Cu膜的成膜方法和存儲介質的製作方法

2023-05-07 12:40:41

專利名稱：Cu膜的成膜方法和存儲介質的製作方法
技術領域：
本發明涉及通過CVD在半導體基板等的基板形成Cu膜的Cu膜的成膜方法和存儲介質。
背景技術：
近年來，隨著半導體設備的高速化、配線圖案的微細化，高於Al導電性且電子遷移耐性等也良好的Cu作為配線、鍍Cu的晶種層、接觸插頭的材料備受矚目。作為該Cu的成膜方法，大多使用以濺射法為代表的物理蒸鍍(PVD)法，但伴隨半導體設備的微細化，階躍式覆蓋率(St印coverage)差這一缺點不斷變得明顯。因此，作為Cu膜的成膜方法，一直使用著通過含Cu原料氣體的熱分解反應和該原料氣體利用還原性氣體的還原反應在基板上形成Cu膜的化學氣相沉積生長(CVD)法。通過這樣的CVD法形成的Cu膜(CVD-Cu膜)由於階躍式覆蓋率(高差被覆性)高、在細長且深的圖案內的成膜性優異，因此對微小的圖案的追蹤性高，適於形成配線、鍍Cu的晶種層、 接觸插頭。在通過CVD法形成Cu膜時，已知有對成膜原料(前體)使用六氟乙醯丙酮-三甲基乙烯基矽烷銅(CU(hfac)TMVQ等Cu配位化合物，將其熱分解的技術(例如日本特開 2000-282242 號公報)。另一方面，作為Cu的附著層或阻擋金屬(barrier metal)，已知有使用利用CVD法的Ru膜(CVD-Ru膜)的技術(日本特開平10-2四084號公報)。CVD-Ru膜由於階躍式覆蓋率高，與Cu膜的附著性也高，因此適用於Cu的附著層或阻擋金屬。然而，作為CVD-Cu膜的成膜原料使用上述的Cu(hfac)TMVS這樣的1價二酮類配位化合物時，在CVD-Cu的成膜中產生低於成膜原料蒸汽壓的副產物，該副產物吸附於成膜表面。因此，作為成膜表面的Ru表面由於被毒化引起化學活性降低，從而發生Cu原料的吸附抑制以及Cu膜和Ru膜之間的潤溼性降低。其結果，導致Cu的初期核密度降低，Cu膜的表面形狀惡化(粗表面形狀化)，Cu膜的品質降低發生，並且Cu膜和Ru膜的附著性降低。 這樣的問題在作為成膜表面使用CVD-Ru膜以外的膜時也時有發生。

發明內容
本發明的目的在於提供能夠對基底以高附著性形成平滑且高品質的CVD-Cu膜的 Cu膜的成膜方法。另外，本發明的另一個目的在於提供存儲用於執行這樣的成膜方法的程序的存儲介質。本發明的發明者人對在使用副產物的蒸汽壓低於其蒸汽壓的成膜原料時，由副產物的吸附引起Cu原料的吸附抑制以及Cu膜和基底膜之間的潤溼性降低的發生機制進行了研究。其結果，判明了蒸汽壓低於成膜原料的副產物容易吸附於基板，這樣的副產物吸附於基板表面引起Cu原料的吸附抑制以及Cu膜和Ru膜之間的潤溼性降低發生。基於該事實進一步反覆研究，結果發現，副產物的吸附和脫離與處理容器內的壓力相關，壓力越高越容易吸附，壓力越低越容易脫離，因此通過使處理容器內的壓力降低，控制為吸附於基板的所述副產物進行脫離和擴散的壓力，由此抑制副產物吸附於基板上造成的Cu原料的吸附抑制以及Cu膜和Ru膜之間的潤溼性降低。本發明是基於這樣的見解完成的。S卩，根據本發明，提供一種Cu膜的成膜方法，其包括在處理容器內收納基板的工序；在上述處理容器內，以氣相狀態導入含有Cu配位化合物的成膜原料的工序，其中，成膜中產生的副產物的蒸汽壓低於成膜原料的蒸汽壓；將上述處理容器內的壓力控制為吸附於基板的上述副產物進行脫離和擴散的壓力的工序；和使上述氣相狀態的成膜原料在基板上分解，通過CVD法在基板上沉積Cu，形成Cu膜的工序。另外，根據本發明，提供存儲介質，存儲在計算機上運行、用於控制成膜裝置的程序，上述程序在執行時，在計算機中控制上述成膜裝置，使其執行成膜方法，上述成膜方法包括在處理容器內收納基板的工序；在上述處理容器內，以氣相狀態導入含有Cu配位化合物的成膜原料的工序，其中，成膜中產生的副產物的蒸汽壓低於成膜原料的蒸汽壓；將上述處理容器內的壓力控制為吸附於基板的上述副產物進行脫離和擴散的壓力的工序；和使上述氣相狀態的成膜原料在基板上分解，通過CVD法在基板上沉積Cu，形成Cu膜的工序。


