也具有相當差的溶解度。
上述常規稀釋劑組分用於再加工工序和EBR工序中；但是該稀釋劑組分對於這兩種工序都是不合宜的。
如韓國專利特許公開公開號2003-51129公開了一種包含乙酸酯化合物、伽馬-丁內酯以及非乙酸酯型酯的稀釋劑組分，該稀釋劑組分在再加工工序或EBR工序中除去使用I線射線、G線射線和氟化氪雷射的光刻膠是有效的。但是，該稀釋劑組分相對於使用ArF雷射的光刻膠具有差的溶解度。此外，該稀釋劑組分具有差的EBR性能。因此需要一種相對於暴露於ArF雷射的光刻膠具有良好溶解度的稀釋劑組分，該稀釋劑組分有效地除去EBR工序中不需要的光刻膠且在再加工工序中是有效的。
發明內容
本發明提供一種相對於光刻膠和抗反射層具有優異的溶解度性能、邊緣珠去除性能以及再加工性能的稀釋劑組分。
根據本發明的一個方面，一種稀釋劑組分包括丙二醇醚乙酸酯，選自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物構成的組的一種酯化合物以及甲基-2-羥基2-丙酸甲酯。
本發明的另一實施例提供一種稀釋劑組分，包括約30至65％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯，約15至約50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯以及約20至約55％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯。
一種使用本發明的稀釋劑組分除去光刻膠的方法，通過在襯底上形成光刻膠膜，以及使用稀釋劑組分從襯底光刻膠膜，該稀釋劑組分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羥基2-丙酸甲酯和選自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物構成的組的至少一種酯化合物。
通過參考下面詳細說明，同時結合附圖考慮，將使本發明的目的變得更顯而易見，其中圖1是說明根據本發明的實施例使用稀釋劑組分除去光刻膠的方法的流程圖。
圖2是說明根據本發明的另一實施例使用稀釋劑組分除去光刻膠的方法的流程圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖更完全地描述本發明，附圖中示出了本發明的優選實施例。但是，本發明可以以多種不同的方式體現，不應該認為局限於在此闡述的實施例；相反，這些實施例被提供作為加工例子。應當理解當一個元件例如層、區域或襯底指在另一元件「上」時，它可以直接在另一個元件「上」或也可能存在插入元件。
本發明提供一種稀釋劑組分，該稀釋劑組分相對於通過氟化氬(ArF)雷射暴露的光刻膠膜具有改進的溶解度性能、邊緣珠去除(EBR)性能和再加工性能。
本發明的稀釋劑組分包含丙二醇醚乙酸酯、酯化合物以及甲基2-羥基2-丙酸甲酯。此外，丙二醇醚乙酸酯可以包括丙二醇單甲醚乙酸酯或丙二醇一乙基醚乙酸酯。這些化學劑可以單獨使用或組合使用。
當乳酸乙酯(EL)用作酯化合物時，稀釋劑組分中的丙二醇單甲醚乙酸酯的含量優選在40至約75％重量的範圍內。
當稀釋劑組分包括超過約75％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯時，稀釋劑組分的溶解度下降。當稀釋劑組分包括小於約40％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯，稀釋劑組分的粘滯度上升，這損壞與光刻膠有關的EBR性能。因此，稀釋劑組分優選包括約40至約75％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯。更優選，稀釋劑組分包括約50約60％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯。
當3-乙氧基丙酸酯(EL)用作酯化合物時，稀釋劑組分中的丙二醇單甲醚乙酸酯的含量優選在約30至65％重量的範圍內。
當稀釋劑組分包括超過約65％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯時，稀釋劑組分的溶解度被減小。當稀釋劑組分包括小於約30％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯，稀釋劑組分的粘滯度上升，損壞與光刻膠有關的EBR性能。因此，稀釋劑組分優選包括約30至約65％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯。
