半導體裝置用基板的洗滌液及洗滌方法
2023-11-05 10:34:47 5
專利名稱：半導體裝置用基板的洗滌液及洗滌方法
技術領域：
本發明涉及半導體裝置用基板的洗滌液及半導體裝置用基板的洗滌方法。特別涉及下述洗滌液以及採用了該洗滌液的洗滌方法，所述洗滌液在短時間內去除粘附於在表面的一部分或全部表面具有金屬配線、低介電常數(Low-k)絕緣膜等的半導體裝置用基板上的微粒(particle)、有機汙染、金屬汙染而不腐蝕金屬配線。
背景技術：
在微處理器、存儲器、CCD等半導體裝置或TFT液晶等平板顯示裝置的製造工序中，在矽、二氧化矽(SiO2)或玻璃等基板表面以亞微米至亞0.1微米的尺度進行圖案形成或薄膜形成，在製造的各工序中降低該基板表面的微量汙染成為極為重要的課題。在基板表面的汙染中，特別是微粒汙染、有機物汙染及金屬汙染會降低裝置的電特性及收率，因此有必要在進入下一道工序之前極力減少上述汙染。為了去除這樣的汙染，一般利用洗滌液來進行基板表面的洗滌。對於該洗滌，要求無副作用、在短時間內再現性良好地以低成本洗滌出高度清潔的表面。這種要求的水平隨著近年來裝置的高集成化、低價格化一起變得日益嚴格。
在最近的半導體裝置製造工序中，為了使裝置高速化·高集成化，導入作為配線的低電阻值的新金屬材料(銅等)、作為層間絕緣膜的低介電常數(Low-k)的材料。此外，為了形成配線，CMP(Chemical MechanicalPolishing，化學機械拋光)技術的應用不斷發展。在工序之間的洗滌中，採用以往的將酸性或鹼性溶液與過氧化氫進行混合的RCA洗滌時，對配線材料有腐蝕，因而不能使用。此外，由於多數低介電常數絕緣膜的表面是疏水性的，因而對洗滌液具有排斥作用，由此使其難以進行洗滌。進而，在CMP工序後的洗滌中，存在CMP所用研磨液(slurry)(研磨粒子)對配線或低介電常數絕緣膜的表面具有汙染的問題。為了解決這些課題，一直以來嘗試了各種洗滌技術的應用。
例如，有提案提出了含有下述表面活性劑的洗滌液，該表面活性劑能夠去除微粒汙染及金屬汙染而不腐蝕表面的過渡金屬、並具有特定結構(日本特開2001-284308號公報)。
此外，有提案提出了在分散劑和/或表面活性劑中添加了有機酸化合物的洗滌液，該洗滌液用於去除吸附於具有金屬配線的基板上的金屬雜質及微粒(日本特開2001-007071號公報)。
此外，還有提案提出了含有脂肪族聚羧酸類和表面活性劑的洗滌液，利用該洗滌液可使滴加水時的表面接觸角為大於等於70度的基板的接觸角變為小於等於50度(日本特開2003-318150號公報)。
另外，還有提案提出了含有有機酸和配位劑(complexing agent)的洗滌液，該洗滌液能夠去除微粒及金屬汙染而不腐蝕金屬配線(日本特許第3219020號公報)。
進而，還有提案提出了使表面缺陷大幅度地減少的、將銅和銅合金平坦化的有效方法(日本特開2001-156029號公報)。
此外，還有提案提出了在特定的表面活性劑和水中添加鹼或有機酸的洗滌液，該洗滌液用於去除附著於基板上的微粒及有機汙染而不腐蝕基板表面(日本特開2003-289060號公報)。
發明內容
為了將半導體裝置進一步高速化、高集成化，近年來在銅等低電阻金屬配線材料及被稱為低介電常數材料的新材料的引入方面具有快速發展。為了解決在使用這些材料的半導體裝置製造工序中的基板洗滌的諸多問題，有提案提出了上述那樣的洗滌法，但是卻沒有提出能夠在短時間內充分去除疏水性低介電常數絕緣膜以及易於腐蝕的銅膜表面上的各種汙染的技術，並且要求開發出這樣的技術。
為了有效地洗滌疏水性的低介電常數絕緣膜表面的汙染，利用表面活性劑來提高疏水面的溼潤性是重要的。然而，在以往的技術中，該表面活性劑在使用了超純水的衝洗(rinse)工序中難以被去除(特別是在銅表面)，因此必需長時間的衝洗，具有妨礙縮短洗滌時間的問題。
本發明是為了解決上述問題而完成的，其目的在於提供一種半導體裝置用基板的洗滌液及洗滌方法，該洗滌液能夠同時去除微粒汙染、有機物汙染及金屬汙染而不腐蝕基板表面，並且水衝洗性良好，能夠在短時間內高度清潔基板表面。
為了解決上述課題，本發明人等反覆進行了精心研究，結果發現，含有有機酸、有機鹼成分及表面活性劑的特定pH值的洗滌液不僅能夠同時去除微粒汙染、有機物汙染及金屬汙染而不腐蝕基板表面，而且能夠提高水衝洗性，能夠在短時間內高度清潔基板表面，以至完成了本發明。
而且，本發明具有如下要旨。
1.半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，在半導體裝置用基板的洗滌液中，含有以下成分(a)、(b)、(c)及(d)，而且pH大於等於1.5而小於6.5，成分(a)有機酸；成分(b)有機鹼成分；成分(c)表面活性劑；成分(d)水。
2.如上述1所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述半導體裝置用基板在表面具有金屬配線。
3.如上述1或2所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述半導體裝置用基板在表面具有低介電常數絕緣膜。
4.如上述1～3中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(a)是具有至少1個羧基的碳原子數為1～10的有機化合物。
5.如上述4所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(a)是選自由乙酸、丙酸、草酸、琥珀酸、丙二酸、檸檬酸、酒石酸及蘋果酸組成的組中的至少一種有機酸。