圖1是表示實施本發明的一個實施方式相關的Cu膜的成膜方法的成膜裝置的結構的一個例子的簡要截面。圖2是表示適用了本發明的一個實施方式相關的Cu膜的成膜方法的基板的半導體晶片的結構的一個例子的截面圖。圖3是用於說明發生由副產物引起的吸附抑制的狀態的示意圖。圖4是用於說明本發明的一個實施方式相關的Cu膜的成膜方法中的腔室內的狀態的示意圖。圖5是表示對圖2的結構的半導體晶片形成CVD-Cu膜作為配線材料的狀態的截面圖。圖6是表示對圖2的結構的半導體晶片形成CVD-Cu膜作為鍍Cu的晶種膜的狀態的截面圖。圖7是表示對圖5結構的半導體晶片進行了 CMP的狀態的截面圖。圖8是表示對圖6結構的半導體晶片實施了鍍Cu的狀態的截面圖。圖9是表示對圖8結構的半導體晶片進行了 CMP的狀態的截面圖。圖10是表示適用了本發明的一個實施方式相關的Cu膜的成膜方法的基板的半導體晶片的結構的另一個例子的截面圖。圖11是表示作為成膜原料使用Cu(hfac)TMVS，使腔室內的壓力變化而形成 CVD-Cu膜時的Cu的初期核的狀態的掃描型顯微鏡(SEM)照片。
具體實施例方式以下，參照附圖，說明本發明的實施方式。
圖1是表示實施本發明的一個實施方式相關的Cu膜的成膜方法的成膜裝置的結構的一個例子的簡要截面。該成膜裝置100，具有氣密性的略為圓筒狀的腔室1，在其中用於水平支持作為被處理基板的半導體晶片W的基座2以被設置在其中央下部的圓筒狀的支持構件3支持的狀態配置。該基座2由AlN等的陶瓷構成。另外，在基座2中埋設有加熱器5，在該加熱器5 連接有加熱器電源6。另一方面，在基座2的上面附近設置有熱電偶7，熱電偶7的信號向加熱器控制器8傳遞。這樣，加熱器控制器8根據熱電偶7的信號，給加熱器電源6發送指令，控制加熱器5從而將晶片W控制在規定的溫度。在腔室1的頂壁la，形成有圓形的孔lb，嵌入噴淋頭10使其從孔向腔室1內突出。 噴淋頭10用於向腔室1內排出由下述氣體供給裝置30供給的成膜用的氣體，在其上部具有導入作為成膜原料的Cu配位化合物、例如作為1價的β 二酮配位化合物的六氟乙醯丙酮-三甲基乙烯基矽烷銅(Cu(hfac)TMVQ的第1導入通路11，和向腔室1內導入稀釋氣體的第2導入通路12，其中，熱分解生成的副產物的蒸汽壓低於成膜原料的蒸汽壓。作為該稀釋氣體，例如使用Ar氣體或壓氣體。在噴淋頭10的內部在上下2級設置空間13、14。在上側的空間13連接有第1導入通路11，第1氣體排出通路15從該空間13延伸至噴淋頭10的底面。在下側的空間14 連接有第2導入通路12，從該空間14第2氣體排出通路16延伸至噴淋頭10的底面。艮口， 噴淋頭10從排出通路15和16分別獨立排出作為成膜原料的Cu配位化合物和稀釋氣體。在腔室1的底壁，設置有向下方突出的排氣室21。在排氣室21的側面連接有排氣管22，該排氣管22連接有具有真空泵和壓力控制閥的排氣裝置23。因此能夠通過該排氣裝置23運轉將腔室1內減壓至規定的真空度。另外，通過壓力計M檢測出腔室1內的壓力，基於該檢測值控制排氣裝置23的壓力控制閥的開度，控制腔室1內的壓力。在本實施方式中，控制為吸附於作為被處理基板的晶片W的表面的副產物進行脫離和擴散的壓力。在腔室1的側壁，設置有用於在晶片搬運室(沒有圖示)之間進行晶片W的搬入搬出的搬出搬入口 25，和開關該搬出搬入口 25的閘閥G。另外，在腔室1的壁部設置有加熱器沈，能夠在成膜處理時控制腔室1的內壁的溫度。氣體供給裝置30具有儲藏作為成膜原料的熱分解產生的副產物的蒸汽壓低於其蒸汽壓的Cu配位化合物、例如液體狀的1價β - 二酮配位化合物的Cu(hfac)TMVS的成膜原料槽31。作為構成成膜原料的Cu配位化合物，能夠使用Cu(hfac)MHY、Cu (hfac) ATMS、 Cu (hfac) DMDVS、Cu (hfac) TMOVS、Cu (hfac) COD 等其它的 1 價的 β - 二酮配位化合物。使用的1價Cu配位化合物在常溫為固體時，能夠以溶解於溶劑的狀態儲藏在成膜原料槽31中。在成膜原料槽31，插入有用於從上方供給He氣體等的加壓氣體的加壓氣體配管 32，加壓氣體配管32上安裝有閥33。