光電存儲器裝置及其操作方法

2023-12-11 16:52:52

專利名稱：光電存儲器裝置及其操作方法
技術領域：
本發明涉及存儲器裝置，更具體地說，涉及光電存儲器裝置。
背景技術：
在典型的半導體存儲器裝置中，存儲單元通常包括一個或多個電晶體，並且能夠根據該存儲單元的某個節點的電壓電位存儲兩個可能值中的一個。例如，如果該節點電壓為5v，那麼該存儲單元可以被認為存儲1，如果該節點電壓為0v，那麼存儲0。因此，該存儲單元是一種電子存儲器單元。為了寫入該電子存儲器單元，合適的電壓電位被施加到該電子存儲器單元的節點(或另一節點)。為了讀取該電子存儲器單元的內容，可以通過傳感放大器(sense-amp)電路感測並隨後放大該電子存儲器單元的節點(或另一節點)的電壓電位。但是，電數位訊號的傳輸通常比光數位訊號的傳播慢。因此，如果可以光學地執行寫和讀周期的一種或兩種，那麼存儲單元的寫和讀周期的速度將增加。由此，需要一種光電存儲器裝置，(a)能夠光學地(即，通過光)或電學地(通過施加電壓)寫入和/或(b)能夠光學地(即，通過光)或電學地(通過感測電壓)讀出。

發明內容
本發明提供一種方法，包括在襯底上提供電阻/反射區，其中所述電阻/反射區包括一種材料，所述材料具有由於其相變而改變其反射係數的特性；通過所述電阻/反射區發送電流，以使所述電阻/反射區的反射係數從第一反射係數值變為不同於所述第一反射係數值的第二反射係數值；以及光學地讀出所述電阻/反射區的反射係數變化。
本發明還提供一種方法，包括在襯底上提供電阻/反射區，其中所述電阻/反射區包括一種材料，所述材料具有由於其吸收熱量而改變其電阻的特性；將雷射束投射在所述電阻/反射區上，以使所述電阻/反射區的電阻從第一電阻值變為不同於所述第一電阻值的第二電阻值；以及電讀出所述電阻/反射區的電阻變化。
本發明還提供一種結構，包括(a)襯底上的N個正常電阻/反射區，N是正整數，其中所述N個正常電阻/反射區包括一種材料，所述材料具有由於其吸收熱量改變其電阻和反射係數的特性；(b)一對一地電耦合到所述N個正常電阻/反射區的N個傳感放大器電路，其中，所述N個傳感放大器電路的每個傳感放大器電路適於識別相關的正常電阻/反射區的電阻變化；以及(c)與所述N個正常電阻/反射區光學地耦合的光源/光探測器件，其中所述光源/光探測器件適於識別所述N個正常電阻/反射區的每個正常電阻/反射區的反射係數變化。
本發明提供一種光電存儲器裝置，(a)能夠光學地(即，通過光)或電學地(通過施加電壓)寫入和/或(b)能夠光學地(即，通過光)或電學地(通過感測電壓)讀出。


圖1圖示了根據本發明的實施例的光電存儲器裝置。
圖2圖示了根據本發明的實施例的圖1中的光電存儲器裝置的光電存儲單元的一個實施例。
圖3圖示了根據本發明的實施例，施加的電壓脈衝怎樣影響圖2中光電存儲單元的電阻。
圖4圖示了根據本發明的實施例，施加的電壓怎樣影響圖2中光電存儲單元的電阻。
具體實施例方式
圖1圖示了根據本發明的實施例的光電存儲器裝置100。更具體地，該光電存儲器裝置100包括，說明性地，兩個光電存儲單元(OEMC)110a和110r。該光電存儲器裝置100還包括開關120，用於以通過控制信號Va和Vr(下面進一步詳細論述)控制的方式施加電壓電位VCC和VWR到OEMC110a和110r。
該光電存儲器裝置100還包括開關130、傳感放大器(sense-amp)電路140以及光源/光探測器件150。開關130以通過控制信號Vr控制的方式將OEMC 110a和110r電耦合到傳感放大器電路140，而光源/光探測器件150被光學地耦合到OEMC 110a和110r(下面將進一步詳細論述)。
圖2示出了根據本發明實施例的圖1的OEMC 110a的一個實施例。更具體地說，該OEMC 110a包括嵌入介質層240中的電阻/反射區210(在一個實施例中，包括氮化鉭TaN)。在半導體(例如，矽)層250上形成介質層240(在一個實施例中，包括二氧化矽SiO2)。
在一個實施例中，TaN電阻/反射區210通過兩個過孔230a和230b分別電耦合到兩個導線220a和220b。說明性地，導線220a和220b包括鋁(Al)或銅(Cu)或任意其它金屬，而過孔230a和230b包括鎢(W)或銅(Cu)或任意其它金屬。在一個實施例中，OEMC 110a的Al線230a被耦合到開關120(圖1)，而OEMC 110a的Al線230b被耦合到地線(圖1)。
