用於減小垂直裂紋傳播的結構與方法

2023-11-30 03:42:31

用於減小垂直裂紋傳播的結構與方法
【專利摘要】本申請涉及用於減小垂直裂紋傳播的結構與方法。一種設備包括絕緣體和在絕緣體上的各層。這些層中每一層都包括第一金屬導體和位於所述第一金屬導體附近的第二金屬導體。第一金屬導體包括第一垂直堆疊結構，以及第二金屬導體包括第二垂直堆疊結構。至少一個空氣間隙位於第一垂直堆疊的結構和第二垂直堆疊的結構之間。所述間隙可包括金屬填充物。
【專利說明】用於減小垂直裂紋傳播的結構與方法
【技術領域】
[0001]本文的實施例涉及減小半導體設備中的垂直電介質膜裂紋傳播的結構與方法，並且更具體地說，涉及使用位於導電金屬線堆疊之間的一個空氣間隙、一系列空氣間隙和/或金屬虛擬(du_y)填充形狀的內部裂紋停止設計，以防止相鄰金屬線堆疊之間電介質膜中的裂紋傳播。

【發明內容】

[0002]根據一種實施例，一種半導體設備，包括:絕緣體和位於該絕緣體上的垂直堆疊層。每個垂直堆疊層包括第一電介質絕緣體部分、嵌在第一電介質絕緣體部分中的第一金屬導體、覆蓋第一金屬導體的第一氮化物罩、第二電介質絕緣體部分、嵌在第二電介質絕緣體部分中的第二金屬導體以及覆蓋第二金屬導體的第二氮化物罩。層中第一垂直堆疊導體部分與層中第二垂直堆疊導體部分接近或相鄰。堆疊間材料位於第一垂直堆疊導體層和第二垂直堆疊導體層之間，以及該堆疊間材料包括至少一個空氣間隙。
[0003]根據另一種實施例，一種半導體設備，包括:絕緣體和該絕緣體上的層。每一層都包括第一金屬導體和接近該第一金屬導體的第二金屬導體。第一金屬導體包括第一垂直堆疊結構，以及第二金屬導體包括第二垂直堆疊結構。至少一個空氣間隙位於第一垂直堆疊結構和第二垂直堆疊結構之間。
[0004]根據另一種實施例中，一種製造半導體設備的方法，包括:形成絕緣體，以及有可能同時形成彼此接近(臨近)的多個第一垂直堆疊金屬層和多個第二垂直堆疊金屬層。堆疊間材料也在第一垂直堆疊金屬層和第二垂直堆疊金屬層之間形成。該堆疊間材料形成為包括至少一個空氣間隙。
[0005]根據另一種實施例，一種製造半導體設備的方法，包括:形成絕緣體、在絕緣體上形成層。每一層包括電介質絕緣體部分、第一金屬導體、與第一金屬導體接近的第二金屬導體、以及氮化物罩。第一垂直堆疊金屬結構是通過把每一層的每個第一金屬導體彼此垂直對準來提供的，以及第二垂直堆疊金屬結構是通過把每一層的每個第二金屬導體彼此垂直對準來提供的。在第一垂直堆疊金屬結構和第二垂直堆疊金屬結構之間蝕刻至少一個空氣間隙。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]參考附圖根據以下具體描述，本文的實施例將得到更好的理解，其中附圖不一定是按比例繪製的並且其中:
[0007]圖1A是半導體設備的示意圖；
[0008]圖1B是半導體設備的示意圖；
[0009]圖1C是半導體設備的示意圖；
[0010]圖2是半導體設備的示意圖；
[0011]圖3是根據一種實施例的半導體設備的示意圖；[0012]圖4是根據另一種實施例的半導體設備的示意圖；
[0013]圖5是根據另一種實施例的半導體設備的示意圖；
[0014]圖6是根據另一種實施例的半導體設備的示意圖；
[0015]圖7是根據另一種實施例的半導體設備的示意圖；
[0016]圖8是根據一種實施例的製造方法的邏輯流程圖；
[0017]圖9是根據另一種實施例的方法的另一個邏輯流程圖；以及
[0018]圖10是根據另一種實施例的半導體設備的示意圖。
【具體實施方式】
