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有機發光二極體顯示器像素電路數據更新裝置的製作方法

2023-12-08 16:13:06 2

專利名稱:有機發光二極體顯示器像素電路數據更新裝置的製作方法
技術領域:
本發明關於一種有機發光二極體(organic light emitting diode)顯示器像素(pixel)電路中數據的更新裝置。
背景技術:
顯示器像素電路所消耗的功率以CV2F計算。其中C為電容值,F則為幀更新頻率(frame rate),亦即每秒更新多少次幀。電容值與幀更新頻率均和顯示面板的大小及清晰度有關。V為驅動電壓值,和電晶體本身性能有關。
常規技術中有機發光二極體顯示器像素電路100如圖1。該像素電路100包含一有機發光二極體102及一電容104,該電容104用於存儲數據。可以看到其中並無更新(refreshing)裝置供待機(idling)時使用。待機時若仍以相同的幀更新頻率來更新幀,功率損耗較大。若有一個待機時能以較低頻率更新幀的更新裝置,即可降低功率損耗。

發明內容
本發明即在提供一種有機發光二極體顯示器像素電路中數據的更新裝置。該更新裝置使用於待機時,能以較低頻率更新幀而降低功率損耗。
本發明提供一種有機發光二極體顯示器像素電路中數據的更新裝置。其中數據為一電壓值,存儲於顯示器像素電路的一電容中。該更新裝置包含一數據更新電路。該數據更新電路包含一電壓傳輸端,一第一控制信號輸入端,以及一第二控制信號輸入端。其中電壓傳輸端與電容連接。第一與第二控制信號輸入端用於輸入第一與第二控制信號,以控制數據更新電路讀入電壓值及/或將電壓值寫回的時機及/或期間。本發明即利用第一與第二控制信號使該更新裝置可以較低頻率更新數據,而得降低功率損耗。
其中數據更新電路的較佳實施例可包含一記憶電路,一第一開關單元及一第二開關單元。其中記憶電路包含一第一電壓傳輸端及一第二電壓傳輸端。第一電壓傳輸端用於記憶電路讀入電壓值。第二電壓傳輸端用於記憶電路寫回電壓值。記憶電路用於記憶電壓值。第一開關單元包含一第一端,一第二端與一第三端。其中第一端與所述電壓傳輸端連接。第二端與第一電壓傳輸端連接。第三端與所述第一控制信號輸入端連接。第二開關單元還包含一第一端,一第二端與一第三端。其中第一端與所述電壓傳輸端連接。第二端與第二電壓傳輸端連接。第三端與所述第二控制信號輸入端連接。
所述第一開關單元及第二開關單元的較佳實施例為薄膜電晶體。薄膜電晶體包含源極,漏極與柵極。其中源極用作開關單元的第一端。漏極用作開關單元的第二端。柵極則用作開關單元的第三端。
所述記憶電路的較佳實施例利用兩個反相器實現。其中第一反相器與第二反相器各自包含一第一端與一第二端。第一反相器的第一端與第二反相器的第二端連接。第一反相器的第二端與第二反相器的第一端連接。第一反相器的第一端與所述第二電壓傳輸端連接。


為解釋本發明的原理,參照附圖並做以下的敘述。其中類似的編號表示類似的元件;圖1為常規技術中有機發光二極體顯示器像素電路示意圖;圖2為本發明較佳實施例與有機發光二極體顯示器像素電路結合的示意圖;以及圖3為本發明中第一控制信號與第二控制信號的一實施例。
附圖元件符號說明100、200像素電路102、202有機發光二極體104、204電容206更新裝置208數據更新電路 210電壓傳輸端212第一控制信號輸入端 214第二控制信號輸入端316記憶電路 218第一薄膜電晶體2182第一薄膜電晶體的源極2184第一薄膜電晶體的漏極2186第一薄膜電晶體的柵極220第二薄膜電晶體2202第二薄膜電晶體的源極2204第二薄膜電晶體的漏極2206第二薄膜電晶體的柵極222第一電壓傳輸端224第二電壓傳輸端 226第一反相器
2262第一反相器的第一端2264第一反相器的第二端228第二反相器 2282第二反相器的第一端2284第二反相器的第二端具體實施方式