另外，在成膜原料槽31內的成膜原料，原料送出配管 34從上方插入，在該原料配管34的另一端連接有氣化器37。在原料送出配管34安裝有閥 35和液體質量流量控制器36。然後，通過經由加壓氣體配管32向成膜原料槽31內導入加壓氣體，成膜原料槽31內的Cu配位化合物、例如Cu (hfac) TMVS直接以液體向氣化器37供給。此時的液體供給量通過液體質量流量控制器36控制。在氣化器37連接有供給作為載體氣體的Ar或H2等的載體氣體配管38。在載體氣體配管38上設置有質量流量控制器39 和隔著質量流量控制器39的2個閥40。另外，在氣化器37連接有向噴淋頭10供給被氣化的Cu配位化合物的成膜原料氣體供給配管41。在成膜原料氣體供給配管41安裝有閥 42，其另一端連接噴淋頭10的第1導入通路11。然後，在氣化器37氣化的Cu配位化合物被載持於載體氣體而向成膜原料氣體供給配管41送出，從第1導入通路11供給到噴淋頭 10內。在氣化器37、成膜原料氣體供給配管41和直至載體氣體配管的下遊側的閥40的部分，設置有用於防止成膜原料氣體冷凝的加熱器43。由加熱器電源(沒有圖示)對加熱器 43供電，通過控制器(沒有圖示)進行溫度控制。在噴淋頭10的第2導入通路12，連接有供給稀釋氣體的稀釋氣體供給配管44。在該稀釋氣體供給配管44安裝有閥45。然後，通過稀釋氣體供給配管44從第2導入通路12 向噴淋頭10內供給作為稀釋氣體的Ar氣體或H2氣體。成膜裝置100具有控制部50，通過該控制部50進行各構成部的控制，例如加熱器電源6、排氣裝置23 (壓力控制閥、真空泵)、質量流量控制器36、39、閥33、35、40、42、45等的控制和經過加熱器控制器8的基座2的溫度控制等。該控制部50具有具備微處理器(電子計算機)的過程控制器51、用戶界面52和存儲部53。在過程控制器51，成膜裝置100的各構成部被電連通而受到控制。用戶界面52連接於過程控制器51，其包括操作員為了管理成膜裝置100而進行指令的輸入操作等的鍵盤或觸控螢幕和使成膜裝置100的運行狀況可視化顯示的顯示器等。存儲部53也連接於過程控制器51，該存儲部53中收納有用於通過過程控制器51的控制而實現在成膜裝置100上運行的各種處理的控制程序、用於對應處理條件在成膜裝置100的各構成部上運行規定的處理的控制程序，即處理方案、或各種資料庫等。處理方案存儲在存儲部53中的存儲介質(沒有圖示)中。存儲介質可以是硬碟等的固定設置的存儲介質，也可以是⑶ROM、DVD、快閃記憶體等的可移動性的存儲介質。另外，也可以從其它裝置，例如通過專用電路適當傳送方案。這樣，根據需要，根據來自用戶界面52的指示等，從存儲部53調出規定的處理方案，在過程控制器51執行，由此可以在過程控制器51的控制下，在成膜裝置100進行所需的處理。接著，說明使用如上結構的成膜裝置的本實施方式的Cu膜的成膜方法。這裡，以作為成膜中發生的副產物的蒸汽壓低於其蒸汽壓的成膜原料使用 Cu(hfac)TMVS的情況為例進行說明。另外，這裡，在通過CVD法形成的Ru膜(CVD-Ru膜)上通過CVD法形成Cu膜 (CVD-Cu膜)。例如，如圖2所示，在隔著CVD-Ru膜102形成有下層的Cu配線層101的下層的配線絕緣層103上，隔著頂蓋(cap)絕緣膜104形成層間絕緣膜105，在其上隔著硬掩膜層106形成上層的配線絕緣層107，形成貫通硬掩膜層106、層間絕緣膜105、端蓋絕緣膜 104、到達下層的Cu配線層101的導通孔108，在上層配線絕緣層107形成有作為配線槽的溝109，進一步在導通孔108和溝109的內壁和上層的配線絕緣層107上形成作為阻擋層 (防擴散層)的CVD-Ru膜110，對這樣的晶片W形成CVD-Cu膜。CVD-Ru膜優選使用Ru3 (CO) 12作為成膜原料而形成的膜。由此，由於可以得到高純度的CVD-Ru，能夠形成清潔且牢固的Cu和Ru的界面。作為形成CVD-Ru膜的成膜裝置，除了使其對在常溫是固體的如3(0))12進行加熱而供給所產生的蒸汽之外，能夠使用與圖1的裝置相同結構的裝置。