本發明的稀釋劑組分包括酯化合物。酯化合物優選包括乳酸乙酯或乙基3-乙氧基丙酸酯。這些化學劑可以單獨使用或組合使用。
當乳酸乙酯用作酯化合物時，稀釋劑組分優選包括約5至約45％重量的乳酸乙酯。當稀釋劑組分包括超過約45％重量的乳酸乙酯時，稀釋劑組分的溶解度差，以及EBR性能被損壞。當稀釋劑組分包括小於約5％重量的乳酸乙酯，與光刻膠有關的稀釋劑組分的EBR性能損壞。因此，稀釋劑組分中的乳酸乙酯的含量優選在約5至約45％重量的範圍內。
當乙基3-乙氧基丙酸酯用作酯化合物時，稀釋劑組分優選包括約15至約50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯。當稀釋劑組分包括超過約50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯時，稀釋劑組分的溶解度被差。當稀釋劑組分包括小於約15％重量的3-乙氧基丙酸酯，與光刻膠有關的稀釋劑組分的EBR性能被損壞。因此，稀釋劑組分中的3-乙氧基丙酸酯的含量優選在約15至約50％重量的範圍內。例如，乙基3-乙氧基丙酸酯的含量處於約15至約40％重量的範圍內。
本發明的稀釋劑組分包括甲基2-羥基2-丙酸甲酯。
當乳酸乙酯用作酯化合物時，稀釋劑組分優選包括約15至約50％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯。當稀釋劑組分包括小於約15％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯時，與光刻膠有關的稀釋劑組分的EBR溶解度下降。當稀釋劑組分包括超過約50％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯時，稀釋劑組分的粘滯度增加，與光刻膠有關的稀釋劑組分的EBR粘滯度被損壞。因此，稀釋劑組分中的甲基2-羥基2-丙酸甲酯的含量優選在約15至約50％重量的範圍內。更優選，甲基2-羥基2-丙酸甲酯的含量處於約30至約40％重量的範圍內。
當乙基3-乙氧基丙酸酯用作酯化合物時，稀釋劑組分優選包括約20至約55％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯。當稀釋劑組分包括小於約20％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯時，稀釋劑組分的溶解度下降。當稀釋劑組分包括超過約55％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯時，稀釋劑組分的粘滯度上升，與光刻膠有關的EBR性能被損壞。因此，稀釋劑組分中的甲基2-羥基2-丙酸甲酯的含量優選在約20至約55％重量的範圍內。更優選，甲基2-羥基2-丙酸甲酯的含量處於約30至約40％重量的範圍內。
此外稀釋劑組分可以包括表面活性劑如含氟的表面活性劑、離子表面活性劑以及非離子表面活性劑。稀釋劑組分也可以包括約10至約550重量ppm的表面活性劑。
現在在下文中將參考例子和比較例子更完全地描述本發明。但是本發明不應該被認為局限於在此闡述的例子。
例1為了製備稀釋劑組分，在容器中混合約50％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯、約10的乳酸乙酯和約40％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯。獲得的稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.5cP。
例2為了製備第二稀釋劑組分，在容器中混合約45％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯、約15％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯和約40％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯。獲得的第二稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.4cP。