在一個實施例中，OEMC 110a的製造可以由矽層250開始。接下來，在一個實施例中，通過SiO2的CVD(化學汽相澱積)，在矽層250的頂上形成SiO2層240a(二氧化矽層240的下部)。
接下來，在一個實施例中，在SiO2層240a的頂上形成TaN電阻/反射區210。說明性地，通過(i)在SiO2層240a的頂上覆蓋澱積TaN層(未示出)，然後(ii)方向性和選擇性刻蝕該澱積的TaN層，以便使該澱積的TaN層的剩下部分是TaN電阻/反射區210，在SiO2層240a的頂上形成TaN電阻/反射區210。
接下來，在一個實施例中，通過SiO2的說明性CVD，在SiO2層240a和TaN電阻/反射區210的頂上形成SiO2層240b(二氧化矽層240的上部)。結果，TaN電阻/反射區210被嵌入SiO2層240中。
接下來，在一個實施例中，(i)在SiO2層240b中和(ii)與TaN電阻/反射區210電接觸形成兩個鎢過孔230a和230b。說明性地，兩個鎢過孔230a和230b的形成是通過(a)通過任何常規光刻工藝產生兩個孔230a和230b，以致TaN電阻/反射區210通過孔230a和230b被暴露於周圍環境，然後(b)覆蓋澱積鎢層(未示出)，以便用鎢填充該兩個孔230a和230b，然後(c)平整該澱積的鎢層，直到SiO2層240b的上表面242被暴露於周圍環境。
接下來，在一個實施例中，(i)在SiO2層240b的頂上和(ii)分別與兩個鎢過孔230a和230b電接觸形成兩條鋁線220a和220b。說明性地，形成兩條鋁線220a和220b是通過(a)在SiO2層240b和兩個鎢過孔230a和230b的頂上覆蓋澱積鋁層(未示出)，然後(b)方向性和選擇性刻蝕該澱積的鋁層，以便該澱積的鋁層的剩下部分是兩條鋁線220a和220b。
在一個實施例中，OEMC 110r的結構類似於上述OEMC 110a的結構。而且，OEMC 110r以類似於OEMC 110a被耦合到開關120和地線(圖1)的方式耦合到開關120和地線(圖1)。
圖3示出了曲線300，說明根據本發明實施例，施加的電壓脈衝怎樣影響圖2中光電存儲單元110a的TaN電阻/反射區210的電阻。更具體地說，本發明的發明人已經發現橫跨TaN電阻/反射區210(圖2)施加的電壓脈衝改變TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數。該反射係數被定義為被表面反射的光子通量與該表面上入射的光子通量的比率。在一個實施例中，施加的電壓脈衝可以具有三角形形狀。更具體地，施加的電壓脈衝包括從0V增加到峰值電壓然後電壓降回到0V。
本發明的發明人已經發現，對於特定尺寸的TaN電阻/反射區210(圖2)，如果施加的電壓脈衝的峰值電壓在V1和V2(例如，VI和V2分別可以是3V和4V，可用曲線300的B-C段表示)之間，那麼由於該施加的電壓脈衝，TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數改變。更具體地說，在曲線300的B-C段中，施加的電壓脈衝的峰值電壓越高，TaN電阻/反射區210(圖2)的所得電阻和反射係數越高。例如，假定TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻最初是R0，並且橫跨TaN電阻/反射區210(圖2)施加具有V2的峰值電壓的(即，在上面的例子中為4V)的電壓脈衝。在除去該脈衝之後，TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻是R1。還在除去該脈衝之後，TaN電阻/反射區210(圖2)具有更高的反射係數。
應當注意，在以上例子中，TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數的改變相對於曲線300的B-C段是不可逆的。例如，假定上述脈衝被除去之後，橫跨TaN電阻/反射區210(圖2)施加具有V1的峰值電壓(即，在上面例子中是3V)的另一電壓脈衝。TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數不會變回到初始值，而是基本上保持不變(即，電阻為R1)。