6.如上述1～5中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(b)用以下的通式(I)表示，(R1)4N+OH-…(I)R1表示氫原子，或表示被羥基、烷氧基或滷素取代的或者沒有被取代的烷基，4個R1可以全部相同也可以相互不同，但排除全部同時是氫原子的情況。
7.如上述6所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(b)是具有碳原子數為1～4的烷基和/或碳原子數為1～4的羥烷基的氫氧化季銨。
8.如上述1～7中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(c)是陰離子型表面活性劑。
9.如上述8所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述陰離子型表面活性劑是選自由烷基磺酸或其鹽、烷基苯磺酸或其鹽、烷基二苯醚二磺酸或其鹽、烷基甲基牛磺酸或其鹽、烷基硫酸酯或其鹽、烷基醚硫酸酯或其鹽以及磺基琥珀酸二酯或其鹽組成的組中的至少一種陰離子型表面活性劑。
10.如上述1～9中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(a)的含量為0.05重量％～10重量％。
11.如上述1～10中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(b)的含量為0.01重量％～10重量％。
12.如上述1～11中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(c)的含量為0.0003重量％～0.1重量％。
13.如上述1～12中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(a)和成分(b)的重量比率[成分(a)/成分(b)]為0.8～5。
14.如上述1～13中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(c)和成分(b)的重量比率[成分(c)/成分(b)]為0.01～0.2。
15.半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，使用含有以下成分(a)、(b)、(c)及(d)而且pH大於等於1.5而小於6.5的液體來洗滌半導體裝置用基板，
成分(a)有機酸；成分(b)有機鹼成分；成分(c)表面活性劑；成分(d)水。
16.如上述15所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述半導體裝置用基板在基板表面具有銅膜和低介電常數絕緣膜，而且在CMP處理後洗滌基板。
17.如上述16所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述CMP處理是用含有吡咯系防腐蝕劑的研磨劑進行的。
18.如上述15～17中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述成分(a)是具有至少1個羧基的碳原子數為1～10的有機化合物。
19.如上述18所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述成分(a)是選自由乙酸、丙酸、草酸、琥珀酸、丙二酸、檸檬酸、酒石酸及蘋果酸組成的組中的至少一種有機酸。
20.如上述15～19中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述成分(b)用以下的通式(I)表示，(R1)4N+OH-...(I)R1表示氫原子，或表示被羥基、烷氧基或滷素取代的或者沒有被取代的烷基，4個R1可以全部相同也可以相互不同，但排除全部同時是氫原子的情況。
21.如上述20所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述成分(b)是具有碳原子數為1～4的烷基和/或碳原子數為1～4的羥烷基的氫氧化季銨。
22.如上述15～21中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述成分(c)是陰離子型表面活性劑。
23.如上述22所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述陰離子型表面活性劑是選自由烷基磺酸或其鹽、烷基苯磺酸或其鹽、烷基二苯醚二磺酸或其鹽、烷基甲基牛磺酸或其鹽、烷基硫酸酯或其鹽、烷基醚硫酸酯或其鹽以及磺基琥珀酸二酯或其鹽組成的組中的至少一種陰離子型表面活性劑。
24.如上述15～23中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述成分(a)的含量為0.05重量％～10重量％。
25.如上述15～24中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述成分(b)的含量為0.01重量％～10重量％。
26.如上述15～25中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述成分(c)的含量為0.0003重量％～0.1重量％。
27.如上述15～26中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述成分(a)和成分(b)的重量比率[成分(a)/成分(b)]為0.8～5。
28.如上述15～27中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述成分(c)和成分(b)的重量比率[成分(c)/成分(b)]為0.01～0.2。