比較例1為了製備比較的稀釋劑組分，在容器中混合丙二醇單甲醚乙酸酯、伽馬-丁內酯和乙基3-乙氧基丙酸酯。該比較的稀釋劑組分包括約73％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯、約25％重量的乙烯3-乙氧基丙酸酯以及約2％重量的伽馬-丁內酯。獲得的比較稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.3cP。
比較例2為了製備第二比較的稀釋劑組分，在容器中混合乙基3-乙氧基丙酸酯、乳酸乙酯和伽馬-丁內酯。第二比較的稀釋劑組分包括約75％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯、約20％重量的乳酸乙酯和約5％重量的伽馬-丁內酯。獲得的第二比較稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.3cP。
比較例3第三比較稀釋劑組分僅僅包括丙二醇單甲醚乙酸酯。獲得的第三稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.2cP。
比較例4第四比較稀釋劑組分僅僅包括乙基3-乙氧基丙酸酯。獲得的第四比較稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.2cP。
比較例5為了製備第五比較稀釋劑組分，在容器中混合丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚和伽馬-丁內酯。該稀釋劑組分包括約70％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯、約20％重量的丙二醇單甲醚和約5％重量的伽馬-丁內酯。獲得的第五比較稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.3cP。
相對於光刻膠類型的溶解速率的判斷實驗1使用例子1中製備的稀釋劑組分測量相對於一般光刻膠的溶解速率。在襯底上旋塗約4.0cc的SEPR-430TM(由Shin-Etsu製造)、將通過氟化氪雷射暴露的光刻膠，並在約100℃的溫度下連續地軟烘焙。這樣形成的光刻膠膜具有約12,000的厚度。包括光刻膠膜的襯底被浸入稀釋劑組分，以剝離光刻膠膜，然後測量溶解速率。觀察的溶解速率等於或大於約12,000/秒。
實驗2在襯底上旋塗約4.0cc的ip-3300TM(由TOK製造)、將通過I線射線暴露的光刻膠，並在約90℃的溫度下連續地軟烘焙。這樣形成的光刻膠膜具有約12,000的厚度。包括光刻膠膜的襯底被浸入稀釋劑組分，以剝離光刻膠膜，然後測量溶解速率。觀察的溶解速率等於或大於約12,000/秒。
實驗3在襯底上旋塗約4.0cc的RHR3640TM(由Shin-Etsu製造)、將通過氟化氬雷射暴露的光刻膠，並在約105℃的溫度下連續地軟烘焙。這樣形成的光刻膠膜具有約2,700的厚度。包括光刻膠膜的襯底被浸入稀釋劑組分，以剝離光刻膠膜，然後測量溶解速率。觀察的溶解速率等於或大於約2,700/秒。
實驗4在襯底上旋塗約4.0cc的AR46TM(由Shipley製造)、將通過氟化氬雷射暴露的光刻膠，並在約90℃的溫度下連續地軟烘焙。獲得的抗反射層具有約380的厚度。包括抗反射層的襯底被浸入稀釋劑組分，以剝離抗反射層，然後測量溶解速率。觀察的溶解速率等於或大於約380/秒。
根據實驗1至4，例子1中製備的稀釋劑組分相對於所有不同類型的光刻膠具有優異的溶解速率。因此，可以使用本發明的稀釋劑組分從晶片除去光刻膠。
相對於光刻膠類型的溶解力的評價評價例子1和2以及比較例1至5中製備的稀釋劑組分的溶解力。在下列圖表1中給出了評價結果。當稀釋劑組分相對於光刻膠的混合比約為5∶1時，基於光刻膠的可溶解量評價溶解力。
圖表1
在圖表1中，「E」意味著優異的溶解力。亦即，足夠量的光刻膠溶於稀釋劑組分。「R」意味著中等溶解力。即，在混合24小時之後，一部分光刻膠可能沉澱析出。「X」表示差的溶解力。亦即，光刻膠與稀釋劑組分混合之後，光刻膠可能立即沉澱。
如圖表1所示，例子1和2中製備的稀釋劑組分具有與光刻膠類型無關的優異溶解力。比較例5中製備的稀釋劑組分具有良好的溶解力，但是差的EBR性能。