圖4A示出了曲線400，說明根據本發明實施例，施加的電壓怎樣影響圖2中光電存儲單元的電阻。更具體地說，本發明的發明人已經發現TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數都響應於0V和V1(在一個例子中，V1＝3V)之間的施加電壓可逆地改變。例如，當施加電壓從0V改變為V1時，TaN的電阻/反射區210(圖2)的電阻從R0增加到R3。此外，儘管未示出，但是TaN電阻/反射區210(圖2)的反射係數增加(即，不是很明顯)。但是，當施加電壓從V1回到0V時，TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數變回到原始值(即，可逆的)。
參照圖1-4A，在一個實施例中，光電存儲器裝置100的操作如下，假定OEMC 110a和110r是在曲線300(圖3)的B-C段中操作。
在一個實施例中，OEMC 110a可以被電寫入。假定在OEMC 110a中寫入1，那麼Va和Vr可以被調整，以便開關120將OEMC 110a電耦合到信號VWR，以致橫跨OEMC 110a施加具有V2的峰值電壓(即，在上面例子中為4V)的信號VWR的電壓脈衝。由於該脈衝，TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻從R0(初始電阻)變成並保持R1。由於該脈衝，TaN電阻/反射區210(圖2)的反射係數增加(即使在該脈衝被去除之後仍保持高值)。
在一個實施例中，OEMC 110a的內容可以被電學地讀出。更具體地說，Va和Vr可以被調整，以便開關120將OEMC 110a和110r電耦合到Vcc，以及開關130將OEMC 110a和110r電耦合到該傳感放大器電路140。因為OEMC 110a的電阻(R1)較高，同時OEMC 110r的電阻保持R0，所以傳感放大器電路140可以識別這種差異(通過比較橫跨OEMC 110a和110r的電壓降)並且由此在其輸出端Vout處產生1，表示OEMC 110a存儲1。應當注意，這裡OEMC 110r被用作用於讀出OEMC 110a的內容的參考存儲單元。
在一個選擇性實施例中，OEMC 110a的內容可以被光學地讀出。更具體地，光源/光探測器件150可以分別產生相同的入射光束162a和162r(例如，雷射)到OEMC 110a和110b，並且可以分別從OEMC 110a和110r接收反射光束164a和164r。在一個實施例中，利用15ns的雷射脈衝持續時間和0.035至0.095uj範圍內的雷射能量，入射雷射束162a和162r具有1.3μm波長。因為OEMC 110a比OEMC 110r更反光(由於上述寫周期過程中施加的電壓脈衝)，光源/光探測器件150可以識別分別來自OEMC 110a和110r的反射光束164a和164r的強度差，並且由此產生1，表示OEMC 110a存儲1。應當注意這裡的OEMC 110r被用作用於讀出OEMC 110a內容的參考存儲單元。
本發明的發明人已發現入射光束(例如，雷射)可以具有與相對於改變TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數的電壓脈衝一樣的效應。這是因為雷射束和電壓脈衝都具有在TaN電阻/反射區210(圖2)中產生熱量的相同效果，引起電阻/反射區210(圖2)的材料的相變，從而導致如上所述的TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數改變。在電壓脈衝的情況下，該電壓脈衝產生穿過TaN電阻/反射區210的電流並由此在TaN電阻/反射區210中產生熱量(圖2)。在雷射的情況下，在TaN電阻/反射區210(圖2)中雷射的能量轉變成熱量。