[0019]電介質膜破裂給高級半導體製造技術造成了顯著的可靠性風險。膜的破裂導致晶片可靠性故障，諸如金屬線隆起和腐蝕。例如，當非常粗的金屬線堆疊在彼此頂部時，已經觀察到了電介質膜破裂，以及垂直裂紋的傳播導致熱循環應力期間下層金屬布線隆起。當布線內的間距窄時，由於與材料中不同熱膨脹係數相關的巨大應力量，這個問題特別嚴重。目前已知的解決方案是增加電線之間的間距，這減小了應力。但不幸的是，寬金屬間距會導致顯著大的晶片尺寸，這對客戶來說是不可接受的。
[0020]參考圖1A-1C，示出了用於構造金屬鑲嵌結構的包含基本金屬的層。圖1A說明了具有直接沉積在襯底100上的層El的矽襯底100，其中層El包括一層電介質102。圖1B說明了已經有可能通過化學蝕刻電介質層102的上表面以形成兩個溝槽、然後用金屬導體(104A/B)填充溝槽而同時沉積到電介質102的上表面中的兩個金屬導體104A和104B。金屬導體可以是Cu或者任何其它適於金屬堆疊鑲嵌構建的導電金屬或金屬合金。此外，金屬導體104A和104B可以機械或化學拋光到電介質102上表面的水平。圖1C說明了金屬層El的最後處理，其中氮化物罩106在金屬導體104A/B以及電介質102的上表面之上密封。
[0021]參考圖2，示出了典型的半導體設備200，具有金屬鑲嵌結構部分202和上部半導體層204，層204包括金屬「VV」層206、電介質層206b、金屬鍵合「LD」層208 (其中層206和208可以由鋁形成)、電介質210和保護性多胺罩212。
[0022]金屬鑲嵌結構部分202包括以垂直相繼模式堆疊的多個與圖1C的El相似的金屬層，如通過層E2、En (表示層E3至EZ-1的任何數字)至EZ所說明的，鑲嵌金屬層最上面也是最後一層與上部半導體設備204相鄰。因而，圖2左側的所有金屬導體，即104A、104A』至104A」，全都是在相對垂直堆疊的形成中構造的，使得一個金屬導體在其下和/或其上的任何金屬導體的垂直剖面A中定向。同樣，圖2右側的所有金屬導體，即1048、1048』至1048」，全都是在相對垂直堆疊的形成中構造的，使得一個金屬導體在其下和/或其上的任何金屬導體的垂直剖面B中定向。此外，寬度W分開金屬導體堆疊。寬度W可以主要用每一層的電介質材料(102、102'102」)和每個對應層的氮化物罩薄層(106、106'106」)填充。就是金屬導體堆疊A和B之間的這個區域W可以積聚由於金屬導體對電介質層中不同熱膨脹係數所造成的巨大應力量。
[0023]參考圖3，半導體設備300說明了在金屬導體堆疊A和B之間區域W中形成空氣間隙302的一種實施例。在這種實施例中，在形成上部半導體層204之前，上部金屬線層EZ最上面的部分被遮蔽以及通過下至最下面的金屬線層El除去材料形成空氣間隙302(利用任何材料去除工藝，諸如像蝕刻、化學去除工藝等)。空氣間隙302的寬度形成為使得每個對應的相鄰金屬線堆疊的邊緣與空氣間隙的內邊緣之間的距離(表示為D)小於某個測量值，諸如 50 μ m、25 μ m、10 μ m 等。
[0024]參考圖4，圖3所示實施例的一種備選實施例，空氣間隙302a可以通過非保形電介質，諸如通過沉積等離子增強化學汽相沉積(PECVD)沉積的SiO2，而「被夾斷」。為了增強在空氣間隙頂部的夾斷，可能期望使用一系列窄空氣間隙302a(寬度=0.1至5μπι)，如圖4中所示，而不是如圖3中所示的一個寬空氣間隙302。
[0025]圖10是圖4的一種備選實施例，其中圖10左側的所有備選金屬導體，S卩105Α、105Α』至105Α」，全都是在相對垂直堆疊的形成中構造的，使得一個金屬導體在其下和/或其上的任何金屬導體的垂直剖面A中定向。同樣，圖10右側的所有備選金屬導體，即105Β、105Β』至105Β」，全都是在相對垂直堆疊的形成中構造的，使得一個金屬導體在其下和/或其上的任何金屬導體的垂直剖面B中定向。這種實施例的不同之處在於金屬導體彼此接觸，或者說通過每個對應層的氮化物罩薄層(106、106』、106」)彼此電連接。此外，金屬導體105Α、105Α』至105Α」及同樣還有105Β、105Β』至105Β」可以具有大於I μ m的垂直厚度。