相對於光刻膠類型的EBR性能的評價評價相對於光刻膠類型的例1和2和比較例1至5的EBR性能。通過塗敷器(由日本的TEL有限公司製造)和通過使用氮氣(N2)氣體加壓襯底評價EBR性能。壓力約為0.7至約1.0kg/cm2，以及以約13至約20cc/min的流速提供氮氣約6秒。下列圖表2中給出了結果。
圖表2
在圖表2中，「N」表示具有清洗的EBR線的EBR工序之後在襯底沒有殘留光刻膠。「U」表示EBR工序之後在襯底上沒有殘留光刻膠，但是EBR線沒有被清洗。「X」表示執行EBR工序之後在襯底上存在殘留的光刻膠和未清洗的EBR線。
如圖表2所示，例子1和2中製備的稀釋劑組分有效地除去光刻膠，與光刻膠的類型無關。但是，當在EBR工序中使用比較例1、2和5中製備的稀釋劑組分時，在襯底上殘留剩餘的光刻膠，儘管稀釋劑組分相對於SEPR-430光刻膠具有良好的EBR性能。此外，當在EBR工序中使用比較例子3和4中製備的稀釋劑組分時，在襯底也剩下殘留的光刻膠。
如上所述，本發明的新穎性稀釋劑組分可以有效地除去光刻膠，與其類型無關，且可以不損壞底下的層。具體，該稀釋劑組分可以有效地除去暴露於氟化氬雷射的光刻膠或抗反射材料。因此，可以採用本發明的稀釋劑組分製造具有小於約90nm的設計尺寸的半導體器件。此外，稀釋劑組分是環保的。因此，可以經濟地製造具有改進的可靠性的高度集成的半導體器件。
本發明提供使用本發明的稀釋劑組分除去光刻膠的方法。
圖1是說明使用本發明的稀釋劑組分除去光刻膠的方法的流程圖。
在步驟S110中，在襯底上形成光刻膠膜。在步驟S120中，使用稀釋劑組分從襯底除去光刻膠膜。
詳細地，在步驟S110中使用旋塗器在襯底上形成光刻膠膜。亦即，在通過旋塗器旋轉襯底同時，在襯底上塗敷光刻膠。根據襯底的旋轉，光刻膠通過離心力蔓延到襯底的邊緣，在襯底上均勻地塗敷光刻膠。光刻膠通過離心力蔓延到襯底的邊緣部分和襯底的背部。
在步驟S120中，使用本發明的稀釋劑組分從襯底除去光刻膠膜，本發明的稀釋劑組分包括丙二醇醚乙酸酯、酯化合物和甲基2-羥基2-丙酸甲酯。
稀釋劑組分蔓延在襯底的邊緣和背部上，以從襯底除去光刻膠。這裡，在旋轉襯底的同時，稀釋劑組分可以被噴射在襯底的邊緣和/或背部。具體地說，襯底可以繞旋轉-軸承座旋轉，以及可以用噴嘴噴射稀釋劑組分。
在步驟S130中，在使用稀釋劑組分從襯底除去光刻膠膜之後，執行EBR工序以乾燥襯底上的稀釋劑組分。
根據該實施例，有效地防止通過光刻膠在襯底上產生的汙染。
圖2是說明使用本發明的稀釋劑組分除去光刻膠的另一方法的流程圖。
在步驟S210至S250中，在襯底上形成光刻膠圖形。在步驟S260中，使用本發明的稀釋劑組分從襯底除去光刻膠圖形。
詳細地，在步驟S210中，在襯底上形成光刻膠膜。該襯底優選是用於半導體器件的矽襯底或用於液晶顯示器的透明襯底。襯底可以包括將通過光刻工序構圖的底層結構。這裡，底層結構可以包括氧化物層、氮化物層、矽層以及金屬層。
在襯底上塗敷光敏材料，以在其上形成光刻膠膜。光敏材料是正性或負性光敏材料。在後續顯影工序中可以從襯底部分地除去暴露於光的正性光敏材料。
此外，可以在襯底上塗敷六甲基二矽氮烷，以增加光刻膠膜和襯底之間的粘結強度。此外，可以形成抗反射層，以防止連續的光工序和顯影工序中光的漫反射。
在步驟S220中，在襯底上形成光刻膠膜之後，可以進行EBR工序，以防止襯底上的汙染。在EBR工序中優選使用本發明的稀釋劑組分除去襯底的邊緣和背部上形成的部分光刻膠膜，該稀釋劑組分包含丙二醇醚乙酸酯、酯化合物以及甲基2-羥基2-丙酸甲酯。
在步驟S230中，執行軟烘焙工序，以從光刻膠膜除去任意殘留的溼氣。
在步驟S240中，使用光掩模光刻膠膜被部分地暴露於光。在光刻膠膜上設置具有圖形的光掩模之後，使光刻膠膜的預定部分有選擇地暴露於穿過掩模的光。例如，該光可以是G線射線、I-線射線、氟化氪(KrF)雷射、氟化氬(ArF)雷射、電子束或X射線。因此，光刻膠膜的露出部分具有與光刻膠膜的未曝光部分基本上不同的溶解度。
在步驟S250中，使用顯影液如四甲基氨水(TMAH)顯影光刻膠膜，以完成光刻膠圖形。當光刻膠膜包括正性光敏材料時，從襯底除去光刻膠膜的露出部分。
通過上述工序形成的光刻膠圖形可以用於在半導體器件上形成各種精細圖形。但是，當光刻膠圖形故障發生時，從經濟的觀點除去襯底上的光刻膠圖形和再使用襯底是有利的。因此在步驟S260中，如果光刻膠圖形存在故障，那麼執行再加工工序，以從襯底除去光刻膠圖形。
詳細地，使用本發明的稀釋劑組分從襯底除去光刻膠圖形。
在步驟S270中，優選執行乾燥進程，以除去襯底上的任意殘留稀釋劑組分。
權利要求