結果，在一個選擇性實施例中，代替上述電寫入，OEMC 110a可以被光學地寫入。具體地，假定在OEMC 110a中寫入1，那麼光源/光探測器件150在足夠強度下可以產生到OEMC 110a的入射光束162a(例如，雷射)，以便橫跨OEMC 110a施加具有V2的峰值電壓(即，在上面例子中為4V)的電壓脈衝。在一個實施例中，利用15ns的雷射脈衝持續時間和0.6μj至1.5μj範圍內的雷射能量，入射雷射束162a和162r具有1.3μm波長。結果，TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數都增加。隨後可以如上述電和光學地探測TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數的增加。
在一個選擇性實施例中，代替如上所述的曲線300的B-C段的操作，OEMC 110a在曲線400(圖4)X-Y段操作。在曲線400(圖4)X-Y段中操作，OEMC 110a可以被同時電寫入和光學地讀出，由此可用來將電信號轉變成光信號。
更具體地說，在一個實施例中，當施加的電壓是0V(0用於電信號)時，OEMC 110a的TaN電阻/反射區210(圖2)具有第一反射係數。光源/光探測器件150可以探測OEMC110a和110r的反射係數，並由此產生0用於光信號。更具體地說，當施加電壓是VI(1用於電信號)時，OEMC 110a的TaN電阻/反射區210(圖2)具有比第一反射係數更高的第二反射係數。光源/光探測器件150可以探測OEMC 110a和110r的反射係數之間的差異，並由此產生1用於光信號。換句話說，OEMC 110a可用來將電信號轉變成光信號。在一個實施例中，532nm、1064nm或1340nm的雷射波長可以用作用於讀出OEMC 110a的內容的入射雷射束162a和162r，同時OEMC110a在曲線400的X-Y段中操作(圖4)。
類似地，在曲線400(圖4)的X-Y段中操作，OEMC 110a可以同時光學地寫入和電讀出，結果，可以用來將光信號轉變成電信號。在一個實施例中，考慮到入射雷射束162a和162r，OEMC 110a在曲線400(圖4)的X-Y段中操作時用於光學地寫入OEMC 110a的雷射能量比OEMC 110a在曲線300(圖3)的B-C段中操作時光學地讀出OEMC 110a的雷射能量更高，但是低於OEMC 110a在曲線300(圖3)的B-C段中操作時用於光學地寫入OEMC 110a的雷射能量。
更具體地說，在一個實施例中，當入射雷射束162a的強度是零(0用於光信號)時，OEMC 110a的TaN電阻/反射區210(圖2)具有第一電阻。傳感放大器電路140可以為OEMC 110a和110r探測相同的電阻，由此產生0用於電信號。當入射雷射束162a的強度處於較高水平(1用於光信號)時，OEMC 110a的TaN電阻/反射區210(圖2)具有比第一電阻更高的第二電阻。傳感放大器電路140可以探測OEMC 110a電阻和110r之間的電阻差異，並由此產生1用於電信號。換句話說，OEMC 110a可用來將光信號轉變成電信號。
應當注意，因為OEMC 110a在曲線400的X-Y段中操作時TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數的變化小於OEMC 110a在曲線300的B-C段中操作時的變化，所以傳感放大器電路140和光源/光探測器件150需要更靈敏，以便探測TaN電阻/反射區210(圖2)的電阻和反射係數的微小變化。
總之，在曲線300的B-C段中操作，OEMC 110a可以用作一次寫光電存儲單元，在寫入之後，該光電存儲單元可以被多次電讀出或光學地讀出。相反，在曲線400的X-Y段中操作，OEMC 110a可以用作電-光轉換器以用於在電數位訊號和光數位訊號之間來迴轉變。
在一個實施例中，參照圖1，該光電存儲器裝置100可以包括基本上與OEMC 110a相同的N個OEMC(沒有示出)，每個OEMC一樣可以存儲一位信息(N是正整數)。對於這些N個OEMC的每一個，需要(i)寫開關(未示出，但是與開關120類似)，(ii)讀開關(未示出，但是與開關130類似)，以及(iii)傳感放大器電路(未示出，但是與傳感放大器電路140類似)。此外，這些N個OEMC的每個以類似於OEMC 110a的方式被光學地耦合光源/光探測器件150。這些N個OEMC的每個的操作類似於OEMC110a的操作。在一個實施例中，光電存儲器裝置100的所有N個OEMC共享相同的參考OEMC 110r。另外，光電存儲器裝置100的N個OEMC的每個可以具有自己的參考OEMC。