[0026]參考圖5，半導體設備400說明了在金屬導體堆疊A和B之間的區域W中具有多個空氣間隙的一種備選實施例。在這種實施例中，在金屬線層El的形成結束時,層El的上表面被遮蔽並且空氣間隙402形成，以基本上透入層El (利用任何材料去除工藝)。隨後，附加的層(E2、En、EZ)添加到層El的頂部，並且層EZ的上表面被遮蔽，以類似地形成基本上穿透那一層的第二空氣間隙404。雖然只示出了兩個空氣間隙，但是本領域普通技術人員將理解，可以形成任何數量的空氣間隙。上部半導體層204是在空氣間隙402/404的組合之上製造的。
[0027]參考圖6,圖5的一種備選實施例，罩層106」中的一系列窄開口 404b便於空氣間隙的「夾斷」。在這種情況下，窄開口 404b利用光刻和反應性離子蝕刻形成。然後，各向同性蝕刻(諸如稀釋HF溼蝕刻)用於在電介質層中形成大的空氣間隙404。小的開口 404b可以容易地被後續沉積的非保形電介質206b夾斷。
[0028]作為替代，從E2到EZ的任何其它層可以在形成之後被蝕刻，取決於半導體設備的設計需求，以類似的方式形成可以只穿透新形成的層或者穿透其下面任何數量的層的任何其它空氣間隙，以減小區域W中的應力量。
[0029]參考圖7，半導體設備500說明了在一層中(在這個例子中是層El)形成金屬填充物502的一種附加的備選實施例。金屬填充物502可以與金屬線104A和104B同時製造，並且相對於相鄰金屬線堆疊的側邊緣(在A和B)具有與空氣間隙寬度相類似的尺寸屬性小於10 μ m,如由D表不的。金屬填充物502將以類似於空氣間隙的方式釋放金屬堆疊A和B之間寬度為W的區域內的應力，因為金屬填充物502具有與金屬導體104A和104B相同的熱膨脹係數。
[0030]此外，空氣間隙504可以在金屬填充物502之上被蝕刻通過基本上所有無金屬填充物的層(即，E2、En和EZ)，或者空氣間隙可以貫穿如圖4中所示並且在上面討論的金屬線堆疊層在單層或多層中形成。最後，上部半導體層204在金屬填充物502/空氣間隙504的組合之上製造。如本領域普通技術人員將理解的，任何數量的這種金屬填充物結構和這種空氣間隙都可以在結構之上一層一層地形成(潛在地是交替空氣間隙和金屬填充物)。
[0031]參考圖8，在邏輯流程圖中示出了根據一種實施例的製造半導體設備的方法，該流程提供絕緣體600以及提供第一多個垂直堆疊金屬層602和接近所述第一多個垂直堆疊金屬層的第二多個垂直堆疊金屬層604。步驟602和604可以同時執行。然後，在所述第一多個垂直堆疊金屬層和所述第二多個垂直堆疊金屬層之間蝕刻至少一個空氣間隙606。
[0032]空氣間隙和金屬填充物定位成在第一多個垂直堆疊金屬層的第一側邊緣和第二多個垂直堆疊金屬層的第二側邊緣之間小於某個測量值，諸如50 μ m、25 μ m、10 μ m等。如上所示，可以在第一垂直堆疊金屬層和第二垂直堆疊金屬層之間蝕刻至少一個第二空氣間隙。同樣，第一空氣間隙和第二空氣間隙之間的部分包括電介質絕緣材料。至少一個金屬填充物可以沉積在第一垂直堆疊金屬層和第二垂直堆疊金屬層之間。同樣，金屬堆疊之間的電介質絕緣材料部分可以包括至少一個金屬填充物和至少一個空氣間隙。
[0033]此外，第一垂直堆疊金屬層中每一層可以通過形成第一電介質絕緣體、把第一金屬導體嵌入第一電介質絕緣體中並且用第一氮化物罩覆蓋第一金屬導體來製造。通過同時形成第二電介質絕緣體、把第二金屬導體嵌入第二電介質絕緣體中並且用第二氮化物罩覆蓋第二金屬導體，這個過程可以同時形成第二多個垂直堆疊金屬層中的每一層。