通過本發明，能夠同時去除附著於下述半導體裝置用基板的微粒(particle)、有機汙染以及金屬汙染而不腐蝕基板的表面，所述基板的一部分表面或全部表面具有矽等半導體材料、或具有諸如氮化矽、氧化矽、玻璃、低介電常數材料等絕緣材料、或具有過渡金屬或過渡金屬化合物等。而且，本發明方法中所用的洗滌液具有良好的水衝洗性，所以可以在短時間內高度清潔基板表面，因而若將本發明作為在半導體裝置或顯示裝置等的製造工序中的汙染半導體裝置用基板的洗滌處理技術，則在工業上非常有用。在此，水衝洗性良好是指，將洗滌後的基板用水衝洗時，洗滌液、微粒、有機汙染以及金屬汙染易於從基板表面去除。
具體實施例方式
以下詳細說明本發明的實施方式。
本發明的洗滌液含有作為成分(a)的有機酸、作為成分(b)的有機鹼成分、作為成分(c)的表面活性劑、作為成分(d)的水，而且pH大於等於1.5而小於6.5。
在本發明中，所謂成分(a)的有機酸是在水中顯示酸性(pH＜7)的有機化合物的總稱，表示具有羧基(-COOH)、磺基(-SO3H)、酚性羥基(ArOH:Ar是苯基等芳基)、巰基(-SH)等酸性官能團的化合物。所使用的有機酸沒有特別的限定，優選在官能團中具有羧基。更優選的是具有至少1個羧基的碳原子數為1～10的有機化合物。進一步優選碳原子數為1～8，尤其優選碳原子數為1～6。作為羧酸，只要是具有至少1個羧基的羧酸即可，可以適宜地使用單羧酸、二羧酸、三羧酸等。但是，通常羧基為小於等於5。具體可以列舉出甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、異丁酸、戊酸、乙基甲基乙酸、三甲基乙酸、草酸、琥珀酸、丙二酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸等。優選乙酸、丙酸、草酸、琥珀酸、丙二酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸，進一步優選乙酸、草酸、檸檬酸。這些有機酸成分可以單獨使用1種，也可以按任意比例並用大於等於2種有機酸。
為了充分去除汙染，本發明洗滌液中成分(a)的含量相對於洗滌液通常為大於等於0.01重量％，優選大於等於0.05重量％，進一步優選大於等於0.1重量％。然而，如果對基板表面不受到腐蝕及成本方面更為重視，則成分(a)的含量通常為小於等於30重量％，優選小於等於10重量％，進一步優選小於等於2重量％。即使濃度過高也不會獲得更好的效果。
在本發明中，所謂成分(b)的有機鹼成分是在水中顯示鹼性(pH＞7)的有機化合物的總稱。所使用的有機鹼成分沒有特別的限定，可以舉出用下面通式(I)表示的氫氧化季銨、胺類、氨基醇類等。
(R1)4N+OH-…(I)式(I)中，R1表示氫原子，或表示被羥基、烷氧基或滷素取代的或者沒有被取代的烷基，4個R1可以全部相同也可以相互不同，但排除全部同時是氫原子的情況。
作為氫氧化季銨，在上述通式(I)中，R1優選為被羥基、烷氧基或滷素取代的或者沒有被取代的碳原子數為1～4的烷基，特別優選碳原子數為1～4的烷基和/或碳原子數為1～4的羥烷基。作為R1的烷基，可列舉例如甲基、乙基、丙基、丁基等碳原子數為1～4的低級烷基，作為羥烷基可列舉例如羥甲基、羥乙基、羥丙基、羥丁基等碳原子數為1～4的低級羥烷基。
另外，作為胺類可列舉例如三乙胺、乙二胺等，作為氨基醇類可列舉例如單乙醇胺、二乙醇胺、三甲醇胺等。
作為成分(b)，優選為通式(I)表示的氫氧化季銨。該氫氧化季銨具體可以舉出四甲基氫氧化銨(TMAH)、四乙基氫氧化銨、三甲基(羥乙基)氫氧化銨(俗稱膽鹼)、三乙基(羥乙基)氫氧化銨等。
從金屬殘留少、經濟性、洗滌液的穩定性等理由考慮，上述(b)的有機鹼成分中特別優選四甲基氫氧化銨(TMAH)、三甲基(羥乙基)氫氧化銨(俗稱膽鹼)等作為有機鹼成分。這些有機鹼成分可以單獨使用1種，也可以按任意的比例並用大於等於2種。此外，由於氨水易於與金屬配線中所用的銅形成配位體而成為腐蝕的原因，因此不優選使用。
為了獲得充分良好的水衝洗性，本發明洗滌液中的成分(b)的含量相對於洗滌液通常為大於等於0.001重量％，優選大於等於0.01重量％，進一步優選大於等於0.05重量％。然而，如果對獲得高的汙染去除效果和成本方面更為重視，則成分(b)的含量通常為小於等於30重量％，優選小於等於10重量％，進一步優選小於等於2重量％。這是由於如果濃度過高有時反而會降低汙染去除效果。
在本發明中，作為成分(c)所使用的表面活性劑沒有特別的限定，可以舉出陰離子型表面活性劑、非離子型表面活性劑、陽離子型表面活性劑、兩性表面活性劑。陰離子型表面活性劑可以舉出烷基磺酸或其鹽、烷基苯磺酸或其鹽、烷基二苯醚二磺酸或其鹽、烷基甲基牛磺酸或其鹽、烷基硫酸酯或其鹽、烷基醚硫酸酯或其鹽以及磺基琥珀酸二酯或其鹽等。非離子型表面活性劑可以舉出聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯脂肪酸酯等氧化烯型表面活性劑等。陽離子型表面活性劑可以舉出胺鹽型表面活性劑及季銨鹽型表面活性劑。兩性表面活性劑可以舉出胺基酸型兩性表面活性劑及甜菜鹼型兩性表面活性劑等。其中，優選使用陰離子型表面活性劑。進一步優選碳原子數為8～12的烷基苯磺酸或其鹽、碳原子數為8～12的烷基二苯醚二磺酸或其鹽、碳原子數為8～12的烷基甲基牛磺酸或其鹽、碳原子數為8～12的烷基硫酸酯或其鹽、碳原子數為8～12的烷基醚硫酸酯或其鹽、碳原子數為8～12的磺基琥珀酸二酯或其鹽。這些表面活性劑成分可以單獨使用1種，也可以按任意比例並用大於等於2種。
