直拉法生產18吋太陽能用矽單晶的熱場裝置的製作方法

2023-12-09 22:11:51 2

專利名稱：直拉法生產18吋太陽能用矽單晶的熱場裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及18時太陽能用矽單晶片的生產設備，具體是一種用直拉法生產矽單晶的生產設備中的直拉法生產18時太陽能用矽單晶的熱場裝置。
背景技術：
普通的直拉法生產矽單晶的熱場裝置通常包括有外殼、安裝在外殼中心的石墨坩堝、位於石墨坩堝內的石英坩堝、位於石墨坩堝外圍的加熱電極和位於石英坩堝內側的導流筒，生產過程中，石英坩堝內的原料經過加熱和局部冷卻並拉伸生長形成圓柱狀的矽單晶。傳統結構中，熱場裝置中各部件的相對位置設置不合理，不易形成較好的溫度梯度，不利於拉晶過程的穩定和拉晶速度的提高。

發明內容本實用新型所要解決的技術問題是，提供一種溫度梯度合理，氣體在裝置內的分布合理，可獲得的固液界面形狀和較高的拉晶速度的直拉法生產18時太陽能用矽單晶的熱場裝置。 本實用新型的直拉法生產18時太陽能用矽單晶的熱場裝置包括有外殼、安裝在外殼中心的石墨坩堝、位於石墨坩堝內的石英坩堝、位於石墨坩堝外圍的加熱電極和位於石英坩堝內側的導流筒，所述加熱電極在上、下方向上的長度為120-150毫米，加熱電極的上沿距離導流筒的最短距離為60-85毫米之間，所述石墨坩堝低於石英坩堝20-30毫米。[0005] 本實用新型通過各個裝置部件之間的相對位置，及材料熱性能的選擇，形成比較
合適的溫度梯度，可以保證在拉晶時有較高的拉速，較好的固液界面形狀，氣體在裝置內的分布合理，有利於太陽能用單晶在較高的拉速下生長，獲得平坦的固液界面。

圖1是本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
如圖所示，該直拉法生產18時太陽能用矽單晶的熱場裝置包括有外殼1、安裝在外殼中心的石墨坩堝2、位於石墨坩堝內的石英坩堝3、位於石墨坩堝外圍的加熱電極4和位於石英坩堝內側的導流筒5。所述加熱電極在上、下方向上的長度為120-150毫米，形成的加熱器上沿距離導流筒的最短距離為60-85毫米之間，所述石墨坩堝低於石英坩堝20-30毫米。
權利要求一種直拉法生產18時太陽能用矽單晶的熱場裝置，包括有外殼、安裝在外殼中心的石墨坩堝、位於石墨坩堝內的石英坩堝、位於石墨坩堝外圍的加熱電極和位於石英坩堝內側的導流筒，其特徵是所述加熱電極在上、下方向上的長度為120-150毫米，加熱電極的上沿距離導流筒的最短距離為60-85毫米之間，所述石墨坩堝低於石英坩堝20-30毫米。
專利摘要本實用新型涉及18吋太陽能用矽單晶片的生產設備，具體是一種用直拉法生產矽單晶的生產設備中的直拉法生產18吋太陽能用矽單晶的熱場裝置。該裝置包括有外殼、安裝在外殼中心的石墨坩堝、位於石墨坩堝內的石英坩堝、位於石墨坩堝外圍的加熱電極和位於石英坩堝內側的導流筒，所述加熱電極在上、下方向上的長度為120-150毫米，加熱電極的上沿距離導流筒的最短距離為60-85毫米之間，所述石墨坩堝低於石英坩堝20-30毫米。本實用新型可以保證在拉晶時有較高的拉速，較好的固液界面形狀，氣體在裝置內的分布合理，有利於太陽能用單晶在較高的拉速下生長，獲得平坦的固液界面。
文檔編號C30B15/14GK201530877SQ20092004295
公開日2010年7月21日 申請日期2009年6月30日 優先權日2009年6月30日
發明者張錦根, 施海明, 鄂林, 陸景剛 申請人:鎮江環太矽科技有限公司