[0034]參考圖9，在形成絕緣體的邏輯流程圖700中示出了根據一種實施例的製造半導體設備的方法。在絕緣體上形成多個層。所述多個層中的每一層都包括電介質絕緣體、第一金屬導體和接近第一金屬導體的第二金屬導體、以及氮化物罩702。通過重複步驟702多次以把多個層中每一層的每個第一金屬導體彼此垂直對準來形成第一垂直堆疊金屬結構，並且把多個層中每一層的每個第二金屬導體彼此垂直對準(以形成第二垂直堆疊金屬結構)704。在第一垂直堆疊金屬結構與第二垂直堆疊金屬結構之間形成至少一個空氣間隙706。
[0035]空氣間隙定位成在第一垂直堆疊金屬結構的第一側邊緣和第二垂直堆疊金屬結構的第二側邊緣之間小於某個測量值，諸如50 μ m、25 μ m、10 μ m等。可以在第一垂直堆疊金屬結構和第二垂直堆疊金屬結構之間蝕刻附加的空氣間隙。第一空氣間隙和第二空氣間隙之間的部分包括電介質絕緣材料。至少一個金屬填充物也可以沉積成位於第一垂直堆疊金屬結構和第二垂直堆疊金屬結構之間。至少一個金屬填充物和至少一個空氣間隙之間的部分包括電介質絕緣材料。
[0036]該方法還可以在電介質絕緣體中嵌入第一屬導體和第二金屬導體中，以及用第一氮化物罩覆蓋第一金屬導體和第二金屬導體。
[0037]上述方法用於製造集成電路晶片。結果產生的集成電路晶片可以由製造者以原始晶片形式(即，作為具有多個未封裝晶片的單個晶片)、作為裸管芯或者以封裝形式分發。在後一種情況下，晶片安裝在單晶片封裝中(諸如塑料載體，具有附連到母板或其它更高級載體的導線)或者多晶片封裝中(諸如具有任何一個或者兩個表面互連或掩埋互連的陶瓷載體)。在任何一種情況下，晶片隨後都與其它晶片、分立的電路元件和/或其它信號處理設備集成，作為(a)中間產品，諸如母板，或者(b)最終產品的一部分。最終產品可以是包括集成電路晶片的任何產品，從玩具和其它低端應用到具有顯示器、鍵盤或其它輸入設備和中央處理器的高級計算機產品。
[0038]對於本文的目的，「絕緣體」是一個相對術語，指允許比「導體」基本上少(〈95%)的電流流動的材料或結構。本文提到的電介質(絕緣體)可以例如從幹氧環境或蒸汽生長，然後構圖。作為替代，本文的電介質可以從許多種候選的高介電常數(高-k)材料形成，包括但不限於氮化矽、氮氧化矽、SiO2和Si3N4的柵極電介質堆疊、以及像氧化鉭的金屬氧化物。本文電介質的厚度可以隨所需的設備性能而變。本文所提到的導體可以由任何導電材料形成，諸如通過合適摻雜劑存在而變得導通的多晶娃(polysilicon)、非晶娃、非晶娃與多晶矽的組合及多晶矽-鍺。作為替代，本文的導體可以是一種或多種金屬，諸如鎢、鉿、鉭、鑰、鈦或鎳，或者金屬矽化物、此類金屬的任何合金，並且可以利用物理汽相沉積、化學汽相沉積或者本領域中已知的任何其它技術來沉積。
[0039]本文在構圖任何材料時，要構圖的材料可以任何已知的方式生長或沉積並且構圖層(諸如有機光致抗蝕劑)可以在該材料上形成。構圖層(抗蝕劑)可以暴露給曝光圖案中所提供的某種形式的光輻射(例如，構圖曝光、雷射曝光等)，然後抗蝕劑利用化學試劑來顯影。這個過程改變了抗蝕劑暴露給光的部分的特性。然後，抗蝕劑的一部分可以被衝洗掉，留下抗蝕劑的另一部分保護要被構圖的材料。然後執行材料去除過程(例如，等離子蝕刻等)，以除去材料要被構圖的未受保護部分。抗蝕劑隨後被除去，以留下根據曝光圖案構圖的底層材料。
[0040]雖然在附圖中只說明了一個或有限數量的電晶體，但是本領域普通技術人員將理解，許多不同類型的電晶體可以利用本文的實施例同時形成，而且附圖是要顯示多種不同類型電晶體的同時形成；但是，為了清晰並允許讀者更容易認識到所說明的不同特徵，附圖簡化成了只顯示有限數量的電晶體。這不是要限定本文的實施例，因為，如本領域普通技術人員將理解的，實施例適用於包括許多附圖中所示每種類型電晶體的結構。