為了充分獲得去除微粒汙染的性能，本發明洗滌液中的成分(c)的含量相對於洗滌液通常為大於等於0.0001重量％，優選大於等於0.0003重量％，進一步優選大於等於0.001重量％。然而，如果對抑制過度發泡及減輕廢液處理的負擔的方面更為重視，則成分(c)的含量通常為小於等於1重量％，優選小於等於0.1重量％，進一步優選小於等於0.05重量％。即使濃度過高也不會得到更好的結果。
另外，作為成分(c)的表面活性劑，有時在普通市售形式中含有1ppm～數千ppm程度的Na、K、Fe等金屬雜質，在這種情況下，成分(c)成為金屬汙染源。因此，在作為成分(c)使用的表面活性劑中含有金屬雜質時，優選將表面活性劑精製後使用，使得各種金屬雜質的含量通常達到小於等於10ppm、優選小於等於1ppm、進一步優選小於等於0.3ppm。作為該精製的方法，例如可適宜地使用下述方法將表面活性劑溶解於水中之後，通過離子交換樹脂，使金屬雜質被樹脂捕捉。通過使用如此精製後的成分(c)，可以得到金屬雜質含量極度降低的洗滌液。
在本發明中，成分(d)使用水。若想得到高度清潔的基板表面，則作為水通常可以使用去離子水，優選使用超純水。此外，可以使用通過水的電分解而得到的電解離子水或者在水中溶存有氫氣的氫水(hydrogenwater)等。
為了抑制基板表面的腐蝕，本發明洗滌液中的pH為大於等於1.5，優選大於等於2，進一步優選大於等於3。但是為了充分去除金屬汙染，pH為小於6.5，優選小於等於6，進一步優選小於等於5。
在本發明的洗滌液中，為了充分獲得金屬汙染的去除效果，成分(a)有機酸和成分(b)有機鹼成分的重量比率[成分(a)/成分(b)]優選為大於等於0.8，進一步優選為大於等於1。但是，如果對抑制基板表面腐蝕的方面更為重視，則該重量比率優選為小於等於5，進一步優選小於等於4。即使重量比率過大也得不到更好的效果。
另外，有機鹼具有促進基板表面的表面活性劑脫離的效果，為了充分得到提高水衝洗性的效果，在本發明的洗滌液中優選所含有的有機鹼成分比表面活性劑多。因此，成分(c)的表面活性劑與成分(b)的有機鹼成分的重量比率[成分(c)/成分(b)]優選為小於等於0.2，進一步優選小於等於0.15。但是，即使有機鹼過多也不會改變效果，因此從重視成本的方面考慮，該重量比率優選為大於等於0.01，進一步優選為大於等於0.05。
對於含有這樣的成分(a)～成分(d)的本發明的洗滌液，在洗滌液中的金屬雜質中，至少Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Cu、Pb、Zn的各自含量為小於等於20ppb，從防止因洗滌導致的半導體裝置用基板的金屬汙染的方面考慮，上述含量優選小於等於5ppb，特別優選小於等於0.1ppb。優選這些金屬雜質的合計含量為小於等於20ppb，尤其優選小於等於5ppb，特別優選小於等於0.1ppb。
在本發明的洗滌液中，除了成分(a)～(d)之外，進而根據需要，也可以含有配位劑。配位劑具有減少基板表面的金屬汙染的效果。配位劑可以使用以往公知的任意配位劑。配位劑的種類可以根據基板表面的汙染程度、金屬種類、基板表面所要求的清潔度水平、配位劑價格、化學穩定性等綜合判斷而進行選擇，例如，可以舉出以下(1)～(4)所示的物質。
(1)具有作為供體原子的氮和羧基和/或膦酸基的化合物例如甘氨酸等胺基酸類，亞氨基二乙酸、次氮基三乙酸、乙二胺四乙酸[EDTA]、反-1，2-環己二胺四乙酸[CyDTA]、二乙三胺五乙酸[DTPA]、三乙四胺六乙酸[TTHA]等含氮羧酸類，乙二胺四(亞甲基膦酸)[EDTPO]、次氮基三(亞甲基膦酸)[NTPO]、丙二胺四(亞甲基膦酸)[PDTMP]等含氮膦酸類等。
(2)具有芳烴環且具有至少2個與構成芳烴環的碳原子直接鍵合的OH基和/或O-基的化合物例如，兒茶酚、間苯二酚、1，2二羥基苯3，5二磺酸鈉(タイロン)等酚類、及其衍生物等。
(3)具有上述(1)～(2)的結構組合的化合物例如，可以舉出下面的(3-1)、(3-2)。
(3-1)乙二胺二鄰羥基苯基乙酸[EDDHA]或其衍生物例如，乙二胺二鄰羥基苯基乙酸[EDDHA]、乙二胺-N，N』-雙[(2-羥基-5-甲基苯基)乙酸][EDDHMA]、乙二胺-N，N』-雙[(2-羥基-5-氯苯基)乙酸][EDDHCA]、乙二胺-N，N』-雙[(2-羥基-5-磺基苯基)乙酸][EDDHSA]等芳香族含氮羧酸類，乙二胺-N，N』-雙[(2-羥基-5-甲基苯基)膦酸]、乙二胺-N，N』-雙[(2-羥基-5-磷基(ホスホ)苯基)膦酸]等芳香族含氮膦酸類。
(3-2)N，N』-雙[(2-羥基苄基)乙二胺-N，N』-二乙酸[HBED]或其衍生物例如，N，N』-雙[(2-羥基苄基)乙二胺-N，N』-二乙酸[HBED]、N，N』-雙[(2-羥基-5-甲基苄基)乙二胺-N，N』-二乙酸[HMBED]、N，N』-雙[(2-羥基-5-氯苄基)乙二胺-N，N』-二乙酸等。
(4)其他例如乙二胺、8-羥基喹啉、鄰菲咯啉等胺類，甲酸、乙酸、草酸、酒石酸等羧酸類，氫氟酸、鹽酸、溴化氫、碘化氫等滷化氫或其鹽，磷酸、縮合磷酸等氧代酸類或其鹽等。
上述配位劑可以使用酸形態的配位劑，也可以使用銨鹽等鹽形態的配位劑。
在上述的配位劑中，從洗滌效果、化學穩定性等理由考慮，優選乙二胺四乙酸[EDTA]、二乙三胺五乙酸[DTPA]等含氮羧酸類，乙二胺四(亞甲基膦酸)[EDTPO]、丙二胺四(亞甲基膦酸)[PDTMP]等含氮膦酸類，乙二胺二鄰羥基苯基乙酸[EDDHA]或其衍生物，N，N』-雙[(2-羥基苄基)乙二胺-N，N』-二乙酸[HBED]等。其中，從洗滌效果的觀點考慮，優選乙二胺二鄰羥基苯基乙酸[EDDHA]、乙二胺-N，N』-雙[(2-羥基-5-甲基苯基)乙酸][EDDHMA]、二乙三胺五乙酸[DTPA]、乙二胺四乙酸[EDTA]、丙二胺四(亞甲基膦酸)[PDTMP]。
上述配位劑可以單獨使用1種，也可以按任意比例並用大於等於2種。