1.一種稀釋劑組分，包括丙二醇醚乙酸酯；選自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物構成的組的至少一種酯化合物；以及甲基2-羥基-2-丙酸甲酯。
2.根據權利要求1的組分，其中丙二醇醚乙酸酯包括選自由丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇一乙基醚乙酸酯和其混合物構成的組的至少一種。
3.根據權利要求2的組分，其中該種稀釋劑組分，包括約40至約75％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯；約5至約45％重量的乳酸乙酯；和約15至約50％重量的甲基2-羥基-2-丙酸甲酯。
4.根據權利要求1的組分，還包括表面活性劑。
5.根據權利要求4的組分，其中表面活性劑包括含氟的表面活性劑、非離子表面活性劑或離子表面活性劑。
6.根據權利要求5的組分，其中稀釋劑組分包含約10至約550ppm的表面活性劑。
7.一種稀釋劑組分，包括約30至約65％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯；約15至約50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯；以及約20至約55％重量的甲基2-羥基-2-丙酸甲酯。
8.根據權利要求7的組分，還包括約10至約550ppm量的含氟表面活性劑、非離子表面活性劑或離子表面活性劑。
9.一種除去光刻膠的方法，包括在襯底上形成光刻膠膜；以及使用包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羥基-2-丙酸甲酯以及選自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物構成的組的至少一種酯化合物的稀釋劑組分從襯底除去光刻膠膜。
10.根據權利要求9的方法，其中丙二醇醚乙酸酯包括選自由丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇一乙基醚乙酸酯及其混合物構成的組的至少一種。
11.根據權利要求10的方法，其中該稀釋劑組分，包括約40至約75％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯；約5至約45％重量的乳酸乙酯；以及約15至約50％重量的甲基2-羥基-2-丙酸甲酯。
12.根據權利要求10的方法，其中該稀釋劑組分，包括約30至約65％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯；約15至約50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯；以及約20至約55％重量的甲基2-羥基-2-丙酸甲酯。
13.根據權利要求9的方法，其中通過提供稀釋劑組分到襯底的邊緣和背部除去光刻膠膜。
14.根據權利要求13的方法，其中通過在襯底上噴射稀釋劑組分除去光刻膠膜。
15.根據權利要求9的方法，還包括除去光刻膠膜之後執行乾燥處理。
16.根據權利要求9的方法，其中形成光刻膠圖形包括在襯底上形成光刻膠膜之後，軟烘焙光刻膠膜；使用掩模使光刻膠膜暴露於光；以及通過使用顯影液顯影光刻膠膜在襯底上形成光刻膠圖形。
17.根據權利要求16的方法，還包括從襯底的邊緣和背部除去光刻膠膜。
18.根據權利要求9的方法，其中稀釋劑組分還包括表面活性劑。
19.根據權利要求18的方法，其中表面活性劑包括含氟的表面活性劑、非離子表面活性劑或離子表面活性劑。
20.根據權利要求18的方法，其中稀釋劑組分包含約10至約550ppm的表面活性劑。
全文摘要
一種稀釋劑組分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2－羥基－2－丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3－乙氧基丙酸酯或其混合物。
文檔編號H01L21/02GK1655065SQ20051000943
公開日2005年8月17日 申請日期2005年2月16日 優先權日2004年2月10日
發明者安承鉉, 裵恩美, 崔百洵, 全相文, 金大中, 尹廣燮, 樸相圭, 金載昊, 李時鏞, 金京美, 尹汝榮 申請人:三星電子株式會社