[0041]此外，當其在附圖中定向和說明時，本文所使用的諸如「右」、「左」、「垂直」、「水平」、「頂部」、「底部」、「上部」、「下部」、「在...之下」、「在...下面」、「在...之上」、「在...上面」、「平行」、「垂直」等術語應當理解為是相對位置(除非另外指出)。諸如「接觸」、「...上面」、「直接接觸」、「鄰接」、「直接相鄰」等術語意味著至少一個元件物理地接觸另一個元件(沒有其它元件隔開所述元件)。
[0042]本文所使用的術語僅僅是為了描述特定的實施例而不是要作為本發明的限制。如在此所使用的，除非上下文明確地另外指出，否則單數形式「一」、「一個」和「這個」是要也包括複數形式。還應當理解，當在本說明書使用時，術語「包括」和/或「包含」規定所述特徵、整數、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是並不排除一個或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在或添加。
[0043]以下權利要求中所有裝置或步驟加功能元素的對應結構、材料、動作及等價物都是要包括用於結合具體所述的其它所述元素執行所述功能的任何結構、材料或行為。已經為了說明和描述給出了本文實施例的描述，但這不是詳盡的或者要把本發明限定到所公開的形式。在不背離本文實施例的範圍與主旨的情況下，許多修改和變化對本領域普通技術人員都將是顯而易見的。實施例的選擇和描述是為了最好地解釋本發明的原理和實踐應用，並使本領域其他普通技術人員能夠理解本發明具有適於預期特定使用的各種修改的各種實施例。
【權利要求】
1.一種半導體設備，包括: 絕緣體；以及 所述絕緣體上的多個垂直堆疊層，所述垂直堆疊層中的每一層都包括: 至少一個第一電介質絕緣體部分； 所述第一電介質絕緣體部分中的至少一個第一導體； 覆蓋所述第一導體的至少一個第一氮化物罩； 至少一個第二電介質絕緣體部分； 所述第一電介質絕緣體部分中的至少一個第二導體；以及 覆蓋所述第二導體的第二氮化物罩， 所述垂直堆疊層中的所述第一導體形成第一垂直堆疊導體層， 所述垂直堆疊層中的所述第二導體形成第二垂直堆疊導體層， 所述第一垂直堆疊導體層接近所述第二垂直堆疊導體層， 所述垂直堆疊層中的每一層還包括位於所述第一垂直堆疊導體層和所述第二垂直堆疊導體層之間的堆疊 間材料，以及 所述堆疊間材料包括至少一個空氣間隙。
2.如權利要求1所述的半導體設備，所述空氣間隙定位成在所述第一垂直堆疊層的第一側邊緣與所述第二垂直堆疊層的第二側邊緣之間小於10 μ m。
3.如權利要求1所述的半導體設備，所述空氣間隙包括位於第二空氣間隙下面的第一空氣間隙，以及 所述堆疊間材料包括電介質絕緣材料。
4.如權利要求1所述的半導體設備，所述堆疊間材料還包括: 至少一個金屬填充物， 所述金屬填充物和所述空氣間隙之間的所述堆疊間材料的一部分包括電介質絕緣材料。
5.如權利要求1所述的半導體設備，所述第一導體和所述第二導體包括銅。
6.如權利要求1所述的半導體設備，所述至少一個第一導體與所述第二導體電連接並直接接觸， 所述第一導體和所述第二導體中的所述至少一個導體具有大於I μ m的垂直厚度。
7.一種半導體設備，包括: 絕緣體； 所述絕緣體上的多個層，所述層中的每一層都包括第一導體和接近所述第一導體的第二導體； 所述層中的所述第一導體包括第一垂直堆疊結構，以及所述層中的所述第二導體包括第二垂直堆疊結構；以及 所述層中的至少一個空氣間隙位於所述第一垂直堆疊結構和所述第二垂直堆疊結構之間。
8.如權利要求7所述的半導體設備，所述空氣間隙定位成在所述第一垂直堆疊結構的第一側邊緣與所述第二垂直堆疊結構的第二側邊緣之間小於10 μ m。
9.如權利要求7所述的半導體設備，所述空氣間隙包括位於第二空氣間隙下面的第一空氣間隙， 所述第一空氣間隙和所述第二空氣間隙之間的所述層的一部分包括電介質絕緣材料。