本發明洗滌液中的配位劑的濃度可以根據作為洗滌對象的半導體裝置用基板的汙染金屬雜質的種類和量、基板表面所要求的清潔度水平進行任意選擇。為了充分得到去除汙染及防止附著的效果，一般而言，該濃度通常設為大於等於1ppm，優選大於等於5ppm，進一步優選大於等於10ppm。但是，如果對降低附著於基板表面並在表面處理後仍殘留的可能性及成本方面更為重視，則配位劑的濃度通常設為小於等於10000ppm，優選小於等於1000ppm，進一步優選小於等於200ppm。
另外，在普通市售的試劑中，配位劑含有1ppm～數千ppm程度的Fe、Al、Zn等金屬雜質，因此所使用的配位劑有時成為金屬汙染源。這些金屬雜質在初始階段與配位劑形成穩定的配位體而存在，但在作為洗滌液長時間使用的過程中配位劑分解，則這些金屬雜質從配位劑游離出，附著到洗滌對象的基體表面。因此，本發明所使用的配位劑優選預先精製後使用，通過精製各種金屬雜質的含量通常達到小於等於5ppm，優選小於等於1ppm，進一步優選小於等於0.1ppm。作為該精製方法例如可適宜地採用下述方法在酸性或鹼性溶液中溶解配位劑之後，將不溶性雜質過濾分離後去除，再進行中和而使結晶析出，將該結晶與溶液分離。
另外，本發明的洗滌液在不損害其性能的範圍內，還可以按任意比例含有其他成分。作為其他成分，可列舉例如下述的防腐蝕劑含硫有機化合物(2-巰基噻唑啉、2-巰基咪唑啉、2-巰基乙醇、硫代甘油等)、含氮有機化合物(苯並三唑、3-氨基三唑、N(R2)3(R2彼此可以相同也可以不同，是碳原子數為1～4的烷基和/或碳原子數為1～4的羥烷基)、脲、硫脲等)、水溶性聚合物(聚乙二醇、聚乙烯醇等)、烷基醇類化合物(R3OH(R3是碳原子數為1～4的烷基))等；或為下述的在幹蝕刻後可以期待對牢固附著的聚合物等具有去除效果的蝕刻促進劑硫酸、鹽酸、甲烷磺酸等酸，肼等還原劑，氫、氬、氮等溶存氣體，氫氟酸、氟化銨、BHF(緩衝氫氟酸)等。
本發明洗滌液中所含有的其他成分還可以舉出過氧化氫、臭氧、氧等氧化劑。在半導體裝置用基板的洗滌工序中，洗滌沒有氧化膜的矽(裸矽)基板表面時，通過配合氧化劑，可以抑制因在基板表面的蝕刻導致的表面粗糙，因此是優選的。在本發明的洗滌液中含有過氧化氫等時，洗滌液中的過氧化氫濃度通常被設為大於等於0.01重量％，優選大於等於0.1重量％，通常被設為小於等於5重量％，優選小於等於1重量％。
然而，由與過氧化氫反應後溶解的金屬材料所製成的半導體裝置的配線或裝置元件電極有時會從待洗滌的基板表面露出。這樣的金屬材料可以例舉出銅或鎢等過渡金屬或過渡金屬化合物。此時，洗滌所使用的洗滌液優選實質上不含有過氧化氫。本發明的洗滌液與以往的APM洗滌液不同，即使實質上不含有過氧化氫，也顯示充分的洗滌性能，而不會對這樣的金屬材料帶來負面影響。
另外，在本發明的洗滌液中，「實質上不含有過氧化氫」是指不會由過氧化氫導致待洗滌的基板上的材料(例如銅或鎢等配線材料和電極材料、以及低介電常數膜)的腐蝕或變質等不良影響。即，將這些材料製成半導體裝置時，可充分發揮作為配線或電極等的作用。因此，本發明洗滌液中不含有過氧化氫，即使含有也優選將其含量抑制到儘可能少。其含量例如被設為小於等於10ppm，優選小於等於1ppm，進一步優選小於等於10ppb。
本發明的洗滌液的製備方法可以使用以往公知的方法。可以預先配合本發明洗滌液的構成成分(有機酸、有機鹼成分、表面活性劑、水、根據需要添加的配位劑等、以及其他成分)中的任意2種成分或3種成分或更多種成分，然後混入剩餘的成分；也可以一次混合全部成分。
本發明的洗滌液被用於金屬汙染或微粒汙染問題難以解決的半導體、玻璃、金屬、陶瓷、樹脂、磁性體、超導體等半導體裝置用基板表面的洗滌中。特別優選用於要求高度清潔的基板表面的、半導體元件或顯示裝置用等的半導體裝置用基板的製造工序中的半導體裝置用基板表面的洗滌中。在這些基板表面上，可以存在配線、電極等。配線或電極的材料可以舉出Si、Ge、GaAs等半導體材料，二氧化矽、氮化矽、玻璃、低介電常數材料、氧化鋁、過渡金屬氧化物(氧化鈦、氧化鉭、氧化鉿、氧化鋯等)、(Ba、Sr)TiO2(BST)、聚醯亞胺、有機熱固性樹脂等絕緣材料，鎢、銅、鋁等金屬或它們的合金、矽化物、氮化物等。在此，低介電常數材料是相對介電常數小於等於3.5的材料的總稱。二氧化矽的相對介電常數為3.8～3.9。
本發明的洗滌液不腐蝕金屬表面，而且以短時間的衝洗可以去除易於殘留於金屬表面的表面活性劑，可以提高產量，因此適用於表面具有過渡金屬或過渡金屬化合物的半導體裝置用基板的洗滌中。在此，過渡金屬可以舉出W、Cu、Ti、Cr、Co、Zr、Hf、Mo、Ru、Au、Pt、Ag等，過渡金屬化合物可以舉出這些過渡金屬的氮化物、氧化物、矽化物等。其中，優選鎢和/或銅。
此外，本發明的洗滌液還可適用於表面具有低介電常數層間絕緣膜的半導體裝置用基板的洗滌中。低介電常數材料可以舉出Polyimide(聚醯亞胺)、BCB(Benzocyclobutene，苯並環丁烯)、Flare(Honeywell公司)、SiLK(Dow Chemical公司)等有機聚合物材料，以及FSG(Fluorinatedsilicate glass，氟化矽酸鹽玻璃)等無機聚合物材料，BLACKDIAMOND(Applied Materials公司)、Aurora(日本ASM公司)等SiOC類材料。其中，即使對於Flare、SiLK、BLACK DIAMOND、Aurora等疏水性強的低介電常數絕緣膜，通過使用本洗滌液也能夠在短時間內去除基板表面的汙染。
作為對表面具有銅或低介電常數絕緣膜的基板進行洗滌的工序，特別例如是對銅膜進行CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光)之後的洗滌工序、以及配線上的層間絕緣膜上通過幹蝕刻開孔之後的洗滌工序，可以合適地使用具有上述效果的本發明的洗滌液。