在Cu膜的成膜時，首先，打開閘閥G，通過沒有圖示的搬運裝置向腔室1內導入上述構成的晶片W，載置於基座2上。然後，通過排氣裝置23對腔室1進行排氣，使腔室1內的壓力為1. 33 洸6. 6Pa (IOmTorr 2Torr)，通過加熱器5對基座2加熱至150 200°C，經過載體氣體配管38、氣化器37、成膜原料氣體配管41、噴淋頭10向腔室內部1內以100 1500mL/min(sccm)的流量供給載體氣體，再以0 1500mL/min (sccm)的流量通過稀釋氣體供給配管44、噴淋頭10向腔室1內導入稀釋氣體，進行穩定化。進行規定時間穩定化而條件穩定時，在供給載體氣體和稀釋氣體的狀態下，以 50 70°C的氣化器37使液態的Cu (hfac) TMVS液化而導入腔室1內，開始Cu膜的成膜。此時的流量，以液體計為100 500mg/min左右。成膜原料Cu (hfac) TMVS在利用基座2的加熱器5加熱的被處理基板晶片W上通過以下的(1)式所示的反應分解，在Ru膜上沉積Cu，形成Cu膜。2Cu (hfac) TMVS — Cu+Cu (hfac) 2+2TMVS(1)然而，成膜原料Cu(hfac)TMVS在氣相中也一部分分解，生成Cu(hfac)2。由於 Cu (hfac) 2的蒸汽壓低於成膜原料Cu (hfac) TMVS的蒸汽壓，因此容易吸附，如圖3所示，在 CVD-Ru膜110的表面，有時作為副產物的Cu (hfac)2比作為成膜原料的Cu (hfac) TMVS更大量吸附。這樣，若Cu(hfac)2吸附於CVD-Ru膜110的表面，則Ru膜表面由於被毒化而引起化學活性降低，發生Cu (hfac) TMVS的吸附抑制以及Cu膜和Ru膜之間的潤溼性降低。其結果，Cu的初期核密度降低，Cu膜的表面形狀惡化(粗表面形狀化)，發生Cu膜的品質降低， 並且Cu膜和Ru膜的附著性降低。因此，本實施方式中，通過控制腔室1內的壓力，消除由副產物Cu(hfac)2的吸附造成的問題。g卩，副產物的吸附和脫離與腔室1內的壓力相關，壓力越大副產物越容易吸附，壓力越小擴散係數越大且副產物越容易脫離，因此，降低腔室1內的壓力，控制為吸附於基底 CVD-Ru膜的Cu(hfac)2的脫離和擴散進行的壓力。如該實施方式，在副產物為010^%)2、基底膜為CVD-Ru膜時，在2(Pa(0. 15Torr)以下，Cu (hfac) 2的脫離和擴散充分進行。由此，如圖4所示，即使Cu (hfac) 2暫時吸附於CVD-Ru膜110，Cu (hfac) 2也可以快速從CVD-Ru膜110脫離，被排氣，因此可以抑制由Cu (hfac) 2吸附於CVD-Ru膜110造成的 Cu (hfac) TMVS的吸附抑制以及Cu膜和Ru膜之間的潤溼性降低。因此，能夠在CVD-Ru膜 110上以高附著性形成平滑且高品質的CVD-Cu膜。此外，20Pa(0. 15T0rr)是臨界條件，若超過201 (0. 15Torr)，則發生由Cu (hfac) 2造成的Cu (hfac) TMVS的吸附抑制，導致Cu的初期核密度下降。這樣操作形成的CVD-Cu膜能夠作為配線材料使用，也能夠作為鍍Cu的晶種層使用。在作為配線材料使用CVD-Cu膜時，如圖5所示，進行CVD-Cu膜111的成膜直到將導通孔108和溝109全部埋住，配線和插頭均由CVD-Cu膜111形成。另外，在作為鍍Cu的晶種膜使用CVD-Cu膜時，如圖6所示，在CVD-Ru膜110的表面形成薄層CVD-Cu膜111。然後，這樣操作而形成Cu膜之後，進行清掃工序。在清掃工序中，停止Cu (hfac) TMVS的供給後，將排氣裝置23的真空泵設為切斷狀態，將載體氣體作為清掃氣體向腔室1 內流入而對腔室1內進行清掃。此時，從儘量迅速地對腔室1內進行清掃的觀點出發，優選斷續地進行載體氣體的供給。