10.如權利要求7所述的半導體設備，還包括: 位於所述第一垂直堆疊結構和所述第二垂直堆疊結構之間的至少一個金屬填充物， 所述金屬填充物和所述空氣間隙之間的一部分包括電介質絕緣材料。
11.如權利要求7所述的半導體設備，所述第一導體和所述第二導體包括銅。
12.一種製造半導體設備的方法，所述方法包括: 形成絕緣體； 以下述過程在所述絕緣體上形成多個垂直堆疊絕緣體層，所述過程包括:把第一金屬導體和第二金屬導體嵌入所述堆疊絕緣體層中的每一層，以形成多個第一垂直堆疊金屬層和接近所述第一垂直堆疊金屬層的多個第二垂直堆疊金屬層；以及 在所述第一垂直堆疊金屬層和所述第二垂直堆疊金屬層之間的所述垂直堆疊絕緣體層的堆疊間材料中形成至少一個空氣間隙。
13.如權利要求12所述的方法，還包括: 把所述空氣間隙定位成在所述第一多個垂直堆疊金屬層的第一側邊緣與所述第二多個垂直堆疊金屬層的第二側邊緣之間小於10 μ m。
14.如權利要求12所述的方法，還包括: 在所述堆疊間材料中形成第二空氣間隙， 所述第一空氣間隙和所述第二空氣間隙之間的所述堆疊間材料的一部分包括電介質絕緣材料。
15.如權利要求12所述的方法，還包括: 在所述堆疊間材料中形成至少一個金屬填充物， 位於所述金屬填充物和所述空氣間隙之間的所述堆疊間材料的一部分包括電介質絕緣材料。
16.如權利要求12所述的方法，所述形成所述第一多個垂直堆疊金屬層中的每一層還包括: 形成第一電介質絕緣體部分； 把所述第一金屬導體中的一個嵌入到所述第一電介質絕緣體部分中；以及 用第一氮化物罩覆蓋所述第一金屬導體； 所述形成所述第二多個垂直堆疊金屬層中的每一層還包括: 形成第二電介質絕緣體部分； 把所述第二金屬導體中的一個嵌入到所述第二電介質絕緣體部分中；以及 用第二氮化物罩覆蓋所述第二金屬導體。
17.—種製造半導體設備的方法，所述方法包括: 形成絕緣體； 在所述絕緣體上形成多個層，所述層中的每一層都包括電介質絕緣體部分、第一金屬導體和接近所述第一金屬導體的第二金屬導體、以及氮化物罩； 通過在所述層相繼地在 所述絕緣體上形成時彼此垂直對準所述層中的每一層的每個所述第一金屬導體來形成第一垂直堆疊金屬結構，以及通過在所述層相繼地在所述絕緣體上形成時垂直對準每個所述第二金屬導體來形成第二垂直堆疊金屬結構；以及 蝕刻所述第一垂直堆疊金屬結構與所述第二垂直堆疊金屬結構之間的所述層中的至少一個空氣間隙。
18.如權利要求17所述的方法，還包括: 把所述空氣間隙定位成在所述第一垂直堆疊金屬結構的第一側邊緣與所述第二垂直堆疊金屬結構的第二側邊緣之間小於10 μ m。
19.如權利要求17所述的方法，還包括: 在所述第一垂直堆疊金屬結構與所述第二垂直堆疊金屬結構之間的所述層中蝕刻第二空氣間隙， 所述第一空氣間隙和所述第二空氣間隙之間的所述層的一部分包括電介質絕緣材料。
20.如權利要求17所述的方法，還包括: 在所述第一垂直堆疊金屬結構和所述第二垂直金屬堆疊結構之間沉積至少一個金屬填充物， 所述金屬填充物和所述空氣間隙之間的所述層的一部分包括電介質絕緣材料。
21.如權利要求17所述的方法，還包括:在所述第一垂直堆疊金屬結構和所述第二垂直堆疊金屬結構之間的所述層中形成多個交替的空氣間隙和金屬填充物結構。
【文檔編號】H01L21/4763GK103843121SQ201280045981
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年9月11日 優先權日:2011年9月22日
【發明者】E·C·庫尼, 傑弗裡·P·甘比諾, 何忠祥, 劉小虎, 託馬斯·L·麥克德維特, G·L·米洛, 威廉·J·墨菲 申請人:國際商業機器公司