在CMP工序中，使用研磨劑以襯墊(pad)擦拭基板並進行研磨。研磨劑成分包括研磨粒子、氧化劑、分散劑或其他添加劑。研磨粒子可以舉出膠體二氧化矽(SiO2)、鍛制二氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈰(CeO2)等。氧化劑可以舉出過氧化氫、過硫酸銨、硝酸鐵、碘酸鉀等。分散劑可以舉出表面活性劑、KOH、氨水、胺等。其他添加劑可以舉出有機酸(檸檬酸或喹哪啶酸等)或防腐蝕劑等。特別是在銅膜的CMP研磨中，銅膜易於被腐蝕，加入防腐蝕劑是重要的，在防腐蝕劑中優選使用防腐蝕效果好的吡咯系防腐蝕劑。吡咯是指在含有至少2個雜原子的5元環芳香族化合物中至少1個雜原子為氮原子的化合物的總稱。作為除了氮以外的雜原子，熟知的有氧和硫。作為雜原子僅為氮的雜環，可以舉出二唑類、三唑類、四唑類；作為雜原子為氮和氧的雜環，可以舉出噁唑類或異噁唑類、噁二唑類；作為雜原子為氮和硫的雜環，可以舉出噻唑類或異噻唑類、噻二唑類。其中，特別優選使用防腐蝕效果優異的苯並三唑(BTA)類的防腐蝕劑。此外，研磨劑根據其組成可為酸性、中性、鹼性並具有各種pH值，可以根據需要進行選擇。
若將本發明的洗滌液應用於經含有上述防腐蝕劑的研磨劑研磨之後的表面，則從能夠極為有效地去除源自這些防腐蝕劑的汙染的方面考慮，是優異的。即，若研磨劑中存在上述防腐蝕劑，則銅膜表面的腐蝕得到抑制，但其與研磨時溶出的銅離子反應，產生大量的不溶性析出物。本發明的洗滌液可以高效地溶解去除這種不溶性析出物。進而，易於殘留在金屬表面的表面活性劑可以通過短時間的衝洗被去除，從而可以提高產量。本發明的洗滌液特別可適用於以加有吡咯系防腐蝕劑的研磨劑對兼具銅膜和低介電常數絕緣膜的表面進行CMP處理之後的半導體裝置用基板的洗滌中。
本發明的洗滌方法採用使本發明洗滌液與基板直接進行接觸的方法進行。在洗滌液與基板的接觸方法中，可以舉出在洗滌槽中填滿洗滌液後使基板浸漬於其中的浸泡式、一邊使洗滌液從噴嘴流出到基板上一邊使基板高速旋轉的旋轉式、將液體噴霧到基板上來進行洗滌的噴霧式等。對於進行上述洗滌所用的裝置，有同時洗滌收容於盒中的多片基板的批量式洗滌裝置，以及將1片基板安裝在支架上進行洗滌的單片式(sheet-fed)洗滌裝置等。
本發明的洗滌液可以應用於上述任意方法中，從可以在短時間內更有效地去除汙染的角度考慮，優選用於旋轉式或噴霧式的洗滌中。若將其應用於希望縮短洗滌時間、削減洗滌液使用量的單片式洗滌裝置中，則可解決這些問題，因此是優選的。
另外，本發明的洗滌方法，如果與利用物理力的洗滌方法並用，特別是如果與使用了洗滌刷的擦洗洗滌或頻率為大於等於0.5兆赫茲(MHz)的超聲波洗滌並用，則進一步提高微粒汙染的去除性，由此縮短了洗滌時間，因而優選。特別是在CMP之後的洗滌中，使用樹脂制刷進行擦洗洗滌是優選的。樹脂制刷的材質可以任意選擇，例如優選使用PVA(聚乙烯醇)。
進而，在本發明所述的洗滌之前和/或之後，可以組合進行通過水的電分解而得到的電解離子水或在水中溶存有氫氣的氫水的洗滌。
洗滌液的溫度通常設為室溫，在無損性能的範圍內，可以加熱到40℃～70℃左右。
實施例下面舉出實施例和比較例更具體地說明本發明，但只要不超過本發明的要旨，本發明並不限於以下實施例。
在表1～表6中，金屬雜質濃度都表示洗滌劑中所含有的Na、Mg、Al、K、Ca、Cu、Pb、Zn的各濃度。另外，下述縮寫符號分別表示以下的含義。進而，表5中的金屬去除性的單位是濃度×1010atoms/cm2。
TMAH四甲基氫氧化銨N(Et)3三乙胺膽鹼三甲基(羥乙基)氫氧化銨DBS十二烷基苯磺酸DPDSA十二烷基二苯醚二磺酸銨鹽MMTAN-肉豆蔻醯甲基牛磺酸銨MSA甲烷磺酸IPA異丙醇實施例1～12及比較例1～6
(通過擦洗式洗滌進行微粒汙染的洗滌性評價)將帶有銅膜的8英寸矽基板用加有苯並三唑類防腐蝕劑的CMP用研磨液(酸性、含有SiO2粒子)研磨1分鐘後，進行17秒水研磨。採用表1所示配方的洗滌液，利用Multispinner((株)KAIJO制「KSSP-201」)以PVA制的刷子對該CMP研磨後的基板進行刷擦洗滌，去除微粒。以洗滌液進行的洗滌在室溫下進行30秒，然後，將基板用超純水衝洗10秒或30秒，旋轉乾燥，得到完成洗滌的基板。
然後，使用雷射表面檢查裝置(日立電子ENGINEERING公司制「LS-6600」)，測定附著於基板表面的微粒數(粒徑大於等於0.35μm)，結果示於表1中。
由表1可知，採用本發明的半導體裝置用基板洗滌液，可以防止以加有苯並三唑類防腐蝕劑的CMP用研磨液(酸性、含有SiO2粒子)進行研磨之後的銅膜上的微粒汙染，可以高度清潔地進行洗滌，而且衝洗時間也可以大為縮短成10秒。
另外，還確認，即使使用了醋酸或草酸作為成分(a)的有機酸，也可以提高衝洗性，並可得到同樣的效果。
實施例13～14
(用擦洗式洗滌進行微粒汙染的洗滌性評價)將帶有銅膜的8英寸矽基板用加有防腐蝕劑的CMP用研磨液(鹼性、含有SiO2粒子)研磨1分鐘後，進行17秒的水研磨。採用表2所示配方的洗滌液，利用Multispinner((株)KAIJO制「KSSP-201」)以PVA制的刷子對該CMP研磨後的基板進行刷擦洗滌，去除微粒。以洗滌液進行的洗滌在室溫下進行30秒，然後，將基板用超純水衝洗30秒，旋轉乾燥，得到完成洗滌的基板。
然後，使用雷射表面檢查裝置(日立電子ENGINEERING公司制「LS-6600」)，測定附著於基板表面的微粒數(粒徑大於等於0.35μm)，結果示於表2中。
由表2可知，銅膜上的微粒殘存數非常少，採用本發明的半導體裝置用基板洗滌液，可以防止以加有防腐蝕劑的CMP用研磨液(鹼性、含有SiO2粒子)進行研磨之後的銅膜上的微粒汙染，可以高度清潔地進行洗滌。