清掃工序結束後，打開閘閥G，通過沒有圖示的搬運裝置，經過搬出搬入口 25搬出晶片W。由此，結束1枚晶片W的一系列工序。如圖5所示，配線和插頭均由CVD-Cu膜111形成時，之後，進行CMP(化學機械研磨)除去多餘的Cu部分，如圖7所示，使配線絕緣膜107和CVD-Cu膜111形成一個平面。 另外，如圖6在作為鍍Cu的晶種膜形成薄層CVD-Cu膜111時，之後，如圖8所示，形成鍍Cu 層112，形成配線和插頭，由該狀態進行CMP (化學機械研磨)除去多餘的Cu部分，如圖9所示，使配線絕緣膜107和鍍Cu層112在一個面上。此外，在上述例中，列舉了作為阻擋層(防擴散層)使用CVD-Ru膜110的單層的例子，但如圖10所示，也可以是上層的CVD-Ru膜110和作為下層的高熔點材料膜113的疊層結構。此時，作為下層，能夠使用Ta、TaN、Ti、W、TiN、WN、氧化錳等中的任一種。根據本實施方式，由於能夠抑制副產物向基板上的Ru膜的吸附，因此能夠抑制Cu 原料的吸附抑制以及Cu膜和Ru膜之間的潤溼性降低。因此，能夠在CVD-Ru膜上以高附著性形成平滑且高品質的CVD-Cu膜。然後，對本發明的實施例與比較例比較，同時進行說明。這裡，在Si基板上形成厚度IOOnm的SW2膜，在其上形成由通過濺射法形成的厚度2nm的Ti膜和厚度2nm的CVD-Ru膜構成的阻擋層，將其作為基板使用，作為成膜原料使用Cu(hfac)TMVS，使用圖1所示的裝置形成Cu膜。作為成膜原料使用Cu (hfac) TMVS， 以250mL/min的流量供給，並且作為載體氣體以400mL/min(sccm)的流量供給的吐氣體， 使基座溫度為240 °C，使腔室1內的壓力變化為4. OPa(0. 03Torr) ,6. 65Pa(0. 05Torr), 13. 3Pa (0. ITorr) >20. OPa (0. 15Torr) >40. OPa (0. 3Torr) >66. 5Pa (0. 5Torr)、 ^6Pa(2T0rr)，形成Cu膜。在圖11的10萬倍的掃描型顯微鏡(SEM)照片中表示此時的以各壓力形成Cu膜的初期核的狀態。如圖11所示，在腔室1內的壓力20.01^(0· 15Torr)以下時，確認了 Cu的初期核密集，核密度高。另一方面，可知若超過20. OPa(0. 15Torr)則Cu 的初期核變得稀疏，核密度變低。由該結果確認了 根據本發明，通過將腔室1內的壓力控制為吸附於基底表面的副產物進行脫離和擴散的壓力，能夠提高Cu膜成膜時的核密度。〈本發明的其它應用〉此外，本發明不限於上述實施方式，能夠有各種變形。例如，在上述實施方式中， 示例了作為熱分解產生的副產物的蒸汽壓低於其蒸氣壓的Cu配位化合物使用了 Cu (hfac) TMVS的情況，但並不局限於此。另外，示例了作為成膜的基底使用CVD-Ru膜的情況，但並不局限於此。另外，在上述實施方式中，對液體狀的Cu配位化合物加壓而向氣化器供給，在氣化器使其氣化，但並不局限於此，例如也可以用通過鼓泡等使其氣化而供給等其它方法使其氣化。此外，對成膜裝置也不限於上述實施方式，例如能夠使用設置有用於促進成膜原料氣體的分解的形成等離子體的單元的裝置等的各種裝置。另外，被處理基板的結構並不限於圖2、圖10的結構。另外，雖然說明了作為被處理基板使用半導體晶片的情況，但並不局限於此，也可以使用平板顯示器(FPD)基板等的其它基板。
權利要求
1.一種Cu膜的成膜方法，其特徵在於，包括 在處理容器內收納基板的工序；在所述處理容器內，以氣相狀態導入含有Cu配位化合物的成膜原料的工序，其中，成膜中產生的副產物的蒸汽壓低於成膜原料的蒸汽壓；將所述處理容器內的壓力控制為吸附於基板上的所述副產物進行脫離和擴散的壓力的工序；和使所述氣相狀態的成膜原料在基板上分解，通過CVD法在基板上沉積Cu，形成Cu膜的工序。
2.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於作為所述基板，使用在表面具有通過CVD法成膜得到的Ru膜的基板，在該Ru膜上形成 Cu膜。
3.如權利要求2所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於 所述Ru膜是使用Ru3(CO) 12作為成膜原料形成的膜。