本發明提供一種有機發光二極體顯示器像素電路中數據的更新裝置。主要精神在以較低頻率更新數據,而得以降低功率損耗。本發明較佳實施例與有機發光二極體顯示器像素電路結合的示意圖如圖2。所得像素電路200中數據為一電壓值,存儲於像素電路200的一電容204中。該更新裝置206包含一數據更新電路208。該數據更新電路208包含一電壓傳輸端210,一第一控制信號輸入端212,以及一第二控制信號輸入端214。其中電壓傳輸端210與電容204連接。第一控制信號輸入端212與第二控制信號輸入端214用於輸入第一控制信號CS1與第二控制信號CS2,以控制數據更新電路208讀入電壓值及/或將電壓值寫回的時機及/或期間。
當顯示器進入待機狀態,即由該更新裝置206接管數據的更新。其更新過程可舉例如下。第一控制信號輸入端212給予數據更新電路208一第一控制信號CS1,告知數據更新電路208讀入電容204的電壓值。數據更新電路208則通過電壓傳輸端210讀入電壓值並記憶之。一段預定時間後,第二控制信號輸入端214給予數據更新電路208一第二控制信號CS2,告知數據更新電路208寫回電壓值至電容204。其主要精神在於利用第一控制信號CS1與第二控制信號CS2控制幀更新頻率。幀更新頻率較低即可降低功率損耗。該第一與第二控制信號的一實施例如圖3。其中CS1為第一控制信號,CS2則為第二控制信號。
仍參考圖2。該較佳實施例的數據更新電路208還包含一記憶電路216,一第一薄膜電晶體218及一第二薄膜電晶體220。其中第一薄膜電晶體218與第二薄膜電晶體220分別用作第一與第二開關單元。記憶電路216包含一第一電壓傳輸端222及一第二電壓傳輸端224。第一電壓傳輸端222用於記憶電路216讀入電壓值。第二電壓傳輸端224用於記憶電路216寫回電壓值。記憶電路216用於記憶電壓值。第一薄膜電晶體218包含一源極2182,一漏極2184與一柵極2186。其中源極2182與電壓傳輸端210連接。漏極2184與第一電壓傳輸端222連接。柵極2186與第一控制信號輸入端212連接。第二薄膜電晶體220還包含一源極2202,一漏極2204與一柵極2206。其中源極2202與電壓傳輸端210連接。漏極2204與第二電壓傳輸端224連接。柵極2206與第二控制信號輸入端214連接。
仍參考圖2。於該較佳實施例中,記憶電路216利用兩個反相器226、228實現。第一反相器226的第一端2262與第二反相器228的第二端2284連接。第一反相器226的第二端2264與第二反相器228的第一端2282連接。第一反相器226的第二端2264與第一電壓傳輸端222連接。第二反相器228的第一端2282與第二電壓傳輸端224連接。
上述說明並非對本發明範疇的限制,且上述說明以及各種改變與均等性的安排皆於本發明權利要求意欲保護的範疇內。
權利要求
1.一種顯示器像素電路中數據的更新裝置,用於更新該數據,該數據為一電壓值,該電壓值存儲於該顯示器像素電路的一電容中,該更新裝置包含一數據更新電路,該數據更新電路包含一電壓傳輸端,該電壓傳輸端與該電容連接;以及一第一控制信號輸入端,用於輸入一第一控制信號,以控制該數據更新電路讀入該電壓值及/或將該電壓值寫回的時機及/或期間。
2.如權利要求1所述的更新裝置,其中該顯示器像素電路包含一有機發光二極體。
3.如權利要求2所述的更新裝置,其中該數據更新電路還包含一第二控制信號輸入端,用於輸入一第二控制信號,以控制該數據更新電路讀入該電壓值及/或將該電壓值寫回的時機及/或期間。
4.如權利要求3所述的更新裝置,其中該數據更新電路還包含一記憶電路,該記憶電路包含一第一電壓傳輸端及一第二電壓傳輸端;一第一開關單元,該第一開關單元包含一第一端與該電壓傳輸端連接,該第一開關單元包含一第二端與該第一電壓傳輸端連接,該第一開關單元包含一第三端與該第一控制信號輸入端連接;以及一第二開關單元,該第二開關單元包含一第一端與該電壓傳輸端連接,該第二開關單元包含一第二端與該第二電壓傳輸端連接,該第二開關單元包含一第三端與該第二控制信號輸入端連接;其中該第二電壓傳輸端用於該記憶電路讀入該電壓值,該第二電壓傳輸端用於該記憶電路寫回該電壓值,該記憶電路用於記憶該電壓值。
5.如權利要求4所述的更新裝置,其中該第一開關單元為一薄膜電晶體,該薄膜電晶體包含一源極用作該第一開關單元的第一端,該薄膜電晶體包含一漏極用作該第一開關單元的第二端,該薄膜電晶體包含一柵極用作該第一開關單元的第三端。
6.如權利要求4所述的更新裝置,其中該第二開關單元為一薄膜電晶體,該薄膜電晶體包含一源極用作該第二開關單元的第一端,該薄膜電晶體包含一漏極用作該第二開關單元的第二端,該薄膜電晶體包含一柵極用作該第二開關單元的第三端。
7.如權利要求4所述的更新裝置,其中該記憶電路還包含一第一反相器,該第一反相器包含一第一端及一第二端;以及一第二反相器,該第二反相器包含一第一端及一第二端;其中該第一反相器的第一端與該第二反相器的第二端連接,該第一反相器的第二端與該第二反相器的第一端連接,該第一反相器的第二端與該第一電壓傳輸端連接,該第二反相器的第一端與該第二電壓傳輸端連接。
全文摘要
本發明提供一種有機發光二極體顯示器像素電路中數據的更新裝置。其中數據為一電壓值,存儲於顯示器像素電路的一電容中。該更新裝置包含一數據更新電路。該數據更新電路包含一電壓傳輸端,一第一控制信號輸入端及一第二控制信號輸入端。其中電壓傳輸端與電容連接。第一與第二控制信號輸入端用於輸入第一與第二控制信號,以控制數據更新電路讀入電壓值及/或將電壓值寫回的時機及/或期間。
文檔編號G09G3/32GK1713259SQ200410049090
公開日2005年12月28日 申請日期2004年6月15日 優先權日2004年6月15日
發明者薛瑋傑, 石安, 蔡耀銘 申請人:統寶光電股份有限公司

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