實施例15～16
(用擦洗式洗滌進行微粒汙染的洗滌性評價)將帶有銅膜的8英寸矽基板用加有苯並三唑類防腐蝕劑的CMP用研磨液(酸性、含有SiO2粒子)研磨1分鐘後，不進行水研磨，結束研磨，將基板取出。以在研磨墊(pad)上殘留有銅汙染的狀態，繼續將帶有Low-k膜(BLACK DIAMOND)的8英寸矽基板用加有苯並三唑類防腐蝕劑的CMP用研磨液(酸性、含有SiO2粒子)研磨1分鐘後，進行17秒鐘的水研磨。採用表3所示配方的洗滌液，利用Multispinner((株)KAIJO制「KSSP-201」)以PVA制的刷子對該CMP研磨後的帶有Low-k膜(BLACKDIAMOND)的基板刷擦洗滌，去除微粒。以洗滌液所進行的洗滌在室溫下進行30秒，然後，將基板用超純水衝洗30秒或60秒，旋轉乾燥，得到完成洗滌的基板。
然後，使用雷射表面檢查裝置(日立電子ENGINEERING公司制「LS-6600」)，測定附著於基板表面的微粒數(粒徑大於等於0.2μm)，結果示於表3中。
由表3可知，採用本發明的半導體裝置用基板洗滌液，即使是通常難以進行洗滌的帶有Low-k膜的基板，也可以防止以加有苯並三唑類防腐蝕劑的CMP用研磨液(酸性、含有SiO2粒子)進行研磨之後的微粒汙染，可以高度清潔地進行洗滌。
實施例17～18
(用擦洗式洗滌進行微粒汙染的洗滌性評價)將帶有銅膜的8英寸矽基板用加有防腐蝕劑的CMP用研磨液(鹼性、含有SiO2粒子)研磨1分鐘後，不進行水研磨，結束研磨，將基板取出。以在研磨墊上殘留有銅汙染的狀態，繼續將帶有Low-k膜(BLACKDIAMOND)的8英寸矽基板用加有防腐蝕劑的CMP用研磨液(鹼性、含有SiO2粒子)研磨1分鐘後，進行17秒鐘的水研磨。採用表4所示配方的洗滌液，利用Multispinner((株)KAIJO制「KSSP-201」)以PVA制的刷子對該CMP研磨後的帶有Low-k膜(BLACK DIAMOND)的基板刷擦洗滌，去除微粒。以洗滌液所進行的洗滌在室溫下進行30秒，然後，將基板用超純水衝洗30秒，旋轉乾燥，得到完成洗滌的基板。
然後，使用雷射表面檢查裝置(日立電子ENGINEERING公司制「LS-6600」)，測定附著於基板表面的微粒數(粒徑大於等於0.2μm)，結果示於表4中。
由表4可知，採用本發明的半導體裝置用基板洗滌液，即使是通常難以進行洗滌的帶有Low-k膜的基板，也可以防止以加有防腐蝕劑的CMP用研磨液(鹼性、含有SiO2粒子)進行研磨之後的微粒汙染，可以高度清潔地進行洗滌。
由表1～表4可知，採用本發明的半導體裝置用基板洗滌液，即使對於銅膜及Low-k膜的任意一種，也可以在以加有苯並三唑類防腐蝕劑的CMP用研磨液(酸性、含有SiO2粒子)及加有防腐蝕劑的CMP用研磨液(鹼性、含有SiO2粒子)的任意一種研磨液進行研磨之後防止微粒汙染，並可以高度清潔地進行洗滌。另外還可知，本發明的半導體裝置用基板洗滌液的衝洗時間可以比以往縮短。
實施例19
(用擦洗式洗滌進行金屬汙染的洗滌性評價)將帶有銅膜的8英寸矽基板用加有苯並三唑防腐蝕劑的CMP用研磨液(酸性、含有SiO2粒子)研磨1分鐘後，不進行水研磨，結束研磨，將基板取出。以在研磨墊上殘留有銅汙染的狀態，繼續將帶有TEOS(四乙氧基矽烷)膜的8英寸矽基板用加有苯並三唑類防腐蝕劑的CMP用研磨液(酸性、含有SiO2粒子)研磨1分鐘後，進行17秒鐘的水研磨。採用表5所示配方的洗滌液，利用Multispinner((株)KAIJO制「KSSP-201」)以PVA制的刷子對該研磨後的帶有TEOS膜的基板進行刷擦洗滌，去除金屬汙染。以洗滌液所進行的洗滌在室溫下進行30秒，然後，將基板用超純水衝洗60秒，旋轉乾燥，得到完成洗滌的基板。
用以下方法分析該基板上的殘留汙染金屬(Fe、Cu)，結果示於表5中。
(殘留汙染金屬的分析方法)用含有0.1重量％氫氟酸和1重量％過氧化氫的水溶液對基板進行處理，以此回收位於基板表面的金屬，使用電感耦合等離子質譜儀(ICP-MS)測定該金屬量，換算成基板表面的金屬濃度(×1010atoms/cm2)。
由表5可知，採用本發明的半導體裝置用基板洗滌液，可以防止金屬汙染，並可以高度清潔地進行洗滌。
實施例20及比較例7
(銅膜蝕刻率評價)將帶有銅膜的8英寸矽基板片(1.5cm×2cm)在表6所示的洗滌液中浸泡3小時。使用電感耦合等離子質譜儀(ICP-MS)測定浸漬後的洗滌液的銅濃度(ppb)，用下式計算洗滌液的銅蝕刻率(nm/min)。
銅蝕刻率(nm/min)＝C×L/G/S/100/HC洗滌液的銅濃度(ppb)L洗滌液量(cm3)G銅的密度(8.95g/cm2)S銅基板片的面積(cm2)H浸漬時間(180min)由表6可知，本發明的半導體裝置用基板洗滌液的銅蝕刻率非常低，可以防止基板上的金屬配線腐蝕，並可以高度清潔地進行洗滌。
由以上結果可知，本發明的洗滌液在以加有防腐蝕劑的CMP用研磨液研磨之後的微粒(particle)去除性優異，且以短時間衝洗的洗滌性也優異。另外，該洗滌液在金屬汙染的去除性及金屬配線的防腐蝕性方面也都同樣發揮出優異的洗滌作用。
另外，在此引用成為本申請優先權要求基礎的日本專利申請2004-032222號(在2004年2月9日向日本特許廳提出申請)的全部說明書的內容，將其作為本發明說明書的公開內容引入本文。
表1
※1金屬雜質濃度表示洗滌劑中含有的Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Cu、pb、Zn的各濃度表2
※1金屬雜質濃度表示洗滌劑中含有的Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Cu、Pb、Zn的各濃度表3