應當注意，以上實施例的描述是充分的，以便本領域的普通技術人員不用過多的試驗就能夠實際操作本發明。
回來參照圖2，在如上所述的實施例中，電阻/反射區210包括氮化鉭TaN。通常，電阻/反射區210可以是包括多個層(未示出)的TaN複合疊層。在一個實施例中，電阻/反射區210可以是SiN/TaN/SiO2/SiN複合疊層、SiN/TaN/SiN複合疊層、SiN/SiO2/TaN/SiN複合疊層或包括TaN芯層的其它任意複合疊層。此外，在如上所述的實施例中，介質層240包括二氧化矽SiO2。選擇性地，介質層240可以包括諸如SiCOH、SiLK以及聚合物等的低K材料。
在如上所述的實施例中，當電阻/反射區210(圖2)吸收來自電壓源或者低能雷射器的少量熱量時，電阻/反射區210(圖2)的電阻增加。圖4A示出電阻/反射區210(圖2)的材料具有正電阻溫度係數(TCR)的情況。另外，當電阻/反射區210(圖2)吸收來自電壓源或者低能雷射器的少量熱量時，電阻/反射區210(圖2)的電阻可能減小。圖4B示出了電阻/反射區210(圖2)的材料具有負TCR的情況。
應當注意，根據TaN膜製造工藝，TaN可以具有正的或者負的TCR。但是，不論電阻/反射區210(圖2)的材料具有正的還是負的TCR，光源/光探測器件150都可以識別來自OEMC 110a和110r的反射光束中的差異(如果有的話)，並且據此操作。
還應注意，圖3和圖4中的電壓值僅用於說明。因此，權利要求的範圍無論如何不能局限於這些值。
同樣，在如上所述的實施例中，當電阻/反射區210(圖2)吸收來自電壓源或者低能雷射器的少量熱量時，電阻/反射區210(圖2)的反射係數增加。另外，當電阻/反射區210(圖2)吸收來自電壓源或者低能雷射器的少量熱量時，電阻/反射區210(圖2)的反射係數可以減小。
還應注意，在可逆或者不可逆的情況下，電阻的增加未必與反射係數的增加並進發生。類似地，在可逆或者不可逆的情況下，電阻的減小未必與反射係數的減小並進發生。例如，本發明的發明人已經發現，對於特定的電阻/反射區210(圖2)，在某些熱吸收水平下，樣品210的電阻增加至初始阻抗值以上，同時該反射係數降至初始反射係數以下。但是在某個更高的熱吸收水平下，樣品210的電阻降至初始阻抗值以下，而同時該反射係數增加至初始反射係數以上。
儘管為了說明，在此已描述了本發明特定的實施例，但是對於所屬領域的技術人員來說許多改進和變化的明顯的。因此，附加權利要求旨在覆蓋屬於發明的真正精神和範圍內的所有改進和改變。
權利要求
1.一種方法，包括以下步驟在襯底上提供電阻/反射區，其中所述電阻/反射區包括一種材料，所述材料具有由於其相變而改變其反射係數的特性；通過所述電阻/反射區發送電流，以使所述電阻/反射區的反射係數從第一反射係數值變為不同於所述第一反射係數值的第二反射係數值；以及光學地讀出所述電阻/反射區的反射係數變化。
2.根據權利要求1的方法，其中所述材料包括TaN。
3.根據權利要求1的方法，其中所述通過所述電阻/反射區發送電流的步驟包括橫跨所述電阻/反射區施加電壓。
4.根據權利要求3的方法，其中所述電壓為使在除去所述電壓之後所述電阻/反射區的反射係數仍保持在所述第二反射係數值。
5.根據權利要求3的方法，其中在除去所述電壓之後執行所述光學地讀出所述電阻/反射區的反射係數變化的步驟。
6.根據權利要求1的方法，其中所述通過所述電阻/反射區發送電流的步驟包括保持橫跨所述電阻/反射區的電壓電位，以引起所述反射係數變化，其中橫跨所述電阻/反射區保持所述第一反射係數值，所述值對應於沒有電壓電位，以及其中橫跨所述電阻/反射區保持所述第二反射係數值，所述值對應於所述電壓電位。
7.根據權利要求6的方法，其中所述電壓電位為使所述電阻/反射區的反射係數變化是可逆的。
8.根據權利要求6的方法，其中在橫跨所述電阻/反射區施加所述電壓電位的同時，執行所述光學地讀出所述電阻/反射區的反射係數變化的步驟。