4.如權利要求2所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於 所述Ru膜作為防擴散膜的全部或一部分使用。
5.如權利要求4所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於 所述防擴散膜中，作為所述Ru膜的下層，具有高熔點材料膜。
6.如權利要求5所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於所述高熔點材料膜由選自Ta、TaN, Ti、W、TiN, WN和氧化錳中的至少一種構成。
7.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於 所述Cu配位化合物是1價的β - 二酮配位化合物。
8.如權利要求7所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於所述Cu配位化合物是六氟乙醯丙酮-三甲基乙烯基矽烷銅(Cu(hfac)TMVS)，所述副產物是六氟乙醯丙酮銅(Cu(hfac)2)。
9.如權利要求8所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於作為所述基板，使用在表面具有通過CVD法成膜得到的Ru膜的基板，使所述處理容器內的壓力為201^(0. 15Torr)以下，在所述Ru膜上形成Cu膜。
10.如權利要求9所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於 所述Ru膜是使用Ru3(CO) 12作為成膜原料形成的膜。
11.如權利要求9所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於 所述Ru膜作為防擴散膜的全部或一部分使用。
12.如權利要求11所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於 所述防擴散膜中，作為所述Ru膜的下層，具有高熔點材料膜。
13.如權利要求12所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於所述高熔點材料膜由選自Ta、TaN, Ti、W、TiN, WN和氧化錳中的至少一種構成。
14.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於 作為配線材料使用所得到的Cu膜。
15.如權利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特徵在於 作為鍍Cu的晶種膜使用所得到的Cu膜。
16. 一種存儲介質，存儲在計算機上運行、用於控制成膜裝置的程序，其特徵在於 所述程序在執行時，在計算機中控制所述成膜裝置，使其執行成膜方法，所述成膜方法包括在處理容器內收納基板的工序；在所述處理容器內，以氣相狀態導入含有Cu配位化合物的成膜原料的工序，其中，成膜中產生的副產物的蒸汽壓低於成膜原料的蒸汽壓；將所述處理容器內的壓力控制為吸附於基板上的所述副產物進行脫離和擴散的壓力的工序；和使所述氣相狀態的成膜原料在基板上分解，通過CVD法在基板上沉積Cu，形成Cu膜的工序。
全文摘要
在腔室(1)內收納具有CVD-Ru膜的晶片W，在腔室(1)內以氣相狀態導入含有作為Cu配位化合物的Cu(hfac)TMVS的成膜原料，其中，作為成膜中產生的副產物Cu(hfac)2的蒸汽壓低於成膜原料的蒸汽壓，在形成於晶片W的CVD-Ru膜上形成CVD-Cu膜時，將腔室1內壓力控制為吸附於CVD-Ru膜表面的Cu(hfac)2的進行脫離和擴散的壓力。
文檔編號H01L21/285GK102317499SQ20108000821
公開日2012年1月11日 申請日期2010年1月28日 優先權日2009年2月17日
發明者小島康彥, 檜皮賢治 申請人:東京毅力科創株式會社