※1金屬雜質濃度表示洗滌劑中含有的Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Cu、Pb、Zn的各濃度表4
※1金屬雜質濃度表示洗滌劑中含有的Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Cu、Pb、Zn的各濃度表5
※1金屬雜質濃度表示洗滌劑中含有的Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Cu、Pb、Zn的各濃度※2單位為濃度×1010atoms/cm2表6
※1金屬雜質濃度表示洗滌劑中含有的Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Cu、Pb、Zn的各濃度
權利要求
1.半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，在半導體裝置用基板的洗滌液中，含有以下成分(a)、(b)、(c)及(d)，而且pH大於等於1.5而小於6.5，成分(a)有機酸；成分(b)有機鹼成分；成分(c)表面活性劑；成分(d)水。
2.如權利要求1所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述半導體裝置用基板在表面具有金屬配線。
3.如權利要求1或2所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述半導體裝置用基板在表面具有低介電常數絕緣膜。
4.如權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(a)是具有至少1個羧基的碳原子數為1～10的有機化合物。
5.如權利要求4所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(a)是選自由乙酸、丙酸、草酸、琥珀酸、丙二酸、檸檬酸、酒石酸及蘋果酸組成的組中的至少一種有機酸。
6.如權利要求1～5中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(b)用以下的通式(I)表示，(R1)4N+OH-…(I)R1表示氫原子，或表示被羥基、烷氧基或滷素取代的或者沒有被取代的烷基，4個R1可以全部相同也可以相互不同，但排除全部同時是氫原子的情況。
7.如權利要求6所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(b)是具有碳數為1～4的烷基和/或碳數為1～4的羥烷基的氫氧化季銨。
8.如權利要求1～7中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(c)是陰離子型表面活性劑。
9.如權利要求8所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述陰離子型表面活性劑是選自由烷基磺酸或其鹽、烷基苯磺酸或其鹽、烷基二苯醚二磺酸或其鹽、烷基甲基牛磺酸或其鹽、烷基硫酸酯或其鹽、烷基醚硫酸酯或其鹽以及磺基琥珀酸二酯或其鹽組成的組中的至少一種陰離子型表面活性劑。
10.如權利要求1～9中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(a)的含量為0.05重量％～10重量％。
11.如權利要求1～10中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(b)的含量為0.01重量％～10重量％。
12.如權利要求1～11中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(c)的含量為0.0003重量％～0.1重量％。
13.如權利要求1～12中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(a)和成分(b)的重量比率[成分(a)/成分(b)]為0.8～5。
14.如權利要求1～13中的任一項所述的半導體裝置用基板的洗滌液，其特徵在於，所述成分(c)和(b)的重量比率[成分(c)/成分(b)]為0.01～0.2。
15.半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，使用含有以下成分(a)、(b)、(c)及(d)而且pH大於等於1.5而小於6.5的液體來洗滌半導體裝置用基板，成分(a)有機酸；成分(b)有機鹼成分；成分(c)表面活性劑；成分(d)水。
16.如權利要求15所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述半導體裝置用基板在基板表面具有銅膜和低介電常數絕緣膜，而且在CMP處理後洗滌基板。
17.如權利要求16所述的半導體裝置用基板的洗滌方法，其特徵在於，所述CMP處理是用含有吡咯系防腐劑的研磨劑進行的。
全文摘要
本發明提供半導體裝置用基板的洗滌液及洗滌方法，所述半導體裝置用基板的洗滌液能夠同時去除微粒汙染、有機物汙染及金屬汙染而不腐蝕基板表面，並且水衝洗性良好，可以在短時間內高度清潔基板表面。所述半導體裝置用基板洗滌液含有成分(a)有機酸、成分(b)有機鹼成分、成分(c)表面活性劑及成分(d)水，該洗滌液的pH大於等於1.5而小於6.5。所述半導體裝置用基板的洗滌方法使用該半導體裝置用基板洗滌液對表面具有銅膜和低介電常數絕緣膜並且經CMP處理的半導體裝置用基板進行洗滌。
文檔編號C11D7/34GK1918698SQ20058000448
公開日2007年2月21日 申請日期2005年2月2日 優先權日2004年2月9日
發明者池本慎, 森永均 申請人:三菱化學株式會社