9.根據權利要求1的方法，其中所述光學地讀出所述電阻/反射區的反射係數變化的步驟包括以下步驟發送第一入射雷射束到所述電阻/反射區；接收來自所述電阻/反射區的第一反射光束，其中所述第一反射光束是所述第一入射雷射束反射離開所述電阻/反射區的結果；發送第二入射雷射束到另一參考電阻/反射區，其中所述另一參考電阻/反射區與所述電阻/反射區基本上相同；接收來自所述另一參考電阻/反射區的第二反射光束，其中所述第二反射光束是所述第二入射雷射束反射離開所述另一參考電阻/反射區的結果；以及比較所述第一反射光束和所述第二反射光束的光束強度。
10.一種方法，包括以下步驟在襯底上提供電阻/反射區，其中所述電阻/反射區包括一種材料，所述材料具有由於其吸收熱量而改變其電阻的特性；將雷射束投射在所述電阻/反射區上，以使所述電阻/反射區的電阻從第一電阻值變為不同於所述第一電阻值的第二電阻值；以及電讀出所述電阻/反射區的電阻變化。
11.根據權利要求10的方法，其中所述材料包括TaN。
12.根據權利要求10的方法，其中所述雷射束的強度為使所述電阻/反射區的電阻變化是不可逆的。
13.根據權利要求10的方法，其中所述雷射束的強度為使所述電阻/反射區的電阻變化是可逆的。
14.根據權利要求10的方法，其中在執行所述電讀出所述電阻/反射區的電阻變化的步驟的同時，保持將所述雷射束投射在所述電阻/反射區上。
15.根據權利要求10的方法，其中所述電讀出所述電阻/反射區的電阻變化的步驟包括比較橫跨所述電阻/反射區的第一電壓降和橫跨另一參考電阻/反射區的第二電壓降，其中所述另一參考電阻/反射區基本上與所述電阻/反射區相同。
16.一種結構，包括(a)襯底上的N個正常電阻/反射區，N是正整數，其中所述N個正常電阻/反射區包括一種材料，所述材料具有由於其吸收熱量改變其電阻和反射係數的特性；(b)一對一地電耦合到所述N個正常電阻/反射區的N個傳感放大器電路，其中，所述N個傳感放大器電路的每個傳感放大器電路適於識別相關的正常電阻/反射區的電阻變化；以及(c)與所述N個正常電阻/反射區光學地耦合的光源/光探測器件，其中所述光源/光探測器件適於識別所述N個正常電阻/反射區的每個正常電阻/反射區的反射係數變化。
17.根據權利要求16的結構，其中所述材料包括TaN。
18.根據權利要求16的結構，還包括與所述N個正常電阻/反射區一一對應的N個參考電阻/反射區，其中對於i＝1，...，N，所述N個傳感放大器電路的第i個傳感放大器電路適於識別所述N個正常電阻/反射區的第i個正常電阻/反射區和所述N個參考電阻/反射區的第i個參考電阻/反射區之間的第i個電阻差。
19.根據權利要求18的結構，其中對於j＝1，...，N，所述光源/光探測器件適於識別所述N個正常電阻/反射區的第j個正常電阻/反射區和所述N個參考電阻/反射區的第j個參考電阻/反射區之間的第j個反射係數差。
20.根據權利要求16的結構，其中對於k＝1，...，N，所述光源/光探測器件適於發送第k個正常入射光束到所述N個正常電阻/反射區的第k個正常電阻/反射區，接收來自所述第k個正常電阻/反射區的第k個正常反射光束，其中所述第k個正常反射光束是所述第k個正常入射光束反射離開所述第k個正常電阻/反射區的結果，發送第k個參考入射光束到所述N個參考電阻/反射區的第k個參考電阻/反射區，接收來自所述第k個參考電阻/反射區的第k個參考反射光束，其中所述第k個參考反射光束是所述第k個參考入射光束反射離開所述第k個參考電阻/反射區的結果，以及比較所述第k個正常反射光束和所述第k個參考反射光束的光束強度。
全文摘要
一種結構及用於操作該結構的方法。該方法包括在襯底上提供電阻/反射區，其中所述電阻/反射區包括一種材料，所述材料具有由於其吸收熱而改變其反射係數的特性；通過所述電阻/反射區發送電流，以使所述電阻/反射區的反射係數從第一反射係數值變為不同於所述第一反射係數值的第二反射係數值；以及光學地讀出所述電阻/反射區的反射係數變化。
文檔編號G11C11/42GK1921010SQ200610115059
公開日2007年2月28日 申請日期2006年8月23日 優先權日2005年8月23日
發明者F·陳, T·C·李, T·D·蘇利文, R·S·孔特勞, C·D·馬齊, T·M·萊文 申請人:國際商業機器公司